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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第786页 > AD7703CQ
a
特点
单片20位ADC
0.0003 %线性误差
20位无漏码
片内自校准电路
可编程低通滤波器
0.1 Hz至10 Hz转折频率
0至+2.5 V或2.5 V模拟输入范围
4 kSPS的输出数据速率
灵活的串行接口
超低功耗
应用
工业过程控制
电子秤
便携式仪表
远程数据采集
DV
DD
15
AV
DD
14
LC MOS
20位A / D转换器
AD7703
功能框图
AV
SS
7
DV
SS
6
SC1
4
SC2
17
2
AD7703
校准
SRAM
校准
微控制器
13
CAL
A
IN
9
20位电荷平衡A / D
变流器
类似物
调制器
6极高斯
LOW- PASS
数字滤波器
12 BP / UP
V
REF
10
11 SLEEP
AGND
8
时钟
发电机
串行接口
逻辑
20 SDATA
19 SCLK
DGND
5
3
CLKIN
2
CLKOUT
1
模式
16
CS
18
DRDY
概述
产品亮点
的AD7703是一个20位的ADC ,它使用Σ-Δ转换
西昂技术。模拟输入是由一个连续采样
模拟调制器的平均输出占空比成正比
于输入信号。该调制器的输出由一个处理
片内数字滤波器,六极高斯响应,这
更新输出数据寄存器,在20位的二进制字
字速率最高可达4千赫。采样速率,滤波器转折频
频率和输出字速率由主时钟输入设置
可由外部提供,或者由一个片门振荡器。
ADC的固有的线性度是非常出色,端点
精度可保证通过零点和满量程自校准
其可以在任何时候被启动。自校准方案
也可以扩展到消除系统偏移和增益误差
输入通道。
的输出数据通过一个串行端口,其中有两个访问
适合用于连接到移位寄存器同步模式或
行业标准微控制器的串行端口。
CMOS结构确保了低功耗和电源
断模式可将闲置功耗仅为10W。
1. AD7703提供加上20位分辨率
杰出的0.0003 %的准确性。
2.无失码,确保真实,有用的, 20位的动态范围,
不再需要可编程增益和电平设定
电路。
3.温度漂移的影响片上被淘汰
自校准,这消除零和增益误差。外
电路也可以包括在校准循环以除去
系统偏移和增益误差。
4.灵活的同步使AD7703的接口
直接将行业标准的串行端口
微控制器和DSP处理器。
5.低运行功耗和超低功耗
待机模式使AD7703非常适合循环供电
遥感应用,或电池供电的便携式
仪器。
Rev. D的
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
ADI公司, 1996年
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 617 / 329-4700
传真: 617 / 326-8703
AV = DV
V ; AV = DV = -5V ;
AD7703–SPECIFICATIONS
1 (TK = 25 1C ; nF的以AGND为= A + 5unless另有说明。 )V
BP / UP = + 5V ; MODE = + 5V; A源电阻=
A
DD
DD
SS
SS
IN
1
IN
REF
= + 2.5V ; F
CLKIN
= 4.096兆赫;
测试条件/评论
参数
静态性能
决议
积分非线性,T
给T
最大
+25°C
T
给T
最大
微分非线性,T
给T
最大
正满量程误差
3
满量程漂移
4
单极性偏移误差
3
单极性偏移漂移
4
双极性零误差
3
双极性零点漂移
4
双极负满刻度误差
3
双极负满量程漂移
4
噪声(简称输出)
动态性能
采样频率f
S
输出更新速率,女
OUT
滤波器的转角频率f
-3分贝
建立时间
±
0.0007 % FS
系统校准
正满量程校准范围
正满量程OVERRANGE
负满量程OVERRANGE
最大偏移校准范围
5, 6
单极性输入范围
双极性输入范围
输入范围
7
模拟量输入
单极性输入范围
双极性输入范围
输入电容
