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a
特点
两个8位DAC,一个封装
8引脚DIP / SOIC和microSOIC套餐
+2.7 V至+5.5 V操作
内部&外部基准
单个DAC省电功能
三线串行接口
QSPI , SPI 和Microwire 兼容
片内输出缓冲
轨到轨工作
片内控制寄存器
低功耗工作:3.7毫安, 3.3伏
完全关断,以1 A最大,通常为80 nA的
应用
便携式电池供电仪表
数字增益与失调调节
可编程电压及电流源
可编程衰减器
+2.7 V至+5.5 V ,串行输入,双路
电压输出8位DAC
AD7303
功能框图
AD7303
输入
注册
DAC
注册
我DAC A
I / V
V
OUT
A
输入
注册
DAC
注册
我DAC B
I / V
V
OUT
B
数据( 8 )
DIN
SCLK
SYNC
CONTROL ( 8 )
MUX
电源
RESET
÷2
16位移位寄存器
GND
REF
V
DD
概述
产品亮点
该AD7303是一款双通道, 8位电压输出DAC,
从单一的+2.7 V至+5.5 V电源。其片上精密输出
放缓冲器允许DAC输出摆幅轨至轨。这DE-
副采用多功能三线式串行接口,工作时钟
速率高达30 MHz的,并与QSPI , SPI , MICROWIRE兼容
和数字信号处理器的接口标准。串行输入
寄存器为16位宽; 8位作为数据比特的数模转换器,
其余8位构成一个控制寄存器。
片上控制寄存器用于寻址相关
数模转换器,断电的完整设备或单个
数模转换器,以选择内部或外部参考,并提供一种
同步加载设施的同步更新
DAC输出与软件LDAC功能。
这部分的低功耗特性,非常适合
便携式电池供电设备。功率消耗
灰是7.5毫瓦最大为3伏,降低到小于3
W
在全
掉电模式。
该AD7303是采用8引脚塑料双列直插式封装
年龄, 8引脚SOIC和microSOIC包。
QSPI和SPI是摩托罗拉公司的注册商标。
MICROWIRE是美国国家半导体公司的商标。
1.低功耗,单电源工作。这部分工作由
一个单一的+2.7 V至+5.5 V电源供电,功耗典型
15毫瓦,在5.5 V ,因此非常适合电池供电
应用程序。
2.片上输出缓冲放大器允许的输出
DAC的摆幅轨至轨与一般1.2的稳定时间
s.
3.内部或外部参考功能。
4.高速串行接口,时钟速率最高达30 MHz 。
提供的每个DAC的5个人掉电。当的COM
pletely断电, DAC的功耗通常为80 nA的。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 617 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 617 / 326-8703
ADI公司,1997
AD7303–SPECIFICATIONS
参数
静态性能
决议
相对精度
微分非线性
零代码错误@ + 25°C
满量程误差
增益误差
3
零代码温度系数
DAC的基准输入
REFIN输入范围
REFIN输入阻抗
内部参考电压误差
4
输出特性
输出电压范围
输出电压建立时间
压摆率
数模转换器毛刺脉冲
数字馈通
数字串扰
模拟串扰
直流输出阻抗
短路电流
电源抑制比
逻辑输入
输入电流
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
引脚电容
电源要求
V
DD
I
DD
(正常模式)
V
DD
= 3.3 V
@ +25°C
T
– T
最大
V
DD
= 5.5 V
@ +25°C
T
– T
最大
I
DD
(完全关断)
@ +25°C
T
– T
最大
8
±
1
±
1
3
–0.5
+1
100
(V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ,内部参考;
L
= 10千到V
DD
和GND ;
L
= 100 pF的
到GND ;所有规格牛逼
给T
最大
除非另有说明)
单位
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB (典型值)
% FSR (典型值)
μV/°C
典型值
V最小值到最大值
Μ
典型值
%最大
V最小值到最大值
s
最大
V / μs的典型值
nV-s表示,典型值
nV-s表示,典型值
nV-s表示,典型值
LSB (典型值)
典型值
毫安(典型值)
% / %≤
A
最大
V最大
V最大
V分钟
V分钟
pF的最大
V最小/最大
两个DAC主动和不包括负载电流,
V
IH
= V
DD
, V
IL
= GND
参见图8
条件/评论
B版本
1
注2
保证单调性
载入DAC寄存器全零
载入DAC寄存器全部为
1至V
DD
/2
10
±
1
0到V
DD
2
7.5
0.5
0.2
0.2
±
0.2
40
14
0.0001
±
10
0.8
0.6
2.4
2.1
5
2.7/5.5
通常情况下1.2
s
1 LSB变化主进位
V
DD
=
±
10%
V
DD
= +5 V
V
DD
= +3 V
V
DD
= +5 V
V
DD
= +3 V
2.1
2.3
2.7
3.5
80
1
