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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第321页 > AD7730LBRZ-REEL
a
主要特点
230000计数分辨率(峰 - 峰)
失调漂移: 5纳伏/ C
增益漂移: 2 ppm的/ C
线频抑制: >150分贝
缓冲差分输入
可编程滤波截止
指定时间漂移
工作在1 V至5 V基准电压
附加功能
双通道可编程增益前端
片内DAC的偏置/去皮去除
FASTSTEP
模式
交流或直流励磁
单电源供电
应用
电子秤
压力测量
概述
桥式传感器ADC
AD7730/AD7730L
该调制器的输出由一低通可编程处理
数字滤波器,滤波器截止,允许调整,产出率和
的稳定时间。
该器件具有两个缓冲差分可编程增益
模拟输入和一个差分基准输入。部分
采用单+ 5V电源。它接受四个单极
模拟输入范围: 0 mV至+10 mV时, 20毫伏, 40毫伏和
80毫伏和四个双极性范围:
±
10毫伏,
±
20毫伏,
±
40毫伏
±
80毫伏。峰峰值分辨率可达到直接
从部分1在23万计数。一个片内6位DAC
因此不需要TARE电压。对于同步的时钟信号
还提供了电桥的日进交流激励。
器件上的串行接口可用于三线配置
操作,并且与微控制器和数字兼容
信号处理器。该AD7730包含自校准和
系统校准选项,并具有较少的失调漂移
大于5纳伏/ ℃,小于2ppm / ℃的增益漂移。
该AD7730是采用24引脚塑料DIP , 24引脚
SOIC和24引脚TSSOP封装。该AD7730L可用
在一个24引脚SOIC和24引脚TSSOP封装。
该AD7730是电子秤的完整模拟前端和
压力测量应用。该器件接受低
直接从一个换能器电平信号并输出串行
数字字。输入信号被施加到一个专用的亲
可编程增益根据各地模拟调制器前端。
的功能和操作中的这个数据给出的描述
表同时适用于AD7730和AD7730L 。产品规格
和性能参数不同的零件。产品规格
为AD7730L在附录A中概述
功能框图
AV
DD
VBIAS
AIN1(+)
AIN1(–)
MUX
AIN2(+)/D1
AIN2(–)/D0
100nA
AGND
6-BIT
DAC
串行接口
和控制逻辑
时钟
GENERATION
注册银行
校准
微控制器
ACX
ACX
AC
激励
时钟
AGND
DGND
POL
RDY
RESET
AV
DD
100nA
卜FF器
+
+/–
PGA
DV
DD
REF IN ( - ) REF IN ( + )
基准电压检测
AD7730
Σ-Δ A / D转换器
待机
SYNC
西格玛
DELTA
调制器
可编程
数字
滤波器
MCLK IN
MCLK OUT
SCLK
CS
DIN
DOUT
FASTStep
是ADI公司的商标。
启示录
B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真:
781/461-3113
ADI公司,
2012
AD7730–SPECIFICATIONS
参数
静态性能( CHP = 1 )
无失码
2
输出噪声和更新价格
2
积分非线性
偏移误差
2
失调漂移与温度的关系
2
失调漂移与时间
4
正满量程误差
2, 5
正满量程漂移VS温度
2, 6, 7
正满量程漂移对时间
4
增益误差
2, 8
增益随温度漂移
2, 6, 9
增益漂移与时间
4
双极负满量程误差
2
负满量程漂移与温度
2, 6
电源抑制
共模抑制( CMR )
模拟输入直流偏置电流
2
模拟量输入DC偏置电流漂移
2
模拟输入直流偏置电流
2
模拟输入直流偏置电流漂移
2
静态性能( CHP = 0 )
2
无失码
输出噪声和更新价格
积分非线性
偏移误差
失调漂移与温度的关系
6
失调漂移与时间
4
正满量程误差
5
正满量程漂移与温度
6, 7
正满量程漂移与时间
4
增益误差
8
增益随温度漂移
6, 9
增益漂移与时间
4
双极负满量程误差
负满量程漂移与温度
电源抑制
共模抑制( CMR )的AIN
CMR的REF IN
模拟输入直流偏置电流
模拟量输入DC偏置电流漂移
模拟输入直流偏置电流
模拟输入直流偏置电流漂移
模拟输入/基准输入
普通模式50 Hz抑制
2
普通模式60 Hz抑制
2
共模50 Hz抑制
2
共模60 Hz抑制
2
模拟输入
差分输入电压范围
11
B版本
1
( AV
DD
= +5 V, DV
DD
= + 3V或+ 5V ; REF IN ( + ) = AV
DD
; REF IN ( - ) = AGND = DGND =
0 V ; F
CLK IN
= 4.9152兆赫。所有规格牛逼
给T
最大
除非另有说明)。
单位
比特分
PPM FSR最大的
内华达州/ ℃的典型值
内华达州/ 1000小时(典型值)
