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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第480页 > AD669BRZ
a
特点
完整的16位D / A功能
片内输出放大器
高稳定性埋齐纳参考
整体采用BiMOS II建设
1 LSB积分线性误差
15位单调性在整个温度范围
微处理器兼容
16位并行输入
双缓冲锁存器
快40纳秒写入脉冲
单极性或双极性输出
低干扰： 15 nV-s表示
低THD + N ： 0.009 ％
MIL -STD- 883可提供标准版本
（MSB）
DB15
7
CS
6
L1
5
LDAC 23
10k
在REF
REF OUT
27
28
单片16位
DACPORT
AD669
功能框图
（ LSB ）
DB0
22
10k
10.05k
16位锁存器
26 SPAN /
BIP OFF
16位锁存器
16位DAC
AMP
25 V
OUT
24 AGND
10V参考
1
–V
EE
2
+V
CC
AD669
3
+V
LL
4
DGND
概述
产品亮点
该AD669 DACPORT
是一个完整的16位单芯片D / A
转换器与一个板上参考和输出放大器。这是
生产上ADI公司BiMOS II工艺。这种亲
塞斯允许低功耗CMOS逻辑功能的制造
在同一芯片高精度双极性线性电路。该
AD669芯片包括电流开关，解码逻辑，一个输出
放大器，一个嵌入式齐纳二极管基准和双缓冲锁存器。
该AD669架构可确保15位单调性过
温度。积分非线性保持在
±
0.003%,
而微分非线性是
±
0.003 ％以下。片上
输出放大器提供电压输出稳定的10倍
s
要在1/2 LSB为满量程的一步。
数据被加载到AD669在并行16位的格式。该
双缓冲锁存结构不仅可以消除数据偏斜误差，
提供的DAC在多DAC的同时更新
系统。三个TTL / LSTTL / 5 V CMOS兼容的信号CON组
控制锁存器：
CS ， L1
和LDAC 。
在AD669的输出范围通过引脚编程设置，可
被设成提供0V的单极性输出范围至10伏或一个
-10 V至+10 V双极性输出范围
该AD669是七个等级可供选择： AN和BN版本
从-40 ° C的至+ 85°C ，并封装在一个28引脚
塑料DIP封装。 AR和BR版本为-40 ° C至指定
+ 85°C的操作，并封装在一个28引脚SOIC封装。该SQ
版本从-55° C至+ 125°C ，并封装在一个
密封28引脚CERDIP封装。该AD669也可
符合MIL- STD-883标准。请参考AD669 / 883B数据
片规格和测试条件。
DACPORT是ADI公司的注册商标。
1. AD669是一款完整的电压输出16位DAC
电压基准和一个单一集成电路芯片上的数字锁存器。
2.内部嵌入式齐纳二极管基准是经激光调整至
10.000伏以
±
0.2 ％的最大错误。参考
电压也可用于外部应用程序。
3. AD669是直流和交流规定。 DC规格包括
±
1 LSB INL误差，
±
1 LSB DNL误差。 AC规格包括：
0.009 ％的THD + N和83分贝信噪比。 AC规范
使AD669适合于信号产生的应用程序。
4.在AD669的双缓冲锁存器消除数据
同时允许的DAC的同时更新偏斜误差
多DAC系统。
5.输出范围是引脚可编程单极0 V至
+ 10V或双极-10 V至+10 V输出。没有外部元件
堂费是必要的，设置所需的输出范围。
6. AD669是符合MIL-版本
STD- 883 。请参阅ADI公司军用产品
数据手册或电流AD669 / 883B数据手册详细
特定连接的阳离子。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
AD669–SPECIFICATIONS
（ @ T = 25 ℃， V
A
CC
= +15 V, V
EE
= –15 V, V
LL
= + 5V，除非另有说明）
AD669AQ/SQ
民
典型值
最大
16
5.5
0.8
10
10
2
4
2
4
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
14
0.15
25
5
5
15
12
0.10
15
5
3
15
10
*
*
*
*
1000
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
15
*
*
*
*
*
*
*
*
*
15
0.10
15
2.5
3
10
5
*
*
*
15
AD669BN/BQ/BR
民
典型值
最大
16
*
*
*
*
*
*
1
2
1
2
单位
位
伏
伏
A
A
最低位
最低位
最低位
最低位
位
％ FSR的
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
k
k
伏
PPM /°C的
mA
pF
mA
模型
决议
数字输入（T
民
给T
最大
)
V
IH
（逻辑“1”）
V
IL
（逻辑“0”）
I
IH
(V
IH
= 5.5 V)
I
IL
(V
IL
= 0 V)
传递函数特性
1
积分非线性
T
民
给T
最大
微分非线性
T
民
给T
最大
单调过热
增益误差
2, 5
增益漂移
2
(T
民
给T
