AD7524M

高级LinCMOS 8位乘法

数位类比转换器

SGLS028A - 1989年9月 - 修订1995年3月

D

D

D

D

D

D

D

高级LinCMOS 硅栅

技术

轻松连接到微处理器

片内数据锁存器

单调性在整个A / D转换

范围

分段高位确保

低毛刺输出

设计为可与

ADI公司AD7524 ， PMI PM- 7524 ，和

微动力系统MP7524

快速控制信令的数字信号

处理器的应用包括接口

随着SMJ320

关键绩效指标

决议

线性误差

功耗在VDD = 5 V

建立时间

传播延迟

8位

1/2 LSB（最大值）

5毫瓦最大

100 ns（最大值）

80 ns（最大值）

套餐

（ TOP VIEW ）

OUT1

OUT2

GND

DB7

DB6

DB5

DB4

DB3

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

R

FB

REF

V

DD

WR

CS

DB0

DB1

DB2

FK包装

（ TOP VIEW ）

描述

该AD7524M是一个高级LinCMOS 8位

数字 - 模拟转换器（DAC），设计用于

简单的界面，以最流行的微处理器。

GND

DB7

NC

DB6

DB5

4

5

6

7

8

3 2 1 20 19

18

17

16

15

14

9 10 11 12 13

OUT2

OUT1

NC

R

FB

REF

V

DD

WR

NC

CS

DB0

NC -无内部连接

可选项

包

陶瓷片

支架

（ FK ）

AD7524MFK

陶瓷DIP

(J)

AD7524MJ

版权

1995年，德州仪器

该AD7524M是一个8位的输入锁存器，并与类似的写周期的负载循环乘法DAC

随机存取存储器。分割的高序位中的变化最小化的毛刺

最显著位，即产生最高的毛刺脉冲。该AD7524M提供准确至1/2 LSB

无需薄膜电阻或激光微调，而耗散小于5毫瓦典型。

从5 V至15 V单电源供电配备操作， AD7524M很容易与大多数微处理器

总线或输出端口。优秀的乘法（ 2或4象限），使得AD7524M的理想选择很多

微处理器控制的增益设置和信号控制应用。

该AD7524M的特点是从操作 - 55 ° C至125°C 。

TA

- 55 ° C至125°C

高级LinCMOS是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

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达拉斯，德克萨斯州75265

DB4

DB3

NC

DB2

DB1

1

AD7524M

高级LinCMOS 8位乘法

数位类比转换器

SGLS028A - 1989年9月 - 修订1995年3月

功能框图

15

REF

2R

2R

2R

2R

2R

16

S-1

S-2

S-3

S-8

R

1

2

12

13

数据锁存器

3

GND

OUT1

OUT2

RFB

R

R

R

CS

WR

4

DB7

（MSB）

5

DB6

6

DB5

11

DB0

（ LSB ）

数据输入

操作顺序

CS

10%

总重量（ WR ）

WR

10%

10%

TSU （ D）

日（ D）

DB0 - DB7

2

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日（ CS ）

的tSU （ CS ）

AD7524M

高级LinCMOS 8位乘法

数位类比转换器

SGLS028A - 1989年9月 - 修订1995年3月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

DD

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至17 V

R的电压

FB

和GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±

25 V

数字的输入电压范围，V

I

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V到V

DD

+0.3 V

参考电压范围，V

REF

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

25 V

数字峰值输入电流，我

I

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

A

工作的自由空气的温度范围内，T

A

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的

情况下进行60秒，T

C

： FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃

焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下60秒：J-包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

推荐工作条件

VDD = 5 V

闽喃

最大

电源电压（VDD）

参考电压， VREF

高电平输入电压， VIH

低电平输入volage ， VIL

CS设置时间， TSU （ CS ）

CS保持时间，第（ CS ）

数据总线输入设置时间， TSU （D ）

数据总线输入保持时间，日（D ）

脉冲持续时间， WR低，总重量（ WR ）

经营自由的空气温度， TA

40

0

25

10

40

– 55

125

2.4

0.8

40

0

25

10

40

– 55

125

4.75

5

±

10

13.5

1.5

5.25

VDD = 15 V

闽喃

最大

14.5

15

±

10

15.5

单位

V

V

V

V

ns

ns

ns

ns

ns

°C

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3

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高级LinCMOS 8位乘法

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电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内，V

