a
LC MOS
+ 3.3V / + 5V，低功耗，四通道12位DAC
AD7564
功能框图
NC
AGND
V
DD
DGND
V
REF
D
V
REF
C
V
REF
B
V
REF
A
R
FB
A
2
特点
4个12位DAC在一个封装中
四象限乘法
单独参考
单电源供电
保证规格与+ 3.3V / + 5 V电源
低功耗
多功能串行接口
同时更新能力
复位功能
28引脚SOIC ， SSOP和DIP封装
应用
过程控制
便携式仪表
通用测试设备
FSIN
CLKIN
SDIN
输入
锁存器
12
DAC A
LATCH
12
DAC A
I
OUT1
A
I
OUT2
A
R
FB
B
输入
LATCH B
12
DAC B
LATCH
12
DAC B
I
OUT1
B
I
OUT2
B
R
FB
C
输入
锁存器C.
12
DAC
LATCH
12
DAC
I
OUT1
C
I
OUT2
C
R
FB
D
输入
锁闩D-
12
12
DAC
LATCH
12
DAC
I
OUT1
D
I
OUT2
D
控制逻辑
+
输入移位
注册
CLR
LDAC
AD7564
SDOUT
A0 A1
概述
产品亮点
该AD7564包含4个12位DAC在一个单片
装置。 DAC为标准电流输出，独立
V
REF
, I
OUT1
, I
OUT2
和R
FB
终端。这些DAC的工作
一个单一的+3.3 V至+5 V电源。
的AD7564是串行输入设备。数据使用装
FSIN ，
CLKIN和SDIN 。两个地址引脚A0和A1成立
一个设备地址，并且这个特性可以被用于简化装置
装在多DAC的环境。可替换地， A0和A1
可以忽略不计，并串行输出功能，用于配置一
菊花链系统。
所有DAC可以使用asynchro-同步更新
常识
LDAC
输入，并且它们可以通过置位清零
异步
CLR
输入。
该器件采用28引脚SOIC ， SSOP和DIP
包。
1. AD7564包含4个12位电流输出DAC与
单独的V
REF
输入。
2. AD7564 ，可以从一个单一的+ 3.3V操作到+ 5V
供应量。
3.同时更新能力和复位功能是
可用。
4. AD7564具有快速，多功能串行接口的COM
兼容与现代3 V和5 V微处理器和
微型计算机。
5.低功耗， 50
W
在5V和33
W
在3.3 V.
启示录
B
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AD7564–SPECIFICATIONS
A至I
（V = 4.75 V至5.25 V ;我
普通模式
参数
准确性
决议
相对精度
微分非线性
增益误差
+25°C
T
民
给T
最大
增益温度COEF网络cient
2
输出漏电流
I
OUT1
@ +25°C
T
民
给T
最大
参考输入
输入阻抗
梯形电阻不匹配
数字输入
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INH
，输入电流
C
IN
，输入电容
2
数字输出（ SDOUT ）
输出低电压（V
OL
)
输出高电压（V
OH
)
电源要求
V
DD
范围
电源抑制
2
ΔGain / ΔV
DD
I
DD
DD
OUT1
OUT1
D
= I
OUT2
一个=我
OUT2
D = AGND = 0 V ; V
REF
= 10 V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
,
测试条件/评论
1 LSB = V
REF
/2
12
= 2.44时，毫伏V
REF
= 10 V
所有等级保证单调温
除非另有说明）
B级
1
12
±
0.5
±
0.5
±
4
±
5
2
5
单位
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB的最大值
LSB的最大值
FSR PPM /°C的典型值
PPM FSR / ° C最大值
10
50
6
13
2
2.4
0.8
±
1
10
0.4
4.0
4.75/5.25
–75
10
nA的最大
nA的最大
kΩ的分
kΩ最大值
％最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V最大
V分钟
V MIN / V最大
dB典型值
A
最大
加载电路，如图2 。
典型的输入电阻= 9.5千欧
通常情况下0.6 ％
从3.3 V的部分功能，以5.25 V
V
INH
= V
DD
, V
INL
= 0 V
在0.8 V和2.4 V输入电平，我
DD
is
通常为2毫安。
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
未经生产测试。经鉴定，在产品初始发行保证。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
启示录
B
AD7564
BIASED模式
1
参数
准确性
决议
相对精度
微分非线性
增益误差
+25°C
T
民
给T
最大
增益温度COEF网络cient
3
输出漏电流
I
OUT1
@ +25°C
T
民
给T
最大
输入阻抗
@ I
OUT2
引脚
数字输入
V
INH
，输入高电压@ V
DD
= +5 V
V
INH
，输入高电压@ V
DD
= +3.3 V
V
INL
，输入低电压@ V
DD
= +5 V
V
INL
，输入低电压@ V
DD
= +3.3 V
I
INH
，输入电流
C
IN
，输入电容
3
数字输出（ SDOUT ）
输出低电压（V
OL
)
输出低电压（V
OL
)
输出高电压（V
OH
)
输出高电压（V
OH
)
电源要求
V
DD
范围
电源灵敏度
3
ΔGain / ΔV
DD
I
DD
(V
DD
= +3 V至+5.5 V ; V
IOUT1
= V
IOUT2
= 1.23 V ; AGND = 0 V ; V
REF
= 0 V至2.45 V ;牛逼
A
= T
民
to
T
最大
中，除非另有说明）
A级
2
12
±
1
±
0.9
±
4
±
5
2
5
单位
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
测试条件/评论
1 LSB = （V
IOUT2
– V
REF
)/2
12
= 300