最大
)
单极性偏移
单极性偏移漂移（T
民
给T
最大
)
双极性零误差
双极性零误差漂移（T
民
给T
最大
)
参考输入
输入阻抗
双极偏移输入电阻
参考输出
电压
漂移
外部电流
3
容性负载
短路电流
输出特性
输出电压范围
单极CON组fi guration
双极性配置
输出电流
容性负载
短路电流
电源
电压
V
CC4
V
EE4
V
LL
电流（无负载）
I
CC
I
EE
I
LL
@ V
IH
, V
IL
= 5, 0 V
@ V
IH
, V
IL
= 2.4, 0.4 V
电源灵敏度
功耗（静态，空载）
温度范围
指定的性能（A ， B）
指定的性能（ S）
AD669AN/AR
民
典型值
最大
16
2.0
0
14
7
7
9.98
2
10
10
10.00
4
25
13
13
10.02
25
0
–10
5
25
+10
+10
1000
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
伏
伏
mA
pF
mA
+13.5
–13.5
+4.5
+12
–12
0.3
3
1
365
–40
+16.5
–16.5
+5.5
+18
–18
2
7.5
3
625
+85
*
*
*
*
*
*
*
*
*
–40
–55
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
–40
*
*
*
*
*
*
*
*
伏
伏
伏
mA
mA
mA
mA
PPM / ％
mW
°C
°C
+85
+125
+85
笔记
1
对于16位分辨率， 1 LSB = FSR的0.0015 ％= 15 ppm的FSR的。对于15位分辨率， 1 LSB = FSR的0.003 ％= 30 ppm的FSR的。对于14位分辨率
1 LSB = FSR的0.006 ％= 60 ppm的FSR的。 FSR表示满量程范围，并为10 V为0 V至+ 10 V范围及20 V为-10 V至+10 V范围。
2
增益误差和增益漂移使用内部基准测量。增益漂移主要是参考有关。见与AD688参考部分中使用AD669
了解更多信息。
3
外部电流被定义为除了供应到REF IN和SPAN /双极性电流可抵消的AD669 。
4
操作上
±
12 V电源能够利用像AD586外部基准和还原的输出范围。请参阅内部/外部参考使用一节。
5
测得的固定50
电阻器。消除这些电阻通过FSR （单极性模式）或FSR （双极模式） 0.50 ％ 0.25％增加了增益误差。请参阅
模拟电路的连接部分。
*同AD669AN / AR规范。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
规格
粗体
所有生产经营单位在最后的电气测试进行测试。结果，从这些测试被用来计算出射的质量水平。所有的最小和最大规格
系统蒸发散的保证。那些黑体字所示的所有生产经营单位进行测试。
–2–
REV 。一
AD669
AC性能特点
参数
输出建立时间
（时间
±
0.0008 ％ FS
与2 kΩ的， 1000 pF负载）
极限
13
8
10
6
8
2.5
0.009
0.07
7.0
83
15
2
120
125
（除的总谐波失真加噪声和信号 - 噪声
比，这些特性包括，仅供设计参考，并不受考验。 THD + N和信噪比都经过100％测试。
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
, V
CC
= +15 V, V
EE
= –15 V, V
LL
= + 5V ，除非另有说明。 ）
单位
s
最大
s
典型值
s
典型值
s
典型值
s
典型值
s
典型值
％最大
％最大
％最大
分贝分钟
nV-s表示，典型值
nV-s表示，典型值
内华达州/ √Hz的典型值
内华达州/ √Hz的典型值
测试条件/评论
20 V步骤，T
A
= +25°C
20 V步骤，T
A
= +25°C
20 V步骤，T
民
≤
T
A
≤
T
最大
10 V步骤，T
A
= +25°C
10 V步骤，T
民
≤
T
A
≤
T
最大
1 LSB步，T
民
≤
T
A
≤
T
最大
0分贝， 1001赫兹;采样率= 100千赫;牛逼
A
= +25°C
-20分贝， 1001赫兹;采样率= 100千赫;牛逼
A
= +25°C
-60分贝1001赫兹;采样率= 100千赫;牛逼
A
= +25°C
T
A
= +25°C
DAC或者满载8000H和7FFFH
DAC或者装入0000h和FFFFH ;
CS
高
测量V
OUT
， 20 V跨度;不包括参考
测量REF OUT
总谐波失真+噪声
A，B ，S级
A，B ，S级
A，B ，S级
信噪比
数模转换毛刺脉冲
数字馈通
输出噪声电压
密度（ 1千赫 - 1兆赫）
参考噪声
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
规格
黑体字为
所有生产经营单位在最后的电气检验。结果，从这些测试被用来计算出射的质量水平。所有的分，
最大规格有保证。那些黑体字所示的所有生产经营单位进行测试。
时序特性
V
CC
= +15 V, V
EE
= –15 V, V
LL
= +5 V, V
HI
= 2.4 V, V
LO
= 0.4 V
极限
+25 C
40
40