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
nA的典型值
A
最大
V
IH
= V
DD
, V
IL
= GND
见图19
笔记
1
温度范围如下: B版本, -40 ° C至+ 105°C 。
2
相对精度是使用15减小的数字码的范围到245来计算。
3
代码15和245 ,在15码的实际误差之间指定增益误差一般为3 LSB 。
4
内部参考电压误差= (实际的V
REF
- 理想的V
REF
/理想V
REF
) 100.理想的V
REF
= V
DD
/ 2 ,实际的V
REF
=电压参考引脚时,内部参考
被选中。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
订购指南
模型
AD7303BN
AD7303BR
AD7303BRM
温度
范围
-40 ° C至+ 105°C
-40 ° C至+ 105°C
-40 ° C至+ 105°C
选项*
N-8
SO-8
RM-8
* N =塑料DIP ; R = SOIC ; RM = microSOIC 。
–2–
第0版
AD7303
时序特性
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
33
13
13
5
5
4.5
4.5
33
1, 2
(V
DD
= +2.7 V至+5.5 V ; GND = 0 V ;参考=内部V
DD
/ 2参考;所有规格
T
给T
最大
除非另有说明)
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
条件/评论
SCLK周期时间
SCLK高电平时间
SCLK低电平时间
SYNC
建立时间
数据建立时间
数据保持时间
SYNC
保持时间
最低
SYNC
高时间
在T限制
, T
最大
(B版)
笔记
1
在+ 25 ° C样品测试,以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10%的规定( 90 %V的
DD
)和定时从一个电压电平(V
IL
+ V
IH
)/2,
潮流和t f不应超过1
s
对任何输入。
2
参见图1和2 。
t
1
SCLK (I)的
t
2
t
8
t
4
t
3
t
7
t
4
SYNC
(I)
t
5
t
6
DIN (I)的
DB15
DB0
图1.时序图连续16位写
t
1
SCLK (I)的
t
2
t
8
t
4
t
3
t
7
SYNC
(I)
t
5
t
6
t
5
t
6
DB8
DB7
DB0
DIN (I)的
DB15
图2.时序图2
×
8位写入
第0版
–3–
AD7303
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明)
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
基准输入电压至GND 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
数字输入电压至GND 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
V
OUT
A,V
OUT
B至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
商业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 105°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
塑料DIP封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 117 ° C / W
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
SOIC封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 157 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
MicroSOIC封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
*条件超过上述“绝对最大额定值”,可能会导致
永久损坏设备。这是一个压力只有额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件,在上市运作的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然AD7303具有专用ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
销刀豆网络gurations
( DIP , SOIC和microSOIC )
V
OUT
A 1
V
DD
2
8 V
OUT
B
AD7303
7
SYNC
顶视图
6 DIN
GND 3
(不按比例)
5 SCLK
REF 4
引脚功能描述
1
2
3
4
助记符
V
OUT
A
V
DD
GND
REF
功能
模拟输出电压DAC A的输出放大器摆幅轨到轨的输出。
