a
特点
提高AD7545的版本
快速接口时序
所有等级12位精度
20引脚DIP和表面贴装封装
低成本
CMOS 12位
缓冲乘法DAC
AD7545A
功能框图
概述
的AD7545A ，一个12位的CMOS带内部乘法DAC
数据锁存器，是行业标准的改进版
AD7545 。这种新的设计特点
WR
脉冲宽度为100ns ，
这允许接口到宽得多的范围快速8位的并
16位微处理器。它是由一个12位宽度的字装
的控制下
CS
和
WR
输入;搭售这些控制
投入低，使输入锁存器透明，让unbuf-
在DAC fered操作。
销刀豆网络gurations
DIP / SOIC
LCCC
PLCC
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
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ADI公司， 2000
AD7545A–SPECIFICATIONS
(V
参数
静态性能
决议
相对精度
微分非线性
增益误差
增益温度COEF网络cient
2
ΔGain / ΔTemperature
直流电源抑制
2
ΔGain / ΔV
DD
输出漏电流在OUT1
VERSION
所有
K，B ，T
L，C ，U
所有
K，B ，T
L，C ，U
所有
所有
所有
K，L
B，C
T，U
所有
12
±
1/2
±
1/2
±
1
±
3
±
1
±
5
±
2
0.002
10
10
10
1
12
±
1/2
±
1/2
±
1
±
4
±
2
±
5
±
2
REF
=
10 V, V
OUT1
= O V， AGND = DGND除非另有说明）
V
DD
= +15 V
范围
T
A
= + 25 （C T）
民
–T
MAX1
12
±
1/2
±
1/2
±
1
±
3
±
1
±
5
±
2
0.002
10
10
10
1
12
±
1/2
±
1/2
±
1
±
4
±
2
±
5
±
2
0.004
50
50
200
1
V
DD
= +5 V
范围
T
A
= + 25 （C T）
民
–T
MAX1
单位
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
PPM / ° C最大值
PPM /°C的典型值
％按％最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
s
最大
测试条件/评论
终点测量
所有等级保证12位
单调过热
测量使用内部研发
FB
.
DAC寄存器加载全1 。
0.004
50
50
200
1
V
DD
=
±
5%
DB0 - DB11 = 0 V ;
WR ， CS
= 0 V
动态性能
目前的稳定时间
2
1/2 LSB 。 OUT1负载= 100
,
C
EXT
= 13 pF的。 DAC输出测量
从下降沿
WR ， CS
= 0 V.
传播延迟
2
（从数字
输入电平变化到90 ％
最后的模拟输出）
数模转换毛刺脉冲
AC穿心
2, 4
在OUT1
参考输入
输入阻抗
（引脚19至GND）
模拟输出
输出电容
2
C
OUT1
C
OUT1
数字输入
输入高电压
V
IH
输入低电压
V
IL
输入电流
5
I
IN
输入电容
2
DB0–DB11,
WR ， CS
开关特性
片选写建立时间
t
CS
片选写保持时间
t
CH
把脉冲宽度
t
WR
数据建立时间
t
DS
数据保持时间
t
DH
电源
V
DD
I
DD
2
所有
所有
200
5
–
–
150
5
–
–
ns（最大值）
纳伏秒（典型值）
OUT1负载= 100
,
C
EXT
= 13 pF的
3
V
REF
= AGND 。 OUT1负载= 100
,
另外满载着所有的0和1 。
V
REF
=
±
10 V ， 10 kHz正弦波
输入电阻TC = -300 PPM /°C的典型值
典型的输入电阻= 15 kΩ的
所有
所有
5
10
20
5
10
20
5
10
20
5
10
20
mV的P-P （典型值）
kΩ的分
kΩ最大值
所有
70
150
70
150
70
150
70
150
pF的最大
pF的最大
DB0 - DB11 = 0 V ，
WR ， CS
= 0 V
DB0 - DB11 = V
DD
,
WR ， CS
= 0 V
所有
所有
所有
所有
K， B， L，C
T，U
所有
K， B， L，C
T，U
所有
所有
所有
所有
2.4
0.8
±
1
8
100
100
0
100
100
100
5
5
2
100
10
2.4
0.8
±
10
8
130
170
0
130
170
150
5
5
2
100
10
13.5
1.5
±
1
8
75
75
0
75
75
60
5
15
2
100
10
13.5
1.5
±
10
8
85
95
0
85
95
80
5
15
2
100
10
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
V
最大mA
A
最大
A
典型值
±
对于指定的性能5 ％
所有数字输入V
IL
或V
IH
所有数字输入0 V或V
DD
所有数字输入0 V或V
DD
见时序图
V
IN
= 0或V
DD
t
CS
≥
t
WR
, T
CH
≥
0
笔记
1
温度范围如下： K，L版本= 0 ° C至+ 70°C ; B，C版本= -25 ° C至+ 85°C ; T，U版本= -55 ° C至+ 125°C 。
