a
特点
电荷平衡ADC
24位无失码
0.0015 %非线性
五通道可编程增益前端
增益范围:1至128
可配置为3个全差分
输入或5个伪差分输入
三线串行接口
SPI , QSPI , MICROWIRE 和DSP兼容
3 V ( AD7714-3 )或5 V( AD7714-5 )操作
低噪声( <150纳伏均方根)
低电流( 350一典型值)与掉电( 5 A典型值)
AD7714Y等级:
+2.7 V至3.3 V或4.75 V至5.25 V操作
0.0010 %线性误差
-40°C至+ 105 C温度范围
施密特触发器在SCLK和DIN
低电流( 226一典型值)与掉电(4A典型值)
更低的功耗比标准AD7714
采用24引脚TSSOP封装
内置可编程滤波截止的低通滤波器
能够读/写校准系数
应用
便携式工业仪器
便携式电子秤
环路供电系统
压力传感器
概述
AIN1
AIN2
AIN3
AIN4
AIN5
AIN6
3 V / 5 V , CMOS , 500 A
信号调理ADC
AD7714*
功能框图
AV
DD
DV
DD
REF IN ( - ) REF IN ( + )
AV
DD
1 A
开关
矩阵
收费
平衡
A / D转换器
Σ
-
调制器
卜FF器
PGA
A = 1–128
1 A
串行接口
注册银行
数字滤波器
待机
SYNC
AGND
卜FF器
MCLK IN
MCLK OUT
时钟
GENERATION
SCLK
CS
DIN
DOUT
AD7714
AGND
DGND
POL
DRDY
RESET
三线操作。增益设置,信号极性和通道
选择可以在软件中使用串行端口进行配置。该
AD7714提供自校准,系统校准和后台
地校准选项,同时允许用户读取和
写片上校准寄存器。
CMOS结构可确保极低的功耗,以及
掉电模式下,待机功耗
15
W
(典型值) 。该器件采用24引脚,0.3英寸宽,塑料
双列直插式封装( DIP ) ; 24引脚小外形封装(SOIC )
封装, 28引脚紧缩小型封装( SSOP )和
24引脚超薄紧缩小型封装( TSSOP ) 。
产品亮点
AD7714非常适合低频的完整模拟前端
测量应用。该器件接受低电平信号
直接从一个换能器和输出串行数字字。它
采用Σ - Δ转换技术实现高达24
无失码性能位。该输入信号被施加
以专有可编程增益前端根据各地的
模拟调制器。该调制器的输出由一个片处理
片内数字滤波器。此数字滤波器的第一个陷波可
通过片内控制寄存器允许调整编
滤波器的截止换货和稳定时间。
该器件具有三个差分模拟输入(也可
被配置为五个伪差分模拟输入) ,以及一个
差分参考输入。它采用单电源( +3 V
或+5 V) 。因此,AD7714能执行所有的信号调节和
对于转换最多由5个通道的系统。
AD7714非常适合于智能,微控制器或DSP的应用
基础的系统。它的功能是可以配置的串行接口
*受保护
由美国专利号5134401 。
请参见数据表的索引第39页。
SPI和QSPI是Motorola,Inc.的商标。
MICROWIRE是美国国家半导体公司的商标。
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
1. AD7714Y提供除下列特征
标准的AD7714 :较宽的温度范围内,施密特触发器
在SCLK和DIN ,操作低至2.7 V,功耗更低
消费,更好的线性度,以及24引脚的可用性
TSSOP封装。
2. AD7714功耗小于500
A
(f
CLK IN
= 1兆赫)
或1毫安(F
CLK IN
= 2.5 MHz)的总电源电流,使
它非常适合在环路供电系统。
3.可编程增益通道使AD7714以AC-
概念输入信号直接从应变计或传感器
除去相当量的信号调节的。
4. AD7714是理想的微控制器或DSP处理器
与三线式串行接口减少了num-应用
的互连线误码率和减少光耦数
需要隔离系统耦合器。该器件内置
片内寄存器允许对滤波器截止,输入增益控制,
信道选择,信号极性和校准模式。
5.该器件具有优异的静态性能指标
24位无失码,
±0.0015%
准确度和低
均方根噪声( 140内华达州) 。端点误差和温的影响
perature漂移是由片上自校准消除
从而消除零刻度和满刻度误差。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 1998年
AD7714-5–SPECIFICATIONS
( AV
f
= 2.4576兆赫,除非另有说明。所有规格牛逼
CLK IN
