【a1.25 MSPS ， 16毫瓦内部REF和CLK ，12位并行ADCAD7492功能框图AVDD】,IC型号AD7492BR-5,AD7492BR-5 PDF资料,AD7492BR-5经销商,ic,电子元器件-51电子网

a

1.25 MSPS ， 16毫瓦内部REF和CLK ，

12位并行ADC

AD7492

功能框图

AVDD

DVDD

REF OUT

VDRIVE

2.5V

REF

BUF

时钟

振荡器

特点

指定V

DD

2.7 V至5.25 V

1吞吐速率MSPS ， AD7492

1.25吞吐速率MSPS ， AD7492-5

低功耗

4 mW的典型值在1 MSPS ，3 V电源

11 mW的典型值在1 MSPS ，5 V电源

宽输入带宽

70分贝典型SNR为100 kHz输入频率

2.5 V内部参考

片内振荡器CLK

灵活的功耗/呑吐量管理

无流水线延迟

高速并行接口

睡眠模式： 50

n

一个典型值

24引脚SOIC和TSSOP封装

概述

VIN

T / H

12位SAR

ADC

产量

DRIVERS

DB11

DB0

PS / FS

CONVST

控制

逻辑

CS

RD

AD7492

忙

在AD7492和AD7492-5是12位高速，低功耗，

逐次逼近型ADC 。该部分从操作

采用2.7 V至5.25 V电源供电，吞吐速率

高达1.25 MSPS 。它们包含一个低噪声，宽带宽

跟踪/保持放大器，可处理带宽高达10 MHz 。

转换过程和数据采集通过控制

标准控制输入，可轻松连接到microproces-

理器或DSP 。该输入信号被采样的下降沿

CONVST

并且也开始在这一点上的转换。该

BUSY变为高电平时转换的启动和变低880纳秒

（ AD7492 ）或680毫微秒（ AD7492-5 ）后，表示CON组

版本是完整的。有与无流水线延迟

的部分。转换结果通过标准浏览

CS

和

RD

信号在一个高速并行接口。

在AD7492采用先进的设计技术，以达到非常

低功耗在高吞吐量。与5 V

用品和1.25 MSPS，平均消耗电流

AD7492-5通常为2.75毫安。该器件还具有灵活

功耗/吞吐量管理。

另外，也可以以操作部在全睡眠模式和一

部分休眠模式，当器件唤醒，做一个转换

和自动输入在转换结束休眠模式。

的睡眠模式的类型是硬件选择由PS / FS引脚。

利用这些休眠模式，允许极低的功耗num-

别尔斯以较低的吞吐速率。

模拟输入范围为部分是0至REF IN 。 2.5 V

参照内部提供，可用于外部基准

接近开关就是嵌入式。的转化率是由内部时钟确定。

AGND

DGND

产品亮点

1.高吞吐量，低功耗

该AD7492-5提供1.25 MSPS吞吐量16毫瓦

功耗。

2.灵活的功耗/吞吐量管理

转换时间由内部时钟确定。该

器件还提供两种休眠模式，部分和全部，为最大，

在较低吞吐量程度降低电源效率。

3.无流水线延迟

该器件具有一个标准逐次逼近型ADC

同的采样时刻通过精确控制

CONVST

输入和一次性转换控制。

4.灵活的数字接口

在V

DRIVE

功能控制电压电平上的I / O

数字引脚。

5.更少的外部元件

的AD7492通过使用内部优化的PCB空间

参考和内部时钟。

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2001

AD7492

AD7492-5–SPECIFICATIONS

1

(V

参数

动态性能

信号与噪声+失真比（SINAD ）

信号 - 噪声比（ SNR）的

总谐波失真（ THD ）

A版

1

69

68

70

68

–83

–87

–75

–83

–90

–76

–82

–90

–71

–88

5

15

10

12

±

1.5

+1.5/–0.9

±

9

±

2.5

02.5

±

1

33

2.5

V

DRIVE

×

0.7

V

DRIVE

×

0.3

±

1

10

DD

= 4.75 V至5.25 V ，T

A

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

B版本

1

69

68

70

68

–83

–87

–75

–83

–90

–76

–82

–90

–71

–88

5

15

10

12

±

1.25

+1.5/–0.9

±

9

±

2.5

02.5

±

1

33

2.5

V

DRIVE

×

0.7

V

DRIVE

×

0.3

±

1

10

V

DRIVE

– 0.2

0.4

±

10

直（自然科学）二进制

680

120

1.25

4.75/5.25

3.3

1.8

250

1

16.5

1.25

5

单位

dB典型值

分贝分钟

dB典型值

分贝分钟

dB典型值

最大分贝

dB典型值

最大分贝

dB典型值

纳秒（典型值）

ps的典型值

兆赫（典型值）

位

LSB（最大值）

V

A

最大

pF的典型值

V

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

±

对于指定的性能1.5 ％

V

DD

= 5 V

±

5%

V

DD

= 5 V

±

5%

通常情况下10 nA的，V

IN

= 0 V或V

DD

测试条件/评论

f

S

= 1.25 MSPS

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

峰值谐波或杂散噪声（ SFDR ）

互调失真（ IMD ）

二阶条款

三阶条款

孔径延迟

孔径抖动

全功率带宽

DC精度

决议

积分非线性

微分非线性

偏移误差

增益误差

模拟量输入

输入电压范围

直流漏电流

输入电容

参考输出

REF OUT输出电压范围

逻辑输入

