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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1774页 > AD660BN
a
特点
完整的16位D / A功能
片内输出放大器
片上嵌入式齐纳电压基准
1 LSB积分非线性
15位单调性在整个温度范围
微处理器兼容
串行或字节输入
双缓冲锁存器
快速( 40纳秒)的写入脉冲
异步清零( 0 V)功能
串行输出引脚便于菊花链
单极性或双极性输出
低干扰: 15 nV-s表示
低THD + N : 0.009 %
产品说明
UNI / BIP CLR /
CS
LBE
15
HBE 16
SER 17
CLR 18
LDAC 19
10k
REF IN 23
控制
逻辑
14
单片16位
串行/字节DACPORT
AD660
功能框图
SIN / MSB / LSB /
DB7
DB0 DB1
12 11
5
AD660
16位锁存器
10k
16位锁存器
10.05k
16位DAC
21 V
OUT
+ 10V参考
20 AGND
24
REF OUT
1
2
3
4
–V
EE
+V
CC
+V
LL
DGND
22 SPAN /
BIP
OFFSET
13 S
OUT
产品亮点
该AD660 DACPORT是一个完整的16位单芯片D / A
转换器与一个板上的电压基准,双缓冲
锁存器和输出放大器。这是在模拟DE-制造
恶习公司BiMOS II工艺。这个过程允许在制造
在同一芯片一样高的预上低功率CMOS逻辑功能
Cision公司双极型线性电路。
该AD660的架构可确保15位单调性过
时间和温度。积分和微分非线性是
保持在
±
0.003 %以下。片上输出放大器亲
国际志愿组织的电压输出稳定的10倍
s
要在1/2 LSB
一个全面的一步。
该AD660具有极其灵活的数字接口。数据
被加载到串行模式或作为2个8位字节的AD660 。
这使得有可能由两个数字输入引脚具有双重
功能。在串行模式输入格式通过引脚选择是
MSB或LSB在前。串行输出引脚允许用户在菊花
链数AD660s通过输入的数据移位
锁存至下一个DAC,从而使控制数
罪要求的线路,
CS
和LDAC 。字节模式输入换
垫也是灵活的,高字节和低字节数据可以是
首先加载。双缓冲锁存结构不仅可以消除数据
偏斜误差,还能够数模转换器的同时更新
多DAC系统。
该AD660是五个等级。 AN和BN版本
从-40 ° C至+ 85°C ,并封装在一个24针
300万塑料DIP封装。 AR和BR的版本也从指定
-40 ° C至+ 85°C ,并封装在一个24引脚SOIC封装。该SQ
版本封装在一个24引脚300密耳CERDIP封装,
也可符合MIL-STD- 883 。参考AD660 /
883B数据手册规范和测试条件。
DACPORT是ADI公司的注册商标。
1. AD660是一个完整的16位DAC ,具有参考电压进行
ENCE ,双缓冲锁存器和输出放大器在赎罪
GLE芯片。
2.内部嵌入式齐纳二极管基准是经激光调整至
10.000伏以
±
0.1 %的最大误差和温度
TURE的漂移性能
±
为15ppm / ℃。该参考
可用于外部应用程序。
3. AD660的输出范围通过引脚编程设置,可
被设成提供0V的单极性输出范围至10伏或
-10 V至+10 V.不需要外接双极性输出范围
部件始终必需的。
4. AD660是直流和交流规定。 DC规格
包括
±
1 LSB INL和
±
1 LSB DNL误差。 AC specifi-
阳离子包括0.009 %的THD + N和83分贝信噪比。
5.在AD660的双缓冲锁存器消除数据
偏斜误差,允许的DAC同时更新中
多DAC应用。
6. CLEAR功能可以异步设置输出到
为0V而不管在DAC是否在单极性或双极性
模式。
7.在10个输出放大器平息
s
to
±
1/2 LSB为
全面的步骤,并在2.5
s
为1 LSB步过温
perature 。输出毛刺通常是15 nV-s表示,当全
规模一步被加载。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 617 / 329-4700
传真: 617 / 326-8703
AD660–SPECIFICATIONS
参数
决议
数字输入(T
给T
最大
)
V
IH
(逻辑“1”)
V
IL
(逻辑“0”)
I
IH
(V
IH
= 5 5 V)
I
IL
(V
IL
= 0 V)
传递函数特性
1
积分非线性
T
给T
最大
微分非线性
T
给T
最大
单调过热
增益误差
2, 3
增益漂移(T
给T
最大
)
DAC增益误差
4
DAC增益漂移
4
单极性偏移
单极性偏移漂移(T
给T
最大
)
双极性零误差
双极性零误差漂移(T
给T
最大
)
参考输入
输入阻抗
双极偏移输入电阻
参考输出
电压
漂移
外部电流
5
容性负载
短路电流
输出特性
输出电压范围
单极CON组fi guration
双极性配置
输出电流
容性负载
短路电流
电源
电压
V
CC6
V
EE6
V
LL