FS PPM /° C最大值
PPM的FS / 1000小时(典型值)
PPM / ° C最大值
PPM / 1000小时(典型值)
FS PPM /° C最大值
dB典型值
分贝分钟
nA的最大
PA / ℃的典型值
nA的最大
PA / ℃的典型值
比特分
PPM FSR最大的
μV/°C
典型值
μV/1000
小时(典型值)
μV/°C
典型值
μV/1000
小时(典型值)
PPM /°C的典型值
PPM / 1000小时(典型值)
μV/°C
典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
nA的最大
PA / ℃的典型值
nA的最大
PA / ℃的典型值
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
测得的零差分电压
在DC 。测得的零差分电压
在DC 。测得的零差分电压
失调误差和失调漂移提及两个
单极性偏移和双极性零误差
测得的零差分电压
在DC 。测得的零差分电压
失调误差和失调漂移提及两个
单极性偏移和双极性零误差
条件/评论
24
参考表一& II
18
见注3
5
25
见注3
2
10
见注3
2
10
见注3
2
120
120
50
100
10
50
24
见表III & IV
18
见注3
0.5
2.5
见注3
0.6
3
见注3
2
10
见注3
0.6
90
100
120
60
150
30
100
88
88
120
120
SKIP = 0
10
从49赫兹到51赫兹
从59赫兹到61赫兹
从49赫兹到51赫兹
从59赫兹到61赫兹
假设2.5 V或5 V与参考
海瑞弗位设置为合适
增益= 250
增益= 125
增益= 62.5
增益= 31.25
绝对/共模电压
12
参考输入
REF IN ( + ) - REF IN ( - )电压
REF IN ( + ) - REF IN ( - )电压
绝对/共模电压
13
无参考触发电压
0到+10或
±
10
0至+20或
±
20
0 40或
±
40
0 80或
±
80
AGND + 1.2 V
AV
DD
– 0.95 V
+2.5
+5
AGND - 30 mV的
AV
DD
+ 30毫伏
0.3
0.65
毫伏NOM
毫伏NOM
毫伏NOM
毫伏NOM
V分钟
V最大
V NOM
V NOM
V分钟
V最大
V分钟
V最大
的模式寄存器海瑞弗位= 0
的模式寄存器海瑞弗位= 1
无参考位有效,如果V
REF
低于这个电压
无参考位无效,如果V
REF
上面这个电压
–2–
版本B
AD7730/AD7730L
参数
逻辑输入
输入电流
所有的输入,除了SCLK和MCLK IN
V
INL
,输入低电压
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
只有SCLK (施密特触发输入)
V
T+
V
T+
V
T–
V
T–
V
T+
– V
T–
V
T+
– V
T–
MCLK IN的
V
INL
,输入低电压
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
V
INH
,输入高电压
逻辑输出(包括MCLK OUT )
V
OL
,输出低电压
0.4
V
OL
,输出低电压
0.4
V
OH
,输出电压高
4.0
V
OH
,输出电压高
浮态泄漏电流
浮态输出电容
2
换能器BURNOUT
AIN1 ( + )电流
AIN1 ( - )电流
初始容差25°C
漂移
2
OFFSET (去皮) DAC
决议
LSB大小
DAC漂移
16
DAC漂移与时间
4, 16
差分线性
系统校准
正满量程校准极限
17
负满量程校准极限
17
偏移校准限制
18
输入范围
17
电源要求
电源电压
AV
DD
- AGND电压
DV
DD
电压
电源电流
AV
DD
电流(正常模式)
AV
DD
电流(正常模式)
DV
DD
电流(正常模式)
DV
DD
电流(正常模式)
AV
DD
+ DV
DD
电流(待机模式)
功耗
普通模式
待机模式
V
DD
– 0.6 V
±
10
6
–100
100
±
10
0.1
6
2.3/2.6
2.5
25
–0.25/+0.75
1.05
×
FS
–1.05
×
FS
–1.05
×
FS
0.8
×
FS
2.1
×
FS
V分钟
μA
最大
pF的典型值
nA的NOM
nA的NOM
% (典型值)
%/℃ (典型值)
mV的最小/最大毫伏
PPM / ° C最大值
PPM / 1000小时(典型值)
LSB(最大值)
V最大
V最大
V最大
V分钟
V最大
V分钟
V最大
V最大
B版本
1
±
10
0.8
0.4
2.0
1.4/3
1/2.5
0.8/1.4
0.4/1.1
0.4/0.8
0.4/0.8
0.8
0.4
3.5
2.5
单位
μA
最大
V最大