30
10
90
40
130
40
120
10
极限
-40 ℃
+85 C
50
50
35
10
110
45
150
45
140
10
极限
-55 ℃
+125 C
55
55
40
15
120
45
165
45
150
15
CS
t
CS
t
L1
参数
（图1a ）
t
CS
t
LI
t
DS
t
DH
t
LH
t
LW
（图1b ）
t
低
t
高
t
DS
t
DH
单位
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
L1
数据
LDAC
t
DS
t
DH
t
LH
t
LW
图1a。 AD669电平触发时序图
t
低
CS
和/或
L1,
LDAC
数据
t
高
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
规格
粗体
是在最后的电气测试上的所有生产经营单位
测试。结果，从这些测试被用来计算出射的质量水平。所有
最小和最大规格有保证。那些黑体字所示的测试
所有生产经营单位。
t
DS
t
DH
TIE
CS
和/或
L1
接地或与LDAC
图1b。 AD669边沿触发时序图
REV 。一
–3–
AD669
ESD敏感度
该AD669功能输入保护电路组成的大型晶体管和多晶硅系列
电阻消散兼具高能量放电（人体模型）和快速，低能量脉冲
（带电器件模型） 。每个方法MIL- STD-883标准的3015.2 ：C ，则AD669进行了分类
作为2类设备。
适当的ESD保护措施，强烈建议，以避免功能性损坏或性能
退化。荷高达4000伏容易堆积在人体和测试
设备放电而不被发现。未使用的设备必须存储在导电泡沫或
分流器，并且泡沫应排出到目的地插座装置被移除之前。
有关ESD预防措施的更多信息，请参阅ADI公司的ESD防护手册。
绝对最大额定值
*
警告！
ESD敏感器件
引脚配置
V
EE
V
CC
V
LL
DGND
L1
CS
DB15
DB14
DB13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
28
27
26
25
24
23
REF OUT
在REF
SPAN / BIP
OFFSET
V
OUT
AGND
LDAC
DB0
DB1
DB2
DB3
DB4
DB5
DB6
DB7
V
CC
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至17.0 V
V
EE
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-17.0 V
V
LL
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
AGND至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1 V
数字输入（引脚5到23） DGND 。 。 。 。 。 。 -1.0 V至
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
+7.0 V
REF IN至AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
10.5 V
跨度/双极偏移到AGND。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
10.5 V
REF OUT ，V
OUT
。 。 。 。 。 。不定短AGND ，DGND
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
V
CC
, V
EE
和V
LL
功率耗散（任何套餐）
至+ 60℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1000毫瓦
减额高于+ 60 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .8.7毫瓦/°C的
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
*条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上符在INDI任何其他条件的操作
本规范的操作部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
AD669
顶视图
（不按比例）
22
21
20
19
18
17
16
15
DB12 10
DB11 11
DB10 12
DB9 13
DB8 14
订购指南
模型
AD669AN
AD669AR
AD669BN
AD669BR
AD669AQ
AD669BQ
AD669SQ
AD669/883B**
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
线性
最大的错误
T
民
–T
最大
±
4最低位
±
4最低位
±
2 LSB
±
2 LSB
±
4最低位
±
2 LSB
±
4最低位
**
收益
TC最大
PPM /℃
25
25
15
15
15
15
15
**
包
描述
塑料DIP
SOIC
塑料DIP
SOIC
CERDIP