输入偏置电流
1
逻辑输入
除了CLKIN所有输入
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
CLKIN
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
I
IN
,输入电流
逻辑输出
V
OL
,输出低电压
V
OH
,输出电压高
浮态泄漏电流
浮态输出电容
电源要求
电源电压
模拟正电源( AV
DD
)
数字正电源( DV
DD
)
模拟负电源( AV
SS
)
数字负片供应( DV
SS
)
校准存储器保留
电源电压
A / S版本
2
B版本
2
C版
2
单位
20
±
0.0015
±
0.003
±
0.003
±
0.5
±
4
±
16
±
19/± 37
±
4
±
16
±
26
±
67 +48/–400
±
4
±
16
±
13
±
34 +24/–200
±
8
±
32
±
10/± 20
1.6
f
CLKIN
/256
f
CLKIN
/1024
f
CLKIN
/409,600
507904/f
CLKIN
V
REF
+ 0.1
V
REF
+ 0.1
–(V
REF
+ 0.1)
–(V
REF
+ 0.1)
–0.4 V
REF
到+0.4 V
REF
0.8 V
REF
2 V
REF
+ 0.2
0至+2.5
±
2.5
20
1
20
±
0.0007
±
0.0015
±
0.0015
±
0.5
±
4
±
16
±
19
±
4
±
16
±
26
±
67
±
4
±
16
±
13
±
34
±
8
±
32
±
10
1.6
f
CLKIN
/256
f
CLKIN
/1024
f
CLKIN
/409,600
507904/f
CLKIN
V
REF
+ 0.1
V
REF
+ 0.1
–(V
REF
+ 0.1)
–(V
REF
+ 0.1)
–0.4 V
REF
到+0.4 V
REF
0.8 V
REF
2 V
REF
+ 0.2
0至+2.5
±
2.5
20
1
20
±
0.0003
±
0.0008
±
0.0012
±
0.5
±
4
±
16
±
19
±
4
±
16
±
26
±
67
±
4
±
16
±
13
±
34
±
8
±
32
±
10
1.6
f
CLKIN
/256
f
CLKIN
/1024
f
CLKIN
/409,600
507904/f
CLKIN
V
REF
+ 0.1
V
REF
+ 0.1
–(V
REF
+ 0.1)
–(V
REF
+ 0.1)
–0.4 V
REF
到+0.4 V
REF
0.8 V
REF
2 V
REF
+ 0.2
0至+2.5
±
2.5
20
1
% FSR (典型值)
% FSR最大
% FSR最大
LSB (典型值)
LSB (典型值)
LSB(最大值)
LSB (典型值)
LSB (典型值)
LSB(最大值)
LSB (典型值)
LSB (典型值)
LSB (典型值)
LSB(最大值)
LSB (典型值)
LSB (典型值)
LSB (典型值)
LSB(最大值)
LSB (典型值)
LSB (典型值)有效值
Hz
Hz
Hz
美国证券交易委员会
V最大
V最大
V最大
V最大
V最大
V分钟
V最大
pF的典型值
nA的典型值
保证无失码
温度范围: 0 ° C至+ 70°C
指明TEMP RANGE
温度范围: 0 ° C至+ 70°C
指明TEMP RANGE
对于满量程输入步骤
系统校准适用于
单极性和双极性范围。
校准后,如果A
IN
& GT ; V
REF
,
该器件将输出全1 。
如果一个
IN
< 0 (单极性)或-V
REF
(双极) ,设备将
输出全0
0.8
2.0
0.8
3.5
10
0.4
DV
DD
–1
±
10
9
0.8
2.0
0.8
3.5
10
0.4
DV
DD
–1
±
10
9
0.8
2.0
0.8
3.5
10
0.4
DV
DD
–1
±
10
9
V最大
V分钟
V最大
V分钟
A
最大
V最大
V分钟
A
最大
pF的典型值
I
SINK
= 1.6毫安
I
来源
= 100
A
4.5/5.5
