a
特点
AC和DC特点，并指定
（K ， B和T级）
每秒200K转换
1 MHz全功率带宽
500 kHz的全线性带宽
72分贝S / N + D（ K， B，T级）
二进制补码数据格式（双极模式）
二进制数据格式（单极性模式）
10 M输入阻抗
8位或16位总线接口
板载基准和时钟
10 V单极性或双极性输入范围
商用，工业和军用温度
等级范围
MIL -STD- 883可提供标准版本
产品说明
REF
OUT
REF
IN
12位200 kSPS时
完整的采样ADC
AD678*
功能框图
CS
SC OE EOCEN
SYNC 12/8 EOC
AD678
电压
REF 。
控制逻辑
DB11
12
DB2
12
产量
注册
转变
逻辑
4
12位D / A
变流器
BIPOFF
采样/
HOLD
DB1
（ R / L）
DB0
（ HBE ）
V
CC
V
EE
V
DD
DGND
艾因
AGND
收益
舞台
4位闪存
A / D
变流器
产品亮点
该AD678是一款完整的多用途12位单芯片
模拟 - 数字转换器，它由一个取样 - 保持扩增
费里（SHA ），微处理器兼容的总线接口，一个电压
参考和时钟生成电路。
该AD678指定用于交流（或“动态” ）参数，
作为S / N + D比， THD和IMD这是很重要的信号
处理应用。此外， AD678K ，B和T
牌号为直流参数，重要的是完全指定
在测量应用。
该AD678提供数字接口格式选择; 12
数据位可以由一个16位总线在一个单一的读访问操作
灰或通过8位总线在两个读操作（ 8 + 4 ） ，与右
或左对齐。数据格式为标准二进制单极
模式和二进制补码二进制双极模式。输入
具有10 V带的全功率带宽的满量程范围
1 MHz和500千赫的完全线性的带宽。高输入im-
pedance （ 10 MΩ ），可直接连接缓冲
源无信号劣化。
本产品是采用ADI公司BiMOS过程中，
低功耗CMOS逻辑相结合的高精度，低
噪声双极性电路;激光微调薄膜电阻提供
精度高。该转换器采用递归子区域
算法包括纠错和Flash转换器
电路来实现高速和高分辨率。
该AD678的+ 5V和工作
±12
V电源供电，功耗
560毫瓦（典型值） 。该AD678是28引脚塑料DIP
陶瓷DIP封装，以及44引脚J-含铅陶瓷表面贴装封装。
筛选， MIL -STD- 883C B级也可以。
*受保护
由美国专利号4804960 。 4814767 ; 4833345 ; 4250445 ;
4808908 ; RE30,586 。
1.完全集成： AD678的最小EX-
通过组合高速ternal组件需求
采样保持放大器（SHA ） ，ADC 5伏基准，时钟和
在单个芯片上的数字接口。这提供了一个完全试样
田间采样A / D转换功能，可望而不可即的分立设计方案。
2.规格： AD678K ， B和T成绩提供
完全指定和测试的交流和直流参数。该AD678J ，
A和S级的额定和测试，交流参数; DC
精度指标显示为标准结构。 DC规格
行动（如INL ，增益和偏移）是控制的重要
和测量应用。 AC规格（如
S / N + D比， THD和IMD ）是在信号处理价值
ing应用。
3.易用性：引脚排列的设计便于板lay-
出来，单个或两个读周期输出的选择亲
志愿组织与16位或8位总线的兼容性。工厂切边
无需校准模式或外部切边
明达到额定性能。
4.可靠性：采用AD678采用ADI公司的单
岩屑采用BiMOS技术。这确保了长期可靠性
相比于多芯片和混合设计。
5.升级路径：该AD678提供了相同的引脚排列
在14位， 128 kSPS的AD679的ADC。
6. AD678是符合MIL-版本
STD- 883 。参阅
ADI公司军用产品
数据手册
或电流AD678 / 883B数据手册详细
特定连接的阳离子。
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2000
AD678–SPECIFICATIONS
AC规格
参数
信号与噪声和失真（S / N + D ）的比值
2
-0.5 dB输入（简称-0 dB输入）
-20 dB的输入（简称-20 dB输入）
-60 dB输入（简称-60 dB输入）
总谐波失真（ THD ）
3
峰值杂散或峰值谐波分量
全功率带宽
全性带宽
互调失真（ IMD ）
4
二阶产品
三阶产品
500
–85
–90
–80
–80
(T
民
给T
最大
, V
CC
= +12 V 5%, V
EE
= –12 V
f
lN
= 10.06千赫，除非另有说明）
1
5%, V
DD
= +5 V
10%, f
样品
= 200 kSPS时，
AD678K/B/T
民
典型值
最大
71
73
53
13
–88
0.004
–87
1
500
–85
–90
–80
–80
–80
0.010
–80
AD678J/A/S
民
典型值
最大
70
71
51
11
–88
0.004
–87
1
–80
0.010
–80
单位
dB
dB
dB
dB
%
dB
兆赫
千赫
dB
dB
笔记
1
f
IN
振幅= -0.5分贝（ 9.44 V峰峰值）双极模式的满量程，除非另有说明。提到1-0分贝（ 9.997 V峰峰值）的输入信号，除非所有的测量
另有说明。
2
请参阅图13和14，用于较高的频率和其他输入振幅。
3
见图12 。
4
f
A
= 9.08千赫，女
B
= 9.58千赫兹，使用f
样品
= 200 kSPS时。请参阅规格部分和图16的定义。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
数码特定网络阳离子
（所有设备类型牛逼