CERDIP
CERDIP
**
包
选项*
N-28
R-28
N-28
R-28
Q-28
Q-28
Q-28
**
**
N =塑料DIP ; Q = CERDIP ; R = SOIC 。
**请参考AD669 / 883B军用数据表。
10
–60dB
1
THD + N - ％
10
–60dB
1
THD + N - ％
0.1
0.1
–20dB
–20dB
0.01
0dB
0.01
0dB
0.001
–50
–25
75
0
25
50
温度 -
°C
100
125
0.001
100
1000
频率 - 赫兹
10000
THD + N与温度的关系
THD + N与频率的关系
–4–
REV 。一
AD669
规格定义
工作原理
积分非线性： ADI公司定义英特
GRAL非线性作为实际， AD-的最大偏差
从理想的模拟输出输出justed数模转换器（直线
从0垂落FS- 1 LSB）的任何位组合。这是
也被称为相对精度。
微分非线性：微分非线性
是在模拟输出的变化的量度，归一化到
满量程，以1 LSB变化的数字输入相关
代码。单调性要求的差分线性
误差以内
±
1个LSB在感兴趣的温度范围内。
单调性：一个DAC是单调的，如果任一输出
增加或提高数字输入保持不变
其结果是，输出永远是一个单值函数
输入的。
增益误差：增益误差的输出误差的量度BE-
补间一个理想的DAC和全1的实际输出设备
加载失调误差后已经调整了。
失调误差：失调误差的偏移量的组合
电压模式DAC和输出放大器的错误和为
与在DAC加载全0衡量。
双极性零误差：当AD669连接的
双极性输出和10 。 。 。 000的DAC被加载时，偏差
从0 V的理想中间电平值化模拟输出的是
被称为双极性零误差。
漂移：漂移是一个参数的变化（如增益，偏移
和双极性零）在指定的温度范围内。漂移
温度系数，单位为ppm /°C的指定，由下式计算
测定在T的参数
民
，25° C和T
最大
和分
所对应的温度参数中的变化
改变。
总谐波失真+噪声：总har-
首一失真+噪声（ THD + N）被定义为的比率
的har-的值的平方和的平方根
monics和噪声的基本输入的值频
昆西。它通常表示为百分比（％） 。
的THD + N是测量的量值的和线性的分布
earity误差，微分线性误差，量化误差和
噪声。这些误差的分布可能有所不同，这取决于
荷兰国际集团时，输出信号的幅度。因此，要
最有用的， THD + N应为大型指定和
小信号幅度。
信噪比：信号与噪声的比率是DE-
罚款作为输出的振幅的比值，当全
标信号的存在与不存在信号的输出。这
的单位是分贝。
DIGITAL - TO- ANALOG毛刺脉冲：这是
电荷从数字输入端注入到模拟量
输出当输入改变状态。这种测量在半
当DAC开关周围的MSB和尽可能多的规模
尽可能开关改变从011状态，即。 。 。 111
100 . . . 000.
数字馈通：当DAC未选择
（即
CS
保持高电平） ，高频逻辑活动的digi-
河谷输入电容性通过设备显示联接
因为在V噪音
OUT
引脚。这种噪声是数字馈通。
该AD669采用双极电流源与MOS阵列
电流导引开关来开发成比例的电流
应用数字字，范围从0 mA至2 mA以下。作为段
mented体系结构被使用，其中最显著4
数据位被温度计译码的用于驱动15个相等的电流
源。较小的位被使用R-2R梯形，然后按比例AP-
与分割源到求和节点一起合股
的输出放大器。内部跨度/双极性失调电阻
可以连接到DAC输出提供0 V至+ 10V
跨度，或者它可以被连接到参考输入端提供一个
-10 V至+10 V范围。
（MSB）
DB15
7
CS
L1
6
5
16位锁存器
10k
在REF
REF OUT
27
28
16位DAC
AMP
25 V
OUT
24 AGND
10.05k
16位锁存器
（ LSB ）
DB0
22
10k
26 SPAN /
BIP OFF
LDAC 23
10V参考
1
–V
EE
2
+V
CC
AD669
3
+V
LL
4
DGND
图2. AD669功能框图
模拟的电路连接
在AD669提供的内部调整电阻，可CON组
连接至产生0V的单极性输出范围至10伏或一个
-10 V至+10 V的增益和失调漂移双极性输出范围
由于热跟踪被最小化在AD669
缩放电阻器与其他设备组成。
单极CON组fi guration
在图3a中所示的结构将提供一个单极
0 V至+10 V的输出范围。在这种模式下， 50
电阻器绑
跨度/双极性失调端（引脚26 ）和V
OUT
（引脚
25 ） ，并与REF OUT （引脚28）和REF IN （引脚27 ） 。它
可以使用的AD669无需任何外部组件
通过直接将引脚28至引脚27和引脚26直接到引脚25 。
消除这些电阻将0.25％提高增益误差
的FSR 。
（MSB）
DB15
7
CS
L1
6
5
16位锁存器
10k
27
R1
50
28
16位DAC
AMP
25
10.05k
16位锁存器
（ LSB ）
DB0
22
10k
26
R2
50
产量
LDAC 23
10V参考
2
+V
CC
AD669
3
+V
LL
4
24
GND
1
–V
EE
图3a。 0 V至+10 V单极性电压输出
REV 。一
–5–
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