a
特点
超低噪声性能
2.9纳伏/
Hz
在10 kHz
0.38 V P-P ， 0.1 Hz至10 Hz
6.9 FA /
Hz
电流噪声在1 kHz
卓越的AC性能
12.5 V / s的压摆率
20 MHz的增益带宽积
THD = 0.0002 ％@ 1 kHz的
内部补偿为+5收益（或-4 ）或
更大
出色的直流性能
0.5 mV的最大失调电压
250 pA的最大输入偏置电流
2000 V / mV的最小开环增益
可在磁带和卷轴在按照
EIA- 481A标准
应用
声纳
光电二极管和红外探测器放大器
加速度计
低噪声前置放大器
高性能音频
超低噪声，
高速， BiFET运算放大器
AD745
接线图
16引脚SOIC （R ）封装
放大器，用于高速应用中，要求低噪声和
高直流精度。此外， AD745不表现
输出相位反转。
该AD745还与250 pA的出色的直流性能
最大输入偏置电流和0.5 mV（最大值）的失调电压。
在AD745的内部补偿的高优化
增益，从而提供高得多的带宽，并以更快的摆
率。这使得AD745作为前置放大器是特别有用
其中低电平信号需要一个放大器，它可提供
高放大和宽带宽在这些较高的收益。
该AD745是两种性能等级。该AD745J
和AD745K的额定在商用温度范围
0° C至70 ° C，并在16引脚SOIC封装。
120
120
产品说明
该AD745是一款超低噪声，高速， FET输入操作
tional放大器。它同时提供了超低电压噪声和
高速一般用双极输入运算放大器和相关
的FET输入器件的非常低的输入电流。其20 MHz的
带宽和12.5 V / μs压摆率使AD745的理想
1000
R
来源
输入噪声电压 - 纳伏/赫兹
E
O
100
R
来源
OP37和
电阻器
100
相
80
60
收益
40
20
0
100
80
60
40
AD745与电阻
OR
OP37与电阻
10
AD745和
电阻器
20
0
–20
100M
电阻噪声ONLY
1
100
1k
10k
100k
源电阻 -
1M
10M
–20
100
1k
10k
100k
1M
频率 - 赫兹
10M
图1 。
图2中。
Rev. D的
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
相位裕度 - 度
开环增益 - 分贝
AD745–SPECIFICATIONS
AD745电气特性
模型
条件
输入失调电压
1
初始偏移
初始偏移
与温度。
与供应（ PSRR ）
与供应（ PSRR ）
输入偏置电流
3
任一输入
任一输入
@ T
最大
任一输入
任一输入，V
S
=
±
5 V
输入失调电流
失调电流
@ T
最大
频率响应
增益带宽，小信号
全功率响应
压摆率
建立时间0.01％
总谐波
失真
4
输入阻抗
迪FF erential
共模
输入电压范围
迪FF erential
5
共模电压
在最大工作范围
6
共模
抑制比
输入电压噪声
民
（ @ 25 ℃，
AD745J
典型值
0.25
15伏直流电，除非另有说明。 ）
最大
1.0
1.5
100
98
400
8.8
600
200
150
2.2
民
AD745K
典型值
0.1
2
106
105
150
250
5.5
400
125
75
1.1
20
120
12.5
5
0.0002
1
×
10
10
20
3
×
10
11
18
±
20
+13.3, –10.7
+12
–10
90
88
102
0.38
5.5
3.6
3.2
2.9
6.9
2000
1800
4000
1200
+13, –12
1.0
10.0
6.0
5.0
4.0
+12
nA
pA
pA
pA
nA
兆赫
千赫
V / μs的
s
%
pF
pF
V
V
V
dB
dB
V
p-p
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
V / MV
V / MV
V / MV
V
+13.6, –12.6
+12, –10
+13.8, –13.1
40
±
15
8
50
V
V
V
mA
V
V
mA
最大
0.5
1.0
单位
mV
mV
μV/°C
dB
dB
pA
T
民
给T
最大
T
民
给T
最大
12 V至18 V
2
T
民
给T
最大
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= +10 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
G = –4
V
O
= 20 V P-P
G = –4
F = 1千赫
G = –4
90
88
2
96
150
250
30
40
250
30
30
20
120
12.5
5
0.0002
1
×
10
10
20
3
×
10
11
18
±
20
+13.3, –10.7
–10
V
CM
=
±
10 V
T
民
给T
最大
为0.110赫兹
F = 10赫兹
F = 100赫兹
F = 1千赫
F = 10千赫
F = 1千赫
V
O
=
±
10 V
R
负载
≥
2 k
T
民
给T
最大
R
负载
= 600
R
负载
≥
600
R
负载
≥
600
T
民
给T
最大
R
负载
≥
2 k
短路
80
78
95
0.38
5.5
3.6
3.2
2.9
6.9
5.0
4.0
输入电流噪声
开环增益
1000
800
4000
1200
输出特性
电压
+13, –12
+13.6, –12.6
+12, –10
±
12
20
+13.8, –13.1
40
±
15
8
当前
电源
额定性能
工作范围
静态电流
晶体管数量
20
±
4.8
＃晶体管的
±
18
10.0
±
4.8
±
18
10.0
50
笔记
1
输入失调电压规格不超过五分钟的操作在T后保证
A
= 25°C.
