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a

特点

12位分辨率

低增益TC ：为2ppm /℃ （典型值）

快速TTL兼容的数据锁存器

单+5 V至+15 V电源

小型20引脚DIP 0.3"和20引脚表面贴装

套餐

锁存器免费（肖特基保护二极管不要求）

低成本

非常适用于电池供电设备

V

REF

19

CMOS 12位

缓冲乘法DAC

AD7545

功能框图

R

FB

20

AD7545

12-BIT

乘法DAC

R

1

2

出1

AGND

12

WR

17

CS

16

输入数据锁存器

3

12

DGND

18 V

DD

DB11–DB0

（引脚4-15 ）

概述

该AD7545是一款单芯片12位CMOS乘法DAC

板载数据锁存器。它是由一个单一的12位宽的装

字和直接接口到大多数12位和16位的总线系统。

数据被加载到输入锁存器的控制下

CS

和

WR

输入;这些捆绑控制输入低电平使输入

锁存器的透明，可直接无缓冲操作

DAC 。

在AD7545特别适合于单电源操作

而应用广泛的温度变化。

的AD7545可与任何供电电压从+ 5V到

15 V时的CMOS逻辑电平的输入装置耗散

馅饼小于0.5毫瓦为V

DD

= +5 V.

销刀豆网络gurations

DIP

DGND

LCCC

DGND

AGND

出1

PLCC

AGND

出1

V

REF

AGND 2

DGND 3

DB11 （MSB） 4

DB10 5

DB9 6

19 V

REF

18 V

DD

17

WR

R

FB

OUT 1 1

20 R

FB

3

DB11 （MSB） 4

DB10 5

DB9 6

DB 8 7

DB7 8

2

1 20 19

18 V

DD

3

DB11 （MSB） 4

DB10 5

DB9 6

DB 8 7

DB7 8

9

DB6

2

1

20 19

销1

识别码

R

FB

V

REF

18 V

DD

17

WR

16

CS

15 DB0 （ LSB ）

14 DB1

AD7545

16

CS

AD7545

顶视图

（不按比例）

17

WR

16

CS

15 DB0 （ LSB ）

14 DB1

AD7545

顶视图

（不按比例）

TOP VIEW 15 DB0 （ MSB ）

（不按比例）

14 DB1

DB 8 7

DB7 8

9 DB6

DB5 10

13 DB2

DB6

DB4

DB3

DB5

DB2

12 DB3

11 DB4

9 10 11 12 13

10 11 12 13

DB5

DB4

DB3

DB2

REV 。一

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 617 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 617 / 326-8703

ADI公司，1997

AD7545–SPECIFICATIONS

(V

参数

静态性能

决议

VERSION

所有

， A，S

K，B ，T

L，C ，U

GL ， GC ， GU

， A，S

K，B ，T

L，C ，U

GL ， GC ， GU

， A，S

K，B ，T

L，C ，U

GL ， GC ， GU

所有

J，K ，L， GL

A， B，C ， GC

S， T，U ， GU

所有

12

±

2

±

1

±

1/2

±

1/2

±

4

±

1

±

1

±

1

±

20

±

10

±

5

±

1

±

5

0.015

10

2

REF

= +10 V, V

OUT1

= O V， AGND = DGND除非另有说明）

V

DD

= +15 V

范围

T

A

= + 25 （C T）

敏

T

MAX1

12

±

2

±

1

±

1/2

±

1/2

±

4

±

1

±

1

±

1

±

25

±

15

±

10

±

6

±

10

0.01

10

2

12

±

2

±

1

±

1/2

±

1/2

±

4

±

1

±

1

±

1

±

25

±

15

±

10

±

7

±

10

0.02

50

200

2

V

DD

= +5 V

范围

T

A

= + 25 （C T）

敏

T

MAX1

12

±

2

±

1

±

1/2

±

1/2

±

4

±

1

±

1

±

1

±

20

±

10

±

6

±

2

±

5

0.03

50

200

2

单位

位

LSB（最大值）

PPM / ° C最大值

％按％最大

nA的最大

s

最大

测试条件/评论

微分非线性

增益误差（使用内部RFB ）

2

10位单调牛逼

民

给T

最大

12位单调牛逼

民

给T

最大

12位单调牛逼

民

给T

最大

12位单调牛逼

民

给T

最大

DAC寄存器加载

1111 1111 1111

增益误差是使用可调

图4，图5和图6的电路

典型值是2 PPM / °下V

DD

= +5 V

V

DD

=

±

5%

DB0 - DB11 = 0 V ;

WR ， CS

= 0 V

增益温度COEF网络cient

3

ΔGain / ΔTemperature

直流电源抑制

3

ΔGain / ΔV

DD

输出漏电流在OUT1

动态性能

目前的稳定时间

3

1/2 LSB 。 OUT1负载= 100

.