V最大
V分钟
V MIN到V最大
V MIN到V最大
V MIN到V最大
V MIN到V最大
V MIN到V最大
V MIN到V最大
V最大
V最大
V分钟
V分钟
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3 V
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3 V
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3 V
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3 V
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3 V
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3 V
I
SINK
= 800
μA
除MCLK OUT
14
;
V
DD15
= +5 V
I
SINK
= 100
μA
除MCLK OUT
14
;
V
DD15
= +3 V
I
来源
= 200
μA
除MCLK OUT
14
;
V
DD15
= +5 V
I
来源
= 100
μA
除MCLK OUT
14
;
V
DD15
= +3 V
条件/评论
2.5 mV的额定电压为5V参考( REF IN / 2000 )
保证单调性
FS是额定满量程电压
( 10毫伏, 20毫伏, 40毫伏或80毫伏)
4.75至5.25
2.7至5.25
10.3
22.3
1.3
2.7
25
65
125
125
V MIN到V最大
V MIN到V最大
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
μA
最大
毫瓦MAX
毫瓦MAX
μW
最大
与AGND = 0 V
外部MCLK 。数字I / PS = 0 V或DV
DD
所有的输入范围除0 mV至10 mV至
±
10毫伏
0 mV输入范围为10 mV至
±
10 mV的只有
DV
DD
2.7 V至3.3 V
DV
DD
4.75 V至5.25 V
通常10
μA.
外部MCLK IN = 0 V或DV
DD
AV
DD
DV
DD
= + 5V数字I / PS = 0 V或DV
DD
所有的输入范围除0 mV至10 mV至
±
10毫伏
0 mV输入范围为10 mV至
±
10 mV的只有
通常50
μW.
外部MCLK IN = 0 V或DV
DD
版本B
–3–
AD7730/AD7730L
笔记
11
温度范围: -40 ° C至+ 85°C 。
12
在初次发布期间样品进行测试。
13
偏移量(或零)的数字与CHP = 1是典型的3
μV
precalibration 。内部零电平校准约1降低此
μV.
偏置号与CHP = 0可以达
1毫伏precalibration 。内部零电平校准减少这2
μV
典型的。系统零电平校准使失调的数字与CHP = 1和热电联产= 0的顺序
噪声。增益误差可高达3000ppm的precalibration与CHP = 0和热电联产= 1执行内部满量程校准在80毫伏的范围减小了增益误差小于
100ppm的为80毫伏和40毫伏的范围,以约250ppm为20 mV的范围内,并以约500ppm的10 mV的范围内。系统满量程校准减少了这顺序
的噪声。正和负满刻度误差可以从偏移和增益误差来计算。
14
在部分的寿命试验中产生这些数字。
15
正满量程误差包括偏移误差(单极性偏移误差或双极性零误差),并适用于单极性和双极性输入范围。参见术语。
16
校准在任何温度下将删除这些错误。
17
满量程漂移包括零点漂移(单极性偏移漂移或双极性零漂移),并适用于单极性和双极性输入范围。
18
增益误差是在传递函数中的任何两个点之间的测量和理想跨度之间的差异的量度。所使用的两个点来计算增益
误差是正的满量程和负的满量程。参见术语。
19
增益误差漂移是一个跨度漂移,实际上是一部分的漂移,如果零刻度校准只进行。
10
没有与CHP = 0和SKIP = 1失码性能下降低于24位SF的话超过180个十进制低。
11
( - )和AIN2 ( - )输入端上分别在AIN1 (+)和AIN2 (+)输入端的模拟输入电压范围相对于在AIN1的电压给出。
12
适用的设置在输入对的共模电压范围的绝对输入电压规范被遵守。
13
基准输入对的共模电压范围( REF IN ( +)和REF IN ( - ) )适用条件为,绝对输入电压规格为服从。
14
这些逻辑输出电平适用于仅当它被装入一个单一的CMOS负载的MCLK OUT输出。
15
V
DD
指的是DV
DD
对于所有的逻辑输出期望D0,D1, ACX和
ACX
它指的是AV
DD
。换句话说,输出逻辑高电平这四个输出由AV确定
DD
.
