a
特点
双通道， 8位2.5秒ADC
两个8位， 2.5秒的DAC与输出放大器
跨度和ADC和DAC的偏移
独立可调
低功耗
应用
温彻斯特硬盘伺服控制器
软盘微
闭环伺服系统
LC MOS
模拟量I / O端口
AD7769
功能框图
2
概述
该AD7769是一款完整的双通道， 8位，模拟量I / O端口。
它具有多种输入和输出信号调节功能
这使得它非常适合于Winches-磁头定位伺服系统使用
器的磁盘系统。它同样适用于软盘microstep-
平头定位，其他的闭环数字伺服系统
和通用的8位的数据采集。
该AD7769包含一个高速逐次逼近
模数转换器，前面有一个双通道多路转换器和信号条件
tioning电路。 ADC的输入范围和偏移量
从地面零点可以通过硐独立设置
荷兰国际集团接地参考电压。该AD7769还包括两个
独立，快速建立， 8位DAC和输出放大器。
输出跨度和数模转换器的偏移电压可设定不知疲倦
pendently那些ADC的。这使得AD7769埃斯佩
在磁盘驱动器，其中只有一个正供电线是cially有用
可与ADC和DAC的范围必须为参考
转制到某些正电压小于电源。
的AD7769很容易通过接口到一个标准的8位MPU总线
一个8位数据端口和标准微处理器的控制线。
该AD7769是制作线性兼容CMOS
（ LC
2
MOS ）的先进混合工艺技术的COM
bines高精度与低功耗CMOS逻辑双极性电路。
该器件采用28引脚塑料DIP和28端子可
PLCC封装。
产品亮点
1.双通道，在单芯片8位模拟I / O端口。
该AD7769包含一个双通道，高速ADC与
输入信号调理和二，快速建立8位DAC
用输出放大器，在单个芯片上。
2.量程和失调的独立控制。
ADC的输入电压范围和的中点
传递函数，两个DAC的输出电压摆动
和半量程输出电压，可以独立设置
通过采用接地参考控制电压。
对于DSP的用户3.动态指标。
除了传统的ADC和DAC参数，
在AD7769中指定交流参数，包括信号 -
信噪比，失真和信号带宽。
4.快速微处理器接口。
在AD7769具有全兼容的总线接口时序
现代微处理器，具有总线访问，并才肯罢休
时间小于65纳秒和一个写脉冲宽度小于90纳秒。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ，U.S.A 。
联系电话： 617 / 329-4700万维网站点：http ： //www.analog.comFax ：
617/326-8703
ADI公司，1997
ADC规格
参数
DC精度
决议
相对精度
微分非线性
偏置失调误差
+25°C
T
民
给T
最大
偏置补偿匹配
+25°C
T
民
给T
最大
正负满量程误差
+25°C
T
民
给T
最大
正负满量程比赛
+25°C
T
民
给T
最大
ADC与DAC匹配
偏置补偿匹配
+25°C
T
民
给T
最大
正负满量程比赛
+25°C
T
民
给T
最大
AD7769–SPECIFICATIONS
V
(V = +12 V 10%;
DD
= + 5V 5 ％ ; AGND [ ADC ] = AGND [ DAC ] = DGND = 0 V ; V
BIAS
[ ADC ] = + 5V;
V
摇摆
[ ADC ] = + 2.5V ; F
CLK
= 5 MHz的外部。所有规格牛逼
民
给T
MAX1
除非另有说明）。
CC
版
8
±
1
±
1
±
2.5
±
3.0
±
2.5
±
3.5
±
2.0
±
2.5
±
3.5
±
4
A版本单位
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
条件/评论
请参阅术语
无失码。参见术语。
请参阅术语
通道A到通道B
LSB（最大值）
LSB（最大值）
请参阅术语
LSB（最大值）
LSB（最大值）
通道A到通道B
LSB（最大值）
LSB（最大值）
通道A / B到V
OUT
A / B
V
BIAS
（ DAC ） = + 5V ，V
摇摆
（ DAC ）= 2.5 V.