电源输入。这些器件可从+ 2.7V下工作,以+5.5 V ,应去耦至GND 。
接地参考点在零件上的所有电路。
外部基准输入。这可以被用作用于两个DAC的参考,并且是通过将所述
INT / EXT
在控制位为逻辑1 。在这个基准输入范围为1 V到V
DD
/ 2 。当
内部参考时,此电压会出现为在REF引脚的去耦用途的输出。
当使用内部参考,外部电压不应连接到REF引脚,见图21 。
串行时钟。逻辑输入。数据移入输入移位寄存器的串行时钟的上升沿
输入。数据可以以速率传输高达30MHz 。
串行数据输入。此设备有一个16位的移位寄存器, 8位的数据和8位控制。数据同步
成在时钟输入的上升沿寄存器。
电平触发控制输入(低电平有效) 。这是帧同步信号,用于将输入数据。当
SYNC
变为低电平时,它使输入移位寄存器和数据传送中在以下的上升沿
时钟。的上升沿
SYNC
使相关寄存器进行更新。
DAC B的模拟输出电压输出放大器摆幅轨到轨的输出。
5
6
7
SCLK
DIN
SYNC
8
V
OUT
B
–4–
第0版
AD7303
术语
积分非线性
数模转换毛刺脉冲
对于DAC的,相对精度或端点非线性是
之间的最大偏差,在LSB中的,从一个直
行通过DAC传递函数的端点
化。在传输曲线的图示显示
在图15中。
微分非线性
数 - 模转换毛刺脉冲是注入的脉冲
当数字输入改变的状态模拟输出
选定的DAC和软件LDAC用于更新DAC 。
它通常规定为毛刺用nV -S的面积,是
当数字输入代码改变1 LSB测量在
在主进位跃迁。
数字馈通
微分非线性是测得的差
改变和任意两个相邻码的理想的1 LSB变化。一
指定微分非线性
±
1 LSB(最大值)确保可靠
单调性。
零代码错误
数字馈通是衡量冲动的注入
一个数模转换器的从数字的相同的输入模拟输出
当DAC未更新的DAC ,但被测量。这是
以nV -S指定,并与满量程代码变化来衡量
数据总线,即全0至全1 ,反之亦然。
数字串扰
零代码误差是从V测得的输出电压
OUT
of
无论是DAC时,零代码(全零)加载到DAC
锁存器。这是由于在DAC的偏移误差的组合
和输出放大器。零刻度误差用LSB表示。
增益误差
数字串扰是传递到输出的毛刺脉冲
一个变换器的由于一个数字代码变化到另一个DAC 。
它被指定为nV -S 。
模拟串扰
这是DAC的量程误差的量度。它是偏差
化在理想的DAC传递特性的斜率
表示为满标值的百分比。增益误差是calcu-
代码15和245之间的迟来。
满量程误差
模拟串扰是在任何DAC的输出的变化的响应
在另一DAC的输出的变化。它的单位是
位。
电源抑制比( PSRR )
满量程误差是输出误差的指标,当DAC
锁存器中装入十六进制的FF 。满量程误差包括偏移
错误。
本说明书说明了如何将DAC的输出是
受变化的电源电压。电源
抑制比是引用%的变化计算,每输出%
变化的V
DD
对于DAC满量程输出。 V
DD
是多种多样的
±
的10%。本规范适用于外部仅供参考
因为输出电压将跟随V
DD
电压IN-时
ternal参考选择。
第0版
–5–
a
特点
两个8位DAC,一个封装
8引脚DIP / SOIC和microSOIC套餐
+2.7 V至+5.5 V操作
内部&外部基准
单个DAC省电功能
三线串行接口
QSPI , SPI 和Microwire 兼容
片内输出缓冲
轨到轨工作
片内控制寄存器
低功耗工作:3.7毫安, 3.3伏
完全关断,以1 A最大,通常为80 nA的
应用
便携式电池供电仪表
数字增益与失调调节
可编程电压及电流源
可编程衰减器
+2.7 V至+5.5 V ,串行输入,双路
电压输出8位DAC
AD7303
功能框图
AD7303
输入
注册
DAC
注册
我DAC A
I / V
V
OUT
A
输入
注册
DAC
注册
我DAC B
I / V
V
OUT
B
数据( 8 )
DIN
SCLK
SYNC
CONTROL ( 8 )
MUX
电源
RESET
÷2
16位移位寄存器
GND
REF
V
DD
概述
产品亮点
该AD7303是一款双通道, 8位电压输出DAC,
从单一的+2.7 V至+5.5 V电源。其片上精密输出
放缓冲器允许DAC输出摆幅轨至轨。这DE-
副采用多功能三线式串行接口,工作时钟
速率高达30 MHz的,并与QSPI , SPI , MICROWIRE兼容
和数字信号处理器的接口标准。串行输入
寄存器为16位宽; 8位作为数据比特的数模转换器,
其余8位构成一个控制寄存器。
片上控制寄存器用于寻址相关
数模转换器,断电的完整设备或单个
数模转换器,以选择内部或外部参考,并提供一种
同步加载设施的同步更新
DAC输出与软件LDAC功能。
这部分的低功耗特性,非常适合
便携式电池供电设备。功率消耗
灰是7.5毫瓦最大为3伏,降低到小于3
W
在全
掉电模式。
该AD7303是采用8引脚塑料双列直插式封装
年龄, 8引脚SOIC和microSOIC包。
QSPI和SPI是摩托罗拉公司的注册商标。
MICROWIRE是美国国家半导体公司的商标。
1.低功耗,单电源工作。这部分工作由
一个单一的+2.7 V至+5.5 V电源供电,功耗典型
15毫瓦,在5.5 V ,因此非常适合电池供电
应用程序。
2.片上输出缓冲放大器允许的输出
DAC的摆幅轨至轨与一般1.2的稳定时间
s.