电流(无负载)
I
CC
I
EE
I
LL
@ V
IH
, V
IL
= 5, 0 V
@ V
IH
, V
IL
= 2.4, 0.4 V
电源灵敏度
功耗(静态,空载)
温度范围
指定的性能(A , B)
指定的性能( S)
(T
A
= +25 C,V
CC
= +15 V, V
EE
= –15 V, V
LL
= + 5V ,除非另有说明)
AD660AN/AR/SQ
典型值
最大
16
2.0
0
5.5
0.8
±
10
±
10
±
2
±
4
±
2
±
4
14
±
0.10
25
±
0.05
10
±
2.5
3
±
7.5
5
10
10
10.00
4
1000
25
*
13
13
10.01
25
15
*
15
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
15
AD660BN/BR
典型值
最大
16
*
*
*
*
*
*
±
1
±
2
±
1
±
2
单位
A
A
最低位
最低位
最低位
最低位
% FSR的
PPM /°C的
% FSR的
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
k
k
PPM /°C的
mA
pF
mA
7
7
9.99
2
0
–10
5
25
+10
+10
1000
*
*
*
*
*
*
*
mA
pF
mA
+13.5
–13.5
+4.5
+12
–12
0.3
3
1
365
–40
–55
+16.5
–16.5
+5.5
+18
–18
2
7.5
2
625
+85
+125
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
mA
mA
mA
mA
PPM / %
mW
°C
°C
笔记
1
对于16位分辨率, 1 LSB = FSR的0.0015 % 。对于15位分辨率, 1 LSB = FSR的0.003 % 。对于14位分辨率, 1 LSB = FSR的0.006 % 。 FSR代表
满量程范围,并为10 V的单极性模式和20 V双极性模式。
2
增益误差和增益漂移在使用内部基准测量。内部参考的主要贡献者增益漂移。如果低增益漂移是必需的,
AD660可以用于精确的外部基准如AD587 , AD586或AD688 。
3
增益误差是衡量固定50
如图所示,在应用部分的电阻。通过FSR的0.25 % (消除这些电阻会增加增益误差单极
模式),或者,FSR (双极模式0.50 %)。
4
DAC增益误差和漂移测量采用外部参考电压。它们代表贡献由DAC单独,用于与外部参考使用该错误。
5
外部电流被定义为除了供应到REF IN和SPAN /双极性电流可抵消的AD660 。
6
操作上
±12
V电源可以使用外部基准,如AD586和减少的输出范围。请参阅内部/外部参考部分。
*表示本说明书中是相同的AD660AN / AR / SQ 。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
REV 。一
AD660
AC性能特点
参数
输出建立时间
(时间
±
0.0008 % FS
与2 kΩ的, 1000 pF负载)
极限
13
8
10
6
8
2.5
0.009
0.056
5.6
83
15
2
120
125
(除的总谐波失真加噪声和信号 - 噪声
比,这些特性包括,仅供设计参考,并不受考验。 THD + N和信噪比都经过100%测试。
T
T
A
T
最大
, V
CC
= +15 V, V
EE
= –15 V, V
LL
= + 5V ,除非另有说明。 )
单位
s
最大
s
典型值
s
典型值
s
典型值
s
典型值
s
典型值
%最大
%最大
%最大
分贝分钟
nV-s表示,典型值
nV-s表示,典型值
内华达州/ √Hz的典型值
内华达州/ √Hz的典型值
测试条件/评论
20 V步骤,T
A
= +25°C
20 V步骤,T
A
= +25°C
20 V步骤,T
T
A
T
最大
10 V步骤,T
A
= +25°C
10 V步骤,T
T
A
T
最大
1 LSB步,T
T
A
T
最大
0分贝, 990.5赫兹;采样率= 96 kHz的;牛逼
A
= +25°C
-20分贝, 990.5赫兹;采样率= 96 kHz的;牛逼
A
= +25°C
-60分贝, 990.5赫兹;采样率= 96 kHz的;牛逼
A
= +25°C
T
A
= +25°C
DAC或者满载8000
H
和7FFF
H
DAC或者满载0000
H
和FFFF
H
;
CS
测量V
OUT
; 20 V跨度;不包括参考
测量REF OUT
总谐波失真+噪声
A,B ,S级
A,B ,S级
A,B ,S级
信噪比
数模转换毛刺脉冲
数字馈通
输出噪声电压
密度( 1千赫 - 1兆赫)
参考噪声
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然AD660具有专用ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
绝对最大额定值*
警告!
