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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第887页 > AD7226
a
特点
4个8位DAC和输出放大器
瘦小的20引脚DIP , SOIC和20引脚
表面贴装封装
微处理器兼容
TTL / CMOS兼容
没有用户修剪
扩展工作温度范围
单电源供电的可能
应用
过程控制
自动测试设备
自动校准的大型系统参数,
例如,增益/偏移
LC MOS
四通道8位D / A转换器
AD7226
功能框图
2
概述
产品亮点
的AD7226包含四个8位电压输出数字 -
模拟转换器,具有输出缓冲放大器和接口
逻辑的单芯片。无需外部调整便可
实现全部额定性能的一部分。
提供了四个D / A的独立的片上闩锁
转换器。数据传送到这些数据锁存器1
通过一个共用的8位TTL / CMOS (5V)兼容输入
端口。控制输入A0和A1决定哪一个DAC加载
WR
变低。控制逻辑是速度兼容
大多数8位微处理器。
每个D / A转换器包括一个输出缓冲放大器,能够
驾驶达5 mA的输出电流。该放大器的偏置
在制造过程中被激光调整,从而避免任何
要求偏移归零。
规定的性能保证输入参考电压
从2 V至12.5 V采用双电源供电。该器件还可试样
田间的单电源工作在+ 10V的参考
该AD7226是制作全离子注入高速
线性兼容CMOS ( LC
2
MOS)的方法,该方法已
专门开发,使高速数字逻辑电路
和精确的模拟电路被集成在同一芯片上。
1. DAC至DAC匹配
因为所有四个DAC是在制作在同一芯片上
同时, DAC之间的精确匹配和跟踪
是与生俱来的。
2.单电源供电
各DAC的电压模式结构允许
AD7226可以从单个电源轨操作。
3.微处理器兼容
的AD7226具有个体共同的8位数据总线
DAC锁存器,提供了一个通用的控制架构
简单的界面,微处理器。所有锁存使能信号
是电平触发。
4.小尺寸
结合四个DAC和四运算放大器以及接口逻辑
进入20引脚DIP或SOIC封装或20引脚表面贴装
包允许大大降低了电路板空间要求
ments ,并提供了使用mul-提高可靠性的系统
tiple转换器。其引脚排列的目标是优化电路板
与所有的模拟输入和输出的布局在一端
包,并在其它所有的数字输入。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 617 / 329-4700
传真: 617 / 326-8703
AD7226–SPECIFICATIONS
双电源
参数
静态性能
决议
总非调整误差
相对精度
微分非线性
满量程误差
满量程温度COEF网络cient
零代码错误
零代码误差温度系数
参考输入
电压范围
输入阻抗
输入电容
3
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入漏电流
输入电容
输入的码
动态性能
输出电压摆率
4
输出电压建立时间
4
正满量程变化
负满量程变化
数字串扰
最小负载电阻
电源
V
DD
范围
I
DD
I
SS
开关特性
4, 5
地址写入设置时间,t
AS
@ 25°C
T
给T
最大
地址写入保持时间,t
AH
@ 25°C
T
给T
最大
数据有效到写设置时间,t
DS
@ 25°C
T
给T
最大
数据有效到写保持时间,t
DH
@ 25°C
T
给T
最大
写入脉冲宽度,T
WR
@ 25°C
T
给T
最大
(V
DD
= 11.4 V至16.5 V ,V
SS
= -5V 10 % ; AGND = DGND = O V ; V
REF
= 2 V至(Ⅴ
DD
– 4 V)
1
除非另有说明。
所有特定网络阳离子牛逼
给T
最大
除非另有说明)。
K,B ,T版本
2
8
±
2
±
1
±
1
±
1 1/2
±
20
±
30
±
50
2至(Ⅴ
DD
– 4)
2
65
300
2.4
0.8
±
1
8
二进制
2.5
5
7
50
2
11.4/16.5
13
11
单位
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
PPM /°C的典型值
毫伏最大
μV/°C
典型值
V MIN到V最大
kΩ的分
pF的分
pF的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
条件/评论
V
DD
= +15 V
±
5%, V
REF
= +10 V
保证单调性
V
DD
= 14 V至16.5 V ,V
REF
= +10 V
当每个DAC装有全0时发生。
当每个DAC装有全1时发生。
V
IN
= 0 V或V
DD
V / μs的分
s
最大
s
最大
纳伏秒(典型值)
kΩ的分
V MIN / V最大
最大mA
最大mA
V
REF
= 10 V ;建立时间
±
1/2最低位
V
REF
= 10 V ;建立时间
±
1/2最低位
V
OUT
= +10 V
对于指定的性能
输出空载; V
IN
= V
INL
或V
INH
输出空载; V
IN
= V
INL
或V
INH
0
0
10
10
90
100
10
10
150
200
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
笔记
1
最大可能的基准电压。
2
温度范围如下:
K版: -40∞C至+ 85∞C
B版本: -40∞C至+ 85∞C
T版: -55 ° C至+ 125°C
3
设计Guanteed 。未经生产测试。
4
在25℃下的样品进行测试,以确保遵守。
5
开关特性适用于单,双电源供电。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
REV 。一
AD7226
单电源
参数
静态性能
决议
总非调整误差
微分非线性
参考输入
输入阻抗
输入电容
3
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入漏电流
输入电容
输入的码
动态性能
输出电压摆率
4
输出电压建立时间
4
正满量程变化
负满量程变化
