【】,IC型号AD676KN,AD676KN PDF资料,AD676KN经销商,ic,电子元器件-51电子网

a

特点

autocalibrating

片内采样保持功能

并行输出格式

16位无失码

1 LSB INL

-97 dB的THD

90分贝S /（N + D）的

1 MHz全功率带宽

V

IN

15

AGND SENSE 14

V

REF

16

AGND 13

输入

缓冲器

16位100 kSPS时

采样ADC

AD676

功能框图

类似物

芯片

16-BIT

DAC

COMP

CAL

DAC

LOGIC &时序

电平转换器

数字

芯片

特区

CAL 8

样品9

微码

调节器

PAT

根

ALU

内存

L

A

T

C

H

7 BUSY

1

6

19

28

第1位 - 第16位

产品说明

CLK 10

该AD676是一种多用途的16位并行输出模拟 -

数字转换器，它利用一个开关电容/电荷

再分配架构，实现了100 ksps的转换

率（10

s

总转换时间）。整体性能进行了优

通过数字校正内部的非线性得到优化

片上自动校准。

该AD676电路分割到两个单片chips-

数字控制芯片采用ADI公司DSP CMOS

过程与模拟ADC芯片制造采用BiMOS II

流程。这两款芯片都包含在一个单一封装。

该AD676指定用于交流（或“动态” ）参数，

为S / （N + D）的比例，THD和IMD这些都是显重要

最终处理应用。此外，直流参数

指定这是在测量应用中非常重要。

AD676

该AD676的+ 5V和工作

±

12 V电源，典型

美云消耗360 mW的转换过程中。数字电源

(V

DD

）从模拟电源分离（Ⅴ

CC

, V

EE

）再获

duced数字串扰。模拟接地检测提供了

模拟输入。单独的模拟地和数字地也

提供的。

该AD676采用28引脚塑料DIP或28引脚可用副作用

钎焊陶瓷封装。串行输出的版本， AD677 ，是

采用16引脚300密耳宽陶瓷或塑料封装。

REV 。一

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 617 / 329-4700

传真： 617 / 326-8703

AD676–SPECIFICATIONS

AC规格

(T

参数

总谐波失真（ THD ）

2

@ 83 kSPS时，T

民

给T

最大

@ 100 kSPS时， + 25°C

@ 100 kSPS时，T

民

给T

最大

信号与噪声和失真比（S / （N + D））

2, 3

@ 83 kSPS时，T

民

给T

最大

@ 100 kSPS时， + 25°C

@ 100 kSPS时，T

民

给T

最大

峰值杂散或峰值谐波分量

互调失真（ IMD ）

4

二阶产品

三阶产品

全功率带宽

噪音

85

民

给T

最大，

V

CC

= +12 V

5%, V

EE

= –12 V

民

5%, V

DD

= +5 V

最大

–88

0.004

10%)

1

民

AD676K/B

典型值

–97

0.0014

–97

0.0014

–92

0.0025

87

90

86

–98

–102

–98

1

160

最大

–90

0.003

单位

dB

%

dB

%

dB

%

dB

兆赫

V

RMS

AD676J/A

典型值

–96

0.0016

–96

0.0016

–92

0.0025

89

86

–98

–102

–98

1

160

数码特定网络阳离子

（各年级牛逼

参数

逻辑输入

V

IH

高电平输入电压

V

IL

低电平输入电压

I

IH

高电平输入电流

I

IL

低电平输入电流

C

IN

输入电容

逻辑输出

V

OH

高电平输出电压

V

OL

低电平输出电压

民

给T

最大

, V

CC

= +12 V

5%, V

EE

= –12 V

民

2.4

–0.3

–10

10

典型值

5%, V

DD

= +5 V

最大

V

DD

+ 0.3

0.8

+10

10%)

单位

V

A

pF

V

测试条件

V

IH

= V

DD

V

IL

= 0 V

I

OH

- 0.1毫安

I

OH

- 0.5毫安

I

OL

= 1.6毫安

V

DD

–1 V

2.4

0.4

笔记

1

V

REF

= 10.0 V ，（转换率（ FS ） = 83 kSPS时，女

IN

= 1.0 kHz时，V

IN

= -0.05分贝，带宽= fs / 2的，除非另有说明。提到了0分贝所有的测量

（ 20 V P-P ）的输入信号。值是校准后。

2

对于其他的输入幅度，参见图13 。

3

对于其他的输入范围/电压参考值见图12 。

4

FA = 1008赫兹。 FB = 1055赫兹。请参阅规格部分和图15的定义。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

REV 。一

AD676

DC特定网络阳离子

(T

参数

温度范围

J，K等级

A，B等级

准确性

决议

积分非线性（ INL ）

@ 83 kSPS时，T

民

给T

最大

@ 100 kSPS时， + 25°C

@ 100 kSPS时，T

民

给T

最大

微分非线性（ DNL ） - 无失码

双极性零误差

2

（在标称电源电压）

增益误差（在标称电源电压）

@ 83 kSPS时

2

@ 100 kSPS时， + 25°C

@ 100 kSPS时

2

温度漂移，双极性零

3

J，K等级

A，B等级

温度漂移，增益

3

J，K等级

A，B等级

参考电压输入范围

4

(V

REF

)

模拟量输入

5

输入电压范围（V

IN

)