输入高电压，V

INH2

输入低电压，V

INL2

输入电流I

IN

输入电容，C

IN3

逻辑输出

输出高电压，V

OH

输出低电压，V

OL

浮态泄漏电流

浮态输出电容

输出编码

转化率

转换时间

采样/保持捕获时间

吞吐率

电源要求

V

DD

I

DD

普通模式

静态电流

偏睡眠模式

充分的睡眠模式

功耗

4

普通模式

偏睡眠模式

充分的睡眠模式

f

S

= 1.25 MSPS

保证无漏码来

12位（ A和B版）

V

DRIVE

– 0.2

0.4

±

10

直（自然科学）二进制

680

120

1.25

4.75/5.25

3.3

1.8

250

1

16.5

1.25

5

I

来源

= 200

A

I

SINK

= 200

A

ns（最大值）

ns（最小值）

MSPS最高

V最小/最大

最大mA

A

最大

A

最大

毫瓦MAX

W

最大

转换时间+采集时间

数字I / PS = 0 V或DV

DD.

f

S

= 1.25 MSPS ，典型2.75毫安

静态的。典型值190

A

静态的。典型值200 nA的

数字I / PS = 0 V或DV

DD

笔记

1

温度范围如下： A和B版本： -40 ° C至+ 85°C 。

2

V

INH

和V

INL

触发电平由V设置

DRIVE

电压。的逻辑接口电路由V供电

DRIVE

.

3

样品测试@ 25°C ，以确保合规性。

4

请参阅电源与吞吐率部分。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

第0版

AD7492–SPECIFICATIONS

参数

动态性能

信号与噪声+失真比（SINAD ）

信号 - 噪声比（ SNR）的

总谐波失真（ THD ）

A版

1

69

68

70

68

–85

–87

–75

–86

–90

–76

–77

–90

–69

–88

5

15

10

12

±

1.5

1

(V

AD7492

= 2.7 V至5.25 V ，T

A

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

B版本

1

69

68

70

68

–85

–87

–75

–86

–90

–76

–77

–90

–69

–88

5

15

10

12

±

0.6

±

1

+1.5/–0.9

±

9

±

2.5

02.5

±

1

33

2.5

V

DRIVE

×

0.7

V

DRIVE

×

0.3

±

1

10

V

DRIVE

– 0.2

0.4

±

10

直（自然科学）二进制

880

120

1

2.7/5.25

3

1.8

250

1

15

1.25

5

单位

dB典型值

分贝分钟

dB典型值

分贝分钟

dB典型值

最大分贝

dB典型值

最大分贝

dB典型值

纳秒（典型值）

ps的典型值

兆赫（典型值）

位

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

V

A

最大

pF的典型值

V

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

±

对于指定的性能1.5 ％

V

DD

= 5 V

±

5%

V

DD

= 5 V

±

5%

通常情况下10 nA的，V

IN

= 0 V或V

DD

测试条件/评论

f

S

= 1 MSPS

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

DD

峰值谐波或杂散噪声（ SFDR ）

互调失真（ IMD ）

二阶条款

三阶条款

孔径延迟

孔径抖动

全功率带宽

DC精度

决议

积分非线性

f

S

= 1 MSPS

微分非线性

偏移误差

增益误差

模拟量输入

输入电压范围

直流漏电流

输入电容

参考输出

REF OUT输出电压范围

逻辑输入

输入高电压，V

INH2

输入低电压，V

INL2

输入电流I

IN

输入电容，C

IN3

逻辑输出

输出高电压，V

OH

输出低电压，V

OL

浮态泄漏电流

浮态输出电容

输出编码

转化率

转换时间

采样/保持捕获时间

吞吐率

电源要求

V

DD

I

DD

普通模式

静态电流

偏睡眠模式

充分的睡眠模式

功耗

4

普通模式

偏睡眠模式

充分的睡眠模式

+1.5/–0.9

±

9

±

2.5

02.5

±

1

33

2.5

V

DRIVE

×

0.7

V

DRIVE

×

0.3

±

1

10

V

DRIVE

– 0.2

0.4

±

10

直（自然科学）二进制

880

120

1

2.7/5.25

3

1.8

250

1

15

1.25

5

V

DD

= 5 V

V

DD

= 3 V

保证无漏码来

12位（ A和B版）

I

来源

= 200

A

I

SINK

= 200

A

ns（最大值）

ns（最小值）

MSPS最高

V最小/最大

最大mA

A

最大

A

最大

毫瓦MAX

W

最大

转换时间+采集时间

数字I / PS = 0 V或DV

DD.

f

S

= 1 MSPS ，典型值2.2毫安

静态的。典型值190

A

静态的。典型值200 nA的

数字I / PS = 0 V或DV

DD

V

DD

= 5 V

V

DD

= 5 V

V

DD

= 5 V

笔记

1

温度范围如下： A和B版本： -40 ° C至+ 85°C 。

2

V

INH

和V

INL

触发电平由V设置

DRIVE

电压。的逻辑接口电路由V供电

DRIVE

.

