a
特点
完整的单芯片12位与A / D转换器
参考时钟和三态输出缓冲器
工业标准引脚
高速升级为AD574A
8位和16位微处理器接口
8秒（最大）转换时间（ AD774B ）
15秒（最大）转换时间（ AD674B ）
5 V ， 10 V ， 0 V - 10 V ， 0 V- 20 V输入范围
商业，工业和军用温度
等级范围
可用的MIL-STD- 883标准的版本
5V电源
V
逻辑
数据模式选择
12/8
芯片选择
CS
字节地址/
短周期中
0
READ /转换的R / C
芯片使能
CE
12V / 15V电源
V
CC
10V参考
REF OUT
常见的模拟
AC
参考输入
在REF
-12V / -15V电源
V
EE
双极偏移
BIPOFF
10V输入SPAN
10V
IN
20V输入SPAN
20V
IN
1
2
3
4
5
6
完整的12位
A / D转换器
AD674B
*
/AD774B
*
功能框图
28
最高位
N
Y
3 B
B
。S L
T E
特区
COMP
我DAC
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
12
A
T
E
A
N
Y
B
B
L
E
B
N
Y
B
B
L
E
状态
STS
27
DB11 （MSB）
26
DB10
25
DB9
24
DB8
23
DB7
22
DB6
21
DB5
20
DB4
19
DB3
18
DB2
17
DB1
16
DB0 （ LSB ）
15
控制
时钟
–
7
8
9
10
+
10V
REF
+
数字
数据
输出
I REF
199.95
k
11
12
13
14
电压
分频器
产品说明
产品亮点
该AD674B和AD774B是完整的12位逐次
逼近模拟 - 数字转换器与三态
输出缓冲电路，用于直接接口的8位和16位
微处理器总线。一个高精度基准电压源和
时钟被包括在芯片和电路仅需要功率
供应和控制信号进行操作。
该AD674B和AD774B是引脚兼容的行业
尝试AD574A标准，但提供更快的转换时间和巴士─
存取速度比AD574A和更低的功耗。
该AD674B 15转换
s
（最大）和AD774B
转换成8
s
（最大值） 。
单片设计采用ADI公司的执行
采用BiMOS II工艺实现高性能双极性模拟
电路可以在同一芯片上具有数字CMOS逻辑组合。
偏移，线性和缩放误差由活性最小化
薄膜电阻激光调阻。
五种不同档次可供选择。 J和K级
运行在0 ° C至70 ° C温度范围。
A和B的成绩从-40 °C至+ 85°C时，T级
从-55°C至+ 125 ° C温度范围。 J和K级
采用28引脚塑料DIP或28引脚SOIC封装。所有其它等级
采用28引脚密封陶瓷DIP封装提供。
1.国际标准引脚：该AD674B和AD774B使用
按行业标准建立AD574A的引脚排列。
2.模拟操作：精密的激光微调缩放和
双极性失调电阻器提供四种校准范围： 0 V至
10 V和0 V至20 V单极; -5 V至+5 V和-10 V至
+ 10V双极性。该AD674B和AD774B的+5 V电源供电
和
±
12 V或
±
15 V电源。
3.灵活的数字接口：片上多模式三态
输出缓存器和接口逻辑电路允许直接连接到
大多数微处理器。该12位的输出数据的可
读或者作为一个12位的字或者作为2个8位字节（一个带
8个数据位，另用4个数据位和4个尾随零） 。
4.内部参考被调整到10.00 V 1 ％马克西
妈妈的错误和10ppm /°C典型温度系数。
参考的外部可用，并且可以驱动多达
2.0毫安超出转换器和连接双极的要求
征地拆迁补偿电阻。
5. AD674B和AD774B在版本并发症
蚂蚁与MIL- STD-883标准。请参阅ADI公司Mili-
tary产品数据手册或电流AD674B / AD774B / 883B
数据表的详细规格。
*受保护
由美国专利号4250445 。 4808908 ; RE30586 。
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
–
DAC
N
V
EE
C
最低位
AD674B/AD774B
数字
公共直流
to
AD674B/AD774B–SPECIFICATIONS
（ Tnoted 。 ）T
V
= + 5V 10 ％ ，V = -15 V 10 ％或-12 V 5 ％ ，除非另有
民
逻辑
EE
最大
随着V
CC
= +15 V
B级
最小典型最大
12
1/2
1/2
10 ％或+ 12V
T分级
最小典型最大
12
1/2
1
5%,
模型（ AD674B和AD774B ）
决议
线性误差@ 25°C
T
民
给T
最大
微分线性误差
（最小分辨率为其中没有
失码的保证）
单极性偏移
1
@ 25°C
双极偏移
1
@ 25°C
满量程校准误差
1, 2
@ 25 ℃（固定50
电阻器
从REF OUT至REF IN ）
温度范围
温度漂移
3
（使用内部参考）
单极
双极偏移
满量程校准
电源抑制
最大变化在满刻度校准
V
CC
= +15 V