4.5/AV
DD
–4.5/–5.5
–4.5/–5.5
2.0
4.5/5.5
4.5/AV
DD
–4.5/–5.5
–4.5/–5.5
2.0
4.5/5.5
4.5/AV
DD
–4.5/–5.5
–4.5/–5.5
2.0
V MIN / V最大值为规定业绩
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
V分钟
–2–
Rev. D的
AD7703
参数
静态性能
直流电源电流
8
模拟正电源( AI
DD
)
数字正电源( DI
DD
)
模拟负电源( AI
SS
)
数字负片供应( DI
SS
)
电源抑制
9
正电源
负电源
功耗
正常工作
待机操作
10
A, B,C
S
A / S版本
2
B版本
2
C版
2
单位
测试条件/评论
3.2
1.5
3.2
0.1
70
75
40
3.2
1.5
3.2
0.1
70
75
40
3.2
1.5
3.2
0.1
70
75
40
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
dB典型值
dB典型值
毫瓦rnax
W
最大
W
最大
2 mA时
通常情况下1毫安
2 mA时
通常情况下0.03毫安
20
40
20
40
20
40
睡觉
=逻辑1 ,
一般为25毫瓦
睡觉
=逻辑0 ,
通常10
W
笔记
1
在A
IN
销提供了一个非常高的阻抗的动态负载而变化与时钟频率。陶瓷1 nF的从电容器
IN
到AGND是必要的。源
电阻应为750
或更小。
2
温度范围如下: A, B,C版本: -40°C至+ 85°C ; S版: -55 ° C至+ 125°C 。
3
在感兴趣的温度校正后的适用。满量程误差适用于单极性和双极性输入范围。
4
总漂移在规定的温度范围在开机后在25校准后
°C.
这是由设计和/或特性保证。重新校准,在任何
气温将删除这些错误。
5
在单极模式下的偏移可以具有负值(-V
REF
),使得所述单极模式可以模仿双极性模式下操作。
6
规格输入超量程和输入范围应用的偏移校正范围的附加限制。
7
对于单极模式下,输入范围为满刻度与零电平之间的差值。对于双极性模式下,输入范围是正与负之间的差
满量程点。当超过最大输入范围使用更小,跨度范围可以在任何地方放置的范围内
±
(V
REF
+ 0.1).
8
所有数字输出卸载。所有数字输入在5V CMOS电平。
9
适用于0.1 Hz至10 Hz带宽。电源抑制比在60赫兹将超过120分贝由于数字滤波器。
10
CLKIN被停止。所有数字输入接地。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明)
订购指南
DV
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
DV
DD
以AV
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
DV
SS
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-6 V
AV
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
AV
SS
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-6 V
AGND至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
数字输入电压至DGND 。 。 。 。 -0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
模拟输入电压至AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .AV
SS
- 0.3 V至
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 AV
DD
+ 0.3 V
输入电流到任何引脚除外用品
1
. . . . . . . .
