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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1184页 > AD7712AR-REEL7
LC MOS
信号调理ADC
AD7712
特点
电荷平衡ADC
24位无失码
0.0015 %非线性
高电平,低电平模拟输入通道
对两个输入可编程增益
增益范围:1至128
差分输入为低电平通道
内置可编程滤波截止的低通滤波器
能够读/写校准系数
双向微控制器串行接口
内部/外部基准选择
单电源或双电源供电
低功耗( 25 mW的典型值)与掉电模式
( 100瓦典型值)
应用
过程控制
智能变送器
便携式工业仪器
概述
功能框图
REF REF
AV
DD
DV
DD
IN ( - )中的(+)
V
BIAS
REF OUT
2
AV
DD
4.5 A
2.5V参考
电荷平衡A / D
变流器
PGA
A = 1 – 128
自稳零
调制器
数字
滤波器
SYNC
待机
MCLK
IN
MCLK
OUT
AIN1(+)
AIN1(–)
M
U
X
AIN2
电压
衰减
时钟
GENERATION
串行接口
TP
AD7712
控制
注册
产量
注册
AGND DGND V
SS
RFS TFS
MODE SDATA SCLK
DRDY
A0
该AD7712是低频率的完整模拟前端
测量应用。该器件具有两个模拟输入
渠道和直接从传输或者接受低电平信号
能器或高电平( ± 4 V
REF
)信号,并输出串行
数字字。它采用Σ - Δ转换技术,
实现了对无失码性能24位。低
电平的输入信号被施加到一个专用的可编程增益
前端基于以模拟调制器。高电平
模拟输入被应用到相同的前衰减
调制器。该调制器的输出由一个片上加工
数字滤波器。此数字滤波器的第一个陷波可被编程
通过芯片上的控制寄存器,允许调整滤波器的
截止和建立时间。
通常情况下,其中一个通道将被用作主要通道
以用作辅助输入以periodi-所述第二信道
美云检测第二电压。该部分可以由一个被操作
单电源供电(将V
SS
引脚到AGND ) ,前提是
上的低电平模拟输入的输入信号是更加积极
高于-30 mV 。通过采取V
SS
端子负,该器件可CON组
VERT信号下降到-V
REF
在此输入低电平。这种低层次
输入端,以及参考输入,差分输入
能力。
AD7712非常适合于智能应用,基于微控制器
系统。输入通道选择,增益设置和信号polar-
两者均可以在软件中使用的双向串行配置
端口。该AD7712还包含自校准,系统校准
灰,和后台校准选项,并允许用户
读取和写入片内校准寄存器。
CMOS结构确保了低功耗和硬
洁具可编程的关断模式下,待机功耗
消费仅100
W
典型的。该部分是一个可
24引脚, 0.3英寸宽,塑料密封双列直插式封装
年龄( DIP ) ,以及24引脚小外形封装( SOIC )封装。
产品亮点
1.低电平模拟输入通道允许AD7712以
直接接受来自应变计或传感器的输入信号,
除去相当量的信号调节的。对
最大化的部分的柔韧性,高水平的类似物
输入接收的信号
±
4 V
REF
/ GAIN 。
2. AD7712是理想的微控制器或DSP处理器
带有片内控制寄存器,允许应用程序
在滤波器截止,输入增益,通道选择,信号控制
极性和校准模式。
3. AD7712允许用户读取和写入片上的用户
校准寄存器。这意味着,在微控制器具有
更好地控制所述校准程序。
4.无失码,确保真实,有用的, 23位的动态范围
再加上出色的
±
0.0015 %的准确性。的影响
温度漂移是由片上自校准消除
从而消除零刻度和满刻度误差。
牧师F
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( AV
V 5 % ; DV
AD7712–SPECIFICATIONS
表示。 =所有+ 5specifications T = 5的电视
REF IN ( - ) = AGND ;在MCLK = 10 MHz时,除非另有
to
DD
DD
5%; V
SS
= 0 V或-5 V的5% ; REF IN ( + ) = + 2.5V ;
除非另有说明)。
最大
参数
静态性能
无失码
A,S版本
1
24