3

样品测试@ 25°C ，以确保合规性。

4

请参阅电源与吞吐率部分。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

第0版

–3–

AD7492

时序特定网络阳离子

1

(V

参数

t

兑换

t

唤醒

t

1

t

2

t

3

t

4 4

t

5

t

6 4

t

7 5

t

8

t

9

t

10

880

20

3

500

10

40

0

20

15

8

0

120

100

DD

= 2.7 V至5.25 V ，T

A

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

单位

ns（最大值）

s

最大

s

最大

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

描述

部分休眠唤醒时间

充分的睡眠唤醒时间

CONVST

脉宽

CONVST

繁忙的延迟，V

DD

= 5 V

CONVST

繁忙的延迟，V

DD

= 3 V

忙

CS

建立时间

CS

to

RD

建立时间

RD

脉宽

数据访问时间的下降沿后

RD

总线释放时间的上升沿之后

RD

CS

to

RD

保持时间

采集时间

安静的时间

在T限制

民

, T

最大

AD7492

AD7492-5

2

680

20

3

500

10

不适用

0

20

15

8

0

120

100

笔记

1

在25℃下的样品进行测试，以确保遵守。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的

DD

），并定时从1.6V见的电压电平

图1 。

2

该AD7492-5指定了V

DD

= 4.75 V至5.25 V

3

这是在0.5的LSB其稳定值沉降所需部分的时间。转换可早于20启动

s,

但我们不能保证部分

将在0.5真模拟输入值的LSB采样。因此，我们建议用户没有启动转换，直到在指定的时间之后。

4

测定图1和德音响的定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.0V。负载电路

5

t

7

从采取的数据输出改变0.5 V的测量时间衍生当载有图1中的电路测量的数目，然后外推

背面去除的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着该时间t

7

在时序特性所是真正的总线释放

的部分和的时间是独立的总线负载的。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

200 A

I

OL

输出

针

1.6V

C

L

50pF

200 A

I

OH

图1.负载电路的数字输出时序规范

–4–

第0版

AD7492

绝对最大额定值

1

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

引脚配置

AV

DD

到AGND / DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

DV

DD

到AGND / DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

V

DRIVE

到AGND / DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

AV

DD

以DV

DD

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+0.3 V

V

DRIVE

以DV

DD

。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至DVDD + 0.3 V

AGND至DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+0.3 V

模拟输入电压至AGND 。。。 0.3 V至AVDD + 0.3 V

数字输入电压至DGND 。。。 0.3 V至DVDD + 0.3 V

输入电流到任何引脚除外用品

2

. . . . . . .