REF

= 10 V,

OUT1和OUT2处的GND（除非另有说明）

参数

IIH

IIL

高位

高电平输入电流

低电平输入电流

低电平

测试条件

VI = VDD

VI = 0

DB0 - DB7为0，

WR和CS在0 V

VREF =

±10

V

DB0 - DB7在VDD ，

WR和CS 0

全系列

25°C

全系列

25°C

全系列

25°C

全系列

VDD = 5 V

民

典型值

最大

10

1

– 10

–1

±

400

±

50

±

400

±

50

2

500

100

0.16

0.002

0.02

5

30

DB0 - DB7 0

DB0 DB7为0， WR和CS在0 V

DB0 DB7在VDD ， WR和CS在0 V

DB0–DB7

5

120

120

30

20

5

0.001

VDD = 15 V

民

典型值

最大

10

1

– 10

–1

±

200

±

50

±

200

±

50

2

500

100

0.04

0.02

5

30

120

120

30

20

k

pF

mA

A

%/%

pF

pF

nA

单位

A

A

OUT1

IPKG

k

输出漏

g

当前

OUT2

静

国际直拨电话

电源电流

待机

VREF =

±10

V

25°C

DB0 - DB7在VIHMIN或VILMAX

DB0–DB7

DB0 DB7在0 V或VDD

V

DD = 10%

VI = 0

全系列

25°C

全系列

25°C

KSVS

Ci

电源电压灵敏度，

y

g

y,

ΔGain / ΔV

DD

输入电容， DB0 - DB7 ，

WR ， CS

OUT1

Co

产量

电容

OUT2

OUT1

OUT2

参考输入阻抗

（ REF和GND ）

在推荐工作的自由空气的温度范围内，V经营特色

REF

= 10 V,

OUT1和OUT2处的GND（除非另有说明）

参数

线性误差

增益误差

建立时间（至1/2 LSB ）

从数字输入到传播延迟

90％以上的最终的模拟输出电流

穿心在OUT1或OUT2

增益温度系数

见注1

见注2

见注2

),

VREF =

±

10 V (

（ 100 kHz的正弦波） ，

WR和CS为0， DB0 - DB7在0

TA = 25 ° C至TMIN或TMAX

全系列

25°C

全系列

25°C

测试条件

VCC = 5 V

民

最大

±

0.2

±

1.4

±

1

100

80

0.5

0.25

±

0.004

VDD = 15 V

民

最大

±

0.2

±

0.6

±

0.5

100

80

0.5

0.25

±

0.001

单位

％ FSR

％ FSR

ns

ns

％ FSR

％ FSR /

°C

注： 1，增益误差使用内部反馈电阻测量。标称满刻度范围（ FSR ） = VREF - 1 LSB 。

2. OUT1负荷= 100

,

CEXT = 13 pF的， WR为0 V ， CS在0 V ， DB0 - DB7为0 V至VDD或VDD到0 V.

4

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AD7524M

高级LinCMOS 8位乘法

数位类比转换器

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操作原理

该AD7524M是一个8位乘法D / A变换器构成的反相R-2R梯形，模拟开关，和

数据输入锁存器。二进制加权电流的OUT1和OUT2总线线路之间进行切换，从而

保持在每个梯形腿独立的开关状态的恒定电流。高序位

解码，并且这些解码后的比特，通过在R-2R梯形变形，控制三个相等的加权

电流源。大多数应用程序只需要增加一个外部运算放大器和电压的

参考。

等效电路的所有开关量输入低电平见图1.所有数字输入为低电平时，整个引用

目前，我

REF

，被切换到OUT2 。电流源1/256表示流过恒定电流

的R-2R梯形的端接电阻，而电流源I

IKG

表示漏电流的

基材。出现在OUT1和OUT2的电容量取决于数字输入码。所有

数字输入高电平时，断开状态开关电容（30 pF的最大值）出现在OUT2和导通状态开关

电容（ 120 pF最大）出现在OUT1 。所有数字输入为低电平时，情况如图所示逆转

在图的电路的所有的数字输入是高的与图1相似的1。分析;然而，在这种情况下，我

REF

将

切换到OUT1 。

接口的AD7524M D / A转换到一个微处理器通过数据总线和CS ，从而完成

WR控制信号。当CS和WR都为低电平时， AD7524M模拟输出响应的数据活动

在DB0 - DB7数据总线输入。在这种模式下，输入锁存器是透明的，输入数据直接影响

的模拟输出。当CS信号或WR信号变为高电平时，在DB0 - DB7输入的数据是

锁定，直到CS和WR信号变低了。当CS为高电平时，数据输入被禁用而不管

的WR信号的状态。

该AD7524M能够执行2象限或全四象限乘法。电路结构为

二象限或四象限乘法示于图2和图3，输入编码为单极性和双极性

操作总结在表1和表2中。

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