数字串扰
最小负载电阻
电源
V
DD
范围
I
DD
(V
DD
= +15 V
5%; V
SS
= AGND = DGND = O V ; V
REF
= +10 V
1
除非另有说明。
所有特定网络阳离子牛逼
给T
最大
除非另有说明)。
K,B ,T版本
2
8
±
2
±
1
2
65
300
2.4
0.8
±
1
8
二进制
2
5
20
50
2
14.25/15.75
13
单位
LSB(最大值)
LSB(最大值)
kΩ的分
pF的分
pF的最大
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
条件/评论
保证单调性
当每个DAC装有全0时发生。
当每个DAC装有全1时发生。
V
IN
= 0 V或V
DD
V / μs的分
s
最大
s
最大
纳伏秒(典型值)
kΩ的分
V MIN / V最大
最大mA
建立时间
±
1/2最低位
建立时间
±
1/2最低位
V
OUT
= +10 V
对于指定的性能
输出空载; V
IN
= V
INL
或V
INH
笔记
1
最大可能的基准电压。
2
温度范围如下:
K版: -40∞C至+ 85∞C
B版本: -40∞C至+ 85∞C
T版: -55 ° C至+ 125°C
3
设计Guanteed 。未经生产测试。
4
在25℃下的样品进行测试,以确保遵守。
5
开关特性适用于单,双电源供电。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
订购指南
未经调整
错误
±
2 LSB
±
2 LSB
±
2 LSB
±
2 LSB
±
2 LSB
±
2 LSB
模型
1
AD7226KN
AD7226KP
AD7226KR
AD7226BQ
AD7226TQ
AD7226TE
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
选项
2
N-20
P-20A
R-20
Q-20
Q-20
E-20A
笔记
1
如需订购MIL -STD - 883 , B类加工零件,添加/ 883B部件号。
请联系您当地的销售办事处为军用数据资料,美国军事标准
图纸( SMD ) ,见DESC图纸# 5962-87802 。
2
E =无引线陶瓷芯片载体; N =塑料DIP ;
P =塑料有引线芯片载体; Q = CERDIP ; R = SOIC 。
REV 。一
–3–
AD7226
绝对最大额定值*
V
DD
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V , 17 V
V
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V , 17 V
V
SS
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -7 V ,V
DD
V
SS
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -7 V ,V
DD
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V, +24 V
AGND至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ,V
DD
数字输入电压至DGND 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ,V
DD
+ 0.3 V
V
REF
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ,V
DD
V
OUT
到AGND
1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
SS
, V
DD
功率耗散(任何套餐)到+ 75°C 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
减额以上75∞C了。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0毫瓦/ ∞C
工作温度
商业(K版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
工业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
扩展(T版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
笔记
*条件超过上述“绝对最大额定值”,可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
1
输出可以被缩短到AGND提供的功耗
不超出包。通常情况下,以AGND短路电流为60毫安。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然AD7226具有专用ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
销刀豆网络gurations
LCCC
警告!
ESD敏感器件
DIP和SOIC
PLCC
术语
总非调整误差
微分非线性
这是一个全面的规范,其中包括全尺寸
误差,相对准确度和零代码错误。最大输出
电压为V
REF
- 1 LSB (理想) ,其中1 LSB (理想)为V
REF
/
256. LSB大小会随着变化了的V
REF
范围内。因此,零
码错误会相对于LSB的大小,增加为V
REF
DE-
折痕。因此,总的调整误差,它包括
零码错误时,也将变化中的LSB的在术语
V
REF
范围内。其结果是,被指定总非调整误差为
+10 V.固定参考电压
相对精度
微分非线性是测得的差
更改任意两个相邻之间的理想的1 LSB变化
码。的额定微分非线性
±
1 LSB(最大值)过
在工作温度范围内确保单调性。
数字串扰
传送给一个转换器的输出处的毛刺脉冲
由于在数字输入码到另一CON组的变化
变流器。它被指定为nV秒,并测量V
REF
= 0 V.