±
1.5 V或+12 V
±
0.6 V
V
逻辑
= +5 V
±
0.5 V
V
EE
= –15 V
±
1.5 V或-12 V
±
0.6 V
模拟量输入
输入范围
双极
单极
输入阻抗
10 V跨度
20 V跨度
电源
工作范围
V
逻辑
V
CC
V
EE
工作电流
I
逻辑
I
CC
I
EE
耗电量
内部参考电压
输出电流
（可外部载荷）
（外部负载不应
变革中的转换）
级
级
最小值典型值最大值最小值典型值最大值
12
1
1
12
1/2
1/2
A级
最小典型最大
12
1
1
单位
位
最低位
最低位
12
2
6
12
2
3
12
2
6
12
2
3
12
2
3
位
最低位
最低位
0.1
0
0.25
70
0
0.1
0.125
70
–40
0.1
0.25
+85
–40
0.1
0.125
+85
–55
0.1
0.125
+125
％ FS的
°C
2
2
6
1
1
2
2
2
8
1
1
5
1
2
7
最低位
最低位
最低位
2
1/2
2
1
1/2
1
2
1/2
2
1
1/2
1
1
1/2
1
最低位
最低位
最低位
–5
–10
0
0
3
6
5
10
+5
+10
10
20
7
14
–5
–10
0
0
3
6
5
10
+5
+10
10
20
7
14
–5
–10
0
0
3
6
+5
+10
10
20
5
7
10
14
–5
–10
0
0
3
6
5
10
+5
+10
10
20
7
14
–5
–10
0
0
3
6
5
10
+5
+10
10
20
7
14
V
V
V
V
k
k
4.5
11.4
–16.5
3.5
3.5
10
220
175
9.9
5.5 4.5
16.5 11.4
–11.4 –16.5
7
7
14
375
3.5
3.5
10
5.5
4.5
16.5 11.4
–11.4 –16.5
7
7
14
5.5
16.5
–11.4
3.5
7
3.5
7
10
14
220
375
175
4.5
11.4
–16.5
3.5
3.5
10
5.5
16.5
–11.4
7
7
14
4.5
11.4
–16.5
5.5
16.5
–11.4
3.5
7
3.5
7
10
14
220
375
175
V
V
V
mA
mA
mA
mW
4
mW
5
V
mA
220
375
175
10.0
10.1
2.0
9.9
220
375
175
9.9
10.0
10.1
2.0
9.9
10.0
10.1 9.9
2.0
10.0
10.1
2.0
10.0
10.1
2.0
笔记
1
调节到零。
2
包括内部参考电压误差。
3
在25°C时的值最大变化到T的值
民
或T
最大
.
4
测试了REF通过50 OUT连接到REF IN
电阻，V
CC
= +16.5 V, V
EE
= –16.5 V, V
逻辑
= +5.5 V，而在高Z模式的输出。
5
测试了REF通过50 OUT连接到REF IN
电阻，V
CC
= +12 V, V
EE
= –12 V, V
逻辑
= + 5V ，而在高阻抗模式输出。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
如图规格
粗体
进行测试的
所有
在在T最终电气测试设备
民
，25° C和T
最大
。结果，从这些测试被用来计算出射的质量水平。所有的分，
最大规格有保证，但只有那些黑体字所示的测试。
–2–
版本C
AD674B/AD774B
数码特定网络阳离子
参数
逻辑输入
高电平输入电压
V
IH
V
IL
低电平输入电压
高电平输入电流
I
IH
I
IL
低电平输入电流
C
IN
输入电容
逻辑输出
高电平输出电压
V
OH
低电平输出电压
V
OL
高阻泄漏电流
I
OZ
C
OZ
高阻抗输出电容
（各年级牛逼
民
给T
最大
随着V
CC
= + 15V 10 ％或+ 12V 5 ％ ，V
逻辑
= +5 V
V
EE
= -15 V的10％或-12 V的5％ ，除非另有说明。 ）
测试条件
民
2.0
–0.5
–10
–10
最大
V
逻辑
+ 0.5
+0.8
+10
+10
10
10%,
单位
V
V
A
A
pF
V
V
A
pF
V
IN
= V
逻辑
V
IN
= 0 V
I
OH
- 0.5毫安
I
OL
= 1.6毫安
V
IN
= 0至V
逻辑
2.4
–10
0.4
+10
10
交换特定网络阳离子
转换器开始计时（图1 ）
（各年级牛逼
民
给T
最大
随着V
CC
= + 15V 10 ％或+ 12V 5 ％
V
逻辑
= +5 V 10%, V
EE
= -15 V的10％或-12 V的5％ ，除非另有说明。 ）
CE
t
HEC
t
SSC
t
HSC
参数
符号
J，K ， A，B等级
T分级
最小典型最大最小典型最大单位
6
9
4
6
50
50
50
50
50
0
50
8
12
5
7.3
10
15
6
8
200
6
9
4
6
50
50
50
50
50
0
50
8
12
5
7.3
10
