a
特点
指定V
DD
2.7 V至5.25 V
1.75 MSPS AD7470为（ 10位）
1.5 MSPS的AD7472 （ 12位）
低功耗
AD7470 ： 3.34 mW的典型值在1.5 MSPS ，3 V电源
7.97 mW的典型值在1.75 MSPS ，5 V电源
AD7472 ： 3.54 mW的典型值在1.2 MSPS ，3 V电源
8.7 mW的典型值在1.5 MSPS ，5 V电源
宽输入带宽
70分贝典型SNR为500 kHz输入频率
灵活的功耗/呑吐量管理
无流水线延迟
高速并行接口
睡眠模式： 50 nA的典型值
24引脚SOIC和TSSOP封装
概述
V
IN
1.75 MSPS ， 4 mW的
10位/ 12位并行ADC
AD7470/AD7472
功能框图
AV
DD
DV
DD
在REF
V
DRIVE
T / H
10-/12-BIT
连续
近似
ADC
DB9 （ DB11 ）
产量
DRIVERS
DB0
CLK IN
CONVST
控制
逻辑
CS
RD
忙
AD7470/AD7472
AGND
DGND
在AD7470 / AD7472是10位/ 12位高速，低功耗，
逐次逼近型ADC 。该零件由一个单一操作
2.7 V至5.25 V电源供电，最高吞吐量可达
1.5 MSPS的12位AD7472和高达1.75 MSPS的
10位AD7470 。该器件内置一个低噪声，宽带宽
跟踪和保持放大器，可处理的输入频率
超过1MHz 。
转换过程和数据采集控制
通过标准控制输入，可轻松连接
微处理器或DSP 。所述输入信号进行采样的
的下降沿
CONVST ，
并且也开始在转换
这一点。 BUSY变为高电平时转换的开始和
变低531.66纳秒后的下降沿
CONVST
(AD7472
以26 MHz的时钟频率），即表示CON组
版本是完整的。有无流水线延迟
同的部分。转换结果通过标准浏览
CS
和
RD
信号通过高速并行接口。
在AD7470 / AD7472采用先进的设计技术，
实现在高吞吐量的极低的功耗。同
3 V电源， 1.5 MSPS吞吐速率，在AD7470
通常消耗，平均只有1.1毫安。采用5 V电源
和1.75 MSPS，平均电流消耗典型地是
1.6毫安。该器件还提供灵活的功耗/吞吐速率
管理。操作AD7470采用3 V电源和
500 kSPS的吞吐降低电流消耗713
A.
在5 V电源， 500 kSPS时，功耗为944
A.
AD7470 IS WITH DB0至DB9为输出一个10位的部分。
AD7472 IS WITH DB0 TO DB11为输出12位的部分。
另外，也可以以操作部件在自动睡眠模式，
其中一部分醒来做了转换，并自动
进入睡眠模式的转变的结束。这种方法允许
极低的功耗数以较低的吞吐速率。
在这种模式下， AD7472可以采用3 V电源在操作
100 kSPS时，并消耗仅为124的平均电流
A.
At
5 V电源， 100 kSPS时，平均电流消耗
171
A.
模拟输入范围是0 V至REF IN 。 2.5 V
外部基准电压通过REF IN引脚。该转换
锡永速率由外部施加的时钟来确定。
产品亮点
1.高吞吐量，低功耗。该
AD7470提供1.75 MSPS吞吐量和AD7472
提供1.5 MSPS吞吐量4毫瓦功率利率
消费。
2.灵活的功耗/呑吐量管理。该转换
锡永速率通过一个外部施加的时钟确定的允许 -
荷兰国际集团的功率被减小，转化率降低。
该器件还具有自动休眠模式，以最大限度地提高电源
效率较低的吞吐速率。
3.无流水线延迟。该器件具有一个标准逐次
逼近型ADC，采样的精确控制
通过瞬间
CONVST
输入和一次性转换控制。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
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AD7470/AD7472
AD7470–SPECIFICATIONS
参数
动态性能
信号与噪声+失真比（SINAD ）
信号 - 噪声比（ SNR）的
总谐波失真（ THD ）
峰值谐波或杂散噪声（ SFDR ）
互调失真（ IMD ）
二阶项
三阶项
孔径延迟
孔径抖动
全功率带宽
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
模拟量输入
输入电压范围
直流漏电流
输入电容
参考输入
REF IN输入电压范围
直流漏电流
输入电容
逻辑输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
IN
输入电容，C
IN4
逻辑输出
输出高电压，V
OH
输出低电压，V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
输出编码
转化率
转换时间
跟踪和保持捕获时间
吞吐率
电源要求
V
DD
I
DD5
普通模式
静态电流
普通模式
静态电流
睡眠模式
功耗
5
普通模式
睡眠模式
5V
60
60
60
60
–83
–75
–85
–75
–79
–75
–77
–75
5
15
20
10
±
1
±
0.9
±
2.5
±
1
1
(V
DD
= 2.7 V至5.25 V
2
， REF IN = 2.5 V，F
CLKIN
= 30兆赫@ 5 V和24兆赫，3 V ;
3
T
A
= T
民
给T
最大
除非另有说明）。
单位
3V
60
60
60
60
–83
–75
–85
–75
–75
–75
–75
–75
5
15
20
10
±
1
±
0.9
±
2.5
±
1
0至REF IN
±
1
33
2.5
±
1
10/20
2.4
0.4
±
1
10
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
dB典型值