满量程误差
相对精度或端点非线性,是衡量
从一个直线穿过的最大偏差
DAC传递函数的端点。这是AL-后测
哞哞叫的零点和满度误差,通常表示为
LSB是或为满量程读数的百分比。
满量程误差定义为:
测量值 - 零代码错误 - 非常超值
–4–
REV 。一
AD7226
电路信息
D / A部分
的AD7226包含四个中,相同, 8位,电压模式
数字 - 模拟转换器。从CON组的输出电压
流器具有相同的极性作为基准电压,允许
单电源工作。一种新型DAC开关对安排
在允许AD7226的参考电压范围为+ 2V至
+12.5 V.
每个DAC包括一个高度稳定的薄膜, R-2R梯形的
八高速NMOS ,单刀双掷
开关。的简化电路图对一个信道是
如图1所示。注意是V
REF
( 4针)和AGND (引脚5 )
通用于所有四个DAC 。
图2.放大器输出级
当前的负载不再充当电流吸收器,并开始充当
为约2 kΩ的阻性负载到AGND 。出现这种情况
作为NMOS晶体管的脱离饱和。这意味着
即,在单电源供电,接收器的扩增能力
当输出电压等于或近AGND fiers减小。一
电流吸收能力的变化的典型曲线与输出
放的电压示于图3 。
图1. D / A简化电路图
在V输入阻抗
REF
在AD7226的引脚是标准杆
等位基因组合的四个单独的DAC基准输入
阻抗。这是代码的依赖,可以从2 kΩ的不同而不同在 -
有限性。最低的输入阻抗(即2千欧)时发生的所有
四个DAC装载有数字码01010101. There-
前,重要的是参考呈现低输出im-
在不断变化的负载条件pedance 。节点电容
在参考端子还码相关,并且通常
变化从100 pF到250 pF的。
每个V
OUT
销可以被认为是数字可编程
电压源的输出电压:
V
的OUTx
= D
X
V
REF
其中D
X
是的数字输入码小数表示
并且可以变化为0 255/256 。
源阻抗的缓冲器的输出电阻
放大器。
OP放大器部分
图3.变异我
SINK
随着V
OUT
各电压模式的D / A转换器的输出由一个统一缓冲
获得,同相CMOS放大器。此缓冲放大器是
能够开发+10 V在一个2 kΩ的负载,并且可以驱动
3300 pF的容性负载。此放大器的输出级
由来自V双极晶体管的
DD
线和一个电流
加载到V
SS
时,负电源的输出放大器。
这个输出级,如图2所示。
NPN晶体管提供所需的输出电流驱动
(最多5 mA)的。当前的负载由NMOS晶体管
通常作为400的恒定电流吸收
A
到V
SS
,
让每个输出大约灌电流能力
400
A
如果需要的话。
该AD7226可以操作产生的单电源或双电源
在从输出部分参数不同性能
放大器器。
在单电源供电(V
SS
= 0 V = AGND)与输出
把接近AGND (即数字代码接近全0 )
REV 。一
如果完全吸收能力,需要具有输出电压,或
附近AGND ( = 0 V) ,则V
SS
可以通过5伏被带到0V以下
并由此保持400
A
在表示电流吸收器
图3.偏置V
SS
低于0 V还提供了额外的余量
在输出放大器,它允许更好的零码错误
每个输出性能。也改善是摆率
和负向放大器的稳定时间(讨论
更高版本)。
每个放大器的偏移,以制造过程中,激光微调
消除偏移归零的任何要求。
数字部分
在AD7226的数字输入TTL和CMOS
( 5 V ),从V兼容
DD
= 11.4 V至16.5 V.所有的逻辑IN-
看跌期权是静态保护, MOS门具有典型的输入电流
小于1 nA的。内部输入保护是由所获得的
片上分布式二极管从DGND每个MOS栅极。对
最大限度地减少电源电流,则建议的
数字输入电压来驱动尽可能靠近电源轨(V
DD
和DGND )的实际可能。
–5–
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