2
样品测试，以确保合规性。
3
DB0 - DB11 = 0 V到V
DD
或V
DD
为0V。
4
穿通线可以通过连接的金属盖在陶瓷封装到DGND进一步降低。
6
逻辑输入MOS盖茨。典型输入电流（ + 25℃）小于1 nA的。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本C
AD7545A
写周期时序图
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
V
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ， 17 V
数字输入电压至DGND 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+0.3 V
V
RFB
, V
REF
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
25 V
V
PIN1
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+0.3 V
AGND至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+0.3 V
功率耗散（任何包）至75 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
额定值下降75℃以上通过。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6毫瓦/°C的
工作温度范围
商业（ KN ， LN ， KP ， LP ）等级。 。 。 0 ° C至+ 70°C
工业（ BQ ， CQ ， BE ， CE）等级。 。 。 。 -25 ° C至+ 85°C
扩展（ TQ ， UQ ， TE ， UE）等级。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
*注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。数字控制输入二极管保护;
然而，永久性的损害可能会发生在受到高能未连接设备电 -
静态字段。未使用的设备必须存储在导电泡沫或分流器。保护泡沫
应排出到目的地插座装置被移除之前。
警告！
ESD敏感器件
订购指南
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
相对的
收益
准确性
错误
T
民
–T
最大
T
民
–T
最大
±
1/2
±
1/2
±
1/2
±
1/2
±
1/2
±
1/2
±
1/2
±
1/2
±
1/2
±
1/2
±
1/2
±
1/2
±
1/2
±
4
±
2
±
4
±
4
±
2
±
4
±
2
±
4
±
2
±
4
±
2
±
4
±
2
包
选项
2
N-20
N-20
R-20
P-20A
P-20A
Q-20
Q-20
E-20A
E-20A
Q-20
Q-20
E-20A
E-20A
模型
1
AD7545AKN
AD7545ALN
AD7545AKR
AD7545AKP
AD7545ALP
AD7545ABQ
AD7545ACQ
AD7545ABE
AD7545ACE
AD7545ATQ
AD7545AUQ
AD7545ATE
AD7545AUE
笔记
1
如需订购MIL -STD - 883 ， B类零件的过程中，添加/ 883B部件号。
请联系当地的销售办事处为军事数据表。
2
E =无引线陶瓷芯片载体（ LCCC ） ; N =塑料DIP ; P =塑料
引线芯片载体（ PLCC ） ; Q = CERDIP ; R =小外形集成电路。
版本C
–3–
AD7545A
电路信息-D / A转换器部分
图1显示了对D的简化电路/ A转换部
该AD7545A的，和图2给出了一个近似相等的
电路。需要注意的是梯子端接电阻器连接到
AGND 。 R是典型的15千欧。
二进制加权电流控制OUT1之间切换
总线与AGND由N沟道开关，从而保持
独立的开关的恒定电流在每个梯形腿
状态。
输入缓冲器工作于线性区和汲取电流
从电源。为了尽量减少电源的电流是
建议将数字输入电压尽可能接近的
电源电压（V
DD
和DGND ）作为实际上是可能的。
该AD7545A可以用在任何电源电压下工作
距离5
≤
V
DD
≤
15伏。随着V
DD
= + 15V输入逻辑
水平CMOS兼容而已，也就是说， 1.5 V和13.5 V.
基本应用
使用图4和图5示出了简单的单极和双极性电路
在AD7545A 。电阻R1用来调整为满量程。在L，
C，U牌号有保证的最大增益误差
±
1 LSB
在+ 25 ℃，并且在许多应用中，应该有可能
免除增益调整电阻完全。电容C1亲
志愿组织相位补偿，并有助于防止过冲和
采用高速运算放大器时振铃。请注意，所有各种
图4的cuits ， 5和6具有在恒定的输入阻抗
V
REF
终奌站。
图4的电路可以被用来作为一个固定的参考
D / A转换，以便它提供一个模拟输出电压在
范围为0 -V
IN
（请注意，由运算放大器引入的反转）
或V
IN
可以是在这种情况下，电路表现为一种交流信号
一个衰减器（ 2象限乘法器） 。 V
IN
可以是任何电压
范围为-20
≤
V
IN
≤
+20伏（提供的运放可以
因为V处理这样的电压）
REF
被允许超过V
DD
.