±
10毫安
工作温度范围
工业(A , B,C版本) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
扩展(S版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
功率耗散( DIP封装)到+ 75 ℃。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
减额高于+ 75 ℃下。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫瓦/°C的
功率耗散( SOIC封装)到+ 75 ℃。 。 。 。 。 。 250毫瓦
减额高于+ 75 ℃下。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫瓦/°C的
笔记
*条件超过上述“绝对最大额定值”,可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件,在上市运作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
1
高达100 mA的瞬态电流不会造成SCR闩锁。
模型
AD7703AN
AD7703BN
AD7703CN
AD7703AR
AD7703BR
AD7703CR
AD7703AQ
AD7703BQ
AD7703CQ
AD7703SQ
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
线性
错误
( % FSR )
0.003
0.0015
0.0012
0.003
0.0015
0.0012
0.003
0.0015
0.0012
0.003
选项*
N-20
N-20
N-20
R-20
R-20
R-20
Q-20
Q-20
Q-20
Q-20
* N =塑料DIP ; R = SOIC ; Q = CERDIP 。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然这种器件具有专有ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
Rev. D的
–3–
AD7703
时序特性
1, 2
参数
f
CLKIN3 , 4
200
5
200
5
50
50
0
50
1000
3/f
CLKIN
100
250
300
790
升/女
CLKIN
+ 200
4/f
CLKIN
+ 200
5
35
160
160
150
250
200
200
5
200
5
50
50
0
50
1000
3/f
CLKIN
100
250
300
790
升/女
CLKIN
+ 200
4/f
CLKIN
+ 200
5
35
160
160
150
250
200
( AV
DD
DV
DD
= + 5V 10 % ; AV
SS
DV
SS
= -5V 10 % ; AGND = DGND = 0 V ; F
CLKIN
=
4.096兆赫;输入电平:逻辑0 = 0 V ,逻辑1 = DV
DD
;除非另有说明)。
条件/评论
6
主时钟频率:内部振荡器门
通常情况下4096千赫
主时钟频率:外部提供
数字输出上升时间。通常情况下为20 ns
数字输出下降时间。通常情况下为20 ns
SC1 , SC2 ,以CAL高建立时间
SC1 , SC2保持时间CAL变高后,
睡觉
高CLKIN高建立时间
数据存取时间( CS低到数据有效)
SCLK下降沿到数据有效延迟( 25 ns的典型值)
MSB数据建立时间。通常情况下380纳秒
SCLK高脉冲宽度。通常情况下240纳秒
SCLK低电平脉冲宽度。通常情况下730纳秒
SCLK上升沿为Hi -Z延迟(的1 / f
CLKIN
+ 100ns的典型值)
CS
高为Hi -Z延迟
串行时钟输入频率
SCLK高脉冲宽度
SCLK低电平脉冲宽度
数据存取时间( CS低到数据有效) 。通常为80纳秒
SCLK下降沿到数据有效延迟。一般为75纳秒
CS
高为Hi -Z延迟
SCLK下降沿为Hi -Z延迟。通常为100 ns
在T限制
, T
最大
在T限制
, T
最大
(A , B,C版本)
(S版)
单位
千赫分钟
兆赫最大
千赫分钟
兆赫最大
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最大值)
兆赫最大
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最大值)
t
r5
t
f5
t
1
t
2
t
3 6
SSC模式
t
4 7
t
5
t
6
t
7
t
8
t
9
t
108, 9
SEC模式
f
SCLK
t
11
t
12
t
137, 10
t
1411
t
158
t
168
笔记
1