22
18
15
12
参见表Ⅰ和Ⅱ
±
0.0015
±
0.003
1
0.3
0.5
0.25
0.5
0.25
2
±
0.003
±
0.006
1
0.3
100
100
10
1
20
100
90
150
150
V
SS
以AV
DD
请参阅表三
0 V至V
REF10
±
V
REF
0 V至24 V
REF10
±
4 V
REF
30
±
0.05
1
10
20
2.5 5中
f
CLK IN
/256
单位
比特分
比特分
比特分
比特分
比特分
% FSR最大
% FSR最大
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
PPM /°C的典型值
% FSR最大
% FSR最大
μV/°C
典型值
μV/°C
典型值
分贝分钟
分贝分钟
pA的最大
nA的最大
pF的最大
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
V MIN到V最大
条件/评论
通过设计保证。对于滤波器陷波
60赫兹
对于滤波器陷波= 100赫兹
对于滤波器陷波= 250赫兹
对于滤波器陷波= 500赫兹
对于滤波器陷波= 1千赫
取决于滤波截止和增益选择
滤波器陷波
60赫兹
通常
±
0.0003%
引用除外
不包括参考。对于收益1 , 2
不包括参考。对于收益4 , 8 , 16 , 32 , 64 , 128
对于收益1 , 2
对于收益4 , 8 , 16 , 32 , 64 , 128
对于收益1 , 2
对于收益4 , 8 , 16 , 32 , 64 , 128
引用除外
通常
±
0.0006%
不包括参考。对于收益1 , 2
不包括参考。对于收益4 , 8 , 16 , 32 , 64 , 128
对于10赫兹, 25赫兹, 50赫兹的滤波器陷波,
±
0.02
对于10赫兹, 30赫兹, 60赫兹的滤波器陷波,
±
0.02
f
缺口
f
缺口
输出噪声
积分非线性@ 25∞C
T
给T
最大
正满量程误差
2, 3, 4
满量程漂移
5
单极性偏移误差
2, 4
单极性偏移漂移
5
双极性零误差
2, 4
双极性零点漂移
5
增益漂移
双极负满量程误差
2
@ 25°C
T
给T
最大
双极负满量程漂移
5
模拟输入/基准输入
普通模式50 Hz抑制
6
普通模式60 Hz抑制
6
AIN1 / REF IN
直流输入漏电流@ 25°C
6
T
给T
最大
采样电容
6
共模抑制( CMR )
共模50 Hz抑制
6
共模60 Hz抑制
6
共模电压范围
7
模拟输入
8
输入采样率,女
S
AIN1输入电压范围
9
在DC和AV
DD
= 5 V
在DC和AV
DD
= 10 V
对于10赫兹, 25赫兹, 50赫兹的滤波器陷波,
±
0.02
对于10赫兹, 30赫兹, 60赫兹的滤波器陷波,
±
0.02
f
缺口
f
缺口
V最大
V最大
V最大
V最大
k
% (典型值)
PPM /°C的典型值
毫伏最大
μV/°C
典型值
V MIN到V最大
AIN2输入电压范围
9
对于正常操作。取决于所选的增益
单极性输入范围(控制寄存器B / U位= 1 )
双极输入范围(控制寄存器B / U位= 0 )
对于正常操作。取决于所选的增益
单极性输入范围(控制寄存器B / U位= 1 )
双极输入范围(控制寄存器B / U位= 0 )
附加误差供稿电阻衰减器
附加漂移供稿电阻衰减器
附加误差供稿电阻衰减器
AIN2 DC输入阻抗
AIN2增益误差
11
AIN2增益漂移
AIN2失调误差
11
AIN2失调漂移
参考输入
REF IN ( + ) - REF IN ( - )电压
12
输入采样率,女
S
对于指定的性能。部分功能与
低V
REF
电压
笔记
1
温度范围如下: A版本, -40 ° C至+ 85°C ; S版-55 ° C至+ 125°C 。请同时参阅附注18 。
2
在感兴趣的温度校正后的适用。
3
正满量程误差适用于单极性和双极性输入范围。
4
这些错误将是该部分的输出噪声量级的系统校准后如表I所示。这些错误将在20
V
自校准后的典型
或背景校正。
5
校准在任何温度或使用后台校准模式将消除这些漂移误差。
6
这些数字被设计和/或特性保证。
7
