【a特点指定VDD3 V至5.5 V只读操作AD7854-200 kSPS时; AD7854L -10】,IC型号AD7854ARS,AD7854ARS PDF资料,AD7854ARS经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

指定V

3 V至5.5 V

只读操作

AD7854-200 kSPS时; AD7854L -100 kSPS时

系统和自校准

低功耗

正常工作

AD7854 ： 15毫瓦（V

= 3 V)

AD7854L ： 5.5毫瓦（V

= 3 V)

自动断电转换后（ 25 W）

AD7854 ： 1.3毫瓦10 kSPS时

AD7854L ： 650 W 10 kSPS时

灵活的并行接口

12位并行/ 8位并行（ AD7854 ）

28引脚DIP ， SOIC和SSOP封装（ AD7854 ）

应用

电池供电系统（个人数字助理，

医疗器械，移动通信）

笔计算机

仪表和控制系统

高速调制解调器

3 V至5 V单电源， 200 kSPS时

12位采样ADC

AD7854/AD7854L*

功能框图

AGND

AIN（+ ）

T / H

AIN（ - ）

2.5V

参考

REF

OUT

COMP

BUF

DGND

REF1

收费

再分配

DAC

CLKIN

REF2

校准

内存

和控制器

SAR ADC +

控制

CONVST

忙

AD7854/AD7854L

并行接口/控制寄存器

DB11–DB0

HBEN

概述

产品亮点

在AD7854 / AD7854L是一款高速，低功耗， 12位ADC

即采用单3 V或5 V电源供电，

AD7854的速度和所述AD7854L为低被优化

力。 ADC的权力了一组默认条件

该时间可为只读的ADC来操作。该ADC

包含自校准和系统校准选项，以恩

确保操作精度不受时间和温度，并具有

对于低功耗应用省电选项数量。

的AD7854能够200 kHz，而该

AD7854L能够100kHz的通过速率。输入

跟踪和保持收购了500 ns的信号，并配有伪

差分采样方案。在AD7854和AD7854L输入

电压范围为0至V

REF

（单极）和-V

REF

/ 2到+ V

REF

/2,

集中在V

REF

/ 2（双极性）。编码为标准二进制中

单极模式和二进制补码双极性模式。输入

信号范围是到供给和零件能够变流的

荷兰国际集团的全功率信号到100千赫。

CMOS结构确保了典型的低功耗

5.4毫瓦用于正常操作和3.6

在掉电模式。

该器件提供28引脚， 0.6英寸宽的双列直插式封装

年龄（ DIP ）， 28引脚小外形封装（ SOIC ）和28引脚小

收缩轮廓（ SSOP ）封装。

*专利

正在申请中。

请参见第27页的数据表的索引。

1.操作与3 V或5 V电源供电。

2.灵活的电源管理选项，包括自动

转换后掉电。使用电源管理

换货选项卓越的动力性能更慢

吞吐速率可达到：

AD7854 ： 1毫瓦（典型值） @ 10 kSPS时

AD7854L ： 1毫瓦（典型值） @ 20 kSPS时

3.工作在参考电压为1.2 V至AV

4.模拟输入范围为0 V至AV

5.自校准和系统校准。

6.通用并行I / O口。

7.低功耗版本AD7854L 。

版本B

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2000

AD7854/AD7854L–SPECIFICATIONS

（ AV （ -40 = CDVto + 85 + 3.0 Vf的5.5 200REF / REF = 2.5 V千赫

外部基准，女

= 4兆赫（对于L版本： 1.8兆赫（ 0℃至+ 70℃ ）和兆赫

C));

千赫（ AD7854 ）， 100

OUT

CLKIN

样品

（ AD7854L ） ;牛逼

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明。）规格中（）应用到AD7854L 。

参数

动态性能

信号与噪声+失真比

（SNR）的

总谐波失真（ THD ）

峰值谐波或杂散噪声

互调失真（ IMD ）

二阶条款

三阶条款

DC精度

决议

积分非线性

微分非线性

单极性偏移误差

单极性增益误差

双极正满量程误差

负满量程误差

双极性零误差

模拟量输入

输入电压范围

A版

B版本

S版

单位

分贝分钟

测试条件/评论

通常，信噪比为72分贝

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 200千赫

（L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 200千赫

（L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 200千赫

（L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 200千赫

（L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 200千赫

（L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

–78

最大分贝

–78

dB典型值

0到V

REF

2.3/V

150

2.3/2.75

2.1

0.4

0.6

0.5

0到V

REF

2.3/V

150

2.3/2.7

2.1

0.4

0.6

0到V

REF

2.3/V

150

2.3/2.7

2.1

0.4

0.6

位

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

伏

5 V基准电压V

= 5 V

保证无漏码至12位

即，AlN （+） - AIN（ - ）= 0至V

REF

， AIN （ - ）可

偏了，但AIN （ + ）不能低于AIN （ - ）。

即，AlN （+） - AIN（ - ） = -V

REF

/ 2到+ V

REF

/ 2 ，AlN （ - ）

应被偏置到+ V

REF

/ 2和AIN （ + ）可以去以下

AIN （ - ），但不能低于0 V.