= +5 V, DV
DD
= + 3.3V或+ 5V , REF IN ( + ) = + 2.5V ; REF IN ( - ) = AGND ;
民
给T
最大
除非另有说明)。
DD
参数
静态性能
无失码
一个版本
1
24
22
18
15
12
见表I至IV
±
0.0015
见注2
0.5
0.3
见注2
0.5
0.3
见注2
0.5
0.3
见注2
0.5
±
0.0015
1
0.6
90
100
100
150
150
AGND至AV
DD
AGND - 30 mV的
AV
DD
+ 30毫伏
AGND + 50毫伏
AV
DD
– 1.5 V
1
7
0 + V
REF
/ GAIN
11
±
V
REF
/ GAIN
收益
×
f
CLK IN
/64
f
CLK IN
/8
+2.5
f
CLK IN
/64
±
10
0.8
0.4
2.4
2.0
0.8
0.4
3.5
2.5
0.4
0.4
4.0
DV
DD
– 0.6 V
±
10
9
二进制
偏移二进制码
单位
比特分
比特分
比特分
比特分
比特分
% FSR最大的
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
PPM的FSR /°C的典型值
% FSR最大的
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
V MIN到V最大
V分钟
V最大
V分钟
V最大
nA的最大
pF的最大
喃
喃
条件/评论
通过设计保证。双极模式。对于滤波器陷波
≤
60赫兹
对于滤波器陷波= 100赫兹
对于滤波器陷波= 250赫兹
对于滤波器陷波= 500赫兹
对于滤波器陷波= 1千赫
取决于滤波截止和增益选择
滤波器陷波
≤
60赫兹
了1个,2个,4个增益
对于收益8 , 16 , 32 , 64 , 128
了1个,2个,4个增益
对于收益8 , 16 , 32 , 64 , 128
了1个,2个,4个增益
对于收益8 , 16 , 32 , 64 , 128
通常
±
0.0004%
了1个,2个,4个增益
对于收益8 , 16 , 32 , 64 , 128
规格为AIN和REF IN ,除非另有说明
在DC 。通常情况下102分贝
对于10滤波器陷波
赫兹,
25
赫兹,
50赫兹,
±
0.02
对于10滤波器陷波
赫兹,
30
赫兹,
60赫兹,
±
0.02
对于10滤波器陷波
赫兹,
25
赫兹,
50赫兹,
±
0.02
对于10滤波器陷波
赫兹,
30
赫兹,
60赫兹,
±
0.02
AIN缓冲= 0和REF IN
AIN缓冲= 0和REF IN
BUFFER = 1, A版本
A版
单极性输入范围(B / U过滤位高位寄存器= 1 )
双极输入范围(B / U过滤位高位寄存器= 0 )
了1个,2个,4个增益
对于收益8 , 16 , 32 , 64 , 128
±
对于指定的性能1 % 。功能与低V
REF
输出噪声
积分非线性
单极性偏移误差
单极性偏移漂移
3
双极性零误差
双极性零点漂移
3
正满量程误差
4
满量程漂移
3, 5
增益误差
6
增益漂移
3, 7
双极负满量程误差
双极负满量程漂移
3
模拟输入/基准输入
输入共模抑制( CMR )
普通模式50 Hz抑制
8
普通模式60 Hz抑制
8
共模50 Hz抑制
8
共模60 Hz抑制
8
共模电压范围
9
绝对AIN / REF IN电压
9
绝对/共模电压AIN
9
AIN输入电流
8
AIN采样电容
8
AIN差分电压范围
10
AIN输入采样率,女
S
REF IN ( + ) - REF IN ( - )电压
REF IN输入采样速率,女
S
逻辑输入
输入电流
所有的输入,除了MCLK IN
V
INL
,输入低电压
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
V
INH
,输入高电压
MCLK IN的
V
INL
,输入低电压
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
V
INH
,输入高电压
逻辑输出(包括MCLK OUT )
V
OL
,输出低电压
V
OL
,输出低电压
V
OH
,输出电压高
V
OH
,输出电压高
浮态泄漏电流
浮态输出电容
13
数据输出编码
×
f
缺口
×
f
缺口
×
f
缺口
×
f
缺口
V NOM
A
最大
V最大
V最大
V分钟
V分钟
V最大
V最大
V分钟
V分钟
