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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1758页 > AD7450ARZ-REEL
a
特点
高吞吐量: 1 MSPS
指定V
DD
3 V和5 V
低功耗的最大吞吐量:
3.75毫瓦最大为833 kSPS时采用3 V电源
9毫瓦最大的1 MSPS ,5 V电源
全差分模拟输入
宽输入带宽:
70分贝SINAD在300 kHz的输入频率
灵活的功耗/串行时钟速度管理
无流水线延迟
高速串行接口, SPI
TM
/ QSPI
TM
微丝
TM
/ DSP兼容
掉电模式: 1 A最大
8引脚SOIC和SOIC封装
应用
传感器接口
电池供电系统
数据采集系统
便携式仪表
电机控制
通讯
概述
差分输入, 1 MSPS
12位ADC,采用SOIC -8和SO- 8
AD7450
功能框图
V
DD
V
IN +
T / H
V
IN-
V
REF
12位逐次
近似
ADC
AD7450
SCLK
控制
逻辑
SDATA
CS
GND
该AD7450是一款12位,高速,低功耗,逐次
逼近(SAR)模拟 - 数字转换器,具有一个
全差分模拟输入。它采用单3 V或5 V
电源供电,最高吞吐量达833 kSPS时或
1 MSPS ,分别。
该器件内置一个低噪声,宽带宽,差分track-
和保持放大器( T / H) ,可处理的输入频率
超过100 MHz的-3 dB点通常为20兆赫。
参考电压为AD7450的外部施加到
V
REF
销,并且可以在100 mV变化到3.5伏,这取决于
上的电源和什么适合该应用程序。的值
基准电压确定的共模电压
范围的一部分。有了这个真正的差分输入结构和
可变基准电压输入时,用户可以选择各种输入的
范围和偏置点。
的转化率和数据采集过程控制
运用
CS
和串行时钟,使器件进行接口
与微处理器或DSP 。的输入信号进行采样
上的下降沿
CS ,
并且也开始在转换
这一点。
这部分采用SAR架构,确保了没有
流水线延迟。
SPI和QSPI是Motorola,Inc.的商标。
MICROWIRE是美国国家半导体公司的商标。
在AD7450采用先进的设计技术,实现了低
功耗在高吞吐量。
产品亮点
1.操作与3 V或5 V电源供电。
2.高吞吐量,低功耗。用3 V
供应, AD7450提供3.75 mW的最大功率消耗
为833 kSPS的吞吐。
3.全差分模拟输入。
4.灵活的功耗/串行时钟速度管理。转换
速率由串行时钟确定,因此电源
要减少转换时间,通过减少
串行时钟速度增加。这部分还设有一个
关断模式,以最大限度地提高电源EF网络效率在较低
吞吐率。
5.可变参考电压输入。
6.无流水线延迟。
通过一个采样时刻7.精确控制
CS
输入
一次性转换控制。
8. ENOB > 8位通常采用100 mV的参考。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781/461/3113
ADI公司, 2002年
AD7450–SPECIFICATIONS
1
(V
参数
动态性能
信号与(噪声+失真)比
( SINAD )
3
总谐波失真( THD )
3
峰值谐波或杂散噪声
3
互调失真( IMD )
3
二阶条款
三阶条款
孔径延迟
3
孔径抖动
3
全功率带宽
3
电源抑制比
( PSRR )
3, 4
DC精度
决议
积分非线性( INL )
3
微分非线性( DNL )
3
零代码错误
3
= 2.7 V至3.3 V,F
SCLK
= 15兆赫,女
S
= 833 kSPS时,V
REF
= 1.25 V,F
IN
= 200千赫;
V
DD
= 4.75 V至5.25 V,F
SCLK
= 18兆赫,女
S
= 1 MSPS ,V
REF
= 2.5 V,F
IN
= 300千赫; V
CM2
= V
REF
; T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
DD
条件/评论
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V , -80 dB典型值
V
DD
= 3 V , -78 dB典型值
V
DD
= 5 V , -82 dB典型值
V
DD
= 3 V , -80 dB典型值
A版
70
68
–75
–73
–75
–73
–85
–85
10
50
20
2.5
–87
12
±
2
B版本
70
68