漏电流

输入电容

参考输入/输出

REF

输入电压范围

输入阻抗

REF

OUT

输出电压

REF

OUT

温度系数

逻辑输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

输入电容，C

IN4

逻辑输出

输出高电压，V

最大

pF的典型值

V最小/最大

千欧（典型值）

V最小/最大

PPM /°C的典型值

V分钟

V最大

最大

pF的最大

从1.2伏官能

= 4.5 V至5.5 V

= 3.0 V至3.6 V

= 4.5 V至5.5 V

= 3.0 V至3.6 V

通常情况下10 nA的，V

= 0 V或V

2.4

输出低电压，V

浮态泄漏电流

浮态输出电容

输出编码

转化率

转换时间

采样/保持捕获时间

0.4

2.4

V分钟

V最大

最大

pF的最大

来源

= 200

= 4.5 V至5.5 V

= 3.0 V至3.6 V

SINK

- 0.8毫安

0.4

直（自然科学）二进制

二进制补码

4.6 (9)

0.5 (1)

4.6 (9)

0.5 (1)

单极性输入范围

双极性输入范围

最大

民

CLKIN

（只有L版本， 0 ° C至+ 70 ° C， 1.8 MHz的CLKIN ）

（只有L版本， -40 ° C至+ 85°C ， 1 MHz的CLKIN ）

4.6 (10)

0.5 (1)

–2–

版本B

AD7854/AD7854L

参数

A版

B版本

S版

单位

测试条件/评论

电源要求

DD,

普通模式

+3.0/+5.5

5.5 (1.8)

+3.0/+5.5

5.5 (1.8)

+3.0/+5.5

6 (1.8)

V最小/最大

最大mA

= 4.5 V至5.5 V.典型4.5毫安

（1.5 mA）的;

= 3.0 V至3.6 V.典型4.0毫安

（1.5 mA）的。

完全掉电。电源管理位控制

寄存器设置为PMGT1 = 1， PMGT0 = 0 。

局部断电。电源管理位

控制寄存器设定为PMGT1 = 1， PMGT0 = 1 。

通常情况下1

完全掉电。电源管理

控制寄存器位设置为PMGT1 = 1 ，

PMGT0 = 0 。

局部断电。电源管理位

控制寄存器设定为PMGT1 = 1， PMGT0 = 1 。

= 5.5 V ：通常情况下25毫瓦（ 8 ）

= 3.6 V ：通常情况下15毫瓦（ 5.4 ）

= 5.5 V

= 3.6 V

= 5.5 V ：通常5.5

= 3.6 V ：通常3.6

允许的偏移电压量程标定

许满量程电压量程标定

睡眠模式

随着外部时钟上

400

典型值

最大

典型值

毫瓦MAX

典型值

最大

V MAX / MIN

随着外部时钟关闭

200

正常模式功耗

休眠模式下功耗

随着外部时钟上

随着外部时钟关闭

系统校准

偏移校准跨度

增益校准跨度

30 (10)

20 (6.5)

27.5

200

30 (10)

20 (6.5)

27.5

200

30 (10)

20 (6.5)

27.5

+0.05

REF

/–0.05

REF

+0.025

REF

/–0.025

REF

笔记

温度范围如下：A ，B版本， -40 ° C至+ 85°C ; S版， -55 ° C至+ 125°C 。

校准后的规格适用。

未经生产测试。经鉴定，在产品初始发行保证。

样品测试@ + 25°C ，以确保合规性。

所有数字输入@ DGND除

CONVST

@ DV

。在数字输出无负载。模拟输入@ AGND 。

CLKIN @ DGND时，外部时钟关闭。所有数字输入@ DGND除

CONVST

@ DV

。在数字输出无负载。模拟输入@ AGND 。

偏移和增益校准跨度定义为偏移和增益误差的AD7854 / AD7854L可以校准的范围。还认为这些都是电压跨度注

并没有绝对的电压（即允许系统失调电压为系统偏移误差提出了在AIN （ + ），以调整出将AIN （ - ）

0.05

REF

和AIN （ + ）和AIN之间施加的允许系统满量程电压（ - ）的系统满量程电压误差进行调整出来将是V

REF

0.025

REF

（单极模式）和V

REF

0.025

REF

（双极性模式））。此进行更详细的解释在数据表中的校正部分。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本B

–3–

AD7854/AD7854L

时序特定网络阳离子

参数

CLKIN2

兑换

8 4

9 5

184

CAL6

CAL16

CAL26

（ AV

= + 3.0V至+ 5.5V ; F

CLKIN

= 4兆赫的AD7854和1.8兆赫的AD7854L ;