在+ 25 ° C样品测试,以确保合规性。所有的输入信号是从1.6V的电压电平中指定与指定tR = tF = 5纳秒(10%至90%的5伏),并定时
2
请参阅图1至图6 。
3
CLKIN的占空比的范围是20 %至80% 。 CLKIN必须提供每当AD7703未处于睡眠模式。如果没有时钟存在在这种情况下,该设备可以
画比规定更高的电流,并可能成为未校准。
4
在AD7703的产品测试和f
CLKIN
在4.096兆赫。它是由特性保证在200 kHz的工作。
5
用10 %和感兴趣的波形90 %的点指定。
6
为了使用同步多个AD7703s在一起
睡觉
脚,这个规范必须得到满足。
7
t
4
和T
13
测量与图1的负载电路,并定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。
8
t
9
, t
10
, t
15
和T
16
从采取的数据输出改变0.5 V的测量时间衍生当载有图1的电路所测得的数是
然后外推回除去的充电或放电的100pF的电容的影响。这意味着,在时序特性所引述的曲调是
真正的总线释放的部分的时间,因此是独立的外部总线负载电容。
9
If
CS
返回高电平之前的所有20位输出时, SDATA和SCLK输出将完成当前数据位,然后进入高阻抗。
10
If
CS
被异步激活
DRDY , CS
如果它发生时将不会被识别
DRDY
高为4个时钟周期。的传播延迟时间可以是如
伟大的,因为4 CLKIN周期加160纳秒。要使用异步时, SDATA保证正确的时钟
CS ,
SCLK输入不应该高早于拍摄
4 CLKIN周期加后160纳秒
CS
变低。
11
SDATA被同步输出输入SCLK的下降沿。
CAL
I
OL
1.6mA
TO
产量
t
1
+2.1V
t
2
SC1 , SC2
SC1 , SC2 VALID
C
L
100pF
I
OH
200A
图2.校准控制时序
CLKIN
图1.负载电路的访问时间和总线释放
时间
t
3
睡觉
图3.睡眠模式时序
–4–
Rev. D的
AD7703
CS
CS
t
10
SDATA
数据
有效
高阻
SDATA
数据
有效
t
15
高阻
图4. SSC模式的数据保持时间
图5a 。 SEC模式数据保持时间
CLKIN
DRDY
CS
CS
t
12
t
11
SCLK
SCLK
高阻
t
7
t
8
t
9
t
8
高阻
SDATA
高阻
DB19
高阻
t
13
SDATA
高阻
DB19
t
4
t
14
DB18
DB1
t
16
DB0
t
5
DB18
DB1
DB0
高阻
图5b 。 SEC模式时序图
图6. SSC模式时序图
术语
线性误差
正满量程OVERRANGE
这是任何代码从一个直线的最大偏差
通过传递函数的端点。在最终
传递函数的点是零刻度(不要混淆
双极零) ,点的0.5 LSB的第一个代码跃迁
化( 。 000 。 000 000 。 001 )和满量程的1.5 LSB
上述最后一个码转换( 111 。 110 111 。 111 ) 。
所述误差表示为满量程的百分比。
微分线性误差
正满量程超量程开销可量
处理输入电压高于+ V
REF
(例如,噪声
峰或过量的电压由于在系统卡利系统增益误差
bration程序)没有因超载引入误差
模拟调制器或溢出的数字滤波器。
负满量程OVERRANGE
这是任何代码的实际宽度和之间的差
理想( 1 LSB )的宽度。微分线性误差表示为
位。的微分线性规范
±
1 LSB以内
保证单调性。
正满量程误差
这是的开销可用于处理电压的量BE-
低-V
REF
不超载的模拟调制器或过
流动的数字滤波器。请注意,在模拟输入将接受
负电压峰值即使在单极模式。
偏移校准范围
正满量程误差是最后一个码转换的偏差
从理想( 。 111 。 110 111 。 111 )(V
REF
-3/2个LSB ) 。
它适用于正反两方面的模拟输入范围。
单极性偏移误差
在系统校准模式( SC2低)的AD7703卡利
脊椎动物的偏移量相对于在A
IN
引脚。偏移校准
化范围的规范定义的电压的范围
AD7701可以接受,仍然偏移校准准确。
满量程校准范围
这是电压的AD7703可以在接受的范围
系统校准模式,仍能正确校准满量程。
输入范围
单极性偏移误差是第一个码转换的偏差
从理想的(AGND + 0.5 LSB)中的单向操作时
极地模式。
双极性零误差
这是的值跳变的偏差( 0111 。 111
1000 。 。 。 000)与理想( AGND - 0.5 LSB )时operat-
荷兰国际集团在双极性模式。
双极负满量程误差
在系统校准方案,两个电压依次加
到AD7703的模拟输入定义模拟输入范围。
输入范围规范定义的最小和马克西 -
从零妈妈的输入电压为满量程的AD7703能
接受并仍增益校准准确。
这是第一个代码转换与理想的偏差
(–V
REF
+0.5 LSB) ,在双极模式下工作时。
Rev. D的
–5–
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