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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第29页 > AD7713AR
a
LC
2
MOS
回路供电的信号调理ADC
AD7713*
功能框图
AV
DD
DV
DD
AV
DD
1A
充电动平衡A / D
变流器
AIN1(+)
AIN1(–)
AIN2(+)
AIN2(–)
AIN3
输入
缩放
200A
AV
DD
M
U
X
PGA
A = 1 – 128
自稳零
调制器
数字
滤波器
SYNC
REF REF
IN ( - )中的(+)
V
BIAS
待机
特点
电荷平衡ADC
24位无失码
0.0015 %非线性
三通道可编程增益前端
增益范围:1至128
两路差分输入
一个单端高电压输入
内置可编程滤波截止的低通滤波器
能够读/写校准系数
双向微控制器串行接口
单电源供电
低功率( 3.5毫瓦典型值)与掉电模式
( 150瓦典型值)
应用
回路供电(智能)变送器
RTD传感器
过程控制
便携式工业仪器
概述
AD7713
时钟
GENERATION
串行接口
MCLK
IN
MCLK
OUT
RTD1
200A
RTD2
控制
注册
产量
注册
AGND
DGND
RFS TFS模式SDATA SCLK A0 DRDY
该AD7713是低频率的完整模拟前端
测量应用。该器件接受低电平信号
直接从一个换能器或高电平信号(4-
×
V
REF
)和
输出串行数字字。它采用Σ -Δ CON-
版本技术,可实现无失码高达24位
性能。输入信号被施加到一个专用的亲
可编程增益根据各地模拟调制器前端。
该调制器的输出由一个片上数字滤波器处理。
这种数字滤波器的第一陷波可通过编程
片内控制寄存器允许调整滤波器截止
和稳定时间。
该器件具有两个差分模拟输入和一个单
端高电平模拟输入和一个差分基准
输入。它可以从一个单电源供电( AV
DD
和DV
DD
在+5 V) 。该部分提供了两个电流源可以是
用于提供激发的三线和四线RTD CON-
音型。在AD7713从而实现所有信号调理
并转换为一个单,双或三通道系统。
该AD7713非常适合于智能,使用基于微控制器
系统。增益设置,信号极性和RTD电流控制
可利用双向串行端口中的软件进行配置。
该AD7713包含自校准,系统校准和
后台校准选项,同时允许用户读取
和写入片内校准寄存器。
*受美国专利号5134401的保护。
CMOS结构确保了低功耗和硬
洁具可编程的关断模式下,待机
功耗仅150
W
典型的。该器件可用
能够在一个24引脚, 0.3英寸宽,塑料密封双列直插式
封装( DIP )和24引脚小外形封装( SOIC )封装。
产品亮点
1. AD7713消耗的总电源电流小于1mA
租,因此非常适合在环路供电系统。
2.两个可编程增益通道允许AD7713来
直接接受来自传感器的除去输入信号
大量信号调理。为了最大限度地提高
的部分的柔韧性,高水平的模拟输入接受
4
×
V
REF
信号。片上电流源提供激励
对于三线和四线RTD配置。
3.无失码,确保真实,可用, 24位动态
范围加上出色
±
0.0015 %的准确性。的影响
温度漂移的片上自校准被消除,
从而消除零刻度和满刻度误差。
4. AD7713是理想的微控制器或DSP处理器
带有片内控制寄存器,它允许应用程序
在滤波器截止,输入增益,信号极性和卡利控制
bration模式。的AD7713允许用户读取和
写片上校准寄存器。
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
ADI公司, 1995年
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德。 MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 617 / 329-4700
传真: 617 / 326-8703
AD7713–SPECIFICATIONS
( AV T = 5 VT
MCLK IN = 2兆赫,除非另有说明。所有规格
to
DD
5% ; DV
DD
= +5 V
5% ; REF IN ( + ) = + 2.5V ; REF IN ( - ) = AGND ;
最大
除非另有说明)。
条件/评论
通过设计保证。对于滤波器陷波
12赫兹
对于滤波器陷波= 20赫兹
对于滤波器陷波= 50赫兹
对于滤波器陷波= 100赫兹
对于滤波器陷波= 200赫兹
取决于滤波截止和增益选择
滤波器陷波
12赫兹;通常
±
0.0003%
对于收益1 , 2
对于收益4 , 8 , 16 , 32 , 64 , 128
对于收益1 , 2
对于收益4 , 8 , 16 , 32 , 64 , 128
对于收益1 , 2
对于收益4 , 8 , 16 , 32 , 64 , 128
通常
±
0.0006%
对于收益1 , 2