DAC

从下降沿输出测量

WR ， CS

= 0.

传播延迟

3

（从数字

输入电平变化到90 ％

最后的模拟输出）

数模转换毛刺Inpulse

AC穿心

5

在OUT1

参考输入

输入阻抗

（引脚19至GND）

模拟输出

输出电容

3

C

OUT1

C

OUT1

数字输入

输入高电压

V

IH

输入低电压

V

IL

输入电流

6

I

IN

输入电容

3

DB0–DB11

WR ， CS

开关特性

7

片选写建立时间

t

CS

片选写保持时间

t

CH

把脉冲宽度

t

WR

数据建立时间

t

DS

数据保持时间

t

DH

电源

I

DD

所有

300

400

5

7

25

–

5

7

25

250

5

7

25

–

5

7

25

ns（最大值）

纳伏秒（典型值）

mV的P-P （典型值）

kΩ的分

kΩ最大值

OUT1负载= 100

,

C

EXT

= 13 pF的

4

V

REF

= AGND

V

REF

=

±

10 V ， 10 kHz的正弦波

输入电阻TC = -300 PPM /°C的典型值

典型的输入电阻= 11 kΩ的

所有

70

200

70

200

70

200

70

200

pF的最大

DB0 - DB11 = 0 V ，

WR ， CS

= 0 V

DB0 - DB11 = V

DD

,

WR ， CS

= 0 V

所有

2.4

0.8

±

1

5

20

280

200

0

250

175

140

100

10

2

100

10

2.4

0.8

±

10

5

20

380

270

0

400

280

210

150

10

2

500

10

13.5

1.5

±

1

5

20

180

120

0

160

100

90

60

10

2

100

10

13.5

1.5

±

10

5

20

200

150

0

240

170

120

80

10

2

500

10

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

最大mA

A

最大

A

典型值

所有数字输入V

IL

或V

IH

所有数字输入0 V至V

DD

所有数字输入0 V至V

DD

t

CS

≥

t

WR

, t

CH

≥

0

V

IN

= 0或V

DD

V

IN

= 0

V

IN

= 0

见时序图

所有

笔记

1

温度范围如下： J，K ，L ，G L版本， 0℃至+ 70 ℃; A， B，C ， GC版本， -25 ° C至+ 85°C ; S， T，U GU版本， -55 ° C至+ 125°C 。

2

这包括为5 ppm的最大增益的TC的效果。

3

保证，但未经测试。

4

DB0 - DB11 = 0 V到V

DD

或V

DD

为0V。

5

穿通线可以通过连接的金属盖在陶瓷封装（后缀D）的到DGND进一步降低。

6

逻辑输入MOS盖茨。典型输入电流（ + 25℃）小于1 nA的。

7

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

REV 。一

AD7545

t

CS

芯片

SELECT

t

CH

V

DD

0

写模式：

模式选择

保持模式：

或

CS

OR

WR

高电平时，数据总线

（ DB0 - DB11 ）被锁定; DAC

保存最后的数据存在时

WR

OR

CS

假定高的状态。

CS

和

WR

低， DAC回应

到数据总线（ DB0 - DB11 ）输入。

t

WR

写

V

DD

0

t

DS

DATA IN

(DB0–DB11)

V

IH

V

IL

数据有效

t

DH

V

DD

0

注意事项：

V

DD

= + 5V ;牛逼

r

= t

f

= 20ns的

V

DD

= + 15V ;吨

r

= t

f

= 40ns的

所有输入信号的上升时间和下降时间实测为10％

90 ％的V

DD

.

定时测量参考电平为V

IH

+ V

IL

/2.