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明）

在T限制

民

, T

最大

（A ，B ，S版本）

500

1.8

100

4.5

1/2 t

CLKIN

2.5 t

CLKIN

31.25

27.78

3.47

500

1.8

100

4.5

1/2 t

CLKIN

2.5 t

CLKIN

31.25

27.78

3.47

单位

千赫分钟

兆赫最大

ns（最小值）

ns（最大值）

最大

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

毫秒（典型值）

描述

主时钟频率

L型

CONVST

脉宽

CONVST

忙

↑

传播延迟

转换时间= 18吨

CLKIN

L型1.8 MHz的CLKIN 。转换时间= 18吨

CLKIN

HBEN到

建立时间

HBEN到

保持时间

要建立时间

保持时间

脉宽

数据访问时间后，

总线释放时间后，

最小间隔时间读取

HBEN到

建立时间

HBEN到

保持时间

建立时间

保持时间

脉宽

数据建立时间之前

后数据保持时间

新的数据有效之前下降的BUSY边缘

HBEN高脉冲持续时间

HBEN低脉冲持续时间

传播延迟从HBEN上升沿到数据有效

传播延迟从HBEN下降沿到数据有效

CSの

忙

↑

在校准过程

全自校准时间，主时钟依赖（ 125013

CLKIN

)

内部DAC Plus系统满量程校准时间，主时钟

依赖（ 111124吨

CLKIN

)

系统失调校准时间，主时钟依赖

(13889 t

CLKIN

)

笔记

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的

），并定时从1.6 V的电压电平

马克/空间比主时钟输入为40/60至60/40 。

该

CONVST

脉宽这里只适用于正常操作。当器件处于关断模式下，不同的

CONVST

脉宽适用（见掉电

部分）。

测得的与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。

当装载有图1的电路所测得的数，然后外推导出形式采取的数据输出改变0.5 V的测量时间

背面去除的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着该时间t

在时序特性所是真正的总线释放

的部分和的时间是独立的总线负载的。

为校准时间指定的典型时间为4MHz的主时钟。对于L版的校准时间将长于这里列出因

1.8 MHz的主时钟。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–4–

版本B

AD7854/AD7854L

1.6mA

绝对最大额定值

= + 25 ° C除非另有说明）

产量

针

+2.1V

50pF

200A

图1.负载电路的数字输出定时

特定网络阳离子

引脚配置

FOR DIP ， SOIC和SSOP

CONVST

REF

/ REF

OUT

忙

CLKIN

DB11

DB10

AD7854

DB9

顶视图

DGND

（不按比例）

AGND

REF1

REF2

AIN（+ ）

AIN（ - ）

HBEN

DB0

DB1

DB8

DB7

DB6

DB5

DB4

DB3

DB2

到AGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

到DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

以DV

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+0.3 V

模拟输入电压至AGND 。。。。 -0.3 V至AV

+ 0.3 V

数字输入电压至DGND 。。。。 -0.3 V到DV

+ 0.3 V

数字输出电压DGND 。。。 -0.3 V到DV

+ 0.3 V

REF

/ REF

OUT

到AGND 。。。。。。。。。 -0.3 V至AV

+ 0.3 V

输入电流到任何引脚除外用品

. . . . . . . . .

10毫安

工作温度范围

商业（ A，B版本）。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

商务（S版）。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至+ 125°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 150°C

CERDIP封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。 450毫瓦

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 75 ° C / W

焊接温度（焊接， 10秒）。。。。。。。。。 + 300℃

SOIC ， SSOP封装，功率耗散。。。。。。。。。 450毫瓦

热阻抗。。。 75 ℃/ W（ SOIC ） 115℃ / W （ SSOP ）

热阻抗。。。 25 ℃/ W（ SOIC ） 35 ℃/ W（ SSOP ）

焊接温度，焊接

气相（ 60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 220℃

笔记

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

高达100 mA的瞬态电流不会造成SCR闭锁。

订购指南

模型

AD7854AQ

AD7854SQ

AD7854AR

AD7854BR

AD7854ARS

AD7854LAQ

AD7854LAR

AD7854LARS

EVAL-AD7854CB

EVAL -CONTROL BOARD

温度

范围

-40 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

线性

错误

（ LSB ）

1/2

动力

耗散

（ mW）的

5.5

包

选项

Q-28

R-28

RS-28

Q-28

R-28

RS-28

笔记

线性误差指的是积分线性误差。

Q = CERDIP ; R = SOIC ; RS = SSOP 。

L表示低功耗版本。

这可以作为一个独立的评估板，或与EVAL -控制板为结合

评估/演示。

该板是一个完整的单元，允许一台PC来控制，并与所有ADI公司评估板沟通

结束在CB标志。关于ADI公司的产品和评估板更多信息请访问我们的

万维网网页， http://www.analog.com 。

版本B

–5–