V
当
V
IOUT2
= 1.23 V和V
REF
= 0 V
所有等级保证单调了
温度
LSB的最大值
LSB的最大值
FSR PPM /°C的典型值
PPM FSR / ° C最大值
见名词科
10
50
6
2.4
2.1
0.8
0.6
±
1
10
0.4
0.2
4.0
V
DD
– 0.2
3/5.5
–75
10
nA的最大
nA的最大
kΩ的分
V分钟
V分钟
V最大
V最大
A
最大
pF的最大
V最大
V最大
V分钟
V分钟
V MIN / V最大
dB典型值
A
最大
加载电路，如图2 。
V
DD
= +5 V
V
DD
= +3.3 V
V
DD
= +5 V
V
DD
= +3.3 V
这种随DAC输入代码
V
INH
= V
DD
- 0.1 V分钟，V
INL
= 0.1 V最大;
SDOUT开路
I
DD
通常为2 mA的V
DD
= +5 V,
V
INH
= 2.4 V分钟，V
INL
= 0.8 V最大;
SDOUT开路
笔记
1
这些规范适用于与偏见高达1.23 V单电源供电的应用设备。该模型编号由" - B"后缀的方式反映了这一点
（例如： AD7564AR -B）。图19是偏置模式操作的一个例子。
2
温度范围如下： A版本： -40 ° C至+ 85°C 。
3
未经生产测试。经鉴定，在产品初始发行保证。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
启示录
B
–3–
AD7564
AC性能特点
普通模式
参数
动态性能
输出电压建立时间
数模转换毛刺脉冲
倍增馈通误差
输出电容
通道到通道隔离
数字串扰
数字馈通
总谐波失真
输出噪声谱密度
@ 1千赫
(V
DD
= 4.75 V至5.25 V ; V
IOUT1
= V
IOUT2
= AGND = 0 V V
REF
= 6 V RMS， 1 kHz正弦波; DAC输出运算放大器
AD843 ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。这些特性包括用于设计参考
不受测试）。
B级
550
35
–70
60
30
–76
5
5
–83
30
单位
纳秒（典型值）
nV-s表示，典型值
最大分贝
pF的最大
pF的最大
dB典型值
nV-s表示，典型值
nV-s表示，典型值
dB典型值
内华达州/ √Hz的典型值
测试条件/评论
对满量程的0.01％ 。 DAC锁存器或者加载
全0和全1
与V测
REF
= 0 V. DAC寄存器或者加载
全0和全1
V
REF
= 20 V P-P ， 10 kHz的正弦波。 DAC锁存器加载
用全0
加载DAC全1
加载DAC全0
从任意一个参考别人用穿心
20 V P-P ， 10 kHz的正弦波应用
影响全0至全1对非选择DAC的代码转换
穿心以任何DAC输出与
FSIN
高广场
波应用于SDIN和SCLK
V
REF
= 6 V RMS， 1 kHz正弦波
全1载入DAC 。 V
REF
= 0 V输出运算放大器
ADOP07
AC性能特点
BIASED模式
参数
动态性能
输出电压建立时间
数模转换器毛刺脉冲
倍增馈通误差
输出电容
数字馈通
总谐波失真
输出噪声谱密度
@ 1千赫
(V
DD
= +3 V至+5.5 V ; V
IOUT1
= V
IOUT2
= 1.23 V ; AGND = 0 V V
REF
= 1 kHz时， 2.45 V P-P ，偏置在1.23 V的正弦波; DAC
输出运算放大器AD820 ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。这些特性包括用于设计
指导和不受测试。 ）
A级
3.5
35
–70
100
40
5
–76
20
单位
s
典型值
nV-s表示，典型值
最大分贝
pF的最大
pF的最大
nV-s表示，典型值
dB典型值
内华达州/ √Hz的典型值
全1载入DAC 。 V
IOUT2
= 0 V; V
REF
= 0 V
测试条件/评论
对满量程的0.01％ 。 V
REF
= 0 V. DAC锁存器替代方案
纳利满载全0和全1 。
与V测
IOUT2
= 0 V和V
REF
= 0 V. DAC寄存器替代方案
纳利满载全0和全1 。
DAC锁存器加载全0 。
加载DAC全1
加载DAC全0
穿心以任何DAC输出与FSIN高一广场
波应用于SDIN和CLKIN
–4–
启示录
B
AD7564
时序特定网络阳离子
1
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
82
t
9
180
80
80
50
50
10
125
100
80
(T
A
= T
民
给T
最大
除非另有说明）
单位
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最大值）
ns（最小值）
描述
CLKIN周期时间
CLKIN高电平时间
CLKIN低电平时间
FSIN
建立时间
数据建立时间
数据保持时间
FSIN
保持时间
SDOUT有效CLKIN下降沿后
LDAC ， CLR
脉冲宽度
在极限
在极限
V
DD
= +3 V至+3.6 V V
DD
= 4.75 V至5.25 V
100
40
40
30
30
5
90
70
40
3
笔记
1
未经生产测试。经鉴定，在产品初始发行保证。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的
DD
）和定时
从1.6 V代表一伏的电压电平
DD
为5V，从一个电压电平1.35 V的V
DD
3.3 V.
2
t
8
测量用图2的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V时具有V
DD
5 V和0.6 V或2.1 V的V
DD
3.3 V.
t
1
CLKIN （I）的
t
4
FSIN （I）的
t
2
t
3
t
7
t
5
t
6
SDIN （I）的
DB15
DB0
t
8
SDOUT （ O）
DB15
DB0
LDAC ， CLR
t
9
图1.时序图
1.6mA
I
OL
输出
针
+1.6V
C
L
50pF
200A
I
OH
图2.负载电路的数字输出时序规范
启示录
B
–5–
QQ：2880707522 复制