V最大
V最大
V分钟
V分钟
A
最大
pF的典型值
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3.3 V
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3.3 V
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3.3 V
DV
DD
= +5 V
DV
DD
= +3.3 V
I
SINK
= 800
A
除MCLK OUT 。
12
DV
DD
= +5 V
I
SINK
= 100
A
除MCLK OUT 。
12
DV
DD
= +3.3 V
I
来源
= 200
A
除MCLK OUT 。
12
DV
DD
= +5 V
I
来源
= 100
A
除MCLK OUT 。
12
DV
DD
= +3.3 V
单极性模式
双极性模式
笔记
1
温度范围如下:A版本: -40 ° C至+ 85°C 。
2
校准是一个有效的转换,这些错误将在表I-IV所示的转换噪声的量级。这适用于在感兴趣的温度校正后。
3
校准在任何温度下会删除这些漂移误差。
4
正满量程误差包括零刻度误差(单极性偏移误差或双极性零误差),并适用于单极性和双极性输入范围。
5
满量程漂移包括零刻度漂移(单极性偏移漂移或双极性零漂移),并适用于单极性和双极性输入范围。
6
增益误差不包括零刻度误差。它的计算公式为满量程误差为单极性单极性范围和满量程误差双极零误差,失调误差
双极性范围。
–2–
版本C
AD7714
AD7714-3–SPECIFICATIONS
( AV
f
= 2.4576兆赫,除非另有说明。所有规格牛逼
CLK IN
= +3.3 V, DV
DD
= + 3.3V , REF IN ( + ) = + 1.25V ; REF IN ( - ) = AGND ;
民
给T
最大
除非另有说明)。
DD
参数
静态性能
无失码
一个版本
24
22
18
15
12
见表I至IV
±
0.0015
见注2
0.4
0.1
见注2
0.4
0.1
见注2
0.4
0.1
见注2
0.2
±
0.003
1
0.6
90
100
100
150
150
AGND至AV
DD
AGND - 30 mV的
AV
DD
+ 30毫伏
AGND + 50毫伏
AV
DD
– 1.5 V
1
7
0 + V
REF
/ GAIN
11
±
V
REF
/ GAIN
收益
×
f
CLK IN
/64
f
CLK IN
/8
+1.25
f
CLK IN
/64
±
10
0.4
2.0
0.4
2.5
0.4
DV
DD
– 0.6
±
10
9
二进制
偏移二进制码
单位
比特分
比特分
比特分
比特分
比特分
% FSR最大的
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
PPM的FSR /°C的典型值
% FSR最大的
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
V MIN到V最大
V分钟
V最大
V分钟
V最大
nA的最大
pF的最大
喃
喃
条件/评论
通过设计保证。双极模式。对于滤波器陷波
≤
60赫兹
对于滤波器陷波= 100赫兹
对于滤波器陷波= 250赫兹
对于滤波器陷波= 500赫兹
对于滤波器陷波= 1千赫
取决于滤波截止和增益选择
滤波器陷波
≤
60赫兹
了1个,2个,4个增益
对于收益8 , 16 , 32 , 64 , 128
了1个,2个,4个增益
对于收益8 , 16 , 32 , 64 , 128
了1个,2个,4个增益
对于收益8 , 16 , 32 , 64 , 128
通常
±
0.0004%
了1个,2个,4个增益
对于收益8 , 16 , 32 , 64 , 128
规格为AIN和REF IN ,除非另有说明
在DC 。通常情况下102分贝。
对于10赫兹, 25赫兹, 50赫兹的滤波器陷波,
±
0.02
×
对于10赫兹, 30赫兹, 60赫兹的滤波器陷波,
±
0.02
×
对于10赫兹, 25赫兹, 50赫兹的滤波器陷波,
±
0.02
×
对于10赫兹, 30赫兹, 60赫兹的滤波器陷波,
±
0.02
×
AIN缓冲= 0和REF IN
AIN缓冲= 0和REF IN
BUFFER = 1
输出噪声
积分非线性
单极性偏移误差
单极性偏移漂移
3
双极性零误差
双极性零点漂移
3
正满量程误差
4