对于收益4 , 8 , 16 , 32 , 64 , 128
参数
静态性能
无失码
A,S版本
1
24
22
18
15
12
参考表一& II
±
0.0015
见注4
1
0.3
见注4
0.5
0.25
见注4
0.5
0.25
2
±
0.004
1
0.3
请参阅表三
100
100
0 + V
REF9
±
V
REF
100
150
150
AGND至AV
DD
10
1
20
0到+ 4
×
V
REF
±
0.05
1
4
30
单位
比特分
比特分
比特分
比特分
比特分
% FSR最大的
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
PPM /°C的典型值
% FSR最大的
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
输出噪声
积分非线性
正满量程误差
2, 3
满量程漂移
5
单极性偏移误差
2
单极性偏移漂移
5
双极性零误差
2
双极性零点漂移
5
增益漂移
双极负满量程误差
2
双极负满量程漂移
5
模拟输入
输入采样率,女
S
普通模式50 Hz抑制
6
普通模式60 Hz抑制
6
AIN1 , AIN2
7
输入电压范围
8
分贝分钟
分贝分钟
对于2赫兹, 5赫兹, 10赫兹, 25赫兹, 50赫兹滤波器陷波,
±
0.02
×
f
缺口
对于2赫兹, 6赫兹, 10赫兹, 30赫兹, 60赫兹滤波器陷波,
±0.02 ×
f
缺口
对于正常操作。取决于增益选择。
单极性输入范围(控制寄存器B / U位= 1 )
双极输入范围(控制寄存器B / U位= 0 )
在DC
对于2赫兹, 5赫兹, 10赫兹, 25赫兹, 50赫兹滤波器陷波,
±0.02 ×
f
缺口
对于2赫兹, 6赫兹, 10赫兹, 30赫兹, 60赫兹滤波器陷波,
±0.02 ×
f
缺口
共模抑制( CMR )
共模50 Hz抑制
6
共模60 Hz抑制
6
共模电压范围
10
直流输入漏电流@ + 25°C
T
给T
最大
采样电容
6
AIN3
输入电压范围
增益误差
11
增益漂移
偏移误差
11
输入阻抗
V最大
V最大
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
V MIN到V最大
pA的最大
nA的最大
pF的最大
V最大
% (典型值)
PPM /°C的典型值
毫伏最大
kΩ的分
对于正常操作。取决于所选的增益
附加误差供稿电阻衰减器
附加漂移供稿电阻衰减器
附加误差供稿电阻衰减器
笔记
1
温度范围如下: A版本, -40 ° C至+ 85°C ; S版, -55 ° C至+ 125°C 。
2
在感兴趣的温度校正后的适用。
3
正满量程误差适用于单极性和双极性输入范围。
4
这些错误将是该部分的输出噪声量级的系统校准后如表I所示。这些错误将在20
V
自校准后的典型
或背景校正。
5
校准在任何温度或使用后台校准模式将消除这些漂移误差。
6
这些数字被设计和/或特性保证。
7
在AIN1和AIN2模拟输入端提供了一个非常高的阻抗的动态负载而变化与时钟频率与输入采样率。最大
推荐的源阻抗取决于所选择的增益。
8
关于在AIN1 (+)和AIN2 (+)输入端,模拟输入电压范围这里给出关于对在AIN1的电压( - )和AIN2 ( - )输入端。输入
在AIN3输入电压范围为相对于AGND 。在AIN1和AIN2输入端的电压绝对不应该去比AV更积极
DD
+ 30 mV或
30毫伏 - 比AGND更负。
9
V
REF
= REF IN ( + ) - REF IN ( - ) 。
10
此共模电压范围内是允许的,只要在输入电压上AIN(+ )和AIN ( - )不超过AV
DD
+ 30 mV至AGND - 30毫伏。
11
可以使用AD7713的系统校准功能,去除这个错误。这个错误不是由AD7713的自校准功能去除。偏移
漂在AIN3输入四倍的静态性能部分给定的值。
–2–
版本C
AD7713
参数
参考输入
REF IN ( + ) - REF IN ( - )电压
输入采样率,女
S
普通模式50 Hz抑制
6
普通模式60 Hz抑制
6
共模抑制( CMR )
共模50 Hz抑制
6
共模60 Hz抑制
6
共模电压范围
10
直流输入漏电流@ + 25°C
T
给T
最大
逻辑输入
输入电流
所有的输入,除了MCLK IN
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
MCLK IN的
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
逻辑输出
V
OL
,输出低电压
V
OH
,输出电压高
浮态泄漏电流
浮态输出电容
12
换能器烧坏
当前
初始容差@ + 25°C
漂移
RTD激励电流
( RTD1 , RTD2 )
输出电流
初始容差@ + 25°C
漂移
初始匹配@ + 25°C
漂移匹配
线路调整(AV
DD