此共模电压范围内是允许的,条件是在AIN1 (+)和AIN1输入电压( - )不超过AV
DD
+ 30 mV至V
SS
- 30毫伏。
8
在AIN1模拟输入提供了一个非常高的阻抗的动态负载而改变时钟频率和输入采样率。最大建议
源电阻依赖于所选择的增益(见表IV和V ) 。
9
( - )输入端上的AIN1 ( +)输入端,模拟输入电压范围相对于在AIN1的电压给出。对AIN2的输入电压范围
输入是相对于AGND 。在AIN1输入的绝对电压不应该去比AV更积极
DD
+ 30 mV或比V更负
SS
- 30毫伏。
10
V
REF
= REF IN ( + ) - REF IN ( - ) 。
11
可以使用AD7712的系统校准功能,去除这个错误。这个错误不是由AD7712的自校准功能去除。偏移
漂移对AIN2输入4倍静态性能部分给定的值。
12
基准电压输入范围可通过在V的输入电压范围要求的限制
BIAS
输入。
–2–
牧师F
AD7712
特定网络阳离子
(续)
参数
参考输出
输出电压
初始容差
漂移
输出噪声
线路调整(AV
DD
)
负载调整率
外部电流
V
BIAS
输入
13
输入电压范围
A,S版本
1
2.5
±
1
20
30
1
1.5
1
AV
DD
– 0.85 V
REF
或AV
DD
– 3.5
或AV
DD
– 2.1
V
SS
+ 0.85 V
REF
或V
SS
+ 3
V
BIAS
拒绝
逻辑输入
输入电流
所有的输入,除了MCLK IN
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
MCLK IN的
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
逻辑输出
V
OL
,输出低电压
V
OH
,输出电压高
浮态泄漏电流
浮态输出电容
14
换能器BURNOUT
当前
初始容差
漂移
系统校准
AIN1
正满量程校准极限
15
负满量程校准极限
15
偏移校准限制
16, 17
输入范围
15
AIN2
正满量程校准极限
15
负满量程校准极限
15
偏移校准限制
17
输入范围
15
或V
SS
+ 2.1
65至85
±
10
0.8
2.0
0.8
3.5
0.4
4.0
±
10
9
4.5
±
10
0.1
单位
V NOM
%最大
PPM /°C的典型值
V
典型值
mV / V的最大值
最大毫伏/毫安
最大mA
条件/评论
峰峰值噪声; 0.1赫兹到10赫兹带宽
最大负载电流1 mA
V最大
V最大
V分钟
V分钟
dB典型值
A
最大
V最大
V分钟
V最大
V分钟
V最大
V分钟
A
最大
pF的典型值
A
% (典型值)
%/℃ (典型值)
见V
BIAS
输入段
以较小者为准: +5 V / -5 V或+10 V / 0 V
标称AV
DD
/V
SS
以较小者为准: +5 V / 0 V额定AV
DD
/V
SS
见V
BIAS
输入段
以较高者为准: +5 V / -5 V或+10 V / 0 V
标称AV
DD
/V
SS
以较高者为准: +5 V / 0 V额定AV
DD
/V
SS
与增益增加
I
SINK
= 1.6毫安
I
来源
= 100
A
(1.05 V
REF
) / GAIN
–(1.05 V
REF
) / GAIN
–(1.05 V
REF
) / GAIN
0.8 V
REF
/ GAIN
(2.1 V
REF
) / GAIN
(4.2 V
REF
) / GAIN
–(4.2 V
REF
) / GAIN
–(4.2 V
REF
) / GAIN
3.2 V
REF
/ GAIN
(8.4 V
REF
) / GAIN
V最大
V最大
V最大
V分钟
V最大
V最大
V最大
V最大
V分钟
V最大
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
GAIN为选定的PGA增益( 1至128 )
笔记
13
的AD7712用下列V测试
BIAS
电压。随着AV
DD
= 5 V和V
SS
= 0 V, V
BIAS
= 2.5 V ;带AV
DD
= 10 V和V
SS
= 0 V, V
BIAS
= 5 V和
带AV
DD
= 5 V和V
SS
= –5 V, V
BIAS
= 0 V.