–75
–73
–75
–73
–85
–85
10
50
20
2.5
–87
12
±
1
±
1
±
3
±
6
±
3
±
6
±
3
±
6
V
IN +
– V
IN-
V
CM
±
V
REF
/2
V
CM
±
V
REF
/2
±
1
20
6
单位
分贝分钟
分贝分钟
最大分贝
最大分贝
最大分贝
最大分贝
dB典型值
dB典型值
纳秒(典型值)
ps的典型值
兆赫(典型值)
兆赫(典型值)
dB典型值
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
V
V
V
A
最大
pF的典型值
pF的典型值
@ -3分贝
@ -0.1分贝
正增益误差
3
负增益误差
3
模拟量输入
满量程输入范围
绝对输入电压
V
IN +
V
IN-
直流漏电流
输入电容
参考输入
V
REF
输入电压
保证没有错过
码到12位
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
2
V
REF5
–1/+2
±
3
±
6
±
3
±
6
±
3
±
6
V
IN +
– V
IN-
V
CM
±
V
REF
/2
V
CM
±
V
REF
/2
±
1
20
6
V
CM2
= V
REF
V
CM2
= V
REF
当轨道
当保持
5 V电源( ± 1 %容差
指定的性能)
3 V电源( ± 1 %容差
指定的性能)
2.5
6
1.25
7
±
1
15
2.4
0.8
±
1
10
2.8
2.4
0.4
±
1
10
两公司
2.5
6
1.25
7
±
1
15
2.4
0.8
±
1
10
2.8
2.4
0.4
±
1
10
两公司
V
V
A
最大
pF的典型值
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
直流漏电流
V
REF
输入电容
逻辑输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
IN
输入电容,C
IN8
逻辑输出
输出高电压,V
OH
输出低电压,V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
8
输出编码
通常情况下10 nA的,V
IN
= 0 V或V
DD
V
DD
= 5 V,I
来源
= 200
A
V
DD
= 3 V,I
来源
= 200
A
I
SINK
= 200
A
–2–
REV 。一
AD7450
参数
转化率
转换时间
跟踪和保持
采集时间
3, 8
吞吐率
9
电源要求
V
DD
I
DD10, 11
正常模式(静态)
正常模式(工作)
完全关断模式
功耗
正常模式(工作)
条件/评论
888 ns的有18 MHz的SCLK
1.07
s
具有15 MHz的SCLK
正弦波输入
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
范围: 3 V
±
10%; 5 V
±
5%
V
DD
= 3 V / 5 V SCLK ; ON或OFF
V
DD
= 5 V ; F
样品
= 1 MSPS
V
DD
= 3 V ; F
样品
= 833 kSPS时
SCLK开启或关闭
V
DD
= 5 V ; F
样品
= 1 MSPS ;
1.38毫瓦(典型值)为100 KSPS
10
V
DD
= 3 V ; F
样品
= 833 kSPS时;
0.53毫瓦(典型值)为100 KSPS
10
V
DD
= 5 V ; SCLK或关闭
V
DD
= 3 V ; SCLK或关闭
A版
16
200
1
833
3/5
0.5
1.8
1.25
1
9
3.75
5
3
B版本
16
200
1
833
3/5
0.5
1.8
1.25
1
9
3.75
5
3
单位
SCLK周期
ns(最大值)
MSPS最高
kSPS的最大
V最小/最大
毫安(典型值)
最大mA
最大mA
A
最大
毫瓦MAX
毫瓦MAX
W
最大
W
最大
完全关断模式
笔记
1
温度范围如下: A和B版本: -40 ° C至+ 85°C 。
2
共模电压。输入信号可在直流共模电压的任何选择,只要该值是在图8和图9中指定的范围内居中。
3
参见术语部分。
4
A 200 mV峰峰值正弦波,从1 kHz到200 kHz的频率变化耦合到V
DD
。一个2.2 nF的电容是用来分离V
DD
到GND 。
5
如果输入跨越Ⅴ的
IN +
和V
IN-
都是V
REF
,它们是180 °异相,差分电压为2V
REF
.