)
负载调整率
系统校准
AIN1 , AIN2
正满量程校准极限
13
负满量程校准极限
13
偏移校准限制
14, 15
输入范围
14
AIN3
正满量程校准极限
13
偏移校准限制
15
输入范围
A,S版本
1
+2.5至AV
DD
/1.8
f
CLK IN
/512
100
100
100
150
150
AGND至AV
DD
10
1
±
10
0.8
2.0
0.8
3.5
0.4
4.0
±
10
9
1
±
10
0.1
单位
V MIN到V最大
条件/评论
对于指定的性能。部分功能与更低
V
REF
电压
对于滤波器陷波
对于滤波器陷波
在DC
对于滤波器陷波
对于滤波器陷波
2赫兹, 5赫兹, 10赫兹, 25赫兹, 50赫兹,
±0.02 ×
f
缺口
2赫兹, 6赫兹, 10赫兹, 30赫兹, 60赫兹,
±0.02 ×
f
缺口
2赫兹, 5赫兹, 10赫兹, 25赫兹, 50赫兹,
±0.02 ×
f
缺口
2赫兹, 6赫兹, 10赫兹, 30赫兹, 60赫兹,
±0.02 ×
f
缺口
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
V MIN到V最大
pA的最大
nA的最大
A
最大
V最大
V分钟
V最大
V分钟
V最大
V分钟
A
最大
pF的典型值
A
% (典型值)
%/℃ (典型值)
I
SINK
= 1.6毫安
I
来源
= 100
A
200
±
20
20
±
1
3
200
200
A
%最大
PPM /°C的典型值
%最大
PPM /°C的典型值
NA / V最大
NA / V最大
匹配RTD1和RTD2电流之间
匹配之间RTD1和RTD2电流漂移
AV
DD
= +5 V
+(1.05
×
V
REF
) / GAIN
–(1.05
×
V
REF
) / GAIN
–(1.05
×
V
REF
) / GAIN
+0.8
×
V
REF
/ GAIN
+(2.1
×
V
REF
) / GAIN
+(4.2
×
V
REF
) / GAIN
0到V
REF
/ GAIN
+3.2
×
V
REF
/ GAIN
+(4.2
×
V
REF
) / GAIN
V最大
V最大
V最大
V分钟
V最大
V最大
V最大
V分钟
V最大
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
笔记
12
通过设计保证,但未经生产测试。
13
校准后,如果模拟输入超过正满量程时,转换器将输出全1 。如果模拟输入电压低于负满量程,则设备会
输出全0 。
14
这些校准和量程限制适用于设在AIN1和AIN2模拟输入的绝对电压不超过AV
DD
+ 30 mV或走得更消极
比AGND - 30毫伏。
15
偏移校准限制既适用于单极零点和双极零点。
版本C
–3–
AD7713–SPECIFICATIONS
参数
电源要求
电源电压
AV
DD
电压
DV
DD
电压
16
电源电流
AV
DD
当前
DV
DD
当前
电源抑制
17
( AV
DD
和DV
DD
)
功耗
普通模式
待机(省电)模式
A,S版本
1
单位
条件/评论
+5至+10
+5
0.6
0.7
0.5
1
见注18
5.5
300
V NOM
V NOM
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
dB典型值
毫瓦MAX
W
最大
AV
DD
DV
DD
= +5 V,F
CLK IN
= 1 MHz的;通常情况下3.5毫瓦
AV
DD
DV
DD
= + 5V ,典型的150
W
±
对于指定的性能5 %
±
对于指定的性能5 %
AV
DD
= +5 V
AV
DD
= +10 V
f
CLK IN
= 1兆赫。数字输入0 V至DV
DD
f
CLK IN
= 2兆赫。数字输入0 V至DV
DD
拒绝w.r.t. AGND
笔记
16
±
在DV 5 %的容差
DD
输入被允许提供的DV
DD
不超过AV
DD
超过0.3V。
17
测量直流和适用于所选择的通带。电源抑制比,在50赫兹将超过120分贝的2赫兹, 5赫兹,10赫兹, 25赫兹或50赫兹滤波器陷波。 PSRR在60赫兹
会超过120分贝的2赫兹, 6赫兹, 10赫兹, 30赫兹或60 Hz滤波器陷波。
18
PSRR取决于增益: 1 = 70 dB典型值增益; 2 = 75 dB典型值增益; 4 = 80 dB典型值增益;涨幅为8 128 ≥85 dB典型值。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
时序特性
1, 2
输入逻辑0 = 0 V ,逻辑1 = DV
参数
f
CLK IN3 , 4
t
CLK IN LO
t
CLK IN HI
t
r5
t
f 5
t
1
自时钟模式
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
76
t
86
t
9
t
10
t