最大分贝
dB典型值
最大分贝
dB典型值
最大分贝
dB典型值
最大分贝
纳秒（典型值）
ps的典型值
兆赫（典型值）
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
V
A
最大
pF的典型值
V
A
最大
pF的典型值
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
±
对于指定的性能1 ％
跟踪和保持模式
测试条件/评论
f
S
= 1.75 MSPS @ 5 V，F
S
= 1.5 MSPS ，3 V
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
@ 3分贝
f
S
= 1.75 MSPS @ 5 V ; F
S
= 1.5 MSPS ，3 V
保证无漏码为10位
A版
1
0至REF IN
±
1
33
2.5
±
1
10/20
2.4
0.4
±
1
10
通常情况下10 nA的，V
IN
= 0 V或V
DD
I
来源
= 200
A
I
SINK
= 200
A
V
DD
= 2.7 V至5.25 V
V
DRIVE
– 0.2
V
DRIVE
– 0.2
0.4
0.4
±
10
±
10
10
10
直（自然科学）二进制
12
135
1.75
12
135
1.5
CLK IN周期（最大）
ns（最小值）
MSPS最高
转换时间+采集时间
30 MHz的CLK IN @ 5 V和24兆赫，3 V
+2.7/+5.25
2.4
900
1.5
800
1
12
4.5
5
3
V最小/最大
最大mA
A
最大
最大mA
A
最大
A
最大
毫瓦MAX
毫瓦MAX
W
最大
W
最大
数字输入= 0 V或DV
DD
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ; F
S
= 1.75 MSPS ;典型2毫安
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ; F
S
= 1.75 MSPS
V
DD
= 2.7 V至3.3 V ; F
S
= 1.5 MSPS ;典型1.3毫安
V
DD
= 2.7 V至3.3 V ; F
S
= 1.5 MSPS
CLK IN = 0 V或DV
DD
数字输入= 0 V或DV
DD
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V ; CLK IN = 0 V或DV
DD
V
DD
= 3 V ; CLK IN = 0 V或DV
DD
笔记
1
温度范围如下：A版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
AD7470的功能工作在2.35 V.典型规格@ 25°C的SNR （ 100千赫） = 59分贝; THD （ 100千赫） = -84分贝; INL
±
0.8 LSB 。
3
在AD7470通常保持A级性能高达125°C ，具有20 MHz的减少CLK @ 5 V和16兆赫@ 3 V时典型的睡眠模式电流@ 125°C为700 nA的。
4
样品测试@ 25°C ，以确保合规性。
5
请参阅电源与吞吐率部分。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本B
AD7470/AD7472
=
2.5 V和B版本：
AD7472–SPECIFICATIONS
1
（五MHz2.7 V3至5.25电视， REFTIN =除非Aotherwise注意。 ）F
20
@ V， T =
to
,
DD
2
A
民
最大
CLKIN
= 26 MHz的@ 5 V和
参数
A版
1
3V
69
68
70
68
–78
–84
–75
–81
–86
–76
–77
–86
–77
–86
5
15
20
12
±
2
±
1.8
±
10
±
2
5V
69
68
70
68
–83
–83
–75
–86
–86
–76
–77
–86
–77
–86
5
15
20
12
±
1
B版本
1
3V
69
68
70
68
–78
–84
–75
–81
–86
–76
–77
–86
–77
–86
5
15
20
12
±
1
±
0.9
±
10
±
2
单位
dB典型值
分贝分钟
dB典型值
分贝分钟
dB典型值
dB典型值
最大分贝
dB典型值
dB典型值
最大分贝
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
纳秒（典型值）
ps的典型值
兆赫（典型值）
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
V
A
最大
pF的典型值
V
A
最大
pF的典型值
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
测试条件/评论
f
S
= 1.5 MSPS @ 5 V，F
S
= 1.2 MSPS ，3 V
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
@ 3分贝
f
S
= 1.5 MSPS @ 5 V
,
f
S
= 1.2 MSPS ，3 V
动态性能
5V
信号与噪声+失真比（SINAD ） 69
68
信号 - 噪声比（ SNR）的
70
68
总谐波失真（ THD ） -83
–83
–75
峰值谐波或杂散噪声
（ SFDR ）
–86
–86
–76
互调失真（ IMD ）
二阶项
–77
–86
三阶项
–77
–86
孔径延迟
5
孔径抖动
15
全功率带宽
20
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
模拟量输入