满量程漂移
3, 5
增益误差
6
增益漂移
3, 7
双极负满量程误差
双极负满量程漂移
3
模拟输入/基准输入
输入共模抑制( CMR )
普通模式50 Hz抑制
8
普通模式60 Hz抑制
8
共模50 Hz抑制
8
共模60 Hz抑制
8
共模电压范围
9
绝对AIN / REF IN电压
9
绝对/共模电压AIN
9
AIN输入电流
8
AIN采样电容
8
AIN差分电压范围
10
AIN输入采样率,女
S
REF IN ( + ) - REF IN ( - )电压
REF IN输入采样速率,女
S
逻辑输入
输入电流
所有的输入,除了MCLK IN
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
MCLK IN的
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
逻辑输出(包括MCLK OUT )
V
OL
,输出低电压
V
OH
,输出电压高
浮态泄漏电流
浮态输出电容
13
数据输出编码
f
缺口
f
缺口
f
缺口
f
缺口
V NOM
单极性输入范围(B / U过滤位高位寄存器= 1 )
双极输入范围(B / U过滤位高位寄存器= 0 )
了1个,2个,4个增益
对于收益8 , 16 , 32 , 64 , 128
±
对于指定的性能1 % 。部分功能与
低V
REF
A
最大
V最大
V分钟
V最大
V分钟
V最大
V分钟
A
最大
pF的典型值
I
SINK
= 100
A
除MCLK OUT
12
I
来源
= 100
A
除MCLK OUT
12
单极性模式
双极性模式
笔记
7
增益误差漂移不包括单极性偏移漂移/双极性零点漂移。它是有效的组成部分的漂移,如果零刻度校准只进行为的是与壳体
后台校准。
8
这些数字被设计和/或特性保证。
9
适用的设置在输入对的共模电压范围的绝对输入电压规范被遵守。
10
在模拟输入端的输入电压范围相对于它的差分或伪差分对的相应负输入电压给出。见表七
对于这些形式的输入差分对。
11
V
REF
= REF IN ( + ) - REF IN ( - ) 。
12
这些逻辑输出电平适用于仅当它被装入一个单一的CMOS负载的MCLK OUT输出。
13
在+ 25 ° C样品测试,以确保合规性。
14
见倦怠当前部分。
版本C
–3–
AD7714–SPECIFICATIONS
( AV = + 3.3otherwiseV指出。 =所有+ 3.3 V至+5 V , REF IN ( + ) =除非另有说明。 ) + 2.5 V
V至+5 DV
+1.25 V( AD7714-3 )或
( AD7714-5 ) ; REF IN ( - ) = AGND ; MCLK IN = 1 MHz至2.4576兆赫,除非
规格牛逼至T
DD
DD
民
最大
参数
换能器BURNOUT
14
当前
初始容差
漂移
系统校准
正满量程校准极限
15
负满量程校准极限
15
偏移校准限制
16
输入范围
16
电源要求
电源电压
AV
DD
电压( AD7714-3 )
AV
DD
电压( AD7714-5 )
DV
DD
电压
电源电流
AV
DD
当前
一个版本
1
±
10
0.1
(1.05
×
V
REF
) / GAIN
–(1.05
×
V
REF
) / GAIN
–(1.05
×
V
REF
) / GAIN
0.8
×
V
REF
/ GAIN
(2.1
×
V
REF
) / GAIN
单位
A
喃
% (典型值)
%/℃ (典型值)
V最大
V最大
V最大
V分钟
V最大
条件/评论
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
3到3.6
4.75至5.25
3至5.25
V
V
V
对于指定的性能
对于指定的性能
对于指定的性能
AV
DD
=过滤器的3.3 V或5 V BST位高位寄存器= 0
17
一般为0.2毫安。 BUFFER = 0 V F
CLK IN
= 1 MHz或2.4576兆赫
通常为0.4毫安。 BUFFER = DV
DD
. f
CLK IN
= 1 MHz或2.4576兆赫
AV
DD
=过滤器的3.3 V或5 V BST位高位寄存器= 1
17
通常为0.3毫安。 BUFFER = 0 V F
CLK IN
= 2.4576兆赫
通常情况下0.8毫安。 BUFFER = DV
DD
. f
CLK IN
= 2.4576兆赫
数字I / PS = 0 V或DV
DD.
