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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第362页 > AD7482BST
a
特点
高吞吐速率: 3 MSPS
宽输入带宽: 40MHz的
无流水线延迟与SAR ADC
卓越的DC精度性能
两个并行接口模式
低功耗:
90毫瓦(全功率)和2.5兆瓦( NAP模式)
待机模式: 2 A最大
采用5 V单电源供电
内部2.5 V参考
满量程超量程模式(使用第13位)
通过用户访问偏移寄存器系统偏移去除
额定0 V至2.5 V输入,变速范围
能力
提供14位引脚兼容的升级AD7484
3 MSPS , 12位SAR ADC
AD7482
功能框图
AV
DD
AGND
C
BIAS
DV
DD
V
DRIVE
DGND
REFOUT
2.5 V
参考
REFSEL
BUF
REFIN
VIN
T / H
12-BIT
SAR的算法
AD7482
MODE1
MODE2
STBY
RESET
CONVST
D12
D11
D10
D9
D8
D7
D6
D5
控制
逻辑和I / O
注册
概述
该AD7482是一款12位,高速,低功耗,逐次
逼近型ADC 。该器件具有一个并行接口
最高吞吐量可达3 MSPS 。该器件内置一个低噪声,
宽带宽采样和保持,可以处理输入频率
quencies超过40兆赫。
转换过程是一种专有的算法逐次
近似的技术,导致无流水线延迟。该
输入信号进行采样,并转换为在启动
落的边缘
CONVST
信号。在转换过程
通过内部调整振荡器进行控制。接口是通过
标准并行信号线,使得一部分直接相容
IBLE与微控制器和DSP 。
该AD7482提供出色的交流和直流性能specifi-
阳离子。工厂调整技术,确保高直流精度产生
极低的INL ,失调和增益误差。
该器件采用先进的设计技术,实现极低
功耗在高吞吐量。耗电量
在正常的操作模式为90毫瓦。有两种加电
节能模式:即保持基准电路正常工作一个NAP模式
对于一个快速开机,功耗2.5毫瓦,待机
模式,可以降低功耗仅为10
W.
在AD7482具有一个片上2.5 V基准电压源,但也可以
适应外部提供2.5 V基准电压源。该
额定模拟输入范围为0 V至2.5 V ,但偏移转变
功能允许这种标称范围被抵消
±
200毫伏。
这允许用户相当大的灵活性在设置底
信号范围,一个有用的功能,当年底基准点
采用单电源运算放大器。
该AD7482还为用户提供了一个8 %的超范围
通过第13位的能力。因此,如果模拟输入范围迷路
标称由高达8%以外,用户仍然可以准确地
通过使用第13位的解析信号。
在AD7482由4.75 V供电,以5.25 V电源。部分
还提供了一个V
DRIVE
销,允许用户设置电压
级别对数字接口线。的范围内对本V
DRIVE
在2.7 V至5.25 V的部分装在一个48引脚LQFP封装
并规定工作在-40 ° C至+ 85 °C温度范围。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 2002年
CS
RD
D0
D1
D2
D3
D4
AD7482–SPECIFICATIONS
参数
动态性能
2, 3
信号 - 噪声+失真(SINAD )
4
总谐波失真( THD )
4
4
1
(V
DD
= 5 V
±
5 % , AGND = DGND = 0 V ,V
REF
=外,女
样品
= 3 MSPS ;所有specifi-
阳离子牛逼
给T
最大
并适用于V
DRIVE
= 2.7 V至5.25 V ,除非另有说明。 )
单位
分贝分钟
dB典型值
dB典型值
最大分贝
dB典型值
dB典型值
最大分贝
dB典型值
dB典型值
纳秒(典型值)
兆赫(典型值)
兆赫(典型值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB (典型值)
LSB(最大值)
LSB (典型值)
LSB(最大值)
% FSR最大
LSB(最大值)
% FSR最大
毫伏分钟
V最大
A
最大
A
典型值
pF的典型值
V
A
最大
pF的典型值
A
典型值
V典型值
mV的典型
毫伏最大
典型值
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
测试条件/评论
F
IN
= 1兆赫
F
IN
= 1兆赫
F
IN
= 1 MHz时,内部参考
内部参考
规范
71
72
71
–86
–90
–88
–87
–96
–94
10
40
3.5
12
±
0.5
±
1
±
0.25
±
0.5
±
0.25
±
1.5
0.036
±
1.5
0.036
–200
+2.7
±
1
±
2
35
+2.5
±
1
25
220
+2.5
±
50
±
100
1
V
DRIVE
–1
0.4
±
1
10
峰值谐波或杂散噪声( SFDR )
互调失真( IMD )
4
二阶条款
三阶条款
孔径延迟
全功率带宽
DC精度
决议
积分非线性
4
微分非线性
4
偏移误差
4
增益误差
4
模拟量输入
输入电压
直流漏电流
输入电容
5
参考输入/输出
V
REFIN
输入电压
V
REFIN
输入直流漏电流
V
REFIN
输入电容
5
V
REFIN
输入电流
V
REFOUT
输出电压
V
REFOUT
错误25°C
V
REFOUT
偏差T
给T
最大
V
REFOUT
输出阻抗
逻辑输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
IN
输入电容,C
IN5
逻辑输出
输出高电压,V
OH
输出低电压,V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
5
输出编码
转化率
转换时间
跟踪和保持器采集时间(t
ACQ
)
吞吐率
F
IN1
= 95.053千赫,女
IN2
= 105.329千赫
@ 3分贝
@ 0.1分贝
B级
A级
保证无漏码至12位
V
IN
从0 V至2.7 V
V
IN
= -200 mV的
±
对于指定的性能1 %
外部参考
0.7
×
V
DRIVE
V分钟
0.3
×
V
DRIVE
V最大
±
10
A
最大
10
pF的最大
直(自然科学)二进制
300
70
70
2.5
3
–2–
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最大值)