±

10毫安

工作温度范围

商业（ A和B版本）。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

SOIC ， TSSOP封装散热。。。。。。。。。。。。。。 450毫瓦

θ

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。 75 ℃/ W（ SOIC ）

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 115℃ / W （ TSSOP ）

θ

JC

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。 25 ℃/ W（ SOIC ）

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 35 ℃/ W（ TSSOP ）

焊接温度，焊接

气相（ 60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的业务部门所列出的任何其他条件

本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件

系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。

2

高达100 mA的瞬态电流不会造成SCR闩锁。

DB9

1

DB10

2

（MSB） DB11

3

24

23

22

21

DB8

DB7

DB6

V

DRIVE

DV

DD

AV

DD 4

REF OUT

5

V

在6

CS

8

RD

9

AD7492

20

顶视图

19

DGND

（不按比例）

18

DB5

AGND

7

17

16

15

14

13

DB4

DB3

DB2

DB1

DB0 （ LSB ）

CONVST

10

PS / FS

11

忙

12

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

在AD7492具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能发生

器件经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施

建议避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

订购指南

模型

AD7492AR

AD7492ARU

AD7492BR

AD7492BRU

AD7492AR-5

AD7492ARU-5

AD7492BR-5

AD7492BRU-5

EVAL-AD7492CB

2

EVAL -CONTROL BRD2

3

温度

范围

-40 ° C至+ 85°C

决议

（比特）

12

吞吐率

（ Msps的）

1

1.25

包

描述

SOIC

TSSOP

SOIC

TSSOP

SOIC

TSSOP

SOIC

TSSOP

包

选项

1

R-24

RU-24

R-24

RU-24

R-24

RU-24

R-24

RU-24

评估板

控制器板

笔记

1

R = SOIC ; RU = TSSOP封装。

2

这可以作为一个独立的评估板，或与EVAL -CONTROL BRD2配合用于评估/演示。

3

该板是一个完整的单元，允许一台PC来控制，并与CB标志后缀的ADI评估板进行通信。

第0版

–5–

a

1.25 MSPS ， 16毫瓦内部REF和CLK ，

12位并行ADC

AD7492

功能框图

AVDD

DVDD

REF OUT

VDRIVE

2.5V

REF

BUF

时钟

振荡器

特点

指定V

DD

2.7 V至5.25 V

1吞吐速率MSPS ， AD7492

1.25吞吐速率MSPS ， AD7492-5

低功耗

4 mW的典型值在1 MSPS ，3 V电源

11 mW的典型值在1 MSPS ，5 V电源

宽输入带宽

70分贝典型SNR为100 kHz输入频率

2.5 V内部参考

片内振荡器CLK

灵活的功耗/呑吐量管理

无流水线延迟

高速并行接口

睡眠模式： 50

n

一个典型值

24引脚SOIC和TSSOP封装

概述

VIN

T / H

12位SAR

ADC

产量

DRIVERS

DB11

DB0

PS / FS

CONVST

控制

逻辑

CS

RD

AD7492

忙

在AD7492和AD7492-5是12位高速，低功耗，

逐次逼近型ADC 。该部分从操作

采用2.7 V至5.25 V电源供电，吞吐速率

高达1.25 MSPS 。它们包含一个低噪声，宽带宽

跟踪/保持放大器，可处理带宽高达10 MHz 。

转换过程和数据采集通过控制

标准控制输入，可轻松连接到microproces-

理器或DSP 。该输入信号被采样的下降沿

CONVST

并且也开始在这一点上的转换。该

BUSY变为高电平时转换的启动和变低880纳秒

（ AD7492 ）或680毫微秒（ AD7492-5 ）后，表示CON组

版本是完整的。有与无流水线延迟

的部分。转换结果通过标准浏览

CS

和

RD

信号在一个高速并行接口。

在AD7492采用先进的设计技术，以达到非常

低功耗在高吞吐量。与5 V

用品和1.25 MSPS，平均消耗电流

AD7492-5通常为2.75毫安。该器件还具有灵活

功耗/吞吐量管理。

另外，也可以以操作部在全睡眠模式和一

部分休眠模式，当器件唤醒，做一个转换

和自动输入在转换结束休眠模式。

的睡眠模式的类型是硬件选择由PS / FS引脚。

利用这些休眠模式，允许极低的功耗num-

别尔斯以较低的吞吐速率。

模拟输入范围为部分是0至REF IN 。 2.5 V

参照内部提供，可用于外部基准

接近开关就是嵌入式。的转化率是由内部时钟确定。

AGND

DGND

产品亮点

1.高吞吐量，低功耗

该AD7492-5提供1.25 MSPS吞吐量16毫瓦

功耗。

2.灵活的功耗/吞吐量管理

转换时间由内部时钟确定。该

器件还提供两种休眠模式，部分和全部，为最大，

在较低吞吐量程度降低电源效率。

3.无流水线延迟

该器件具有一个标准逐次逼近型ADC

同的采样时刻通过精确控制

CONVST

输入和一次性转换控制。

4.灵活的数字接口

在V

DRIVE

功能控制电压电平上的I / O

数字引脚。

5.更少的外部元件

的AD7492通过使用内部优化的PCB空间

参考和内部时钟。

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2001

AD7492

AD7492-5–SPECIFICATIONS

1

(V

参数

动态性能

信号与噪声+失真比（SINAD ）

信号 - 噪声比（ SNR）的

总谐波失真（ THD ）

A版

1

69

68

70

68

–83

–87

–75

–83

–90

–76

–82

–90

–71

–88

5

15

10

12

±

1.5

+1.5/–0.9

±

9

±

2.5

02.5

±

1

33

2.5

V

DRIVE

×

0.7

V

DRIVE

×

0.3

±

1

10

DD

= 4.75 V至5.25 V ，T

A

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

B版本

1

69

68

70

68

–83

–87

–75

–83

–90

–76

–82

–90

–71

–88

5

15

10

12

±

1.25

+1.5/–0.9

±

9

±

2.5

02.5

±

1

33

2.5

V

DRIVE

×

0.7

V

DRIVE

×

0.3

±

1

10

V

DRIVE

– 0.2

0.4

±

10

直（自然科学）二进制

680

120

1.25

4.75/5.25

3.3

1.8

250

1

16.5

1.25

5

单位

dB典型值

分贝分钟

dB典型值

分贝分钟

dB典型值

最大分贝

dB典型值

最大分贝

dB典型值

纳秒（典型值）

ps的典型值

兆赫（典型值）

位

LSB（最大值）

V

A

最大

pF的典型值

V

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

±

对于指定的性能1.5 ％

V

DD

= 5 V

±

5%

V

DD

= 5 V

±

5%

通常情况下10 nA的，V

IN

= 0 V或V

DD

测试条件/评论

f

S

= 1.25 MSPS

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

峰值谐波或杂散噪声（ SFDR ）

互调失真（ IMD ）

二阶条款

三阶条款

孔径延迟

孔径抖动

全功率带宽

DC精度

决议

积分非线性

微分非线性

偏移误差

增益误差

模拟量输入

输入电压范围

直流漏电流

输入电容

参考输出

REF OUT输出电压范围

逻辑输入

输入高电压，V

INH2

输入低电压，V

INL2

输入电流I

IN

输入电容，C

IN3

逻辑输出

输出高电压，V

OH

输出低电压，V

OL

浮态泄漏电流

浮态输出电容

输出编码

转化率

转换时间

采样/保持捕获时间

吞吐率

电源要求

V

DD

I

DD

普通模式

静态电流

偏睡眠模式

充分的睡眠模式

功耗

4

普通模式

偏睡眠模式

充分的睡眠模式

f

S

= 1.25 MSPS

保证无漏码来

12位（ A和B版）

V

DRIVE

– 0.2

0.4

±

10

直（自然科学）二进制

680

120

1.25

4.75/5.25

3.3

1.8

250

1

16.5

1.25

5

I

来源

= 200

A

I

SINK

= 200

A

ns（最大值）

ns（最小值）

MSPS最高

V最小/最大

最大mA

A

最大

A

最大

毫瓦MAX

W

最大

转换时间+采集时间

数字I / PS = 0 V或DV

DD.

f

S

= 1.25 MSPS ，典型2.75毫安

静态的。典型值190

A

静态的。典型值200 nA的

数字I / PS = 0 V或DV

DD

笔记

1

温度范围如下： A和B版本： -40 ° C至+ 85°C 。

2

V

INH

和V

INL

触发电平由V设置

DRIVE

电压。的逻辑接口电路由V供电

DRIVE

.