*
*
*
*
*
*
*
*
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
分贝分钟
最大分贝
dB典型值
dB典型值
V分钟
V最大
最大mA
V
IN
= 100 kHz的满量程正弦波和f
采样
= 400千赫
V
IN
= 100 kHz的满量程正弦波和f
SAMPLlNG
= 400千赫
f
a
= 99千赫，女
b
= 96.7千赫和f
采样
= 400千赫
V
IN
=满量程， DC至200 kHz的正弦波
以较高者为准
以较低者为准
±
2.5
±
3.5
±
3.5
±
4.0
44
48
60
0.1
动态性能
2
信号 - 噪声比（ SNR）的
总谐波失真（ THD ）
互调失真（ IMD ）
频率响应
模拟输入
输入电压范围，V
IN
A，V
IN
B V
BIAS
– V
摇摆
或0
V
BIAS
+ V
摇摆
或9.8
输入电流，我
IN
A，I
IN
B
±
0.4
*
ADC基准输入
输入电平
V
BIAS
器（ADC）
V
摇摆
器（ADC）
输入电流
V
BIAS
器（ADC）的输入
V
摇摆
器（ADC）的输入
逻辑输出
DB0–DB7,
INT
V
OL
，输出低电压
V
OH
，输出电压高
DB0–DB7
浮态泄漏电流
浮空状态电容
2
输出编码
电源要求
V
CC
范围
V
DD
范围
I
DD
@ +25°C
V
UB
AM V
IN
B = T
民
给T
最大
I
CC
@ +25°C
T
民
给T
最大
2/6.8
2.0/3.0
±
800
±
1
*
*
*
*
V最小/最大
V最小/最大
A
最大
A
最大
相对于AGND （ ADC） 。对于指定的性能。
相对于AGND （ ADC） 。对于指定的性能。
0.4
4.0
±
10
10
*
*
*
*
偏移二进制码
*
*
*
*
*
*
V最大
V分钟
A
最大
pF的最大
I
SINK
= 1.6毫安
I
来源
= 200
A
4.75/5.25
10.8/13.2
20
22
5
6
V MIN / V最大为额定性能。本部分将通过功能
V
CC
=5 V
±
10％的性能下降。
V MIN / V最大值为规定业绩
最大mA
对于ADC和DAC ： V
BIAS
= 5.0 V; V
摇摆
= 3.0 V; V
IN
A,
最大mA
V
BIAS
; DAC编码= FF （十六进制） ; DACA和DACB负载= 5 kΩ的
到AGND （ DAC ） 。通常我
DD
= 14 mA的电流。
最大mA
逻辑输入= 2.4 V， CLK输入= 0.8 V.通常我
CC
= 1.5毫安。
最大mA
笔记
1
温度范围如下：J-版本： 0 ° C至+ 70°C ; A版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。
*相同规格为J版本。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
AD7769
DACA ， DACB规格
参数
静态性能
决议
相对精度
微分非线性
偏置失调误差
+25°C
T
民
给T
最大
偏置补偿匹配
+25°C
T
民
给T
最大
正负满量程误差
+25°C
T
民
给T
最大
正负满量程比赛
+25°C
T
民
给T
最大
ADC与DAC匹配
动态性能
2
信号 - 噪声比（ SNR）的
总谐波失真（ THD ）
互调失真（ IMD ）
模拟输出
输出电压范围
V
OUT
A，V
OUT
B
8
±
1
±
1
±
2.0
±
2.5
±
2.5
±
3.5
±
1.5
±
2.0
±
3.5
±
4.0
(V
DD
= +12 V 10%; V
CC
= + 5V 5 ％ ; AGND [ DAC ] = AGND [ ADC ] = DGND = 0 V ;
V
BIAS
[ DAC ] = + 5V; V
摇摆
[ DAC ] = + 2.5V ; V
OUT
A，V
OUT
B负载AGND [ DAC ] ，R
L
= 5 k ,
C
L
= 100 pF的。所有规格牛逼
民
给T
MAX1
除非另有说明）。
条件/评论
版本的版本单位
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
请参阅术语
保证单调性。参见术语。
请参阅术语
V
OUT
A到V
OUT
B
LSB（最大值）
LSB（最大值）
请参阅术语
LSB（最大值）
LSB（最大值）
V
OUT
A到V
OUT
B
LSB（最大值）
LSB（最大值）
由于每个ADC规格
44
48
55
*
*
*
分贝分钟
最大分贝
dB典型值
V
OUT
= 20 kHz的满量程正弦波和f
采样
= 400千赫
V
OUT
= 20 kHz的满量程正弦波和f
采样
= 400千赫
f
a
= 18.4千赫，女
b
= 14.5千赫和f
采样
= 400千赫
直流输出阻抗
短路电流
DAC的基准输入
输入电平
V
BIAS
（ DAC ）
V
摇摆
（ DAC ）
输入电流
V
BIAS
（ DAC ）输入
V
摇摆
（ DAC ）输入
AC特性
2
输出电压建立时间
数模转换毛刺脉冲
数字馈通
逻辑输入
CS ， RD ， WR ， ADC / DAC ，
CHA / CHB ，
DB0–DB7
输入低电压，V
INL
输入高电压，V
INH
输入漏电流
输入电容
CLK
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
DB0–DB7
输入的码
电源要求
V
BIAS
– V
摇摆
或0.5
V
BIAS
+ V
摇摆
or
V
DD
–2.0
0.5
*
20
*
V分钟
V最大
典型值
毫安（典型值）
以较高者为准
以较低者为准
3/6.8
2.0/3.0
±
2
±
1
4
30
1
*
*
*
*
*
*
*
V最小/最大相对于AGND （ DAC ） 。对于指定的性能。
V最小/最大相对于AGND （ DAC ） 。对于指定的性能。
A
最大
A
最大
s
最大
建立时间之内
±
1/2 LSB最终值。通常为2.5
s.