MSPS最高
MSPS最高
正弦波输入
满量程阶跃输入
并行模式1
并行模式2
第0版
AD7482
特定网络阳离子
(续)
参数
电源要求
V
DD
V
DRIVE
I
DD
正常模式(静态)
正常模式(工作)
打盹模式
待机模式
功耗
正常模式(工作)
打盹模式
待机模式
6
(V
DD
= 5 V
±
5 % , AGND = DGND = 0 V ,V
REF
=外,女
样品
= 3 MSPS ;所有规格牛逼
给T
最大
并适用于V
DRIVE
= 2.7 V至5.25 V ,除非另有说明。 )
规范
5
2.7
5.25
12
18
0.5
2
0.5
90
2.5
10
单位
V
V分钟
V最大
最大mA
最大mA
最大mA
A
最大
A
典型值
毫瓦MAX
毫瓦MAX
W
最大
测试条件/评论
±
5%
CS
RD
=逻辑1
笔记
1
温度范围为: -40 ° C至+ 85°C 。
2
SNR和SINAD引述的数字包括大约1分贝外部模拟输入电路的噪声贡献。
3
请参阅使用模拟输入电路典型性能特性部分。
4
参见术语部分。
5
样品测试@ 25°C ,以确保合规性。
6
数字输入电平在GND或V
DRIVE
.
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
时序特性
参数
*
(V
DD
= 5 V
±
5 % , AGND = DGND = 0 V ,V
REF
=外部;所有规格牛逼
给T
最大
并有效
V
DRIVE
= 2.7 V至5.25 V ,除非另有说明。 )
符号
t
CONV
t
安静
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
t
14
t
15
t
9
t
10
t
11
t
12
t
13
典型值
最大
300
100
5
20
0
25
30
5
10
0
30
30
5
2
6
5
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据读取
转换时间
安静的时间转换开始之前
CONVST
脉宽
CONVST
下降沿到
下降沿
CS
下降沿到
RD
下降沿
数据访问时间
CONVST
下降沿到有效的新数据
边缘上升到新的数据有效
总线释放时间
RD
上升沿
CS
上升沿
CS
脉宽
RD
脉宽
数据写入
写脉宽
数据建立时间
数据保持时间
CS
下降沿写下降沿
WRITE下降沿到
CS
上升沿
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
*所有
上面给出的时序规格为25 pF负载电容。与负载电容大于该值,数字缓冲器或锁存器必须被使用。
第0版
–3–
AD7482
绝对最大额定值*
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明。 )
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
DRIVE
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
模拟输入电压至GND 。 。 。 。 。 -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
数字输入电压至GND 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DRIVE
+ 0.3 V
REFIN至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至AV
DD
+ 0.3 V
输入电流至任意引脚除外用品。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
10毫安
工作温度范围
商用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50 ° C / W
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10℃ / W的
焊接温度,焊接
气相( 60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1千伏
JA
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的业务部门所列出的任何其他条件
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。
引脚配置
CONVST
D12
MODE1
MODE2
RESET
AGND
AGND
AV
DD
D11
D10
48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37
AV
DD 1
C
BIAS 2
AGND
3
AGND
4
AV
DD 5
AGND
6
VIN
7
REFOUT
8
REFIN
9
REFSEL
10
AGND
11
AGND
12
D9
36
D8
35
D7
34
D6
33
D5
32
V
DRIVE
31
DGND
30
DGND
29
DV
DD
28
D4
27
D3
26
D2
25
D1
销1
识别码
AD7482
顶视图
(不按比例)
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
AGND
AGND
RD
R1
R2
AV
DD
订购指南
模型
AD7482AST
AD7482BST
EVAL-AD7482CB
1
EVAL -CONTROL BRD2
2
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
评估板
控制器板
STBY
CS
积分非线性( INL )
±
1 LSB(最大值)
±
0.5 LSB(最大值)
D0
封装选项
ST- 48 ( LQFP )
ST- 48 ( LQFP )
笔记
1
这可以作为一个独立的评估板,或与EVAL -控制板配合用于评估/演示。
2
该板是一个完整的单元,允许一台PC来控制,并与CB标志后缀的ADI评估板进行通信。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
AD7482具有专用ESD保护电路,永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