参数
逻辑输入
高电平输入电压
V
IH
V
IL
低电平输入电压
I
IH
高电平输入电流
低电平输入电流
I
IL
C
IN
输入电容
逻辑输出
高电平输出电压
V
OH
V
OL
I
OZ
C
OZ
低电平输出电压
高阻泄漏电流
高阻抗输出电容
民
给T
最大
, V
CC
= +12 V
测试条件
5%, V
EE
= –12 V
民
2.0
0
–10
–10
5%, V
DD
= +5 V
最大
V
DD
0.8
+10
+10
10
10%)
单位
V
V
A
A
pF
V
V
V
A
pF
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0 V
I
OH
- 0.1毫安
I
OH
- 0.5毫安
I
OL
= 1.6毫安
V
IN
= 0或V
DD
4.0
2.4
–10
0.4
+10
10
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本C
AD678
时序特定网络阳离子
参数
SC
延迟
转换时间
转化率
l
脉宽转换
孔径延迟
状态延迟
存取时间
2, 3
浮动延迟
5
输出延迟
格式设置
OE
延迟
阅读脉宽
转换延迟
EOCEN
延迟
（所有等级，T
民
给T
最大
, V
CC
= +12 V
另有说明）
符号
t
SC
t
C
t
CR
t
CP
t
AD
t
SD
t
BA
t
FD
t
OD
t
FS
t
OE
t
RP
t
CD
t
EO
5%, V
EE
= –12 V
民
50
3.0
97
5
0
10
10
10
47
0
97
150
0
5%, V
DD
= +5 V
最大
4.4
5
20
400
100
57
4
80
0
10 ％，除非
单位
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
1
包括采集时间。
2
从下降沿测量
OE / EOCEN
（0.8体积），在该数据线/ EOC交叉2.0V，或0.8V。参见图3中的时间。
3
C
OUT
= 100 pF的。
4
C
OUT
= 50 pF的。
5
从上升沿测量
OE / EOCEN
（2.0体积），该时间在该由0.5V。参见图3 ，输出电压的变化;
OUT
= 10 pF的。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
图2. EOC时序
图1.转换时序
图3.负载电路总线时序规格
–4–
版本C
AD678
绝对最大额定值*
CS
SC OE EOCEN
SYNC 12/8 EOC
规范
V
CC
V
EE
V
CC
V
DD
AGND
AIN ， REF
IN
数字输入
数字输出
最大结
温度
工作温度
J和K级
A和B等级
S和T等级
储存温度
焊接温度
（ 10秒以内）
同
尊重
To
AGND
AGND
V
EE
DGND
DGND
AGND
DGND
DGND
AD678
民
–0.3
–18
–0.3
0
–1
V
EE
–0.5
–0.5
最大
+18
+0.3
+26.4
+7
+1
V
CC
+7
V
DD
+ 0.3
175
单位
REF
OUT
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
°C
电压
REF 。
控制逻辑
DB11
12
REF
IN
12
DB2
产量
注册
转变
逻辑
4
12位D / A
变流器
BIPOFF
采样/
HOLD
DB1
（ R / L）
DB0
（ HBE ）
V
CC
V
EE
V
DD
DGND
艾因
AGND
收益
舞台
4位闪存
A / D
变流器
0
–40
–55
–65
+70
+85
+125
+150
+300
功能框图
*注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
ESD敏感度
该AD678具有输入保护电路组成的大型“分布式”二极管和多晶硅
串联电阻消散兼具高能量放电（人体模型）和快速，低能量
脉冲（带电器件模型） 。每个方法MIL -STD- 883C的3015.2的AD678一直
划为1类设备。
适当的ESD保护措施，强烈建议，以避免功能性损坏或性能
退化。荷高达4000伏容易堆积在人体和测试设备
放电而不被发现。未使用的设备必须存储在导电泡沫或分流器，以及
泡沫应排出到目的地插座装置都移除之前。欲了解更多
有关ESD预防措施的信息，请参阅ADI公司
ESD防护手册。
订购指南
警告！
ESD敏感器件
模型
1
AD678JN
AD678KN
AD678JD
AD678KD
AD678AD
AD678BD
AD678AJ
AD678BJ
AD678SD
AD678TD
包
28引脚塑料DIP
28引脚塑料DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
44引脚陶瓷JLCC
44引脚陶瓷JLCC
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
测试和指定
AC
AC + DC
AC
AC + DC
AC
AC + DC
AC
AC + DC
AC
AC + DC
封装选项
2
N-28
N-28
D-28
D-28
D-28
D-28
J-44
J-44
D-28
D-28
笔记
1
上档次，包装产品筛选符合MIL -STD- 883的详细信息，请参阅ADI公司军用产品数据手册或/ 883数据表。
2
N =塑料DIP ; D =陶瓷DIP ; J = J-引线陶瓷芯片载体。
版本C
–5–
QQ：2880707522 复制