3

样品测试@ 25°C ，以确保合规性。

4

请参阅电源与吞吐率部分。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

第0版

AD7492–SPECIFICATIONS

参数

动态性能

信号与噪声+失真比（SINAD ）

信号 - 噪声比（ SNR）的

总谐波失真（ THD ）

A版

1

69

68

70

68

–85

–87

–75

–86

–90

–76

–77

–90

–69

–88

5

15

10

12

±

1.5

1

(V

AD7492

= 2.7 V至5.25 V ，T

A

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

B版本

1

69

68

70

68

–85

–87

–75

–86

–90

–76

–77

–90

–69

–88

5

15

10

12

±

0.6

±

1

+1.5/–0.9

±

9

±

2.5

02.5

±

1

33

2.5

V

DRIVE

×

0.7

V

DRIVE

×

0.3

±

1

10

V

DRIVE

– 0.2

0.4

±

10

直（自然科学）二进制

880

120

1

2.7/5.25

3

1.8

250

1

15

1.25

5

单位

dB典型值

分贝分钟

dB典型值

分贝分钟

dB典型值

最大分贝

dB典型值

最大分贝

dB典型值

纳秒（典型值）

ps的典型值

兆赫（典型值）

位

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

V

A

最大

pF的典型值

V

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

±

对于指定的性能1.5 ％

V

DD

= 5 V

±

5%

V

DD

= 5 V

±

5%

通常情况下10 nA的，V

IN

= 0 V或V

DD

测试条件/评论

f

S

= 1 MSPS

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

DD

峰值谐波或杂散噪声（ SFDR ）

互调失真（ IMD ）

二阶条款

三阶条款

孔径延迟

孔径抖动

全功率带宽

DC精度

决议

积分非线性

f

S

= 1 MSPS

微分非线性

偏移误差

增益误差

模拟量输入

输入电压范围

直流漏电流

输入电容

参考输出

REF OUT输出电压范围

逻辑输入

输入高电压，V

INH2

输入低电压，V

INL2

输入电流I

IN

输入电容，C

IN3

逻辑输出

输出高电压，V

OH

输出低电压，V

OL

浮态泄漏电流

浮态输出电容

输出编码

转化率

转换时间

采样/保持捕获时间

吞吐率

电源要求

V

DD

I

DD

普通模式

静态电流

偏睡眠模式

充分的睡眠模式

功耗

4

普通模式

偏睡眠模式

充分的睡眠模式

+1.5/–0.9

±

9

±

2.5

02.5

±

1

33

2.5

V

DRIVE

×

0.7

V

DRIVE

×

0.3

±

1

10

V

DRIVE

– 0.2

0.4

±

10

直（自然科学）二进制

880

120

1

2.7/5.25

3

1.8

250

1

15

1.25

5

V

DD

= 5 V

V

DD

= 3 V

保证无漏码来

12位（ A和B版）

I

来源

= 200

A

I

SINK

= 200

A

ns（最大值）

ns（最小值）

MSPS最高

V最小/最大

最大mA

A

最大

A

最大

毫瓦MAX

W

最大

转换时间+采集时间

数字I / PS = 0 V或DV

DD.

f

S

= 1 MSPS ，典型值2.2毫安

静态的。典型值190

A

静态的。典型值200 nA的

数字I / PS = 0 V或DV

DD

V

DD

= 5 V

V

DD

= 5 V

V

DD

= 5 V

笔记

1

温度范围如下： A和B版本： -40 ° C至+ 85°C 。

2

V

INH

和V

INL

触发电平由V设置

DRIVE

电压。的逻辑接口电路由V供电

DRIVE

.