15
6
8
225
s
s
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CS
t
SRC
t
HRC
转换时间
8位周期（ AD674B ）T
C
12位周期（ AD674B ）T
C
8位周期（ AD774B ）T
C
12位周期（ AD774B ）T
C
STS从CE推迟
t
DSC
CE脉宽
t
HEC
CS
到CE安装
t
SSC
CS
在低CE高t
HSC
R / C到CE安装
t
SRC
R / C低CE在高t
HRC
A
0
到CE安装
t
SAC
A
0
有效期间CE高t
HAC
的R / C
A
0
t
HAC
t
SAC
STS
t
C
t
DSC
DB11 - DB0
高
阻抗
图1.转换开始时序
CE
t
SSR
CS
t
HSR
读时序-FULL控制模式（图2 ）
的R / C
t
SRR
t
HRR
参数
存取时间
C
L
= 100 pF的
数据CE低后有效
输出的浮动延迟
CS
到CE安装
R / C到CE安装
A
0
到CE安装
CS
有效的行政长官后低
R / C高CE低后
A
0
有效的行政长官后低
符号
t
DD1
t
HD
t
HL
t
SSR
t
SRR
t
特区
t
HSR
t
HRR
t
HAR
5
J，K ， A，B等级
T分级
最小典型最大最小典型最大单位
75
25
20
3
150
50
0
50
0
0
50
50
0
50
0
0
50
2
A
0
STS
DB11 - DB0
t
特区
t
HAR
150
25
15
4
2
75
150
150
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
HD
高
阻抗
t
DD
数据
有效
高
阻抗
t
HL
5V
3k
图2.读周期时序
DB
N
3k
100pF
DB
N
100pF
笔记
1
t
DD
测量与图3a的负载电路并且被定义为所需的时间
为输出跨越0.4 V或2.4 V.
2
0° C至T的
最大
.
3
在-40℃下。
4
在-55°C 。
5
t
HL
当载有被定义为改变0.5伏所需的数据线的时间
图3b的电路。
如图规格
粗体
是在用最后的电气测试测试上的所有设备
最坏的情况下的电源电压在T
民
，25° C和T
最大
。结果，从这些测试中使用
计算离任的质量水平。所有的最小和最大规格有保证，
虽然只有那些黑体字所示的测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
高-Z为逻辑1
高-Z为逻辑0
高-Z为逻辑1
高-Z为逻辑0
5V
3k
图3a。负载电路的存取时间测试
DB
N
3k
100pF
DB
N
100pF
逻辑1到高阻
逻辑0到高阻
逻辑1到高阻
逻辑0到高阻
图3b 。负载电路输出的浮动延迟测试
版本C
–3–
AD674B/AD774B
时序单机模式下（图4a和4b ）
参数
数据访问时间
低R / C脉宽
自R / C STS延迟
数据有效后的R / C低
STS延迟数据有效后
高R / C脉宽
符号
t
DDR
t
HRL
t
DS
t
HDR
t
HS
t
HRH
J，K ， A，B等级
T分级
最小典型最大最小典型最大单位
150
50
200
25
30
150
200
600
50
225
25
30 200 600
150
150
ns
ns
ns
ns
ns
ns
的R / C
t
HRL
t
DS
STS
t
C
t
HDR
DB11–DB0
数据
有效
高-Z
数据有效
t
HS
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
绝对最大额定值*
V
CC
数码通用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至16.5 V
V
EE
数码通用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至-16.5 V
V
逻辑
数码通用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 + 7V
模拟常见的数码常见。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1 V
数字输入到数字通用。 。 。 -0.5 V到V
逻辑
+0.5 V
模拟输入到模拟常见。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
EE
到V
CC
20 V
IN
为模拟常见。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
24 V
REF OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。短不定常见
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。瞬间短路到V
CC