14
通过设计保证,但未经生产测试。
15
校准后,如果模拟输入超过正满量程时,转换器将输出全1 。如果模拟输入电压低于负满量程,则设备会
输出全0 。
16
这些校准和量程限制适用于所提供的绝对电压上AIN1模拟输入不超过AV
DD
+ 30 mV或不走更消极
比V
SS
- 30毫伏。
17
偏移校准限制既适用于单极零点和双极零点。
牧师F
–3–
AD7712–SPECIFICATIONS
参数
电源要求
电源电压
AV
DD
电压
18
DV
DD
电压
19
AV
DD
– V
SS
电压
电源电流
AV
DD
当前
DV
DD
当前
V
SS
当前
电源抑制
20
正电源(AV
DD
和DV
DD
)
21
负电源(V
SS
)
功耗
普通模式
普通模式
待机(省电)模式
22
A,S版本
1
单位
条件/评论
+5至+10
+5
+10.5
4
4.5
1.5
90
45
52.5
200
V NOM
V NOM
V最大
最大mA
最大mA
最大mA
dB典型值
dB典型值
毫瓦MAX
毫瓦MAX
W
最大
AV
DD
DV
DD
= +5 V, V
SS
= 0 V ;一般为25毫瓦
AV
DD
DV
DD
= +5 V, V
SS
= -5V ;一般为30毫瓦
AV
DD
DV
DD
= +5 V, V
SS
= 0 V或-5 V ;通常情况下100
W
±
对于指定的性能5 %
±
对于指定的性能5 %
对于指定的性能
V
SS
= –5 V
拒绝w.r.t. AGND ;假定V
BIAS
固定
笔记
18
在AD7712中指定了10 MHz的时钟AV
DD
+5 V电压
±
5%。它指定了一个8 MHz的时钟AV
DD
电压大于5.25 V少
超过10.5 V.工作与AV
DD
电压范围为5.25 V至10.5 V被保证只有在0 ℃至70℃的温度范围内。
19
±
在DV 5 %的容差
DD
输入被允许提供的DV
DD
不超过AV
DD
超过0.3V。
20
测量直流和适用于所选择的通带。电源抑制比,在50赫兹将超过120分贝10赫兹, 25赫兹或50赫兹的滤波器陷波。 PSRR在60赫兹会
超过120分贝10赫兹, 30赫兹或60赫兹的滤波器陷波。
21
PSRR取决于增益: 1 = 70 dB典型值增益; 2 = 75 dB典型值增益; 4 = 80 dB典型值增益;涨幅为8 128 ≥85 dB典型值。这些数字可以提高
( 95 dB典型值),通过推导V
BIAS
电压(通过齐纳二极管或参考)从AV
DD
供应量。
22
使用硬件待机引脚。使用的控制寄存器中的软件待机位( PD )的待机功耗为8 mW的典型值。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
绝对最大额定值*
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明。 )
AV
DD
以DV
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+12 V
AV
DD
到V
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+12 V
AV
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+12 V
AV
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+12 V
DV
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
DV
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
V
SS
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-6 V
V
SS
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-6 V
AIN1输入电压至AGND 。 。 。 V
SS
- 0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
基准输入电压至AGND 。 。 V
SS
- 0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
REF OUT到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至AV
DD
数字输入电压至DGND 。 。 。 。 。 -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
数字输出电压DGND 。 。 。 。 -0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