3

样品测试@ 25°C ，以确保合规性。

4

请参阅电源与吞吐率部分。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

第0版

–3–

AD7492

时序特定网络阳离子

1

(V

参数

t

兑换

t

唤醒

t

1

t

2

t

3

t

4 4

t

5

t

6 4

t

7 5

t

8

t

9

t

10

880

20

3

500

10

40

0

20

15

8

0

120

100

DD

= 2.7 V至5.25 V ，T

A

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

单位

ns（最大值）

s

最大

s

最大

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

描述

部分休眠唤醒时间

充分的睡眠唤醒时间

CONVST

脉宽

CONVST

繁忙的延迟，V

DD

= 5 V

CONVST

繁忙的延迟，V

DD

= 3 V

忙

CS

建立时间

CS

to

RD

建立时间

RD

脉宽

数据访问时间的下降沿后

RD

总线释放时间的上升沿之后

RD

CS

to

RD

保持时间

采集时间

安静的时间

在T限制

民

, T

最大

AD7492

AD7492-5

2

680

20

3

500

10

不适用

0

20

15

8

0

120

100

笔记

1

在25℃下的样品进行测试，以确保遵守。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的

DD

），并定时从1.6V见的电压电平

图1 。

2

该AD7492-5指定了V

DD

= 4.75 V至5.25 V

3

这是在0.5的LSB其稳定值沉降所需部分的时间。转换可早于20启动

s,

但我们不能保证部分

将在0.5真模拟输入值的LSB采样。因此，我们建议用户没有启动转换，直到在指定的时间之后。

4

测定图1和德音响的定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.0V。负载电路

5

t

7

从采取的数据输出改变0.5 V的测量时间衍生当载有图1中的电路测量的数目，然后外推

背面去除的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着该时间t

7

在时序特性所是真正的总线释放

的部分和的时间是独立的总线负载的。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

200 A

I

OL

输出

针

1.6V

C

L

50pF

200 A

I

OH

图1.负载电路的数字输出时序规范

–4–

第0版

AD7492

绝对最大额定值

1

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

引脚配置

AV

DD

到AGND / DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

DV

DD

到AGND / DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

V

DRIVE

到AGND / DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

AV

DD

以DV

DD

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+0.3 V

V

DRIVE

以DV

DD

。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至DVDD + 0.3 V

AGND至DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+0.3 V

模拟输入电压至AGND 。。。 0.3 V至AVDD + 0.3 V

数字输入电压至DGND 。。。 0.3 V至DVDD + 0.3 V

输入电流到任何引脚除外用品

2

. . . . . . .

±

10毫安

工作温度范围

商业（ A和B版本）。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

SOIC ， TSSOP封装散热。。。。。。。。。。。。。。 450毫瓦

θ

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。 75 ℃/ W（ SOIC ）

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 115℃ / W （ TSSOP ）

θ

JC

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。 25 ℃/ W（ SOIC ）

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 35 ℃/ W（ TSSOP ）

焊接温度，焊接

气相（ 60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的业务部门所列出的任何其他条件

本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件

系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。

2

高达100 mA的瞬态电流不会造成SCR闩锁。

DB9

1

DB10

2

（MSB） DB11

3

24

23

22

21

DB8

DB7

DB6

V

DRIVE

DV

DD

AV

DD 4

REF OUT

5

V

在6

CS

8

RD

9

AD7492

20

顶视图

19

DGND

（不按比例）

18

DB5

AGND

7

17

16

15

14

13

DB4

DB3

DB2

DB1

DB0 （ LSB ）

CONVST

10

PS / FS

11

忙

12

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

在AD7492具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能发生

器件经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施

建议避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

订购指南

模型

AD7492AR

AD7492ARU

AD7492BR

AD7492BRU

AD7492AR-5

AD7492ARU-5

AD7492BR-5

AD7492BRU-5

EVAL-AD7492CB

2

EVAL -CONTROL BRD2

3

温度

范围

-40 ° C至+ 85°C

决议

（比特）

12

吞吐率

（ Msps的）

1

1.25

包

描述

SOIC

TSSOP

SOIC

TSSOP

SOIC

TSSOP

SOIC

TSSOP

包

选项

1

R-24

RU-24

R-24

RU-24

R-24

RU-24

R-24

RU-24

评估板

控制器板

笔记

1

R = SOIC ; RU = TSSOP封装。

2

这可以作为一个独立的评估板，或与EVAL -CONTROL BRD2配合用于评估/演示。

3

该板是一个完整的单元，允许一台PC来控制，并与CB标志后缀的ADI评估板进行通信。

第0版

–5–

1.25 MSPS ， 16毫瓦内部REF和CLK ，

12位并行ADC

AD7492

特点

指定V

DD

2.7 V至5.25 V

1 MSPS吞吐速率（ AD7492 ）

1.25 MSPS吞吐速率（ AD7492-5 ）

400 kSPS的吞吐速率（ AD7492-4 ）

低功耗

4 mW的典型值在1 MSPS ，3 V电源

11 mW的典型值在1 MSPS ，5 V电源

宽输入带宽

70分贝典型SNR为100 kHz输入频率

2.5 V内部参考

片内振荡器CLK

灵活的功耗/呑吐量管理

无流水线延迟

高速并行接口

睡眠模式： 50

n

一个典型值

24引脚SOIC和TSSOP封装

功能框图

AV

DD

4

DV

DD

20

REF OUT

5

V

DRIVE

21

2.5V

REF

BUF

时钟

振荡器

V

在6

T / H

12位SAR

ADC

产量

DRIVERS

DB11

DB0

11

PS / FS

CS

RD

忙

01128-001

CONVST

10

控制

逻辑

8

9

AD7492

12

7

19

AGND

DGND

图1 。

概述

在AD7492 ， AD7492-4 ， AD7492-5和12位高速，

低功耗，逐次逼近型ADC 。该器件可工作

采用2.7 V至5.25 V电源供电，

最高吞吐量可达1.25 MSPS 。它们包含一个低噪声，

宽带宽采样/保持放大器，可处理

带宽高达10 MHz 。

转换过程和数据采集控制

使用标准控制输入，可方便的接口

微处理器或DSP 。所述输入信号进行采样的

也开始在这个CONVST和转换的下降沿

点。在BUSY引脚变为高电平时转换的开始和

变低880纳秒（ AD7492 / AD7492-4 ）或680纳秒（ AD7492-5 ）

以后，以指示转换完成。没有

流水线延迟与部分相关联。转换结果是

通过标准CS和RD信号通过高速访问

并行接口。

在AD7492采用先进的设计技术，以达到非常

低功耗在高吞吐量。与5 V

用品和1.25 MSPS，平均消耗电流

AD7492-5通常为2.75毫安。该器件还具有灵活

功耗/吞吐量管理。

另外，也可以以操作部在全睡眠模式和一

部分休眠模式，当器件唤醒，做一个转换

和自动输入在转换结束休眠模式。

REV 。一

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

的睡眠模式的类型是硬件选择由PS / FS引脚。

利用这些休眠模式，允许极低的功耗

在较低的吞吐速率的数字。

模拟输入范围是0 V至REFIN 。该

2.5 V基准电压由内部提供，供

外部引用。的转化率是通过测定

内部时钟。

产品亮点

1.