14
t
15
t
16
t
17
t
18
t
19
在T限制
, T
最大
( A,S版本)
400
2
0.4
×
t
CLK IN
0.4
×
t
CLK IN
50
50
1000
0
0
2
×
t
CLK IN
0
4
×
t
CLK IN
+ 20
4
×
t
CLK IN
+20
t
CLK IN
/2
t
CLK IN
/2 + 30
t
CLK IN
/2
3
×
t
CLK IN
/2
50
0
4
×
t
CLK IN
+ 20
4
×
t
CLK IN
0
10
单位
千赫分钟
兆赫最大
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
NS NOM
NS NOM
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
( DV
DD
= +5 V
±
5% ; AV
DD
= + 5V或+ 10V
±
5% ; AGND = DGND = 0 V ; F
CLKIN
= 2 MHz的;
DD
除非另有说明)。
条件/评论
主时钟频率:晶体振荡器或
外部提供的用于指定的性能
主时钟输入低电平时间;吨
CLK IN
= 1/f
CLK IN
主时钟输入高电平时间
数字输出上升时间;通常情况下为20 ns
数字输出下降时间;通常情况下为20 ns
SYNC
脉冲宽度
DRDY
to
RFS
建立时间
DRDY
to
RFS
保持时间
A0到
RFS
建立时间
A0到
RFS
保持时间
RFS
低到SCLK的下降沿
数据存取时间( RFS低到数据有效)
SCLK下降沿到数据有效延迟
SCLK高脉冲宽度
SCLK低电平脉冲宽度
A0到
TFS
建立时间
A0到
TFS
保持时间
TFS
到SCLK下降沿延迟时间
TFS
到SCLK下降沿保持时间
数据有效到SCLK建立时间
数据有效到SCLK保持时间
–4–
版本C
AD7713
参数
外部时钟模式
f
SCLK
t
20
t
21
t
22
t
23
t
246
t
256
t
26
t
27
t
28
t
297
t
30
t
317
t
32
t
33
t
34
t
35
t
36
在T限制
, T
最大
( A,S版本)
f
CLK IN
/5
0
0
2
×
t
CLK IN
0
4
×
t
CLK IN
10
2
×
t
CLK IN
+ 20
2
×
t
CLK IN
2
×
t
CLK IN
t
CLK IN
+ 10
10
t
CLK IN
+ 10
10
5
×
t
CLK IN
/2 + 50
0
0
4
×
t
CLK IN
2
×
t
CLK IN
- SCLK高
30
单位
兆赫最大
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
条件/评论
串行时钟输入频率
DRDY
to
RFS
建立时间
DRDY
to
RFS
保持时间
A0到
RFS
建立时间
A0到
RFS
保持时间
数据存取时间( RFS低到数据有效)
SCLK下降沿到数据有效延迟
SCLK高脉冲宽度
SCLK低电平脉冲宽度
SCLK下降沿到
DRDY
SCLK到数据有效保持时间
RFS / TFS
到SCLK下降沿保持时间
RFS
以数据有效保持时间
A0到
TFS
建立时间
A0到
TFS
保持时间
SCLK下降沿到
TFS
保持时间
数据有效到SCLK建立时间
数据有效到SCLK保持时间
2
笔记
1
通过设计保证,但未经生产测试。所有的输入信号是从1.6V的电压电平中指定与指定tR = tF = 5纳秒(10%至90%的5伏),并定时
2
参见图10至13 。
3
CLK IN的占空比的范围是45 %至55% 。 CLK IN必须提供每当AD7713不处于待机模式。如果没有时钟存在在这种情况下,该
设备可以得出比规定更高的电流,并可能成为未校准。
4
在AD7713的产品测试和f
CLK IN
在2兆赫。它是由特性保证在400 kHz的工作。
5
用10 %和感兴趣的波形90 %的点指定。
6
这些数字是测量图1所示的负载电路,并定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。
7
这些数字是从所采取的数据输出来改变0.5V的所测量的时间推导的时装载有图1中所测得的数的电路
然后外推回除去的充电或放电的100pF的电容效应。这意味着,在时序特性所给出的时间是
真正的总线释放部分的时间,并因此,不依赖于外部总线负载电容。
1.6mA
输出
100pF
+2.1V
200A
图1.负载电路的访问时间和总线释放时间
版本C
–5–
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AD7713AR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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