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175℃
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 825毫瓦
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
Flgure 4A 。单机模式时序低脉冲R /
C
的R / C
t
HRH
STS
t
DS
t
C
t
DDR
高-Z
t
HDR
高-Z
DB11–DB0
数据
有效
t
HL
图4b。单机模式时序脉冲高为R /
C
订购指南
模型
l
温度
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
转变
时间（最大）
15
s
15
s
15
s
15
s
15
s
15
s
15
s
8
s
8
s
8
s
8
s
8
s
8
s
8
s
INL
(T
民
给T
最大
)
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
包
描述
塑料DIP
塑料DIP
塑料SOIC
塑料SOIC
陶瓷DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
塑料DIP
塑料DIP
塑料SOIC
塑料SOIC
陶瓷DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
包
选项
2
N-28
N-28
R-28
R-28
D-28
D-28
D-28
N-28
N-28
R-28
R-28
D-28
D-28
D-28
AD674BJN
AD674BKN
AD674BAR
AD674BBR
AD674BAD
AD674BBD
AD674BTD
AD774BJN
AD774BKN
AD774BAR
AD774BBR
AD774BAD
AD774BBD
AD774BTD
笔记
1
上档次，包装产品筛选符合MIL -STD- 883的详细信息，请参阅ADI公司军用
产品数据手册或当前AD674B / AD774B / 883B数据手册。
2
N =塑料DIP ; D =密封DIP ; R =塑料SOIC 。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
在AD674B / AD774B具有专用ESD保护电路，可能会出现永久性损坏
在遇到高能量静电放电设备。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
版本C
AD674B/AD774B
对特定网络阳离子德网络nition
线性误差
量化不确定性
线性误差是指每个码的偏移
从“零”，通过划清了界限“满刻度”点
作为“零”发生1/2 LSB （ 1.22毫伏为10 V范围）前
第一个代码转换（全零，只在LSB “上” ） 。 “全
尺度“被定义为第1级的1/2 LSB超出最后一个码转录
习得（所有的） 。的一个代码从真直的偏差
线是从每一个特定代码的中间测量的。
该K，B和T牌号保证最大nonlinear-
的性
±
1/2 LSB 。对于这些等级，这意味着它们将模拟
值，该值落在刚好在一个给定的代码宽度的中心将
导致正确的数字输出代码。数值越接近上限
或代码宽度的低频侧的过渡可能会产生下一个上
或较低的数字输出代码。 J和A级有保证
to
±
1 LSB（最大值）的错误。对于这些成绩，模拟值
落入给定的代码宽度内将导致在任一正确的
该区域或任一相邻的一个代码。
注意，线性误差是用户不可调节。
微分线性误差（无失码）
模拟 - 数字转换器呈现固有的量化
不确定性
±
1/2 LSB 。这种不确定性是一个根本性的
特性的量化处理，并不能减少
对于给定的分辨率的转换器。
左对齐数据
输出数据格式是左对齐。这意味着该
数据表示模拟输入为满量程的一小部分， rang-
荷兰国际集团从0到4096分之4095 。这意味着二进制点至4095
MSB的左边。
满量程校准误差
的规范，保证无丢失码要求
每个码组合出现在一个单调递增序列
作为模拟输入电平增加。因此，每一个代码都必须有一个
有限的宽度。该AD674B和AD774B保证无失码
以12位分辨率，要求所有4096代码必须存在
在整个工作温度范围。
单极性偏移
最后一次转换（从1111 1111 1110年至1111年1111 1111 ）
应该会出现一个模拟值1 1/2 LSB低于标称
满量程（ 9.9963 V为10.000 V满量程） 。满量程卡利
bration误差是实际水平的上一次跃迁的偏差
灰从理想的水平。这个错误，通常是0.05％至
满刻度的0.1％ ，可以修剪出如图7
和8给出了温度的满量程校准错误
使用和不使用的初始误差修整出来。温度
系数为各等级指示的最大变化
从初始值使用内部10 V满度增益
参考。
温度漂移
温度漂移为满量程校准，单极性偏移，
和双极偏移指定从最初的最大变化
（ 25℃）的值，以在T的值
民
或T
最大
.
