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AD783–SPECIFICATIONS
DC特定网络阳离子
参数
采样特性
采集时间
5 V步至0.01 %
5 V步至0.1%
小信号带宽
全功率带宽
HOLD特性
有效孔径延迟( + 25 ° C)
孔径抖动( + 25 ° C)
持有沉降( 1毫伏, + 25 ° C)
下降率
馈通( + 25 ° C)
(V
IN
=
±
2.5 V , 500千赫)
精度特性
1
保持模式偏移
HOLD模式失调漂移
采样模式偏移
非线性
增益误差
输出特性
输出驱动电流
输出电阻,直流
总输出噪声(直流到5MHz )
采样DC不确定性
保持模式噪声(DC至5MHz )
短路电流
来源
SINK
输入特性
输入电压范围
偏置电流
输入阻抗
输入电容
数字特性
输入电压低
输入电压高
输入电流高(V
IN
= 5 V)
电源特性
工作电压范围
电源电流
+ PSRR ( +5 V
±
5%)
-PSRR ( -5 V
±
5%)
耗电量
温度范围
指定的性能(J )
指定的性能
(A)
笔记
1
规定和测试过的输入范围
±
2.5 V.
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
(T
给T
最大
随着V
CC
= +5 V
5%, V
EE
= –5 V
5%, C
L
= pF的,除非另有说明)
AD783J/A
典型值
最大
单位
250
200
15
2
–30
15
20
150
0.02
–80
–5
0
10
50
±
0.005
±
0.03
375
350
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ps
ns
μV / μs的
dB
30
50
200
1
+5
200
±
0.1
+5
0.6
mV
μV/°C
mV
% FS
% FS
mA
V
RMS
V
RMS
V
RMS
mA
mA
V
nA
M
pF
V
V
A
V
mA
dB
dB
mW
°C
°C
–5
0.3
150
85
125
20
13
–2.5
100
10
2
+2.5
250
0.8
2.0
2
±
4.75
45
45
±
5
9.5
65
65
95
10
±
5.25
17
175
+70
+85
0
–40
–2–
REV 。一
AD783
HOLD模式AC规格
(T
参数
总谐波失真
f
IN
= 100千赫
f
IN
= 500千赫
信号与噪声和失真
f
IN
= 100千赫
f
IN
= 500千赫
互调失真
( F1 = 99 kHz时, F2 = 100千赫)
二阶产品
三阶产品
笔记
1
f
IN
振幅= 0分贝和f
样品
= 300千赫,除非另有说明。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
给T
最大
随着V
CC
= +5 V
5%, V
EE
= –5 V
AD783J/A
典型值
–85
–72
77
70
5%, C
L
= 50 pF的,除非另有说明)
最大
–80
单位
dB
dB
dB
dB
–80
–85
dB
dB
绝对最大额定值*
引脚配置
规格
V
CC
V
EE
模拟量输入
数字输入
输出短路
地面,V
CC
,
或V
EE
最大结
温度
存储
焊接温度
( 10秒以内)
对于
COM
COM
COM
COM
–0.5
–6.5
–6.5
–0.5
最大
+6.5
+0.5
+6.5
+6.5
单位
V
V
V
V
V
CC
IN
常见
NC
1
2
3
4
NC =无连接
8
OUT
S / H
NC
V
EE
AD783
顶视图
(不按比例)
7
6
5
不定
+175
°C
+150
°C
+300
°C
–65
*条件超过上述“绝对最大额定值”,可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的操作部分是不是暗示。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然AD783具有专用ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
订购指南
警告!