ESD敏感器件
引脚配置
–V
+V
EE
V
CC
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至17.0 V
V
EE
到AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-17.0 V
V
LL
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
AGND至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1 V
数字输入(引脚5到23) DGND 。 。 。 。 。 。 -1.0 V至
+7.0 V
REF IN至AGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
10.5 V
跨度/双极偏移到AGND。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
10.5 V
REF OUT ,V
OUT
。 。 。 。 。 。 。不定短到AGND ,DGND
V
CC
, V
EE
和V
LL
功率耗散(任何套餐)
至+ 60℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1000毫瓦
减额高于+ 60 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.7毫瓦/°C的
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
铅温度范围
(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
*条件超过上述“绝对最大额定值”,可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的操作部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
1
2
3
4
5
6
7
8
24 REF OUT
23 REF IN
22 SPAN ,
双极偏移
21 V
OUT
20 AGND
CC
LL
+V
DGND
DB7 , 15
DB6 , 14
DB5 , 13
DB4 , 12
AD660
顶视图
(不按比例)
19
18
LDAC
CLR
17 SER
16
15
14
13
HBE
LBE , UNI / BIP CLEAR
CS
S
OUT
DB3 , 11 9
DB2 , 10
10
DB1 , 9 , MSB / LSB 11
DB0 , 8 , SIN
12
REV 。一
–3–
AD660
订购指南
模型
AD660AN
AD660AR
AD660BN
AD660BR
AD660SQ
AD660SQ/883B**
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
线性误差最大
+25°C
±
2 LSB
±
2 LSB
±
1 LSB
±
1 LSB
±
2 LSB
±
2 LSB
线性误差最大增益TC最大包
T
– T
最大
PPM /°C的
说明选项*
±
4最低位
±
4最低位
±
2 LSB
±
2 LSB
±
4最低位
**
25
25
15
15
25
**
塑料DIP
SOIC
塑料DIP
SOIC
CERDIP
**
N-24
R-24
N-24
R-24
Q-24
**
* N =塑料DIP ; Q = CERDIP ; R = SOIC 。
**请参考AD660 / 883B军用数据表。
时序特性
V
参数
(图1a )
t
CS
t
DS
t
DH
t
BES
t
BEH
t
LH
t
LW
(图1b )
t
CLK
t
LO
t
HI
t
SS
t
DS
t
DH
t
SH
t
LH
t
LW
(图1c )
t
CLR
t
SET
t
HOLD
(图1d )
t
PROP
t
DS
40
40
0
40
0
80
40
80
30
30
0
40
0
0
80
40
80
80
0
50
50
CC
= +15 V, V
EE
= –15 V, V
LL
= +5 V, V
HI
= 2.4 V, V
LO
= 0.4 V
限制-55 ° C至+ 125°C
50
50
10
50
10
100
50
100
50
50
10
50
10
10
100
50
110
110
10
100
80
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