输入电压范围
直流漏电流
输入电容
参考输入
REF IN输入电压范围
直流漏电流
输入电容
逻辑输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
IN
输入电容，C
IN3
逻辑输出
输出高电压，V
OH
输出低电压，V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
输出编码
转化率
转换时间
跟踪和保持捕获时间
吞吐率
电源要求
V
DD
I
DD4
普通模式
静态电流
普通模式
静态电流
睡眠模式
功耗
4
普通模式
睡眠模式
12
±
2
±
1.8
±
10
±
2
±
0.9
±
10
±
2
保证无漏码为11位
（ A版）
保证无漏码至12位
（B版）
0至REF IN 0至REF IN
±
1
±
1
33
33
2.5
±
1
10/20
2.4
0.4
±
1
10
2.5
±
1
10/20
2.4
0.4
±
1
10
0至REF IN 0至REF IN
±
1
±
1
33
33
2.5
±
1
10/20
2.4
0.4
±
1
10
2.5
±
1
10/20
2.4
0.4
±
1
10
±
对于指定的性能1 ％
跟踪和保持模式
通常情况下10 nA的，V
IN
= 0 V或V
DD
I
来源
= 200
A
I
SINK
= 200
A
V
DD
= 2.7 V至5.25 V
V
DRIVE
– 0.2 V
DRIVE
– 0.2
0.4
0.4
±
10
±
10
10
10
直（自然科学）二进制
14
135
1.5
+2.7/+5.25
2.4
900
1.5
800
1
12
4.5
5
3
14
135
1.2
V
DRIVE
– 0.2 V
DRIVE
– 0.2
0.4
0.4
±
10
±
10
10
10
直（自然科学）二进制
14
135
1.5
+2.7/+5.25
2.4
900
1.5
800
1
12
4.5
5
3
14
135
1.2
CLK IN
周期（最大）
ns（最小值）
MSPS最高
V最小/最大
最大mA
A
最大
最大mA
A
最大
A
最大
毫瓦MAX
毫瓦MAX
W
最大
W
最大
转换时间+采集时间
数字输入= 0 V或DV
DD
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ;典型2毫安; F
S
= 1.5 MSPS
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ; F
S
= 1.5 MSPS
V
DD
= 2.7 V至3.3 V ;典型1.3毫安; F
S
= 1.2 MSPS
V
DD
= 2.7 V至3.3 V ; F
S
= 1.2 MSPS
CLK IN = 0 V或DV
DD
数字输入= 0 V或DV
DD
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V ; CLK IN = 0 V或DV
DD
V
DD
= 3 V ; CLK IN = 0 V或DV
DD
笔记
1
温度范围如下： A和B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
在AD7472功能工作在2.35 V.典型规格@ 25°C的SNR （ 100千赫） = 68分贝; THD （ 100千赫） = -84分贝; INL
±
0.8 LSB 。
3
样品测试@ 25°C ，以确保合规性。
4
请参阅电源与吞吐率部分。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本B
–3–
AD7470/AD7472
AD7472–SPECIFICATIONS
参数
动态性能
信号与噪声+失真比（SINAD ）
信号 - 噪声比（ SNR）的
总谐波失真（ THD ）
峰值谐波或杂散噪声（ SFDR ）
互调失真（ IMD ）
二阶项
三阶项
孔径延迟
孔径抖动
全功率带宽
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
模拟量输入
输入电压范围
直流漏电流
输入电容
参考输入
REF IN输入电压范围
直流漏电流
输入电容
逻辑输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
IN
输入电容，C
IN3
逻辑输出
输出高电压，V
OH
输出低电压，V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
输出编码
转化率
转换时间
跟踪和保持捕获时间
吞吐率
电源要求
V
DD
I
DD4
普通模式
静态电流
普通模式
静态电流
睡眠模式
功耗
4
普通模式
睡眠模式
5V
69
68
70
68
–83
–83
–75
–86
–86
–76
–77
–86
–77
–86
5
15
20
12
±
2
±
1.8
±
10
±
2
=
V
2.5 V，Y版本：
CLKIN
=
1
(V
DD
MHz2.7 V至5.25 T， REFTIN =除非另有fnoted 。 ） 20兆赫@ 5 V和
14
（3 V） ; T =
to
,
A
民
最大
2
版本
1
3V
69
68
70
68
–78
–84
–75
–81
–86
–76
–77
–86
–77
–86
5
15
20
12
±
2
±
1.8
±
10
±
2
0至REF IN
±
1
33
2.5
±
1
10/20
2.4
0.4
±
1
10
单位
dB典型值
分贝分钟
dB典型值
分贝分钟
dB典型值
dB典型值
最大分贝
dB典型值
dB典型值
最大分贝
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