外部MCLK IN
通常情况下0.15毫安。 DV
DD
= 3.3 V. F
CLK IN
= 1兆赫
通常为0.3毫安。 DV
DD
= 5 V F
CLK IN
= 1兆赫
通常为0.4毫安。 DV
DD
= 3.3 V. F
CLK IN
= 2.4576兆赫
通常为0.6毫安。 DV
DD
= 5 V F
CLK IN
= 2.4576兆赫
AV
DD
DV
DD
= 3.3 V.数字I / PS = 0 V或DV
DD
。外部MCLK IN
通常情况下1.25毫瓦。 BUFFER = 0 V F
CLK IN
= 1兆赫。 BST位= 0
通常情况下1.8毫瓦。 BUFFER = 3.3 V. F
CLK IN
= 1兆赫。 BST位= 0
通常为2毫瓦。 BUFFER = 0 V F
CLK IN
= 2.4576兆赫。 BST位= 0
通常情况下2.6毫瓦。 BUFFER = 3.3 V. F
CLK IN
= 2.4576兆赫。 BST位= 0
AV
DD
DV
DD
= + 5V数字I / PS = 0 V或DV
DD
。外部MCLK IN
通常为2.5毫瓦。 BUFFER = 0 V F
CLK IN
= 1兆赫。 BST位= 0
通常情况下3.5毫瓦。 BUFFER = + 5V F
CLK IN
= 1兆赫。 BST位= 0
通常4毫瓦。 BUFFER = 0 V F
CLK IN
= 2.4576兆赫。 BST位= 0
一般为5毫瓦。 BUFFER = + 5V F
CLK IN
= 2.4576兆赫。 BST位= 0
外部MCLK IN = 0 V或DV
DD
。通常情况下20
A.
V
DD
= +5 V
外部MCLK IN = 0 V或DV
DD
。通常情况下5
A.
V
DD
= +3.3 V
0.27
0.6
0.5
1.1
DV
DD
当前
18
0.23
0.4
0.5
0.8
见注20
1.65
2.75
2.55
3.65
正常模式功耗
3.35
5
5.35
7
40
10
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
dB典型值
毫瓦MAX
毫瓦MAX
毫瓦MAX
毫瓦MAX
毫瓦MAX
毫瓦MAX
毫瓦MAX
毫瓦MAX
A
最大
A
最大
电源抑制
19
正常模式功耗
18
待机(电源关闭)电流
21
待机(电源关闭)电流
21
笔记
15
校准后,如果输入电压超过正满量程时,转换器将输出全1 。如果输入的是小于负满刻度,则该设备输出全部为0。
16
这些校准和量程限制适用于所提供的绝对电压模拟量输入不超过AV
DD
+ 30 mV或走得更负比AGND - 30毫伏。该
偏移校准限制既适用于单极零点和双极零点。
17
对于更高增益( ≥8 ),在f
CLK IN
= 2.4576兆赫,滤波器高寄存器必须被设置为1。对于其他条件的BST位,它可以被设置为0 。
18
使用时在MCLK引脚上的晶体或陶瓷谐振器作为时钟源设备时, DV
DD
电流和功耗会因晶体变化
或谐振器类型(见时钟和振荡器电路部分) 。
19
测量直流和适用于所选择的通带。电源抑制比,在50赫兹将超过120分贝5赫兹,10赫兹, 25赫兹或50赫兹的滤波器陷波。 PSRR在60赫兹将超过120分贝
以6赫兹, 10赫兹, 30赫兹或60 Hz滤波器陷波。
20
PSRR取决于增益。对于增益为1 70 dB典型值:对于2增益75 dB典型值;对于4增益:80 dB典型值;对于8至128收益85 dB典型值。
21
如果外部主时钟继续在待机模式下运行,待机电流增加至150
A
一般采用5 V电源和75
A
典型的3.3 V电源。当
使用整个MCLK引脚的时钟源设备晶体或陶瓷谐振器,内部振荡器继续在待机模式下的功耗运行
取决于晶体或谐振器类型(见待机模式部分) 。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–4–
版本C
AD7714
=
+2.7 V至
= + 1.25V ;同
AD7714Y–SPECIFICATIONS
( AVMHz DV =另有+ 3.3 V或4.75 V至5.25 V ,T REFtoIN ( + ) ,除非otherwiseAV = 3 V
而+ 2.5V与AV = 5 V ; REF IN ( - ) = AGND ; MCLK IN = 2.4576
除非
指出。所有规格
T
注意)。
DD
DD
DD
DD
民
最大
参数
静态性能
无失码
版本
1
24
22
18
15
12
见表I至IV
±
0.001
见注2
0.4
0.1
见注2
0.4
0.1
见注2
0.4
0.1
见注2
0.2
±
0.0015
±
0.003
1
0.6
90
100
100
150
150
AGND至AV
DD
AGND - 30 mV的
AV
DD
+ 30毫伏
AGND + 50毫伏
AV
DD
– 1.5 V
1
7
0 + V
REF
/ GAIN
11
±
V
REF