写周期时序图

绝对最大额定值*

(T

A

= + 25 ° C除非另有说明）

V

DD

到DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 ， 17 V

数字输入电压至DGND 。。。。。。。 0.3 V ，V

DD

+0.3 V

V

RFB

, V

REF

到DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

25 V

V

PIN1

到DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V ，V

DD

+0.3 V

AGND至DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V ，V

DD

+ 0.3 V

功率耗散（任何套餐）到+ 75°C 。。。。。。。 450毫瓦

减额高于+ 75 ℃。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6毫瓦/°C的

工作温度

商业（ J，K ，L ， GL ）等级。。。。。。。。 0 ° C至+ 70°C

工业（A ， B，C ， GC）等级。。。。。。。。 -25 ° C至+ 85°C

扩展（S ， T，U ， GU）等级。。。。。。。 -55 ° C至+ 125°C

储存温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

引线温度（焊接， 10秒）。。。。。。。。。。。 + 300℃

*注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然AD7545具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏

发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD

预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

术语

相对精度

订购指南

1

最大

增益误差

T

A

= +25 C

V

DD

= +5 V

±

20 LSB

±

20 LSB

±

20 LSB

±

10 LSB

±

10 LSB

±

10 LSB

±

5 LSB

±

5 LSB

±

5 LSB

±

1 LSB

±

1 LSB

±

1 LSB

±

20 LSB

±

20 LSB

±

10 LSB

±

10 LSB

±

5 LSB

±

5 LSB

±

1 LSB

±

1 LSB

量通过该D / A变换器的传递函数

零点和满后不同于理想传递函数

分规模进行了调整。这是一个端点的线性

测量。

微分非线性

模型

2

AD7545JN

AD7545AQ

AD7545SQ

AD7545KN

AD7545BQ

AD7545TQ

AD7545LN

AD7545CQ

AD7545UQ

AD7545GLN

AD7545GCQ

AD7545GUQ

AD7545JP

AD7545SE

AD7545KP

AD7545TE

AD7545LP

AD7545UE

AD7545GLP

AD7545GUE

温度

范围

0 ° C至+ 70°C

-25 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

-25 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

-25 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

-25 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

-55 ° C至+ 125°C

相对的

准确性

±

2 LSB

±

2 LSB

±

2 LSB

±

1 LSB

±

1 LSB

±

1 LSB

±

1/2最低位

±

1/2最低位

±

1/2最低位

±

1/2最低位

±

1/2最低位

±

1/2最低位

±

2 LSB

±

2 LSB

±

1 LSB

±

1 LSB

±

1/2最低位

±

1/2最低位

±

1/2最低位

±

1/2最低位

包

选项

3

N-20

Q-20

N-20

Q-20

N-20

Q-20

N-20

Q-20

P-20A

E-20A

P-20A

E-20A

P-20A

E-20A

P-20A

E-20A

所测量的变化而提供了理想的区别

任意两个相邻码之间变化。如果设备有一个differ-

小于1无穷区间非线性LSB这将是单调的，即

输出将总是增加的增加的数字码

加到D / A转换器。

传播延迟

这是电路的内部延迟的测量，并测

从数字输入改变为点的时间sured在哪些

在OUT1模拟输出达到90 ％，其最终价值。

数模转换毛刺脉冲

这是测量的电荷量从喷射

数字输入到模拟输出时的输入变化

状态。它通常指定为以nV秒的毛刺的面积，

并测定结合V

REF

= AGND和ADLH0032CG为

输出运算放大器， C1 （相位补偿） = 33 pF的。

笔记

1

Analog Devices公司保留出货的权利或者代替陶瓷浸渍的陶瓷（ D-20）

包（ C- 20）。

2

如需订购MIL -STD - 883 ， B类零件的过程中，添加/ 883B部件号。

请联系当地的销售办事处为军事数据表。对于美国军用标准

图纸（ SMD ）见DESC图纸5962-87702 。

3

E =无引线陶瓷芯片载体; N =塑料DIP ; P =塑料有引线芯片

载体; Q = CERDIP 。

REV 。一

–3–

AD7545

电路信息-D / A转换器部分

图1显示了对D的简化电路/ A转换部

的AD7545和图2给出了一个近似相等的

电路。需要注意的是梯子端接电阻器连接到

AGND 。 R通常为11千欧。

V

REF

R

电源。为了最大限度地减少供电电流它是中建议

谁料，数字输入电压尽可能靠近切实可行

可以将电源电压（V

DD

和DGND ）。

该AD7545可与在任何电源电压下工作

距离5

≤

V

DD

≤

15伏。随着V

DD

= + 15V输入逻辑

水平CMOS兼容而已，也就是说， 1.5 V和13.5 V.

