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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1704页 > AD7778AS
a
特点
AD7776 ：单通道
AD7777 ： 4通道
AD7778 ： 8通道
快速10位ADC ： 2.5秒最坏情况
+ 5V只有
半量程转换选项
快速接口端口
掉电模式
应用
HDD舵机
仪器仪表
概述
LC MOS ，高速
1 ， 4- & 8通道10位ADC
AD7776/AD7777/AD7778*
功能方框图
CLKIN
控制
注册
10
A
IN
1
MUX
T / H
10-BIT
ADC
ADCREG1
10
C
REFIN
V
BIAS
REFIN
RTN
V
摇摆
控制逻辑
AGND
REF
REFOUT
REFIN
DB0–DB9
V
CC
2
AD7776
AGND
V
CC
在AD7776 ， AD7777和AD7778是一个家庭的高速，
多通道， 10位的ADC，主要用于在读/写使用
在高密度的硬盘驱动器中的磁头定位的伺服系统。
他们有独特的输入信号调理功能，使
它们非常适合在这样的单电源应用中使用。
由内均四通道设置在一个控制寄存器中的位
版本， AD7777 ，和8通道版本， AD7778 ，该
输入通道既可以独立地采样或者任何两个
选择的通道可同时采样。对于所有ver-
sions指定的输入信号范围为形式的V
BIAS
±
V
摇摆
。然而，如果RTN引脚偏置在，比方说， 2伏
模拟输入信号范围变为0 V至+2 V所有输入
通道。这是在一节中详细介绍
更改模拟输入电压范围。电压V
BIAS
对ADC的中点代码是从地面偏移，是
由板载参考提供给用户或者提供
（ REFOUT ）或施加到一个外部参考电压
REFIN 。满量程范围（ FSR ）的ADC等于
2 V
摇摆
其中，V
摇摆
名义上等于REFIN / 2 。额外
倚重，当放置在半量程转换模式下，所述
REFIN的值转换。这使得信道偏移（多个）
被测定。
控制寄存器加载和ADC寄存器读取，通道SE-
择和转换的开始是在控制之下
P.
该
二进制补码编码的ADC都轻松连接到标
通过其10位数据端口和标准准的16位MPU总线
微处理器的控制线。
在AD7776 / AD7777 / AD7778是捏造的线性相容
IBLE CMOS （ LC
2
MOS ） ，一个先进混合工艺技术
它结合了低功耗CMOS精密的双极性电路
逻辑。在AD7776采用24引脚SOIC封装;该
AD7777是提供28引脚DIP和28引脚SOIC封装
年龄;在AD7778可在一个44引脚PQFP封装。
*受保护
由美国专利号4990916 。
CS
RD WR BUSY / INT
CLKIN
DGND
A
IN
1
A
IN
2
A
IN
3
A
IN
4
MUX
1
T / H
1
10-BIT
ADC
控制
注册
ADCREG2
ADCREG1
10
C
REFIN
V
BIAS
REFIN
MUX
2
T / H
2
V
摇摆
AGND
REFIN
控制逻辑
10
DB0–DB9
RTN
REF
REFOUT
AD7777
DGND
AGND
CLKIN
A
IN
1
A
IN
2
A
IN
3
A
IN
4
A
IN
5
A
IN
6
A
IN
7
A
IN
8
V
CC
控制
注册
MUX
1
T / H
1
10-BIT
ADC
ADCREG2
ADCREG1
10
C
REFIN
V
BIAS
REFIN
MUX
2
T / H
2
V
摇摆
AGND
控制逻辑
10
DB0–DB9
RTN
REF
REFOUT
AD7778
DGND
AGND
REFIN
CS RD WR BUSY / INT
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 617 / 326-8703
ADI公司，1997