电源抑制
第一个转变应该发生在一个水平的1/2 LSB以上模拟
常见的。单极性偏移被定义为实际的偏差
从该点过渡。这个偏移量可以调整所讨论的
后来。单极性偏移温度系数指定
转变点的最大变化在整个温度范围，
有或没有外部调整。
双极偏移
标准规格假设使用的5.00 V和
±
15.00 V
or
±
12.00 V电源。电源误差对唯一的影响
该装置的性能将是一个小的变化
满量程校准。这将导致所有的线性变化
低阶码。规格显示最大全
从与物资的初始值规模变化
各种限制。
编码宽度
在双极性模式下，主进位跃迁（ 0111 1111 1111
1000 0000 0000 ）应会出现一个模拟值的1/2 LSB
下面模拟常见的。双极性失调误差和温度
系数指定初始偏差和最大变化
错误的温度过高。
一个基本量的A / D转换器的规格是
代码宽度。这被定义为模拟输入值的范围
这将发生在给定的数字输出代码。标称值
一个代码宽度相当于1至少显著位的（ LSB）的
满量程或2.44毫伏出10 V的12位ADC 。
版本C
–5–
a
特点
完整的单芯片12位与A / D转换器
参考时钟和三态输出缓冲器
工业标准引脚
高速升级为AD574A
8位和16位微处理器接口
8秒（最大）转换时间（ AD774B ）
15秒（最大）转换时间（ AD674B ）
5 V ， 10 V ， 0 V - 10 V ， 0 V- 20 V输入范围
商业，工业和军用温度
等级范围
可用的MIL-STD- 883标准的版本
5V电源
V
逻辑
数据模式选择
12/8
芯片选择
CS
字节地址/
短周期中
0
READ /转换的R / C
芯片使能
CE
12V / 15V电源
V
CC
10V参考
REF OUT
常见的模拟
AC
参考输入
在REF
-12V / -15V电源
V
EE
双极偏移
BIPOFF
10V输入SPAN
10V
IN
20V输入SPAN
20V
IN
1
2
3
4
5
6
完整的12位
A / D转换器
AD674B
*
/AD774B
*
功能框图
28
最高位
N
Y
3 B
B
。S L
T E
特区
COMP
我DAC
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
12
A
T
E
A
N
Y
B
B
L
E
B
N
Y
B
B
L
E
状态
STS
27
DB11 （MSB）
26
DB10
25
DB9
24
DB8
23
DB7
22
DB6
21
DB5
20
DB4
19
DB3
18
DB2
17
DB1
16
DB0 （ LSB ）
15
控制
时钟
–
7
8
9
10
+
10V
REF
+
数字
数据
输出
I REF
199.95
k
11
12
13
14
电压
分频器
产品说明
产品亮点
该AD674B和AD774B是完整的12位逐次
逼近模拟 - 数字转换器与三态
输出缓冲电路，用于直接接口的8位和16位
微处理器总线。一个高精度基准电压源和
时钟被包括在芯片和电路仅需要功率
供应和控制信号进行操作。
该AD674B和AD774B是引脚兼容的行业
尝试AD574A标准，但提供更快的转换时间和巴士─
存取速度比AD574A和更低的功耗。
该AD674B 15转换
s
（最大）和AD774B
转换成8
s
（最大值） 。
单片设计采用ADI公司的执行
采用BiMOS II工艺实现高性能双极性模拟
电路可以在同一芯片上具有数字CMOS逻辑组合。
偏移，线性和缩放误差由活性最小化
薄膜电阻激光调阻。
五种不同档次可供选择。 J和K级
运行在0 ° C至70 ° C温度范围。
A和B的成绩从-40 °C至+ 85°C时，T级
从-55°C至+ 125 ° C温度范围。 J和K级
采用28引脚塑料DIP或28引脚SOIC封装。所有其它等级
采用28引脚密封陶瓷DIP封装提供。
1.国际标准引脚：该AD674B和AD774B使用
按行业标准建立AD574A的引脚排列。
2.模拟操作：精密的激光微调缩放和
双极性失调电阻器提供四种校准范围： 0 V至
10 V和0 V至20 V单极; -5 V至+5 V和-10 V至
+ 10V双极性。该AD674B和AD774B的+5 V电源供电
和
±
12 V或
±
15 V电源。
3.灵活的数字接口：片上多模式三态
输出缓存器和接口逻辑电路允许直接连接到
大多数微处理器。该12位的输出数据的可
读或者作为一个12位的字或者作为2个8位字节（一个带
8个数据位，另用4个数据位和4个尾随零） 。
4.内部参考被调整到10.00 V 1 ％马克西
妈妈的错误和10ppm /°C典型温度系数。
参考的外部可用，并且可以驱动多达
2.0毫安超出转换器和连接双极的要求
征地拆迁补偿电阻。
5. AD674B和AD774B在版本并发症
蚂蚁与MIL- STD-883标准。请参阅ADI公司Mili-
tary产品数据手册或电流AD674B / AD774B / 883B
数据表的详细规格。
*受保护
由美国专利号4250445 。 4808908 ; RE30586 。
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
–
DAC
N
V
EE
C
最低位
AD674B/AD774B
数字
公共直流
to
AD674B/AD774B–SPECIFICATIONS
（ Tnoted 。 ）T
V
= + 5V 10 ％ ，V = -15 V 10 ％或-12 V 5 ％ ，除非另有
民
逻辑
EE
最大
随着V
CC
= +15 V
B级
最小典型最大
12
1/2
1/2
10 ％或+ 12V
T分级
最小典型最大
12
1/2