基本应用

2R

R

FB

出1

AGND

DB11

（MSB）

DB10

DB9

DB1

DB0

（ LSB ）

AD7545图1.简化的D / A电路

使用图4和图5示出了简单的单极和双极性电路

在AD7545 。电阻R1用来调整为满量程。该

“G”的版本（ AD7545GLN ， AD7545GCQ ， AD7545GUD ）

有保证的最大增益误差

±

1 LSB为+ 25°C

(V

DD

= + 5V），并且在许多应用中，应该有可能

免除增益调整电阻完全。电容C1提供

相位补偿，并有助于防止过冲和振铃时

采用高速运算放大器。注意，图4，图5中，所有的电路

和6具有在V恒定输入阻抗

REF

终奌站。

图1中的电路可以被用来作为一个固定的参考

D / A转换，以便它提供一个模拟输出电压在

范围为0 -V

IN

（请注意，由运算放大器引入的反转），

或V

IN

可以是在这种情况下，电路表现为一种交流信号

一个衰减器（ 2象限乘法器）。 V

IN

可以是任何电压

范围为-20

≤

V

IN

+ 20伏（所提供的运算放大器可

因为V处理这样的电压）

REF

被允许超过V

DD

.

表II示出了用于图4的电路中的代码的关系。

V

DD

R2

*

20

R

FB

OUT1 1

AGND

DGND

3

类似物

常见

DB11–DB0

2

AD544L

（见正文）

C1

33pF

V

OUT

二进制加权电流控制OUT1之间切换

总线与AGND由N沟道开关，从而保持

独立的开关的恒定电流在每个梯形腿

状态。

在OUT1总线，C电容

OUT1

是代码依赖新生

凹痕和70 pF的变化（全部切换到AGND）到200 pF的

（全部切换到OUT1 ）。

一个电流开关的示于图2中的输入

在V性

REF

（图1）总是等于R

LDR

(R

LDR

is

中的R / 2R梯形电阻特性和等于值

“ R”表示）。由于R

IN

在V

REF

销是固定的，所述参考termi-

最终可以通过参考电压或参考电流来驱动，

交流电的正极性或负极性或直流。（如果电流源是

使用时，低温度系数的外部R

FB

建议

来定义比例因子）。

到梯形图

18

V

IN

R1

*

V

DD

19 V

REF

AD7545

从

接口

逻辑

*

请参阅表我

图4.单极性的二进制运算

表一，建议微调电阻值与等级的

V

DD

= +5 V

AGND

出1

图2. N沟道电流转向开关

电路信息，数字部分

TRIM

电阻器

R1

R2

焦耳/ A / S

500

150

K / B / T

200

68

L / C / U

100

33

GL / GC / GU

20

6.8

图3示出了数字式结构为一个比特。

数字信号控制并

控制

产生

从

CS

和

WR 。

到AGND开关

V

IN

到OUT1开关

表II中。单极性的二进制代码表图4的电路

在DAC寄存器模拟输出的二进制数

4095

–V

IN

4096

2048

–V

IN

4096

= –1/2 V

IN

1

–V

IN

4096

0伏特

输入缓冲器

1111

控制

1111

图3.数字输入结构

1000

0000

输入缓冲器是设计成简单的CMOS倒相器

当AD7545与V操作

DD

= 5V时，缓冲器CON组

VERT TTL输入电平（ 2.4 V和0.8 V）到CMOS逻辑电平。

当V

IN

在2.0伏的区域到3.5伏，则输入

缓冲区工作在其线性区域和借鉴从目前的

–4–

0000

0001

0000

REV 。一

AD7545

图5和表III中示出了所建议的电路和

对于双极性操作码的关系。在D / A函数本身

采用偏移二进制码和反向器U

1

在MSB管路的

绿党的二进制补码输入的代码偏移二进制码。如果AP-

propriate ; MSB的反转可以在软件使用来完成

异-OR指令和逆变器被删去。 R3，R4

和R5的选择必须在0.01 ％匹配，并且它们应该

是相同类型的电阻器（最好是线绕或金属

箔），所以其温度系数匹配。 R3的不匹配

价值R4导致偏移和满量程误差。不匹配

R5和R4和R3使满量程误差。

V

DD

R2

*

C1

33pF

OUT1 1

A1

AGND

DB11

4

U

1