AD7776/AD7777/AD7778–SPECIFICATIONS
(V
CLKIN = 8 MHz的; RTN = O V ;
= 10nF的;所有规格牛逼到T除非另有说明。 ）
REFIN
民
最大
CC
= +5 V
5％ ; AGND = DGND = O V ;
参数
DC精度
决议
2
相对精度
微分非线性
偏置失调误差
偏置偏移误差匹配
正负满量程误差
正负满量程误差匹配
模拟输入
输入电压范围
所有的输入
输入电流
参考输入
REFIN
REFIN输入电流
参考输出
REFOUT
直流输出阻抗
参考负载变化
短路电流
3
逻辑输出
DB0–DB9,
BUSY / INT
V
OL
，输出低电压
V
OH
，输出电压高
浮态泄漏电流
浮空状态电容
3
ADC输出编码
逻辑输入
DB0–DB9,
CS ， WR ， RD ，
CLKIN
输入低电压，V
INL
输入高电压，V
INH
输入漏电流
输入电容
3
转换时序
采集时间
单次转换
双转换
t
CLKIN
t
CLKIN
高
t
CLKIN
低
电源要求
V
CC
范围
I
CC
，正常模式
I
CC
，掉电模式
电时间来操作
特定网络阳离子
动态性能
信噪比和失真
S /（N + D）的比率
总谐波失真（ THD ）
互调失真（ IMD ）
通道到通道隔离
一个版本
1
10
±
1
±
1
±
12
10
±
12
10
单位
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
条件/评论
请参阅术语
无失码;请参阅术语
请参阅术语
通道之间， AD7777 / AD7778而已;请参阅术语
请参阅术语
通道之间， AD7777 / AD7778而已;请参阅术语
V
BIAS
±
V
摇摆
+200
1.9/2.1
+200
1.9/2.1
5
±
2
±
5
20
V MIN / V最大
A
最大
V MIN / V最大
A
最大
V MIN / V最大
典型值
毫伏最大
毫伏最大
最大mA
V
IN
= V
BIAS
±
V
摇摆
;任何通道
对于指定的性能
额定REFOUT = 2.0 V
对于参考负载的0电流变化来
±
500
A
对于参考负载的0电流变化来
±
1毫安
基准负荷不应该改变在转换期间
请参阅术语
0.4
4.0
±
10
10
二进制补码
V最大
V分钟
A
最大
pF的最大
I
SINK
= 1.6毫安
I
来源
= 200
A
0.8
2.4
10
10
4.5 t
CLKIN
5.5 t
CLKIN
+ 70
14 t
CLKIN
28 t
CLKIN
125/500
50
40
+4.75/+5.25
15
1.5
500
V最大
V分钟
A
最大
pF的最大
ns（最小值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最小值） / ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
V MIN / V最大
最大mA
最大mA
s
最大
请参阅术语
输入时钟CLKIN周期
最小高电平时间为CLKIN
最小低电平时间为CLKIN
对于指定的性能
CS
=
RD
= + 5V ， CR8 = 0
CR8 = 1，所有线性电路关闭
从掉电模式
请参阅术语
–57
–60
–75
–90
分贝分钟
分贝分钟
dB典型值
dB典型值
V
IN
= 99.88 kHz的满量程正弦波和f
采样
= 380.95千赫
V
IN
= 99.88 kHz的满量程正弦波和f
采样
= 380.95千赫
FA = 103.2千赫， FB = 96.5千赫和f
采样
= 380.95千赫。两
信号为正弦波，在半刻度幅度
V
IN
= 100 kHz的满量程正弦波和f
采样
= 380.95千赫
笔记
1
温度范围如下：A = -40 ° C至+ 85°C 。
2
1 LSB = （ 2
×
V
摇摆
） / 1024 = 1.95毫伏V
摇摆
= 1.0 V.