高吞吐量，低功耗。该

AD7492-5提供1.25 MSPS吞吐量为16毫瓦

功耗。

灵活的功耗/呑吐量管理。该

转换时间由内部时钟确定。该

器件还提供两种休眠模式，部分和全部，以

最大限度地提高电源效率较低的吞吐速率。

无流水线延迟。该器件具有一个标准逐次

逼近型ADC，采样的精确控制

通过CONVST输入的即时和一次性转换

控制权。

灵活的数字接口。在V

DRIVE

功能控制

电压等级在I / O数字引脚。

更少的外部元件。在AD7492可优化

通过使用内部参考和内部时钟PCB空间。

2.

3.

4.

5.

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

传真： 781.461.3113

AD7492

特点................................................. ............................................. 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ....................... 1

修订历史................................................ ........................... 2

规格................................................. .................................... 3

AD7492-5 ............................................... ....................................... 3

AD7492 / AD7492-4 ............................................. ......................... 4

时序规格................................................ .................. 6

绝对最大额定值............................................... ............. 7

ESD注意事项................................................ .................................. 7

引脚配置和功能说明............................. 8

典型Peformance特性............................................. 10

术语................................................. ................................... 12

电路说明................................................ ......................... 13

转换器操作................................................ .................. 13

典型的连接图............................................... .... 13

ADC传递函数............................................... .............. 13

AC采集时间............................................... .................. 14

DC采集时间............................................... .................. 14

模拟输入................................................ ............................... 14

并行接口................................................ ......................... 14

操作模式................................................ ........................ 14

上电............................................... ...................................... 16

接地和布局............................................... ............... 18

电源................................................ ............................ 18

微处理器接口................................................ ....... 18

外形尺寸................................................ ....................... 21

订购指南................................................ .......................... 21

修订历史

5月6日 - 修订版。 0到版本A

新增AD7492-4 .............................................. ..................通用

更改表4 .............................................. .............................. 8