表II示出了用于图4的电路中的代码的关系。
AD7545A图1.简化的D / A电路
在OUT1总线，C电容
OUT1
是代码 -
依赖性和变化从70 pF的（所有开关至AGND ）到
150 pF的（所有开关到OUT1 ） 。
一个电流开关的示于图2中的输入
在V性
REF
（图1）总是等于R.由于r
IN
at
在V
REF
销是恒定的，参考终端可以通过驱动
一个参考电压或参考电流的正极，交流或直流，或
负极性。 （如果一个电流源被使用时，低温下
系数外部R
FB
建议来定义比例因子）。
图4.单极性的二进制运算
表一，建议微调电阻值与等级
微调电阻
图2. N沟道电流转向开关
电路信息，数字部分
K / B / T
200
68
L / C / U
100
33
R1
R2
图3示出了数字式结构为一个比特。
数字信号控制并
控制
产生
从
CS
和
WR 。
表II中。单极性的二进制代码表图4的电路
二进制数
DAC寄存器
模拟输出
4095
–V
IN
4096
1111
1111
1111
1000
图3.数字输入结构
0000
0000
–V
IN
2048
4096
= –1/2 V
IN
1
4096
该输入缓冲器被简单的CMOS倒相器设计为使得
当AD7545A与V操作
DD
= 5V时，缓冲器
转换成TTL电平输入（ 2.4 V和0.8 V）到CMOS逻辑
的水平。当V
IN
在2.0伏的区域到3.5伏，则
–4–
0000
0000
0000
0000
0001
0000
–V
IN
0伏特
版本C
AD7545A
图5和表III中示出了所建议的电路和
对于双极性操作码的关系。在D / A函数本身
采用偏移二进制码和反向器U
1
在MSB管路的
绿党的二进制补码输入的代码偏移二进制码。如果AP-
propriate ， MSB的反相，可以在软件中使用完成的
异-OR指令和逆变器被删去。 R3，R4
和R5的选择必须在0.01 ％匹配，并且它们
应该是相同类型的电阻器（最好是线绕或
金属箔） ，从而使它们的温度系数相匹配。错
R3的值R4的匹配会导致偏移和满量程误差。
R5 R4和R3的不匹配会导致满量程误差。
图6. 12位+符号位幅度转换器
表Ⅳ中。 12位+符号位幅度码表电路
图6的
标志
位
在二进制数
DAC寄存器
模拟输出
4095
+ V
IN
×
4096
0伏特
0伏特
0
0
1
1
图5.双极性工作（二进制补码）
表Ⅲ。二进制补码表电路
图5
1111 1111 1111
0000 0000 0000
0000 0000 0000
1111 1111 1111
4095
– V
IN
×
4096
注： “0”符号位R3连接到GND 。
应用提示
数据输入
0111
1111
1111
模拟输出
2047
+V
IN
×
2048
1
+V
IN
×
2048
0伏特
1
–V
IN
×
2048
2048
–V
IN
×
2048
0000
0000
1111
0000
0000
1111
0001
0000
1111
1000
0000
0000
输出偏移：
CMOS D / A转换器，例如图4，图5
和图6显示出代码相关输出阻抗，这反过来，
可以的输出端产生一个代码相关的误差电压
放大器。这个误差的最大幅值，这增加了
在D / A转换器的非线性，取决于V
OS
其中V
OS
为放大器的输入偏置电压。为了保持规定的精度
随着V
REF
在10V时，建议使V
OS
是不大于
0.25毫伏，或（ 25
×
10
–6
) (V
REF
），过的温度范围内
操作。合适的运算放大器AD517和AD711 。该AD517
最适合于低频带 - 固定的基准应用
宽度的要求：它具有极低的偏移量（ 150
V
最大的
最低等级），并在大多数应用中不需要的偏移
修剪。在AD711具有宽得多的带宽和较高的压摆
率，并建议用于乘法和其它应用
需要快速建立。在AD711的失调调整可能
有必要在某些电路。
一般地管理：
AC或瞬态电压
AGND和DGND之间会产生噪音注入
模拟输出。确保最简单的方法，在该电压
AGND和DGND是平等的，是配合AGND和DGND
一起在AD7545A 。在更复杂的系统，其中所述
AGND和DGND联接纽带是在背板上，这是中建议
谁料这两个二极管之间的反向并联
在AD7545A AGND和DGND引脚（ 1N914或同等学历） 。
图6和表Ⅳ中示出实现的另一种方法
双极性输出。该电路具有加征幅度进行操作
码和具有的优点是它提供了12位的分辨率在
每个象限11位分辨率，每个象限比较
图5. AD7592的电路是完全受保护的CMOS
转换开关与数据锁存器。 R4和R5应匹配
彼此0.01％ ，保持在D / A CON-的准确性
变频器。 R4与R5之间的失配引入的增益误差。
参考参考1 （补充申请材料）的
在这些电路中的附加信息。
版本C
–5–
QQ：2880707522 复制