/ GAIN
收益
×
f
CLK IN
/64
f
CLK IN
/8
1/1.75
1/3.5
f
CLK IN
/64
±
10
0.8
0.4
2.4
2
1.4/3
0.8/1.4
0.4/0.8
1/2.5
0.4/1.1
0.375/0.8
0.8
3.5
0.4
2.5
0.4
0.4
4
单位
比特分
比特分
比特分
比特分
比特分
% FSR最大的
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
PPM FSR的/
°C
典型值
% FSR最大的
% FSR最大的
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
V MIN到V最大
V分钟
V最大
V分钟
V最大
nA的最大
pF的最大
喃
喃
条件/评论
通过设计保证。对于滤波器陷波
≤
60赫兹
对于滤波器陷波= 100赫兹
对于滤波器陷波= 250赫兹
对于滤波器陷波= 500赫兹
对于滤波器陷波= 1千赫
取决于滤波截止和增益选择
滤波器陷波
≤
60赫兹。
了1个,2个,4个增益
对于收益8 , 16 , 32 , 64 , 128
了1个,2个,4个增益
对于收益8 , 16 , 32 , 64 , 128
了1个,2个,4个增益
对于收益8 , 16 , 32 , 64 , 128
输出噪声
积分非线性
单极性偏移误差
单极性偏移漂移
3
双极性零误差
双极性零点漂移
3
正满量程误差
4
满量程漂移
3, 5
增益误差
6
增益漂移
3, 7
双极负满量程误差
2
双极负满量程漂移
3
模拟输入/基准输入
输入共模抑制( CMR )
8
普通模式50 Hz抑制
8
普通模式60 Hz抑制
8
共模50 Hz抑制
8
共模60 Hz抑制
8
绝对/共模REF IN电压
8
绝对/共模电压AIN
8, 9
绝对/共模电压AIN
8, 9
AIN直流输入电流
8
AIN采样电容
8
AIN差分电压范围
10
AIN输入采样率,女
S
基准电压输入范围
REF IN ( + ) - REF IN ( - )电压
REF IN ( + ) - REF IN ( - )电压
REF IN输入采样速率,女
S
逻辑输入
输入电流
所有的输入,除了MCLK IN
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
SCLK & DIN只有(施密特触发输入)
V
T+
V
T–
V
T+
– V
T–
SCLK & DIN只有(施密特触发输入)
V
T+
V
T–
V
T+
– V
T–
MCLK IN的
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
MCLK IN的
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
逻辑输出(包括MCLK OUT )
V
OL
,输出低电压
V
OL
,输出低电压
V
OH
,输出电压高
AV
DD
= 5 V典型
±
0.0004%
AV
DD
= 3 V时典型
±
0.0004%
为14的增益
为8 128的收益
规格为AIN和REF IN ,除非另有说明
在DC 。通常情况下102分贝。
对于10赫兹, 25赫兹, 50赫兹的滤波器陷波,
±
0.02
×
对于10赫兹, 30赫兹, 60赫兹的滤波器陷波,
±
0.02
×
对于10赫兹, 25赫兹, 50赫兹的滤波器陷波,
±
0.02
×
对于10赫兹, 30赫兹, 60赫兹的滤波器陷波,
±
0.02
×
对设置寄存器BUF位= 0
对设置寄存器BUF位= 1
f
缺口
f
缺口
f
缺口
f
缺口
单极性输入范围(B / U过滤位高位寄存器= 1 )
双极输入范围(B / U过滤位高位寄存器= 0 )
为14的增益
为8 128的收益
AV
DD
= 2.7 V至3.3 V V
REF
= 1.25
±
对于指定的性能1 %
AV
DD
= 4.75 V至5.25 V V
REF
= 2.5
±
对于指定的性能1 %
V最小/最大
V最小/最大
A
最大
V最大
V最大
V分钟
V分钟
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
DV
DD
= 3V额定
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
DV
DD
= 5 V额定
V最大
V分钟
DV
DD
= 3V额定
V最大
V分钟
V最大
V最大
V分钟
I
SINK
= 800
A
用DV
DD
= 5 V.除MCLK OUT
12
I
SINK
= 100
A
用DV
DD
= 3 V.除MCLK OUT
12
I
来源
= 200
A
用DV
DD
= 5 V.除MCLK OUT
12
DV
DD
DV
DD
DV
DD
DV
DD
DV
DD
=5V
=3V
=5V
=3V
= 5 V额定
版本C
–5–