纳伏秒（典型值）参见术语
纳伏秒（典型值）参见术语
0.8
2.4
±
10
10
0.8
2.4
±
10
*
*
*
*
*
*
*
V最大
V分钟
A
最大
pF的最大
V最大
V分钟
A
最大
外部时钟。内部时钟操作连接
CLK引脚到V
DD
.
偏移二进制码
由于每个ADC规格
笔记
1
温度范围如下：J-版本： 0 ° C至+ 70°C ; A版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。
*相同规格为J版本。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
–3–
AD7769
1, 2
(V = +5 V 5%; V
时序特性
对于ADC和DAC ，V
CC
= + 12V 10 ％ ; AGND [ ADC ] = AGND [ DAC ] = DGND = 0V。
BIAS
= +5 V, V
摇摆
= +2.5 V.)
DD
参数
ADC / DAC控制时序
CS
to
WR
建立时间
CS
to
WR
保持时间
ADC / DAC
to
WR
建立时间
ADC / DAC
to
WR
保持时间
CHA / CHB
to
WR
建立时间
CHA / CHB
to
WR
保持时间
WR
脉冲宽度
ADC转换时序
使用外部时钟
WR
to
INT
低延迟
使用内部时钟
WR
to
INT
低延迟
WR
to
INT
高延迟
WR
到数据有效延迟
3
ADC读时序
CS
to
RD
建立时间
CS
to
RD
HOLD MODE
RD
到数据有效延迟
3
总线释放时间后，
RD
高
4
RD
to
INT
高延迟
RD
脉冲宽度
DAC的写时序
数据有效到
WR
建立时间
数据有效到
WR
保持时间
WR
以DAC输出建立时间
LABEL
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
在限制限制在
+25 （C T）
民
, T
最大
0
0
0
0
0
0
80
0
0
0
0
0
0
80
单位
ns（最小值）
ns（最小值）
ns
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
测试条件/评论
t
8
t
8
t
9
t
9
t
10
t
10
t
11
t
12
t
13
t
13
t
14
t
15
t
15
t
16
t
17
t
18
t
19
2.6
1.9/3.0
85
120
t
8
+70
t
8
+110
0
0
15/65
30/100
15/65
80
110
t
13
65
15
4
2.6
1.9/3.0
85
120
t
8
+70
t
8
+110
0
0
15/65
30/100
15/65
80
110
t
13
65
20
4
s
最大
s
最小/最大
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns的最小/最大
ns的最小/最大
ns的最小/最大
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最小值）
NS nin
ns（最小值）
s
最大
加载图3 ，C电路
L
= 20 pF的
加载图3 ，C电路
L
= 20 pF的
通常2.5
s
加载图3 ，C电路
L
= 20 pF的
加载图3 ，C电路
L
= 100 pF的
加载图1 ，C电路
L
= 20 pF的
加载图1 ，C电路
L
= 100 pF的
加载图1 ，C电路
L
= 20 pF的
加载图1 ，C电路
L
= 100 pF的
加载图2的电路
加载图3 ，C电路
L
= 20 pF的
加载图3 ，C电路
L
= 100 pF的
被T确定
13
加载图4的电路
笔记
1
参见图11，图12和图13 。
2
在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。所有的输入信号是从1.6V的电压电平中指定与指定tR = tF = 5纳秒（10％至90％的5伏），并定时
3
t
10
和T
13
测量与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。
4
t
14
被定义为当加载的图2的电路来改变0.5伏所需的数据线的时间。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
图1.负载电路进行数据访问时间测试
图2.负载电路的总线释放时间测试
图3.负载电路
RD
和
WR
to
INT
延迟测试
图4.负载电路DAC建立时间测试
–4–
REV 。一
AD7769
绝对最大额定值*
V
DD
到AGND或DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，+ 15 V
V
CC
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+0.3 V或7 V
（取低级）
AGND至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+0.3 V
数字输入到DGND
（引脚12 ， 13 ， 15-18 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+0.3 V
数字输出至DGND
（引脚3-10 ， 11 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
CC
+0.3 V
模拟输入到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+0.3 V
模拟输出AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+0.3 V
工作温度范围
商业（J版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
工业（A版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
功率耗散（任何套餐）
至+ 75°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
减额高于+ 75 ℃下。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6毫瓦/°C的
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
*注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然AD7769具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
订购指南
模型
AD7769JN
AD7769JP
AD7769AN
AD7769AP
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
选项*
N-28
P-28A
N-28
P-28A
记
不要让V
CC
超过V
DD
超过0.3 V.在例
在那里会发生这种情况表明二极管保护方案
以下建议。
* N =塑料DIP ; P =塑料有引线芯片载体。
销刀豆网络gurations
DIP
PLCC
REV 。一
–5–
QQ：2880707522 复制