3.内部或外部参考功能。
4.高速串行接口,时钟速率最高达30 MHz 。
提供的每个DAC的5个人掉电。当的COM
pletely断电, DAC的功耗通常为80 nA的。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 617 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 617 / 326-8703
ADI公司,1997
AD7303–SPECIFICATIONS
参数
静态性能
决议
相对精度
微分非线性
零代码错误@ + 25°C
满量程误差
增益误差
3
零代码温度系数
DAC的基准输入
REFIN输入范围
REFIN输入阻抗
内部参考电压误差
4
输出特性
输出电压范围
输出电压建立时间
压摆率
数模转换器毛刺脉冲
数字馈通
数字串扰
模拟串扰
直流输出阻抗
短路电流
电源抑制比
逻辑输入
输入电流
V
INL
,输入低电压
V
INH
,输入高电压
引脚电容
电源要求
V
DD
I
DD
(正常模式)
V
DD
= 3.3 V
@ +25°C
T
– T
最大
V
DD
= 5.5 V
@ +25°C
T
– T
最大
I
DD
(完全关断)
@ +25°C
T
– T
最大
8
±
1
±
1
3
–0.5
+1
100
(V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ,内部参考;
L
= 10千到V
DD
和GND ;
L
= 100 pF的
到GND ;所有规格牛逼
给T
最大
除非另有说明)
单位
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB (典型值)
% FSR (典型值)
μV/°C
典型值
V最小值到最大值
Μ
典型值
%最大
V最小值到最大值
s
最大
V / μs的典型值
nV-s表示,典型值
nV-s表示,典型值
nV-s表示,典型值
LSB (典型值)
典型值
毫安(典型值)
% / %≤
A
最大
V最大
V最大
V分钟
V分钟
pF的最大
V最小/最大
两个DAC主动和不包括负载电流,
V
IH
= V
DD
, V
IL
= GND
参见图8
条件/评论
B版本
1
注2
保证单调性
载入DAC寄存器全零
载入DAC寄存器全部为
1至V
DD
/2
10
±
1
0到V
DD
2
7.5
0.5
0.2
0.2
±
0.2
40
14
0.0001
±
10
0.8
0.6
2.4
2.1
5
2.7/5.5
通常情况下1.2
s
1 LSB变化主进位
V
DD
=
±
10%
V
DD
= +5 V
V
DD
= +3 V
V
DD
= +5 V
V
DD
= +3 V
2.1
2.3
2.7
3.5
80
1
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
nA的典型值
A
最大
V
IH
= V
DD
, V
IL
= GND
见图19
笔记
1
温度范围如下: B版本, -40 ° C至+ 105°C 。
2
相对精度是使用15减小的数字码的范围到245来计算。
3
代码15和245 ,在15码的实际误差之间指定增益误差一般为3 LSB 。
4
内部参考电压误差= (实际的V
REF
- 理想的V
REF
/理想V
REF
) 100.理想的V
REF
= V
DD
/ 2 ,实际的V
REF
=电压参考引脚时,内部参考
被选中。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
订购指南
模型
AD7303BN
AD7303BR
AD7303BRM
温度
范围
-40 ° C至+ 105°C
-40 ° C至+ 105°C
-40 ° C至+ 105°C
选项*
N-8
SO-8
RM-8
* N =塑料DIP ; R = SOIC ; RM = microSOIC 。
–2–
第0版
AD7303
时序特性
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
33
13
13
5
5
4.5
4.5
33
1, 2
(V
DD
= +2.7 V至+5.5 V ; GND = 0 V ;参考=内部V
DD
/ 2参考;所有规格
T
给T
最大
除非另有说明)
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
条件/评论
SCLK周期时间
SCLK高电平时间
SCLK低电平时间
SYNC
建立时间
数据建立时间
数据保持时间
SYNC
保持时间
最低
SYNC
高时间
在T限制
, T
最大
(B版)
笔记
1
在+ 25 ° C样品测试,以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10%的规定( 90 %V的
DD
)和定时从一个电压电平(V
IL
+ V
IH
)/2,
潮流和t f不应超过1
s
对任何输入。
2
参见图1和2 。
t
1
SCLK (I)的
t
2
t
8
t
4
t
3
t
7
t
4
SYNC
(I)
t
5
t
6
DIN (I)的
DB15
DB0
图1.时序图连续16位写
t
1
SCLK (I)的
t
2
t
8
t
4
t
3
t
7
SYNC
(I)
t
5
t
6
t
5
t
6
DB8
DB7
DB0
DIN (I)的
DB15
图2.时序图2
×
8位写入
第0版
–3–
AD7303
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明)