1
5%,
模型（ AD674B和AD774B ）
决议
线性误差@ 25°C
T
民
给T
最大
微分线性误差
（最小分辨率为其中没有
失码的保证）
单极性偏移
1
@ 25°C
双极偏移
1
@ 25°C
满量程校准误差
1, 2
@ 25 ℃（固定50
电阻器
从REF OUT至REF IN ）
温度范围
温度漂移
3
（使用内部参考）
单极
双极偏移
满量程校准
电源抑制
最大变化在满刻度校准
V
CC
= +15 V
±
1.5 V或+12 V
±
0.6 V
V
逻辑
= +5 V
±
0.5 V
V
EE
= –15 V
±
1.5 V或-12 V
±
0.6 V
模拟量输入
输入范围
双极
单极
输入阻抗
10 V跨度
20 V跨度
电源
工作范围
V
逻辑
V
CC
V
EE
工作电流
I
逻辑
I
CC
I
EE
耗电量
内部参考电压
输出电流
（可外部载荷）
（外部负载不应
变革中的转换）
级
级
最小值典型值最大值最小值典型值最大值
12
1
1
12
1/2
1/2
A级
最小典型最大
12
1
1
单位
位
最低位
最低位
12
2
6
12
2
3
12
2
6
12
2
3
12
2
3
位
最低位
最低位
0.1
0
0.25
70
0
0.1
0.125
70
–40
0.1
0.25
+85
–40
0.1
0.125
+85
–55
0.1
0.125
+125
％ FS的
°C
2
2
6
1
1
2
2
2
8
1
1
5
1
2
7
最低位
最低位
最低位
2
1/2
2
1
1/2
1
2
1/2
2
1
1/2
1
1
1/2
1
最低位
最低位
最低位
–5
–10
0
0
3
6
5
10
+5
+10
10
20
7
14
–5
–10
0
0
3
6
5
10
+5
+10
10
20
7
14
–5
–10
0
0
3
6
+5
+10
10
20
5
7
10
14
–5
–10
0
0
3
6
5
10
+5
+10
10
20
7
14
–5
–10
0
0
3
6
5
10
+5
+10
10
20
7
14
V
V
V
V
k
k
4.5
11.4
–16.5
3.5
3.5
10
220
175
9.9
5.5 4.5
16.5 11.4
–11.4 –16.5
7
7
14
375
3.5
3.5
10
5.5
4.5
16.5 11.4
–11.4 –16.5
7
7
14
5.5
16.5
–11.4
3.5
7
3.5
7
10
14
220
375
175
4.5
11.4
–16.5
3.5
3.5
10
5.5
16.5
–11.4
7
7
14
4.5
11.4
–16.5
5.5
16.5
–11.4
3.5
7
3.5
7
10
14
220
375
175
V
V
V
mA
mA
mA
mW
4
mW
5
V
mA
220
375
175
10.0
10.1
2.0
9.9
220
375
175
9.9
10.0
10.1
2.0
9.9
10.0
10.1 9.9
2.0
10.0
10.1
2.0
10.0
10.1
2.0
笔记
1
调节到零。
2
包括内部参考电压误差。
3
在25°C时的值最大变化到T的值
民
或T
最大
.
4
测试了REF通过50 OUT连接到REF IN
电阻，V
CC
= +16.5 V, V
EE
= –16.5 V, V
逻辑
= +5.5 V，而在高Z模式的输出。
5
测试了REF通过50 OUT连接到REF IN
电阻，V
CC
= +12 V, V
EE
= –12 V, V
逻辑
= + 5V ，而在高阻抗模式输出。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
如图规格
粗体
进行测试的
所有
在在T最终电气测试设备
民
，25° C和T
最大
。结果，从这些测试被用来计算出射的质量水平。所有的分，
最大规格有保证，但只有那些黑体字所示的测试。
–2–
版本C
AD674B/AD774B
数码特定网络阳离子
参数
逻辑输入
高电平输入电压
V
IH
V
IL
低电平输入电压
高电平输入电流
I
IH
I
IL
低电平输入电流
C
IN
输入电容
逻辑输出
高电平输出电压
V
OH
低电平输出电压
V
OL
高阻泄漏电流
I
OZ
C
OZ
高阻抗输出电容
（各年级牛逼
民
给T
最大
随着V
CC
= + 15V 10 ％或+ 12V 5 ％ ，V
逻辑
= +5 V
V
EE
= -15 V的10％或-12 V的5％ ，除非另有说明。 ）
测试条件
民
2.0
–0.5
–10
–10
最大
V
逻辑
+ 0.5
+0.8
+10
+10
10
10%,
单位
V
V
A
A
pF
V
V
A
pF
V
IN
= V
逻辑
V
IN
= 0 V
I
OH
- 0.5毫安
I
OL
= 1.6毫安
V
IN
= 0至V
逻辑
2.4
–10
0.4
+10
10
交换特定网络阳离子
转换器开始计时（图1 ）
（各年级牛逼
民
给T
最大
随着V
CC
= + 15V 10 ％或+ 12V 5 ％
V
逻辑
= +5 V 10%, V
EE
= -15 V的10％或-12 V的5％ ，除非另有说明。 ）
CE
t
HEC
t
SSC
t
HSC
参数
符号
J，K ， A，B等级
T分级
最小典型最大最小典型最大单位
6
9
4
6
50
50
50
50
50
0
50
8
12
5
7.3
10
15
6
8
200
6
9
4
6
50
50
50
50
50
0
50
8
12
5
7.3
10
15
6
8
225
s
s