6
AD7450的功能是从100毫伏和V基准电压输入
DD
= 5 V ,参考范围可达到3.5 V (请参阅参考资料部分) 。
7
AD7450的功能是从100毫伏和V基准电压输入
DD
= 3 V ,参考范围可达到2.2 V (请参阅参考资料部分) 。
8
样品测试@ 25°C ,以确保合规性。
9
见串行接口部分。
10
见功率与吞吐率部分。
11
衡量一个中间电平DC输入。
REV 。一
–3–
AD7450
时序特定网络阳离子
1, 2
f
SCLK
= 18兆赫,女
S
= 1 MSPS ,V
REF
= 2.5 V; V
CM
在T限制
, T
最大
3V
5V
50
15
16 t
SCLK
1.07
25
10
10
20
40
0.4 t
SCLK
0.4 t
SCLK
10
10
35
1
50
18
16 t
SCLK
0.88
25
10
10
20
40
0.4 t
SCLK
0.4 t
SCLK
10
10
35
1
参数
f
SCLK4
t
兑换
t
安静
t
1
t
2
t
3 5
t
4 5
t
5
t
6
t
7
t
8 6
t
POWER-UP7
3
(V
DD
= 2.7 V至3.3 V,F
SCLK
= 15兆赫,女
S
= 833 kSPS时,V
REF
= 1.25 V; V
DD
= 4.75 V至5.25 V ,
= V
REF
; T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
单位
千赫分钟
兆赫最大
s
最大
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
s
最大
描述
t
SCLK
= 1/f
SCLK
SCLK = 15兆赫, 18兆赫
串行读取和下一步的结束之间的最小时间安静
的下降沿
CS
最低
CS
脉宽
CS
下降沿到SCLK下降沿建立时间
从延迟
CS
下降沿到SDATA三态禁用
数据访问时间SCLK下降沿后
SCLK高脉冲宽度
SCLK低脉冲宽度
SCLK边缘到数据有效保持时间
SCLK下降沿到SDATA三态启用
SCLK下降沿到SDATA三态启用
电源从完全关断时间
笔记
1
在25℃下的样品进行测试,以确保遵守。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10%的规定( 90 %V的
DD
),并定时从1.6 V的电压电平
2
参见图1和串行接口部分。
3
共模电压。
4
马克/空间比SCLK输入是40/60至60/40 。
5
测得的与图2的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V时采用V
DD
= 5伏,时间为一个输出到交叉
0.4 V或2.0 V的V
DD
= 3 V.
6
t
8
从采取的数据输出改变0.5 V的测量时间衍生当装入图2的电路测量的数目,然后外推
背面去除的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着该时间t
8
在时序特性所是真正的总线释放
的部分和的时间是独立的总线负载的。
7
见电时间段。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
t
1
CS
t
兑换
t
2
SCLK
1
2
3
4
5
13
14
15
16
t
5
t
7
t
3
SDATA
0
0
0
0
t
6
t
8
t
安静
t
4
DB11
DB10
DB2
DB1
DB0
三态
4前导零
图1.串行接口时序图
–4–
REV 。一
AD7450
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明。 )
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
IN +
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
V
IN-
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
数字输入电压至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
数字输出电压至GND 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
V
REF
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
输入电流到任何引脚除外用品
2
. . . . . . .
±
10毫安
工作温度范围
商业( A和B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
SOIC ,
μSOIC
封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 157℃ / W ( SOIC )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 205.9 ℃/ W( μSOIC )
JC
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56 ℃/ W( SOIC )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43.74 ℃/ W( μSOIC )
焊接温度,焊接
气相( 60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215
o
C
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220
o
C
ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5千伏
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上任何条件,在上市运作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
2
高达100 mA以下的瞬态电流不会造成SCR闩锁。
I
OL
200 A
TO
产量
C
L
50pF
200 A
I
OH
1.6V
图2.负载电路的数字输出定时
特定网络阳离子
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
AD7450具有专用ESD保护电路,永久性的损害可能对设备产生
经受高能量静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议
避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
REV 。一
–5–
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    AD7450ARZ-REEL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AD7450ARZ-REEL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2891128682 复制

电话:18823461028
联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
AD7450ARZ-REEL
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电话:0512-67241533
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联系人:郭
地址:深圳市福田区华强广场C座24I
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电话:0755-89697985
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Analog Devices Inc.
24+
10000
8-SOIC (0.154
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AD
24+
10000
SOP8
原厂一级代理,原装现货
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