更新的外形尺寸............................................... ........ 22

更改订购指南.............................................. ............ 22

1/01 -版本0 ：初始版

版本A |页24 2

AD7492

特定网络阳离子

AD7492-5

V

DD

= 4.75 V至5.25 V ，T

A

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明。

表1中。

参数

动态性能

信号与噪声和失真比（SINAD ）

信号 - 噪声比（ SNR）的

总谐波失真（ THD ）

A版

1

69

68

70

68

83

87

75

83

90

76

互调失真（ IMD ）

二阶条款

三阶条款

孔径延迟

孔径抖动

全功率带宽

DC精度

决议

积分非线性

微分非线性

偏移误差

增益误差

模拟量输入

输入电压范围

直流漏电流

输入电容

参考输出

REF OUT输出电压范围

逻辑输入

输入高电压，V

INH 2

输入低电压，V

INL2

输入电流I

IN

输入电容，C

IN 3

逻辑输出

输出高电压，V

OH

输出低电压，V

OL

浮态泄漏电流

浮态输出电容

输出编码

82

90

71

88

5

15

10

12

±1.5

+1.5/–0.9

±9

±2.5

02.5

±1

33

2.5

V

DRIVE

× 0.7

V

DRIVE

× 0.3

±1

10

V

DRIVE

0.2

0.4

±10

10

直（自然科学）

二进制

B版本

1

69

68

70

68

83

87

75

83

90

76

82

90

71

88

5

15

10

12

±1.25

+1.5/0.9

±9

±2.5

02.5

±1

33

2.5

V

DRIVE

× 0.7

V

DRIVE

× 0.3

±1

10

V

DRIVE

0.2

0.4

±10

10

直（自然科学）

二进制

单位

dB典型值

分贝分钟

dB典型值

分贝分钟

dB典型值

最大分贝

dB典型值

最大分贝

dB典型值

纳秒（典型值）

ps的典型值

兆赫（典型值）

位

LSB（最大值）

V

μA（最大值）

pF的典型值

V

V分钟

V最大

μA（最大值）

pF的最大

V分钟

V最大

μA（最大值）

pF的最大

±1.5％的额定性能

V

DD

= 5 V ± 5%

V

DD

= 5 V ± 5%

通常情况下10 nA的，V

IN

= 0 V或V

DD

测试条件/评论

f

S

= 1.25 MSPS

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

峰值谐波或杂散免费

动态噪声（ SFDR ）

f

S

= 1.25 MSPS

保证无漏码来

12位（ A和B版本）

I

来源

= 200 μA

I

SINK

= 200 μA

版本A |第24 3

AD7492

参数

转化率

转换时间

采样/保持捕获时间

吞吐率

电源要求

V

DD

I

DD

普通模式

静态电流

偏睡眠模式

充分的睡眠模式

功耗

4

普通模式

偏睡眠模式

充分的睡眠模式

1

2

A版

1

680

120

1.25

B版本

1

680

120

1.25

单位

ns（最大值）

ns（最小值）

MSPS最高

测试条件/评论

转换时间+收购

时间

4.75/5.25

3.3

1.8

250

1

16.5

1.25

5

4.75/5.25

3.3

1.8

250

1

16.5

1.25

5

V最小/最大

最大mA

μA（最大值）

毫瓦MAX

μW最大

数字I / PS = 0 V或DV

DD

f

S

= 1.25 MSPS ，典型2.75毫安

静态，典型值190微安

静态，典型值200 nA的

数字I / PS = 0 V或DV

DD

温度范围如下： A和B版本： -40 ° C至+ 85°C 。

V

INH

和V

INL

触发电平由V设置

DRIVE

电压。的逻辑接口电路由V供电

DRIVE

.

3

样品测试@ 25°C ，以确保合规性。

4

看到功率与吞吐量节。

AD7492/AD7492-4

V

DD

= 2.7 V至5.25 V ，T

A

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明。

1

表2中。

参数

动态性能

信号与噪声和失真比（SINAD ）

信号 - 噪声比（ SNR）的

总谐波失真（ THD ）

A版

2

B版本

2

单位

测试条件/评论

f

S

= 1 MSPS的AD7492

f

S

= 400 kSPS时为AD7492-4

f

IN

= 500 kHz正弦波

3

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

3

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

3

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

3

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

3

f

IN

= 100kHz的正弦波

f

IN

= 500 kHz正弦波

3

f

IN

= 100kHz的正弦波

峰值谐波或杂散免费

动态噪声（ SFDR ）

69

68

70

68

85

87

75

86

90

76

69

68

70

68

85

87

75

86

90

76

77

90

69

88

5

15

10

dB典型值

分贝分钟

dB典型值

分贝分钟

dB典型值

最大分贝

dB典型值

最大分贝

dB典型值

纳秒（典型值）

ps的典型值

兆赫（典型值）

互调失真（ IMD ）

二阶条款

三阶条款

孔径延迟

孔径抖动

全功率带宽

77

90

69

88

5

15

10

版本A |第24 4

AD7492

参数

DC精度

决议

积分非线性

A版

2

B版本

2

单位

测试条件/评论

f

S

= 1 MSPS的AD7492

f

S

= 400 kSPS时为AD7492-4

12

±1.5

12

±0.6

±1

+1.5/0.9

±9

±2.5

02.5

±1

33

2.5

V

DRIVE

× 0.7

V

DRIVE

× 0.3

±1

10

V

DRIVE

0.2

0.4

±10

10

直（自然科学）

二进制

880

120

1

微分非线性

偏移误差

增益误差

模拟量输入

输入电压范围

直流漏电流

输入电容

参考输出

REF OUT输出电压范围

逻辑输入

输入高电压，V

INH 4

输入低电压，V

INL4

输入电流I

IN

输入电容，C

IN3 ， 5

逻辑输出

输出高电压，V

OH

输出低电压，V

OL

浮态泄漏电流

浮态输出电容

输出编码

转化率

转换时间

采样/保持捕获时间

吞吐率

+1.5/0.9

±9

±2.5

02.5

±1

33

2.5

V

DRIVE

× 0.7

V

DRIVE

× 0.3

±1

10

V

DRIVE

0.2

0.4

±10

10

直（自然科学）

二进制

880

120

1

400

位

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

V

μA（最大值）

pF的典型值

V

V分钟

V最大

μA（最大值）

pF的最大

V分钟

V最大

μA（最大值）

pF的最大

V

DD

= 5 V

V

DD

= 3 V

保证无漏码来

12位（ A和B版本）

±1.5％的额定性能

V

DD

= 5 V ± 5%

V

DD

= 5 V ± 5%

通常情况下10 nA的，V

IN

= 0 V或V

DD

I

来源

= 200 μA

I

SINK

= 200 μA

ns（最大值）

ns（最小值）

MSPS最高

kSPS的最大

转换时间+收购

时间AD7492

转换时间+收购

时间AD7492-4

电源要求

V

DD

I

DD

普通模式

2.7/5.25

3

2.7/5.25

3

V最小/最大

最大mA

数字I / PS = 0 V或DV

DD

.

f

S

= 1 MSPS ，典型值2.2毫安

f

S

= 400 kSPS时，典型值2.2毫安

(AD7492-4)

静态，典型值190微安

静态，典型值200 nA的

数字I / PS = 0 V或DV

DD

V

DD

= 5 V

V

DD

= 5 V

V

DD

= 5 V

静态电流

偏睡眠模式

充分的睡眠模式

功耗

4, 6

普通模式

偏睡眠模式

充分的睡眠模式

1

2

1.8

250

1

15

1.25

5

1.8

250

1

15

1.25

5

最大mA

μA（最大值）

毫瓦MAX

μW最大

只有一个版本规范适用于AD7492-4 。

温度范围如下： A和B版本： -40 ° C至+ 85°C 。

3

500 kHz正弦波规格不申请AD7492-4 。

4

V

INH

和V

INL

触发电平由V设置

DRIVE

电压。的逻辑接口电路由V供电

DRIVE

.

5

样品测试@ 25°C ，以确保合规性。

6

看到功率与吞吐量节。

版本A |第24 5