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
基准输入电压至GND 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
数字输入电压至GND 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
V
OUT
A,V
OUT
B至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
商业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 105°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
塑料DIP封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 117 ° C / W
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
SOIC封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 157 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
MicroSOIC封装,功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
*条件超过上述“绝对最大额定值”,可能会导致
永久损坏设备。这是一个压力只有额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件,在上市运作的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然AD7303具有专用ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
销刀豆网络gurations
( DIP , SOIC和microSOIC )
V
OUT
A 1
V
DD
2
8 V
OUT
B
AD7303
7
SYNC
顶视图
6 DIN
GND 3
(不按比例)
5 SCLK
REF 4
引脚功能描述
1
2
3
4
助记符
V
OUT
A
V
DD
GND
REF
功能
模拟输出电压DAC A的输出放大器摆幅轨到轨的输出。
电源输入。这些器件可从+ 2.7V下工作,以+5.5 V ,应去耦至GND 。
接地参考点在零件上的所有电路。
外部基准输入。这可以被用作用于两个DAC的参考,并且是通过将所述
INT / EXT
在控制位为逻辑1 。在这个基准输入范围为1 V到V
DD
/ 2 。当
内部参考时,此电压会出现为在REF引脚的去耦用途的输出。
当使用内部参考,外部电压不应连接到REF引脚,见图21 。
串行时钟。逻辑输入。数据移入输入移位寄存器的串行时钟的上升沿
输入。数据可以以速率传输高达30MHz 。
串行数据输入。此设备有一个16位的移位寄存器, 8位的数据和8位控制。数据同步
成在时钟输入的上升沿寄存器。
电平触发控制输入(低电平有效) 。这是帧同步信号,用于将输入数据。当
SYNC
变为低电平时,它使输入移位寄存器和数据传送中在以下的上升沿
时钟。的上升沿
SYNC
使相关寄存器进行更新。
DAC B的模拟输出电压输出放大器摆幅轨到轨的输出。
5
6
7
SCLK
DIN
SYNC
8
V
OUT
B
–4–
第0版
AD7303
术语
积分非线性
数模转换毛刺脉冲
对于DAC的,相对精度或端点非线性是
之间的最大偏差,在LSB中的,从一个直
行通过DAC传递函数的端点
化。在传输曲线的图示显示
在图15中。
微分非线性
数 - 模转换毛刺脉冲是注入的脉冲
当数字输入改变的状态模拟输出
选定的DAC和软件LDAC用于更新DAC 。
它通常规定为毛刺用nV -S的面积,是
当数字输入代码改变1 LSB测量在
在主进位跃迁。
数字馈通
微分非线性是测得的差
改变和任意两个相邻码的理想的1 LSB变化。一
指定微分非线性
±
1 LSB(最大值)确保可靠
单调性。
零代码错误
数字馈通是衡量冲动的注入
一个数模转换器的从数字的相同的输入模拟输出
当DAC未更新的DAC ,但被测量。这是
以nV -S指定,并与满量程代码变化来衡量
数据总线,即全0至全1 ,反之亦然。
数字串扰
零代码误差是从V测得的输出电压
OUT
of
无论是DAC时,零代码(全零)加载到DAC
锁存器。这是由于在DAC的偏移误差的组合
和输出放大器。零刻度误差用LSB表示。
增益误差
数字串扰是传递到输出的毛刺脉冲
一个变换器的由于一个数字代码变化到另一个DAC 。
它被指定为nV -S 。
模拟串扰
这是DAC的量程误差的量度。它是偏差
化在理想的DAC传递特性的斜率
表示为满标值的百分比。增益误差是calcu-
代码15和245之间的迟来。
满量程误差
模拟串扰是在任何DAC的输出的变化的响应
在另一DAC的输出的变化。它的单位是
位。
电源抑制比( PSRR )
满量程误差是输出误差的指标,当DAC
锁存器中装入十六进制的FF 。满量程误差包括偏移
错误。
本说明书说明了如何将DAC的输出是
受变化的电源电压。电源
抑制比是引用%的变化计算,每输出%
变化的V
DD
对于DAC满量程输出。 V
DD
是多种多样的
±
的10%。本规范适用于外部仅供参考
因为输出电压将跟随V
DD
电压IN-时
ternal参考选择。
第0版
–5–
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