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CS
t
SRC
t
HRC
转换时间
8位周期（ AD674B ）T
C
12位周期（ AD674B ）T
C
8位周期（ AD774B ）T
C
12位周期（ AD774B ）T
C
STS从CE推迟
t
DSC
CE脉宽
t
HEC
CS
到CE安装
t
SSC
CS
在低CE高t
HSC
R / C到CE安装
t
SRC
R / C低CE在高t
HRC
A
0
到CE安装
t
SAC
A
0
有效期间CE高t
HAC
的R / C
A
0
t
HAC
t
SAC
STS
t
C
t
DSC
DB11 - DB0
高
阻抗
图1.转换开始时序
CE
t
SSR
CS
t
HSR
读时序-FULL控制模式（图2 ）
的R / C
t
SRR
t
HRR
参数
存取时间
C
L
= 100 pF的
数据CE低后有效
输出的浮动延迟
CS
到CE安装
R / C到CE安装
A
0
到CE安装
CS
有效的行政长官后低
R / C高CE低后
A
0
有效的行政长官后低
符号
t
DD1
t
HD
t
HL
t
SSR
t
SRR
t
特区
t
HSR
t
HRR
t
HAR
5
J，K ， A，B等级
T分级
最小典型最大最小典型最大单位
75
25
20
3
150
50
0
50
0
0
50
50
0
50
0
0
50
2
A
0
STS
DB11 - DB0
t
特区
t
HAR
150
25
15
4
2
75
150
150
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
HD
高
阻抗
t
DD
数据
有效
高
阻抗
t
HL
5V
3k
图2.读周期时序
DB
N
3k
100pF
DB
N
100pF
笔记
1
t
DD
测量与图3a的负载电路并且被定义为所需的时间
为输出跨越0.4 V或2.4 V.
2
0° C至T的
最大
.
3
在-40℃下。
4
在-55°C 。
5
t
HL
当载有被定义为改变0.5伏所需的数据线的时间
图3b的电路。
如图规格
粗体
是在用最后的电气测试测试上的所有设备
最坏的情况下的电源电压在T
民
，25° C和T
最大
。结果，从这些测试中使用
计算离任的质量水平。所有的最小和最大规格有保证，
虽然只有那些黑体字所示的测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
高-Z为逻辑1
高-Z为逻辑0
高-Z为逻辑1
高-Z为逻辑0
5V
3k
图3a。负载电路的存取时间测试
DB
N
3k
100pF
DB
N
100pF
逻辑1到高阻
逻辑0到高阻
逻辑1到高阻
逻辑0到高阻
图3b 。负载电路输出的浮动延迟测试
版本C
–3–
AD674B/AD774B
时序单机模式下（图4a和4b ）
参数
数据访问时间
低R / C脉宽
自R / C STS延迟
数据有效后的R / C低
STS延迟数据有效后
高R / C脉宽
符号
t
DDR
t
HRL
t
DS
t
HDR
t
HS
t
HRH
J，K ， A，B等级
T分级
最小典型最大最小典型最大单位
150
50
200
25
30
150
200
600
50
225
25
30 200 600
150
150
ns
ns
ns
ns
ns
ns
的R / C
t
HRL
t
DS
STS
t
C
t
HDR
DB11–DB0
数据
有效
高-Z
数据有效
t
HS
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
绝对最大额定值*
V
CC
数码通用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至16.5 V
V
EE
数码通用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至-16.5 V
V
逻辑
数码通用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 + 7V
模拟常见的数码常见。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1 V
数字输入到数字通用。 。 。 -0.5 V到V
逻辑
+0.5 V
模拟输入到模拟常见。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
EE
到V
CC
20 V
IN
为模拟常见。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
24 V
REF OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。短不定常见
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。瞬间短路到V
CC
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175℃
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 825毫瓦
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
Flgure 4A 。单机模式时序低脉冲R /
C
的R / C
t
HRH
STS
t
DS
t
C
t
DDR
高-Z
t
HDR
高-Z
DB11–DB0
数据
有效
t
HL
图4b。单机模式时序脉冲高为R /