2
测试条件： + V
S
= 15 V, –V
S
= 12 V至18 V和+ V
S
= 12 V至+18 V， -V
S
= 15 V.
3
偏置电流规格都保证在最大的两个输入5分钟运行在T后
A
= 25°C 。对于较高的温度，电流加倍，每10 ℃。
4
增益= -4 ，R
L
= 2 kΩ的，C
L
= 10 pF的。
5
定义为输入端之间的电压，这样既不超过
±
10伏常见。
6
在AD745不呈现输出反相超过负共模极限时。
所有的最小和最大规格有保证。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
Rev. D的
AD745
绝对最大额定值
1
ESD敏感性
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
18 V
内部功耗
2
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.2 W
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
S
输出短路持续时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + V
S
和-V
S
存储温度范围（ R） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
工作温度范围
AD745J / K 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
铅温度范围（焊接60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300∞C
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
16引脚塑封SOIC封装形式：
θ
JA
= 100 ° C / W ，
θ
JC
= 30 °C / W
每MIL -STD- 883C方法3015.6的ESD分类
已在AD745 ，它是一个1级的设备进行。
使用IMCS 5000自动防静电测试仪，两个空针
会通过了在电压为1000伏，而所有其他引脚会
通过在电压超过2500伏。
订购指南
模型
AD745JR-16
AD745KR-16
*
温度范围
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
包
选项
*
R-16
R-16
R =小外形集成电路。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
该AD745具有专用ESD保护电路，造成永久性损坏可能对设备产生
经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
Rev. D的
–3–
AD745 - 典型性能特征
20
R
负载
= 10k
（ @ + 25°C ，V
S
=
15V，除非另有说明。 ）
35
20
R
负载
= 10k
输出电压摆幅 - V P-P
30
25
20
15
10
5
0
10
输入电压摆幅 - V
15
+V
IN
10
–V
IN
5
输入电压摆幅 - V
15
积极
供应
10
负
供应
5
0
0
5
10
电源电压
15
伏
20
0
0
5
10
电源电压
15
伏
20
100
1k
负载电阻 -
10k
TPC 1.输入电压摆幅与
电源电压
TPC 2.输出电压摆幅与
电源电压
TPC 3.输出电压摆幅与
负载电阻
12
10
–6
输入偏置电流 - 安培
200
100
静态电流 - 毫安
10
–7
输出阻抗 -
10
–8
10
–9
10
–10
10
–11
10
–12
–60 –40 –20
0.01
10k
10
9
6
1
闭环增益= -5
0.1
3
0
0
5
10
电源电压
15
伏
20
0 20 40 60 80 100 120 140
温度 - C
100k
1M
10M
频率 - 赫兹
100M
TPC 4.静态电流 -
电源电压
TPC 5.输入偏置电流 -
温度
TPC 6.输出阻抗 -
频率
300
10
–6
28
增益带宽积 - 兆赫
0 20 40 60 80 100 120 140
温度 - C
输入偏置电流 - 安培
输入偏置电流 - pA的
10
–7
10
–8
10
–9
10
–10
10
–11
10
–12
–60 –40 –20
26
24
22
20
18
16
14
–60 –40 –20
200
100
0
–12
–9
–6
–3
0
3
6
9
共模电压 - V
12
0 20 40 60 80 100 120 140
温度 - C
TPC 7.输入偏置电流 -
共模电压
TPC 8.短路电流限制与
温度
TPC 9.增益带宽积主场迎战
温度
–4–
Rev. D的
AD745
120
100
开环增益 - 分贝
压摆率 - V / S
14
150
R
L
= 2k
80
60
40
20
0
–20
100
收益
12
开环增益 - 分贝
相
140
130
闭环增益= 5
10
120
100
1k
10k 100k
1M
频率 - 赫兹
10M
100M
8
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 110 120
温度 - C
80
0
10
5
电源电压
15
伏
20
TPC 10.开环增益和相位
与频率的关系
TPC 11.摆率与温度的关系
TPC 12.开环增益与
电源电压
120
共模抑制比 - 分贝
120
35
R
L
= 2k
电源抑制 - 分贝
110
100
90
80
V
cm
=
70
60
50
100
10V
输出电压摆幅 - V P-P
100
+电源
80
30
25
20
15
10
5
0
10k
60
●供应
40
20
0
100
1k
10k
100k
频率 - 赫兹
1M
10M
1k
10k 100k
1M
频率 - 赫兹
10M
100M
100k
1M
频率 - 赫兹
10M
TPC 13.共模抑制比
频率
TPC 14.电源抑制
与频率的关系
TPC 15.大信号频率
响应
–60
0.1
噪声电压（折合到输入端） - 内华达州/ Hz的
总谐波失真（ THD ） - 分贝
总谐波失真（ THD ） - ％
–40
1.0
电流噪声谱密度 -
f
A / Hz的
100
1k
10
闭环增益= 5
100
–80
增益= 10
–100
GAIN = 100
–120
GAIN = -4
0.01
0.001
1.0
10
0.0001
–140
10
100
1k
10k
频率 - 赫兹
0.00001
100k
0.1
10
1.0
1
10
100
1k
频率 - 赫兹
10k
100k
100
1k
10k 100k
频率 - 赫兹
1M
10M
TPC 16.总谐波失真
与频率的关系
TPC 17.输入噪声电压
谱密度
TPC 18.输入噪声电流
谱密度
Rev. D的
–5–
QQ：2880707522 复制