（见正文）

DB10–DB0

2

AD544L

R6

5k

10%

11

12

数据输入

类似物

常见

A2

V

OUT

AD544J

R3

10k

R4

20k

R5

20k

表Ⅳ中。 12个加号震级代码表电路

图6

标志

位

在DAC的二进制数

最高位

最低位

模拟量输出， V

OUT

0

1

1111 1111 1111

0000 0000 0000

1111 1111 1111

4095

+ V

IN

×

4096

0伏特

4095

– V

IN

×

4096

18

V

DD

V

IN

R1

*

19 V

REF

20

R

FB

注： “0”符号位R3连接到GND 。

AD7545

应用提示

*

R1和R2的值

见表Ⅰ。

图5.双极性工作（二进制补码）

表Ⅲ。二进制补码表电路

图5

数据输入

0111

1111

模拟输出

2047

+V

IN

×

2048

1

+V

IN

×

2048

输出偏移：

（ CMOS D / A转换器表现出码相依

凹痕的输出电阻，这反过来，使一个代码依赖

放大器的噪声增益。效果是一个代码依赖差动

非线性术语在放大器输出端，它取决于V

OS

其中，V

OS

为放大器的输入偏置电压。为了保持

单调的操作，建议V

OS

有没有更大

超过25

×

10

–6

) (V

REF

）在操作的温度范围内。

合适的运算放大器AD517L和AD544L 。该AD517L是

最适合于低带宽固定的参考应用

要求：它具有极低的偏移量（ 50

V)

并且在大多数

应用程序不需要偏移修整。该AD544L有

宽得多的带宽和较高的转换速率，这是推荐

用于乘和其他需要快速建立。一

偏移修整上AD544L可能需要在一些电路。

一般地管理：

AC或瞬态电压

AGND和DGND之间会产生噪音注入

模拟输出。确保最简单的方法，在该电压

AGND和DGND是平等的，是配合AGND和DGND

一起在AD7545 。在更复杂的系统，其中所述

AGND和DGND联接纽带是在背板上，这是中建议

修补该两个二极管反向并联连接

AD7545的AGND和DGND引脚（ IN914或间

相当于）。

数字过失：

当WR和CS均为低电平锁存器

是透明和D / A转换器的输入遵循数据

输入。在一些总线系统中，数据总线上的数据并不总是

适用于整个周期期间， WR为低和作为

结果无效的数据可以简单地出现在D / A转换器输入

在写周期。这种无效的数据可能会导致不必要的

毛刺在D / A转换器的输出。解决这一

问题，如果发生，是重新定时的写脉冲WR ，以便它

只有当数据有效时。

数字毛刺的另一个原因是从电容耦合

数字线到OUT1和AGND终端。这应该是

通过筛选AD7545的模拟引脚（引脚1最小化，

2 ，19，20 ）从所述数字引脚通过之间的接地轨道运行

引脚2和3和引脚18之间的AD7545 19 。记

模拟引脚是如何在封装的一端与分离

从数字引脚为V

DD

与DGND以帮助筛查

板级。片上的电容耦合也可产生

来自AD7545的数字 - 模拟部分串扰

特别是在高电流和快速的上升和电路

下降时间。这种类型的串扰，通过使用最小

–5–

0000

1111

0000

1111

0001

0000

1111

0伏特

1

–V

IN

×

2048

–V

IN

×

2048

1000

0000

图6示出实现双极性输出的另一种方法

放。该电路的操作与符号加上幅度码，并具有

给予12位分辨率在每一个象限，COM的优势

相比每个象限的11位分辨率的图 - 电路

URE 5. AD7592是一款完全保护的CMOS切换

开关与数据锁存器。 R4和R5应相互匹配到

0.01％，保持在D / A转换器的精度。不匹配

R4和R5之间引入增益误差。

V

DD

R2

*

C1

33pF

OUT1 1

A1

AGND 2

DB11–DB0

AD544L

3

类似物

常见

R4

20k

R3

10k

10%

1/2 AD7592JN

R5

20k

V

OUT

A2

AD544J

18

V

DD

V

IN

R1

*

19 V

REF

20

R

FB

AD7545

12

签位

*

R1和R2的值

见表Ⅰ。

图6. 12位+符号位大小D / A转换器

REV 。一