纳秒（典型值）
ps的典型值
兆赫（典型值）
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
V
A
最大
pF的典型值
V
A
最大
pF的典型值
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
测试条件/评论
f
S
= 1.2 MSPS @ 5 V，F
S
= 875 kSPS时，3 V
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
f
IN
= 500 kHz正弦波
f
IN
= 100kHz的正弦波
@ 3分贝
f
S
= 1.2 MSPS @ 5 V ; F
S
= 875 kSPS时，3 V
保证无漏码为11位
0至REF IN
±
1
33
2.5
±
1
10/20
2.4
0.4
±
1
10
±
对于指定的性能1 ％
跟踪和保持模式
通常情况下10 nA的，V
IN
= 0 V或V
DD
I
来源
= 200
A
I
SINK
= 200
A
V
DD
= 2.7 V至5.25 V
V
DRIVE
– 0.2
V
DRIVE
– 0.2
0.4
0.4
±
10
±
10
10
10
直（自然科学）二进制
14
140
1200
+2.7/+5.25
2.4
900
1.5
800
2
12
4.5
10
6
14
140
875
CLK IN周期（最大）
ns（最小值）
kSPS的最大
V最小/最大
最大mA
A
最大
最大mA
A
最大
A
最大
毫瓦MAX
毫瓦MAX
W
最大
W
最大
转换时间+采集时间
数字输入= 0 V或DV
DD
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ; F
S
= 1.2 MSPS ;典型2毫安
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ; F
S
= 1.2 MSPS
V
DD
= 2.7 V至3.3 V ; F
S
= 875 kSPS时;典型1.3毫安
V
DD
= 2.7 V至3.3 V ; F
S
= 875 kSPS时
CLK IN = 0 V或DV
DD
数字输入= 0 V或DV
DD
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V ; CLK IN = 0 V或DV
DD
V
DD
= 3 V ; CLK IN = 0 V或DV
DD
笔记
1
温度范围如下：Y版本： -40 ° C至+ 125°C 。
2
在AD7472功能工作在2.35 V.典型规格@ 25°C的SNR （ 100千赫） = 68分贝; THD （ 100千赫） = -84分贝; INL
±
0.8 LSB 。
3
样品测试@ 25°C ，以确保合规性。
4
请参阅电源与吞吐率部分。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–4–
版本B
AD7470/AD7472
时序特定网络阳离子
1
(V
参数
f
CLK 2
t
兑换
t
唤醒
t
1
t
2
10
30
436.42
1
10
10
30
t
3
t
4 3
t
5
t
6 3
t
7 4
t
8
t
9
t
10
0
0
20
15
8
0
135
100
DD
= 2.7 V至5.25 V ， REF IN = 2.5 V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
除非另有说明）。
单位
千赫分钟
兆赫最大
ns（最小值）
s
最大
ns（最小值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最大值）
ns（最小值）
描述
在T限制
民
, T
最大
AD7470
AD7472
10
26
531.66
1
10
10
15
30
35
0
0
20
15
8
0
135
140
100
t
CLK
= 1/f
CLK IN
唤醒时间
CONVST
脉冲宽度
CONVST
繁忙的延迟，
V
DD
= 5 V ， A和B版本
V
DD
= 5 V，Y版本
V
DD
= 3 V ， A和B版本
V
DD
= 3 V，Y版本
忙
CS
建立时间
CS
to
RD
建立时间
RD
脉冲宽度
数据访问时间的下降沿后
RD
总线释放时间的上升沿之后
RD
CS
to
RD
保持时间
采集时间
A和B版本
版本
安静的时间
笔记
1
在25℃下的样品进行测试，以确保遵守。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的
DD
），并定时从1.6 V的电压电平
参见图1 。
2
马克/空间比例为CLK输入为40/60至60/40 。第一CLK的脉冲应在10 ns的最小距离的下降沿
CONVST 。
3
测定图1和德音响的定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.0V。负载电路
4
t
7
从采取的数据输出改变0.5 V的测量时间衍生当载有图1中的电路测量的数目，然后外推
背面去除的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着该时间t
7
在时序特性所，是真正的总线释放
的部分和的时间是独立的总线负载的。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
200 A
I
OL
输出
针
1.6V
C
L
50pF
200 A
I
OH
图1.负载电路的数字输出时序规范
版本B
–5–
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