–4–
第0版
AD7482
引脚功能描述
1, 5, 13, 46
2
3, 4, 6, 11, 12,
14, 15, 47, 48
7
8
9
10
助记符
AV
DD
C
BIAS
AGND
VIN
REFOUT
REFIN
REFSEL
描述
对模拟电路的正电源
去耦引脚的内部偏置电压。 A 1 nF电容应放置该引脚之间
和AGND 。
电源接地模拟电路
模拟输入。单端模拟输入通道。
参考输出。 REFOUT连接到内部2.5 V基准电压缓冲器的输出。 470 nF的
电容必须放置在该引脚与AGND之间。
参考输入。一个470 nF的电容必须放置在该引脚与AGND之间。当使用
外部参考电压源,基准电压应适用于该引脚。
参考解耦引脚。当使用内部基准, 1 nF的电容必须连接
此引脚与AGND 。当使用外部参考源时,此引脚应连接
直接到AGND 。
待机逻辑输入。当该引脚为逻辑高电平时,器件将被置于待机模式。
详情参见节能节。
NAP逻辑输入。当该引脚为逻辑高电平时,该装置将被置于一个非常低功率模式。
详情参见节能节。
芯片选择逻辑输入。该引脚用于与
RD
访问转换结果。
数据总线是带出的三态和输出寄存器的当前内容驱动
到数据线以下二者的下降沿
CS
RD 。 CS
还结合使用
与WRITE执行写入失调寄存器。
CS
可以用硬连线永久较低。
阅读逻辑输入。配合使用
CS
访问转换结果。
写逻辑输入。配合使用
CS
将数据写入到所述偏移寄存器。当
期望的偏移字已被放置在数据总线,该写行应是脉冲高。这是
此脉冲锁存的字到偏移寄存器的下降沿。
忙碌的逻辑输出。该管脚指示转换过程的状态。该
信号变
下降沿后低
CONVST
并保持低电平的转换的持续时间。在并行
模式1中,所述
当转换结果被锁存到输出信号返回高
注册。在并行模式2中,
信号返回高电平,一旦转换已
完成了,但是转换结果不会被锁存到输出寄存器,直到落下
的下边缘
CONVST
脉搏。
这些引脚应通过拉100 kΩ的电阻接地。
数据I / O位( D11是MSB) 。这些是通过控制三态销
CS , RD ,
WRITE 。这些引脚的工作电压电平由在V确定
DRIVE
输入。
对于数字电路电源正极
数字电路的接地参考
逻辑电源输入。此引脚的电源电压将确定在什么电压
该装置的接口逻辑将运行。
数据输出位为超出量程。如果不使用超出上限的特征时,该引脚被拉到
通过一个100 kΩ电阻DGND 。
转换启动逻辑输入。 A转换上的下降沿启动
CONVST
信号。
输入采样和保持放大器的推移从音迹方式来保存模式和转换过程
开始。
复位逻辑输入。该引脚上的下降沿复位内部状态机和终止
转换可能正在进行中。偏移寄存器的内容也将在此清
边缘。持此引脚为低电平保持部分处于复位状态。
操作模式逻辑输入。请参阅表三的详细信息。
操作模式逻辑输入。请参阅表三的详细信息。
逻辑输入。逻辑高电平在这个引脚使能输出削波。在这种模式下,任何输入电压
大于正的满量程或低于负满量程将被剪切为所有“1”或全“0 ”
分别。进一步详情载于偏置/超限部分。
16
17
18
STBY
CS
19
20
RD
21
22, 23
24–28, 33–39
29
30, 31
32
40
41
R1, R2
D0–D11
DV
DD
DGND
V
DRIVE
D12
CONVST
42
RESET
43
44
45
MODE2
MODE1
第0版
–5–
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AD7482BST
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-22669259 83214703
联系人:李先生,夏小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室
AD7482BST
AD
2116+
50000
QFP
全新原装
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
AD7482BST
ADI/亚德诺
2024
16880
SOP16
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
AD7482BST
ADI/亚德诺
24+
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全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-83247290
联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
AD7482BST
ANA
23+
2976
原厂封装
绝对进口原装,公司现货
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电话:0755-83361530
联系人:朱小姐
地址:深圳褔田区华强北上步工业区201栋303A
AD7482BST
AD
403
11
QFP-48
专业元器件20年 只做原装
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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ADI/亚德诺
2024
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联系人:吴小姐/朱先生
地址:罗湖区泥岗东路1116号红岗花园2栋一单元502室
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23/24+
11
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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Analog Devices Inc.
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联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
AD7482BST
Analog Devices Inc.
24+
10000
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