商业(A版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展(S版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
功率耗散(任何包)至75 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
该规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
订购指南
模型
AD7712AN
AD7712AR
AD7712AR-REEL
AD7712AR-REEL7
AD7712AQ
AD7712SQ
EVAL-AD7712EB
温度范围封装选项*
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
评估板
N-24
RW-24
RW-24
RW-24
Q-24
Q-24
*N
= PDIP , Q = CERDIP ; RW = SOIC 。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
AD7712具有专用ESD保护电路,永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
–4–
牧师F
AD7712
定时
参数
f
CLK IN4 , 5
400
10
8
0.4 t
CLK IN
0.4 t
CLK IN
50
50
1000
0
0
2 t
CLK IN
0
4 t
CLK IN
+ 20
4 t
CLK IN
+ 20
t
CLK IN
/2
t
CLK IN
/2 + 30
t
CLK IN
/2
3 t
CLK IN
/2
50
0
4 t
CLK IN
+ 20
4 t
CLK IN
0
10
千赫分钟
兆赫最大
兆赫
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
NS NOM
NS NOM
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
5% ; AV
DD
= + 5V或
V
3
V
0 V或-5 V的5% ; AGND
1, 2
( DV
DD
= + 5V兆赫;输入逻辑0 = 0 + 10Logic 15 % ; DV
SS
=除非另有说明。 ) = DGND =
V,
=
DD
特征
0 V ; F
CLKIN
=10
在T限制
, T
最大
( A,S版本)
单位
条件/评论
主时钟频率:晶体振荡器或
外部提供
AV
DD
= 5 V
±
5%
对于指定的性能
AV
DD
= 5.25 V至10.5 V
主时钟输入低电平时间;吨
CLK IN
= 1/f
CLK IN
主时钟输入高电平时间
数字输出上升时间;通常情况下为20 ns
数字输出下降时间;通常情况下为20 ns
SYNC
脉冲宽度
DRDY
to
RFS
建立时间;吨
CLK IN
= 1/f
CLK IN
DRDY
to
RFS
保持时间
A0到
RFS
建立时间
A0到
RFS
保持时间
RFS
低到SCLK的下降沿
数据存取时间( RFS低到数据有效)
SCLK下降沿到数据有效延迟
SCLK高脉冲宽度
SCLK低电平脉冲宽度
A0到
TFS
建立时间
A0到
TFS
保持时间
TFS
到SCLK下降沿延迟时间
TFS
到SCLK下降沿保持时间
数据有效到SCLK建立时间
数据有效到SCLK保持时间
t
CLK IN LO
t
CLK IN HI
t
r6
t
f 6
t
1
自时钟模式
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7 7
t
8 7
t
9
t
10
t
14
t
15
t
16
t
17
t
18
t
19
笔记
1
通过设计保证,但未经生产测试。在最初发布的任何重新设计或工艺变更可能会影响该参数后的样品进行测试。所有输入
信号从1.6V的电压电平中指定与指定tR = tF = 5纳秒(10%至90%的5伏),并定时
2
参见图11至14中。
3
在AD7712中指定了10 MHz的时钟AV
DD
5伏电压
±
5%。它指定了一个8 MHz的时钟AV
DD
电压大于5.25 V少
超过10.5 V.
4
CLK IN的占空比的范围是45 %至55% 。 CLK IN必须提供每当AD7712不处于待机模式。如果没有时钟存在在这种情况下,该
设备可以得出比规定更高的电流,并可能成为未校准。
5
在AD7712的产品测试和f
CLK IN
在10 MHz ( 8兆赫的AV
DD
< 5.25 V ) 。它是由特性保证在400 kHz的工作。
6
用10 %和感兴趣的波形90 %的点指定。
7
这些数字是测量图1所示的负载电路,并定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。
牧师F
–5–
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