ESD敏感器件
模型
1
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
描述
8引脚CERDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
选项
2
Q-8
Q-8
R-8
R-8
AD783JQ
AD783AQ
AD783JR
AD783AR
笔记
1
上档次,包装产品筛选符合MIL -STD- 883的详细信息,请参阅
1
ADI公司军用产品数据手册或电流AD783 / 883B数据手册。
2
Q = CERDIP , R = SOIC 。
REV 。一
–3–
AD783 -典型特征
10.0
V+
60
V–
1.0
下降率=
μV / μs的
PSRR - 分贝
50
0.1
40
0.01
30
0
1
10
100
1k
10k
100k
1M
频率 - 赫兹
0.001
0
25
50
75
100
温度 -
°
C
125
150
电源抑制比与频率的关系
下降率与温度,V
IN
= 0 V
200
150
100
偏置电流 - nA的
50
0
–50
–100
–150
采集时间 - NS
300
250
200
0
–200
–2.5
0
输入电压= V
0
+2.5
1
2
3
输入步骤 - V
4
5
偏置电流与输入电压
采集时间( 0.01 %) - 输入步长
–4–
REV 。一
AD783
规格定义
采集时间 -
时间长了SHA绝
留在样本模式,以获得一个满量程输入
一步精度的一个给定的电平。
小信号带宽,该
频率在其中保持
输出幅度低于输入振幅3分贝,下一个
一个100 mV的P-P正弦波输入条件。
全功率带宽,该
频率在其中保持
输出幅度低于输入振幅3分贝,下一个
一个5 V P-P正弦波输入条件。
有效孔径延迟,该
交换机之间的区别
延迟和SHA信道的模拟延迟。负
数表示的总延迟的模拟部分是
比开关部越大。这种有效的延迟表示
的时间点,相对于保持命令,该输入
信号进行采样。
孔径抖动,该
变化的孔径延迟
连续采样。孔径抖动提出了一个上限的
可以被精确采样的最大频率。
保持稳定时间,该
所需的输出时间
在其最终的保持值的准确度的一个特定水平沉降到
保持命令发出后。
下降率,在
漂在输出电压,而在保持
模式。
穿心-的
不断变化的输入衰减版
出现在输出端信号时的SHA处于保持
模式。
保持模式失调的
输入信号之间的差
和所保持的输出。只有这个偏移项适用于持有
模式,包括由电荷注入和所有的误差
其他内部偏移。它被规定为0V。一个输入
采样模式失调的
输入和之间的差异
当SHA处于采样模式下的输出信号。
非线性-的
上的曲线从直线偏离
输入与作为参考的直线拉伸(保持)输出
端点,在-2.5 V和2.5 V的输入电压范围之间
增益误差,偏差
从1上转印的增益
函数的输入与输出召开的。
电源抑制比-A
衡量变化的的
在正保持输出电压为规定的变化量或
负电源。
采样DC不确定性,该
内部SHA均方根噪声
被采样在保持电容器。
保持模式噪声的
在SHA的输出均方根噪声
而在保持模式下,在给定的带宽指定。
总输出噪声的
这被认为是在总RMS噪声
输出SHA而在保持模式的。它是均方根
所采样的直流不确定性和保持模式的总和
噪声。
输出驱动电流的
最大电流可以SHA
源(或汇),同时保持在保持模式的改变抵消
小于2.5毫伏。
信号与噪声和失真(S / N + D )比-S / N + D
is
所测量的输入信号与均方根值的比
低于奈奎斯特所有其它频谱成分的均方根和
频率,包括谐波但不包括直流。对于价值
的S / N + D是用分贝表示。
总谐波失真( THD ) -THD
是的比率
前六个谐波分量的均方根和均方根值
测得的输入信号的和以分贝表示。
互调失真( IMD ) - 随着
由输入
正弦波的两个频率分别为fa和,与任何设备
非线性将产生失真的产品,以便第(m + n)时,在
MFA ± NFB的和与差的频率,其中m , n = 0时, 1,2,
3 。 。 。互调项是指那些米或n不
等于零。例如,第二阶项是(发+ fb)款
和( FA- FB)和第三阶项是( 2FA + fb的),( 2FA - fb的) ,
( FA + 2FB )和( FA - 2FB ) 。的IMD产物表示为
测得的输入信号的均方根总和的比值分贝
的失真项有效值之和。两个信号的相等
他们大笔的幅度,峰值为全-0.5分贝
的规模。的IMD产物是归一化到一个0分贝输入信号。
功能说明
该AD783是一个完整的,高速取样与保持
放大器,可提供高速采样,以12位精度
在250纳秒。
该AD783是完全独立的,其中包括一个片上
保持电容,并且无需外部元件或调整
ments进行采样功能。输入和输出
被视为一个单端信号,称为通用。
在AD783采用了专有的电路设计,它包括一个
自校正架构。这种采样和保持电路
校正内部错误后,保持命令已
定,通过补偿放大器增益和偏移误差,并
电荷注入错误。由于设计的性质,所述
在采样模式的SHA输出并不旨在提供一种
所述输入的准确的表示。但是,在保持模式,
内部电路被重新配置,以准确地产生一个
手持版本的输入信号。下面是一个框图
AD783.
1
2
X1
V
CC
IN
常见
NC
8
7
6
OUT
S / H
NC
V
EE
3
4
AD783
NC =无连接
5
功能框图
REV 。一
–5–
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AD783JRZ
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
AD783JRZ
ADI(亚德诺)
22+
17820
原装原厂公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:421123133 复制

电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
AD783JRZ
ADI(亚德诺)
24+
7800
SOIC-8
原装正品现货,可开增值税专用发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:953787052 复制 点击这里给我发消息 QQ:849036869 复制

电话:15899765957 19573525995
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
AD783JRZ
ADI(亚德诺)
24+
9600
SOIC-8
原装正品热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
AD783JRZ
Analog Devices
2440+
11860
SOIC-8
代理Analog Devices专营,原装现货优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
AD783JRZ
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联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
AD783JRZ
ADI/亚德诺
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电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AD783JRZ
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全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-82799659/83220081/83223317
联系人:李
地址:福田区南光捷佳1727
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ADI(亚德诺)
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电话:13823538694
联系人:王
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