3
通过设计保证，但未经生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
AD7776/AD7777/AD7778
时序特定网络阳离子
1, 2
(V
参数
接口时序
CS
下降沿到
WR
or
RD
下降沿
WR
or
RD
上升沿
CS
上升沿
WR
脉冲宽度
CS
or
RD
积极有效数据
3
总线释放时间后，
RD
4
数据有效到
WR
上升沿
有效的数据后，
WR
上升沿
WR
上升沿
忙
下降沿
WR
上升沿
忙
上升沿或
INT
下降沿
WR
or
RD
下降沿到
INT
上升沿
CC
= +5 V
LABEL
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
5％ ; AGND = DGND = 0 V ;所有规格牛逼
民
给T
最大
除非另有说明）。
在T限制
民
给T
最大
单位
0
0
53
60
10
45
55
10
1.5 t
CLKIN
2.5 t
CLKIN
+ 70
19.5 t
CLKIN
+ 70
33.5 t
CLKIN
+ 70
60
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
测试条件/评论
无论从时机上发生
CR9 = 0
t
9
t
10
t
11
单次转换， CR6 = 0
双转换， CR6 = 1
CR9 = 1
笔记
1
请参阅图1至3 。
2
在时序规格
胆大
印有100 ％生产测试。所有其他时间由设计保证，未经生产测试。所有输入信号均指定
指定tR = tF = 5纳秒（10％至90％的5 V）和从1.6V的电压电平定时
3
t
4
测量用图4的负载电路和被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。
4
t
5
从采取的数据输出改变0.5 V的测量时间衍生当载有图4的电路中的测量的时间，然后外推回
以除去的充电或放电的100pF的电容的影响。这意味着该时间t
5
上面引述的是真正的总线释放该设备的时间，如
这样，独立于外部总线负载电容。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
第一次
转变
完
（ CR 6 = 0）
第二
转变
完成（ CR6 = 1 ）
AD7777 / AD7778 ONLY
t
3
WR ， RD
t
1
CS
t
2
忙
（ CR8 = 0）
t
8
t
9
RD
t
11
t
4
t
5
INT
（ CR8 = 1）
t
10
t
9
DB0–DB9
t
10
图1.读周期时序
t
1
CS
网络连接gure 3 。
忙
/
INT
定时
I
OL
1.6mA
t
2
t
3
WR
DB
+2.1V
C
OUT
100pF
I
OH
200A
t
6
DB0–DB9
t
7
图2.写周期时序
图4.负载电路总线时序特性
第0版
–3–
AD7776/AD7777/AD7778
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
V
CC
到AGND或DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V， + 7V
AGND ， RTN到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
CC
+ 0.3 V
CS ， RD ， WR ，
CLKIN ， DB0 -DB9 ，
BUSY / INT
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
CC
+ 0.3 V
模拟输入电压至AGND 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
CC
+ 0.3 V
REFOUT到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
CC
+ 0.3 V
REFIN至AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
CC
+ 0.3 V
工作温度范围
所有版本。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
DIP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 875毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
SOIC封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
PQFP封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
875毫瓦
75°C/W
+215°C
+220°C
500毫瓦
95°C/W
+215°C
+220°C
*条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致
永久损坏设备。这是一个压力只有额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在上市运作的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
在AD7776 / AD7777 / AD7778配备了专用ESD保护电路，造成永久性损坏
可能会发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
销刀豆网络gurations
24引脚SOIC
DB1
NC
NC
DB0
DB1
DB2
DB3
DGND
DB4
DB5
DB6
DB7
1
2
3
4
5
6
24 C
REFIN
23 AGND
22 RTN
21 REFIN
20 A
IN
警告！
ESD敏感器件
44引脚PQFP
C
REFIN
AGND
NC
REFIN
35
DB0
NC
RTN
44