输入阻抗

输入建立时间

样本中的输入电容

孔径延迟

孔径抖动

电源

电源抑制

V

CC

= +12 V

±

5%

V

EE

= –12 V

±

5%

V

DD

= +5 V

±

10%

工作电流

I

CC

I

EE

I

DD

耗电量

民

给T

最大

, V

CC

= +12 V

5%, V

EE

= –12 V

民

0

–40

16

±

1

±

1

±

2

16

0.005

0.01

5%, V

DD

= +5 V

最大

+70

+85

1O%)

1

民

0

–40

16

±

1

±

1

±

2

16

0.005

0.01

0.0015

0.003

0.0015

0.003

±

1.5

AD676K/B

典型值

最大

+70

+85

单位

°C

位

最低位

位

％ FSR

10

±

V

REF

*

2

50*

6

100

V

s

pF

ns

ps

AD676J/A

典型值

0.0015

0.003

0.0015

0.003

5

10

±

V

REF

*

2

50*

6

100

5

±

1

±

1

±

1

14.5

2

360

18

5

480

±

1

±

1

±

1

14.5

2

360

18

5

480

最低位

mA

mW

笔记

1

V

REF

= 5.0 V时，转化率= 83 kSPS时，除非另有说明。值是校准后。

2

示值适用于从T任何温度

民

给T

最大

在该温度校正后。

3

所给出的值是基于校正在+ 25 ℃，在温度不额外校准。显示的值是从价值的最坏情况的变化，在25

°C.

4

请参阅“应用程序”一节推荐的电压参考电路，图12的动态性能与其它基准电压值。

5

请参阅“应用程序”一节推荐的输入缓冲电路。

*对于输入特性说明，请参阅“模拟输入”部分。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

–3–

AD676

时序特定网络阳离子

(T

参数

转换时间

2

CLK周期

3

校准时间

采样时间（包括在T

C

)

CAL忙延迟

忙采样延迟

样品BUSY延迟

CLK高

4

CLK低

4

样品低到第一CLK延迟

样品低

输出延迟

状态延迟

CAL的时候了

民

给T

最大

V

CC

= +12 V

符号

t

C

t

CLK

t

CT

t

S

t

CALB

t

BS

t

SB

t

CH

t

CL

t

SC

t

SL

t

OD

t

SD

t

CALH

5%, V

EE

= –12 V

民

10

480

2

5%, V

DD

= +5 V

典型值

10%, V

REF

= 10.0 V)

1

最大

1000

85,530

单位

s

ns

t

CLK

s

ns

s

ns

75

2

15

50

100

125

50

150

100

200

笔记

1

请参阅“变换控制”和“自动校正”章节的上述时序详细的解释。

2

依赖于外部时钟频率;包括采集时间和转换时间。被指定的最大转换时间占的下垂

内部采样/保持功能。较长的转换时间可能会降低性能。请参阅“通用转换指南”最大CON-的补充说明

版本时间。

3

580 ns的推荐的温度范围内最佳的精度。

4

t

CH

+ t

CL

= t

CLK

并且必须大于480纳秒。

t

CALH

CAL

t

CALB

忙

t

CT

t

CLK

t

CH

t

OD

CLK

t

CL

图1.时序校准

t

S

样品

（输入）

CLK

（输入）

第1位 - 第16位

（输出）

t

SL

t

C

样品

（输入）

13

14

15

16

17

t

S

t

SL

t

C

t

S

t

SC

1

2

3

4

5

t

CL

t

CLK

（先前的转换）

t

SC

1

2

3

4

5

t

CL

13

14

15

16

17

t

CH

（新数据）

CLK

（输入）

第1位 - 第16位

（输出）

t

CLK

（先前的转换）

t

CH

（新数据）

t

OD

忙

（输出）

t

OD

t

SD

忙

（输出）

t

BS

t

BS

t

SD

t

SB

t

SB

图2a。一般转换时序

图2b 。连续转换时序

–4–

REV 。一

AD676

订购指南

模型

AD676JD

AD676KD

AD676AD

AD676BD

温度范围

0 ° C至+ 70°C

-40 ° C至+ 85°C

1

S /（N + D）的

85分贝

87分贝

85分贝

87分贝

最大INL

±

1.5 LSB

±

1.5 LSB

包装说明

陶瓷28引脚DIP

包

选项

2

D-28

笔记

1

对于筛选符合MIL -STD- 883的档次和包装产品的详细信息，请参阅AD676 / 883的数据表。

2

D =陶瓷DIP封装。

绝对最大额定值*

V

CC

到V

EE

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至26.4 V

V

DD

到DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

V

CC

到AGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+18 V

V

EE

到AGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -18 V至0.3 V

AGND至DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

0.3 V

数字输入到DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0 V至+5.5 V

模拟输入，V

REF

到AGND

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V

CC

+ 0.3V）到（Ⅴ

EE

– 0.3 V)

焊接。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 300℃ ，10秒

储存温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

*应力大于“绝对最大额定值” ，可能引起

永久损坏设备。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作

本规范的操作部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。

小心

该AD676具有输入保护电路组成的大型“分布式”二极管和

多晶硅串联电阻消散兼具高能量放电（人体模型）和快速，

低能量脉冲（带电器件模型）。每个方法MIL -STD- 883C的3015.2的AD676

已被列为第1类设备。

适当的ESD保护措施，强烈建议，以避免功能性损坏或性能

退化。荷高达4000伏容易堆积在人体和测试

设备，和放电而不被发现。未使用的设备必须存储在导电泡沫

或分流器，并且泡沫排出到目的地插座装置被移除之前。欲了解更多

在ESD防范信息。请参阅ADI公司

ESD防护手册。

警告！

ESD敏感器件

REV 。一

–5–