C
订购指南
模型
l
温度
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
转变
时间（最大）
15
s
15
s
15
s
15
s
15
s
15
s
15
s
8
s
8
s
8
s
8
s
8
s
8
s
8
s
INL
(T
民
给T
最大
)
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
±
1/2最低位
±
1 LSB
包
描述
塑料DIP
塑料DIP
塑料SOIC
塑料SOIC
陶瓷DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
塑料DIP
塑料DIP
塑料SOIC
塑料SOIC
陶瓷DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
包
选项
2
N-28
N-28
R-28
R-28
D-28
D-28
D-28
N-28
N-28
R-28
R-28
D-28
D-28
D-28
AD674BJN
AD674BKN
AD674BAR
AD674BBR
AD674BAD
AD674BBD
AD674BTD
AD774BJN
AD774BKN
AD774BAR
AD774BBR
AD774BAD
AD774BBD
AD774BTD
笔记
1
上档次，包装产品筛选符合MIL -STD- 883的详细信息，请参阅ADI公司军用
产品数据手册或当前AD674B / AD774B / 883B数据手册。
2
N =塑料DIP ; D =密封DIP ; R =塑料SOIC 。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
在AD674B / AD774B具有专用ESD保护电路，可能会出现永久性损坏
在遇到高能量静电放电设备。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
版本C
AD674B/AD774B
对特定网络阳离子德网络nition
线性误差
量化不确定性
线性误差是指每个码的偏移
从“零”，通过划清了界限“满刻度”点
作为“零”发生1/2 LSB （ 1.22毫伏为10 V范围）前
第一个代码转换（全零，只在LSB “上” ） 。 “全
尺度“被定义为第1级的1/2 LSB超出最后一个码转录
习得（所有的） 。的一个代码从真直的偏差
线是从每一个特定代码的中间测量的。
该K，B和T牌号保证最大nonlinear-
的性
±
1/2 LSB 。对于这些等级，这意味着它们将模拟
值，该值落在刚好在一个给定的代码宽度的中心将
导致正确的数字输出代码。数值越接近上限
或代码宽度的低频侧的过渡可能会产生下一个上
或较低的数字输出代码。 J和A级有保证
to
±
1 LSB（最大值）的错误。对于这些成绩，模拟值
落入给定的代码宽度内将导致在任一正确的
该区域或任一相邻的一个代码。
注意，线性误差是用户不可调节。
微分线性误差（无失码）
模拟 - 数字转换器呈现固有的量化
不确定性
±
1/2 LSB 。这种不确定性是一个根本性的
特性的量化处理，并不能减少
对于给定的分辨率的转换器。
左对齐数据
输出数据格式是左对齐。这意味着该
数据表示模拟输入为满量程的一小部分， rang-
荷兰国际集团从0到4096分之4095 。这意味着二进制点至4095
MSB的左边。
满量程校准误差
的规范，保证无丢失码要求
每个码组合出现在一个单调递增序列
作为模拟输入电平增加。因此，每一个代码都必须有一个
有限的宽度。该AD674B和AD774B保证无失码
以12位分辨率，要求所有4096代码必须存在
在整个工作温度范围。
单极性偏移
最后一次转换（从1111 1111 1110年至1111年1111 1111 ）
应该会出现一个模拟值1 1/2 LSB低于标称
满量程（ 9.9963 V为10.000 V满量程） 。满量程卡利
bration误差是实际水平的上一次跃迁的偏差
灰从理想的水平。这个错误，通常是0.05％至
满刻度的0.1％ ，可以修剪出如图7
和8给出了温度的满量程校准错误
使用和不使用的初始误差修整出来。温度
系数为各等级指示的最大变化
从初始值使用内部10 V满度增益
参考。
温度漂移
温度漂移为满量程校准，单极性偏移，
和双极偏移指定从最初的最大变化
（ 25℃）的值，以在T的值
民
或T
最大
.
电源抑制
第一个转变应该发生在一个水平的1/2 LSB以上模拟
常见的。单极性偏移被定义为实际的偏差
从该点过渡。这个偏移量可以调整所讨论的
后来。单极性偏移温度系数指定
转变点的最大变化在整个温度范围，
有或没有外部调整。
双极偏移
标准规格假设使用的5.00 V和
±
15.00 V
or
±
12.00 V电源。电源误差对唯一的影响
该装置的性能将是一个小的变化
满量程校准。这将导致所有的线性变化
低阶码。规格显示最大全
从与物资的初始值规模变化
各种限制。
编码宽度
在双极性模式下，主进位跃迁（ 0111 1111 1111
1000 0000 0000 ）应会出现一个模拟值的1/2 LSB
下面模拟常见的。双极性失调误差和温度
系数指定初始偏差和最大变化
错误的温度过高。
一个基本量的A / D转换器的规格是
代码宽度。这被定义为模拟输入值的范围
这将发生在给定的数字输出代码。标称值
一个代码宽度相当于1至少显著位的（ LSB）的
满量程或2.44毫伏出10 V的12位ADC 。
版本C
–5–
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