16
这个数字代表同一个零输入和DAC输出接近满刻度的信道的总的漂移。
17
校准后,如果输入电压超过正满量程时,转换器将输出全1 。如果输入的是小于负满刻度,则输出全部为0。
18
这些校准和量程限制适用于所提供的绝对输入电压规格为服从。偏移校准限制既适用于单极零点和
双极性零一点。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
时序特性
参数
主时钟范围
t
1
t
2
读操作
t
3
t
4
t
5 4
t
5A4, 5
t
6
t
7
t
8
t
9 6
t
10
写操作
t
11
t
12
t
13
t
14
t
15
t
16
1
5
50
50
0
0
0
60
80
0
60
80
100
100
0
10
80
100
0
30
25
100
100
0
1, 2
( AV
DD
= 4.75 V至5.25 V ; DV
DD
= +2.7 V至5.25 V ; AGND = DGND = 0 V ; F
CLK IN
= 4.9152兆赫;
输入逻辑0 = 0 V ,逻辑1 = DV
DD
除非另有说明) 。
单位
兆赫分钟
兆赫最大
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
条件/评论
对于指定的性能
SYNC
脉宽
RESET
脉宽
RDY
to
CS
建立时间
CS
下降沿到SCLK有效沿建立时间
3
SCLK有效沿到数据有效延迟
3
DV
DD
= 4.75 V至5.25 V
DV
DD
= 2.75 V至3.3 V
CS
下降沿到数据有效延迟
DV
DD
= 4.75 V至5.25 V
DV
DD
= + 2.7V至+ 3.3V
SCLK高脉冲宽度
SCLK低脉冲宽度
CS
上升沿到SCLK无效沿保持时间
3
总线释放时间后SCLK无效沿
3
SCLK有效沿到
RDY
3, 7
CS
下降沿到SCLK有效沿建立时间
3
数据有效到SCLK边沿的建立时间
数据有效到SCLK边沿保持时间
SCLK高脉冲宽度
SCLK低脉冲宽度
CS
上升沿到SCLK边沿保持时间
在T限制
给T
最大
(B版)
笔记
1
在初次发布期间样品测试,以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10%的规定(以90 %的DV
DD
),并定时从1.6 V的电压电平
2
参见图18和图19 。
3
SCLK有效边沿SCLK下降沿与POL = 1的边缘; SCLK有效边沿SCLK上升沿与POL = 0的优势。
4
这些数字是测量图1所示的负载电路,并根据需要定义为跨越V中的输出时间
OL
或V
OH
极限。
5
本规范只发挥了作用,如果
CS
变低SCLK为低电平时( POL = 1 ) ,或者
CS
变低时, SCLK为高电平( POL = 0 ) 。它主要是所需的
接口与DSP的机器。
6
这些数字是从所采取的数据输出来改变0.5V的所测量的时间推导的时装载有图1中的电路测量的数目是再
外推回除去的充电或放电的50 pF电容的效果。这意味着,在时序特性所给出的时间是真正的公交车
放弃部分的时间,因此是独立的外部总线负载电容。
7
RDY
返回从器件的输出更新之后的第一次读取后高。同样的数据可以被再次读取,如果需要的话,同时
RDY
高,但要小心
采取后续读取不发生接近下一个输出更新。
–4–
版本B
AD7730/AD7730L
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明)
AV
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
AV
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
DV
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
DV
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
AGND至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5 V至0.3 V
AV
DD
以DV
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -2 V至+5 V
模拟输入电压至AGND 。 。 。 。 -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
基准输入电压至AGND 。 。 -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
AIN / REF IN电流(不定) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
数字输入电压至DGND 。 。 。 。 -0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
数字输出电压DGND 。 。 。 -0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
输出电压( ACX ,
ACX ,
D0,D1 )至DGND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
工业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
塑料DIP封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 105 ° C / W
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
TSSOP封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 128 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
SOIC封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
*注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个压力只有额定值。实用
该设备在这些或以上所列的任何其他条件的操作
本规范的业务部门是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性。
I
SINK
( 800 A AT DV
DD
= +5V
100 A AT DV
DD
= +3V)
输出
50pF
+1.6V
I
来源
( 200 A AT DV
DD
= +5V
100 A AT DV
DD
= +3V)
图1.负载电路的访问时间和总线释放时间
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然AD7730具有专用ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
版本B
–5–
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