NC
NC
DB2
DB3
DGND
DB4
DB5
DB6
DB7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
43
42
41
40
39
38
37
36
34
33
32
31
30
A
IN
8
A
IN
7
A
IN
6
A
IN
5
A
IN
4
A
IN
3
A
IN
2
A
IN
1
AGND
REFOUT
V
CC
AD7776
19 AGND
顶视图
7 （不按比例） 18 REFOUT
8
9
17 V
CC
16 CLKIN
15 WR
14 CS
13 RD
AD7778
顶视图
（不按比例）
NC
29
28
27
26
25
24
23
22
DB8 10
（MSB）的DB9
11
BUSY / INT 12
28引脚DIP & SOIC
DB0
DB1
NC
DB2
DB3
DGND
DB4
DB5
DB6
1
2
3
4
5
6
7
8
28 C
REFIN
27 AGND
26 RTN
25 REFIN
24 A
IN
4
23 A
IN
3
NC
NC
13
14
15
16
17
18
19
20
21
NC
NC
NC
RD
（MSB）的DB9
BUSY / INT
NC =无连接
订购指南
AD7777
22 A
IN
2
TOP VIEW 21一
IN
1
（不按比例）
20 AGND
9
19 REFOUT
18 V
CC
17 CLKIN
16 WR
15 CS
模型
AD7776AR
2
AD7777AN
AD7777AR
2
AD7778AS
2
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
数
频道
1
4
4
8
CLKIN
DB8
WR
NC
CS
包
选项
1
R-24
N-28
R-28
S-44
DB7 10
DB8 11
（MSB）的DB9 12
BUSY / INT 13
RD 14
NC =无连接
笔记
1
R = SOIC ， N =塑料DIP ， S = PQFP 。
2
ADI公司保留出货到位的品牌与第j设备的权利
例如中， AD7776JR而不是AD7776AR的A， 。温度范围遗骸
-40 ° C至+ 85°C 。
–4–
第0版
AD7776/AD7777/AD7778
引脚功能说明
助记符
V
CC
AGND
DGND
DB0–DB9
BUSY / INT
描述
+ 5V电源。
模拟地。
数字地。数字电路的接地参考。
输入/输出数据总线。这是一个双向数据端口从ADC输出的数据可以被读出和向其中
控制寄存器中的数据可以被写入。
忙/中断输出。低电平有效，表示A / D转换器的状态。此逻辑输出有两种模式
操作取决于是否控制寄存器的位置CR 9已被设置低或高：
如果CR 9被设置为低，则
BUSY / INT
输出将表现为一个
忙
信号。该
忙
信号变低并保持
低为一个单一的转换的持续时间，或者如果同时采样已被选中，
忙
将保持低位
的两个转换的持续时间。
如果CR 9被设置为高，则
BUSY / INT
输出表现为一个中断信号。该
INT
信号将变低
并维持低位无论是单次转换完成后或双转换后，如果simulta-完成
neous抽样已被选择。与CR 9高，下降沿
WR
or
RD
重置
INT
行高。
片选输入。该器件被选中当此输入为低电平。
写输入（低电平有效） 。它被用于与
CS
将数据写入到控制寄存器。数据被锁存到
寄存器上的上升沿
WR 。
以下的上升沿
WR ，
模拟输入被获取并转换为
开始。
读输入（低电平有效） 。它被用于与
CS
以使从ADC寄存器中的数据输出。
模拟输入1-8 。其模拟输入范围为V
BIAS
±
V
摇摆
其中，V
BIAS
和V
摇摆
由参考定义
电压施加到REFIN 。所有的模拟输入引脚和AGND之间的输入电阻为10 kΩ或更大。
参考电压输入。在AD7776 / AD7777 / AD7778是1.9 V参考电压范围规定在2.1 V
与2.0 V的标称值。这REFIN电压提供了V
BIAS
和V
摇摆
水平为输入信道（多个） 。
V
BIAS
等于REFIN和V
摇摆
名义上等于REFIN / 2 。之间的REFIN引脚和输入电阻
AGND为10 kΩ或更大。
参考电压输出。内部参考电压，其标称值为2.0V，并且可以用来提供
偏置电压（ V
BIAS
）为所述输入通道（多个） ，则在该引脚提供。
参考去耦电容。一个10 nF的电容必须在此引脚连接到AGND ，以确保正确
高速ADC的操作。
信号返回路径为输入信道（多个） 。通常RTN是连接到AGND的包。
CS
WR
RD
A
IN
1–8
REFIN
REFOUT
C
REFIN
RTN
对于所有的版本中，形式V的输入信号
BIAS
±
V
摇摆
is
的预期。这款V
BIAS
信号电平作为一个模拟地，以
所有的输入信号一定要转。在V
BIAS
级别DE-
通过施加到REFIN引脚上的电压termined 。这可以是
由外部电压源，或者，所述导通驱动
板2 V基准，可在REFOUT ，都可以使用。该
输入信号摆动的幅度等于V
BIAS
/ 2（或
REFIN / 2 ），并在内部设置。为2伏，模拟一个REFIN
输入信号电平从1伏变化到3伏，即，2个
±
1 V.图 -
茜图5示出了ADC和它的关系的传递函数
船到V
BIAS
和V
摇摆
。半级二进制补码的代码
的ADC ， 000六角（ 00 0000 0000二进制） ，出现在输入端
电压等于V
BIAS
。 ADC的满量程输入范围
等于2 V
摇摆
，从而使加满量程转换（ 1FE到
1FF ）发生在等于V的电压
BIAS
+ V
摇摆
- 1.5个LSB
和负满量程码转换（ 200至201 ）发生在
电压V
BIAS
– V
摇摆
±0.5 LSB的。
电路描述
ADC传递函数
1FF
1FE
ADC
产量
CODE
（十六进制）
000
202
201
200
V
BIAS
V
BIAS
–V
摇摆
模拟输入，V
IN
V
BIAS
+V
摇摆
图5. ADC传递函数
第0版
–5–
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