限价+ 25°C
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
BIT 0-7
t
DS
HBE或
LBE
t
DH
t
BES
t
CS
CS
t
BEH
t
LH
LDAC
t
LW
图1a。 AD660字节加载时间
–4–
REV 。一
AD660
BIT0
有效1
有效的16
t
DS
SER
t
DH
t
SH
t
SS
BIT1
"1" = MSB优先, "0" = LSB在先
t
LO
CS
t
HI
t
CLK
LDAC
t
LH
t
LW
图1b。 AD660串行加载时间
t
CLR
CLR
t
SET
LBE
"1" = BIP 0 , "0" = UNI 0
t
HOLD
图1c 。异步清零至双极性或单极性零
BIT0
有效的16
VALID 17
t
DS
SER
第1位
( MSB / LSB )
CS
t
PROP
串行
OUT
有效的S
OUT
1
图1d 。串行输出时序
规格定义
积分非线性: ADI公司定义
积分非线性为实际的最大偏差,
从理想的模拟输出的输出调整后的DAC (直
从0线绘制FS- 1 LSB)的任何位组合。这
也被称为相对精度。
微分非线性:微分非线性
是在模拟输出的变化的量度,归一化到
满量程,以1 LSB变化的数字输入相关
代码。单调性要求的差分线性
误差大于或等于-1 LSB的在整个温度
一系列的利益。
单调性:一个DAC是单调的,如果任一输出
增加或提高数字输入保持不变
其结果是,输出永远是一个单值函数
输入的。
增益误差:增益误差的输出误差的量度BE-
补间一个理想的DAC和全1的实际输出设备
加载失调误差后已经调整了。
失调误差:失调误差的偏移量的组合
电压模式DAC和输出放大器的错误和为
与在DAC加载全0衡量。
REV 。一
双极性零误差:当AD660连接的
双极性输出和10 。 。 。 000的DAC被加载时,偏差
从0 V的理想中间电平值化模拟输出的是
被称为双极性零误差。
漂移:漂移是一个参数的变化(如增益,偏移
和双极性零)在指定的温度范围内。漂移
温度系数,单位为ppm /°C的指定,由下式计算
测定在T的参数
,25° C和T
最大
和分
所对应的温度参数中的变化
改变。
总谐波失真+噪声:总har-
首一失真+噪声( THD + N)被定义为的比率
的har-的值的平方和的平方根
monics和噪声的基本输入的值频
昆西。它通常表示为百分比(%) 。
的THD + N是测量的量值的和线性的分布
earity误差,微分线性误差,量化误差和
噪声。这些误差的分布可能有所不同,这取决于
荷兰国际集团时,输出信号的幅度。因此,要
最有用的, THD + N应为大型指定和
小信号幅度。
–5–
单片16位
串行/字节DACPORT
AD660
特点
完整的16位数字 - 模拟函数
片内输出放大器
片上嵌入式齐纳电压基准
± 1 LSB积分非线性
15位单调性在整个温度范围
微处理器兼容
串行或字节输入
双缓冲锁存器
快速( 40纳秒)的写入脉冲
异步清零( 0 V)功能
串行输出引脚便于菊花链
单极性或双极性输出
低干扰: 15 nV-s表示
低THD + N : 0.009 %
15
功能框图
DB0/
LBE /
DB8 / DB1 / DB9 / DB7 /
清除选择CS单DATADIR DB15
14
12
11
5
AD660
HBE
16
SER
17
CLR
18
LDAC
19
在REF
23
10k
16位DAC
21
V
OUT
16位锁存器
控制
逻辑
16位锁存器
10.05k
10k
13
S
OUT
SPAN /
22
双极
OFFSET
10V参考
20
AGND
24
1
2
3
4
01813-001
REF OUT -V
EE
+V
CC
+V
LL
DGND
图1 。
概述
的AD660 DACPORT是一个完整的16位单片digital-
到模拟转换器与一个板上的电压基准,双
缓冲锁存器,和一个输出放大器。它是在制造
在ADI公司,采用BiMOS II工艺。这个过程允许
的低功率CMOS逻辑功能上相同的制造
芯片高精度双极性线性电路。
该AD660架构可确保15位单调性随着时间的推移
和温度。积分和微分非线性就会维持
tained 0.003 %最大± 。芯片上的输出放大器
提供电压输出稳定10微秒的时间内& frac12 ; LSB为
全面的一步。
该AD660具有极其灵活的数字接口。数据
被加载到串行模式或作为2个8位字节的AD660 。
这使得有可能由两个数字输入引脚具有双
功能。在串行模式输入格式通过引脚选择是
MSB或LSB在前。串行输出引脚允许用户在菊花
链数AD660器件通过在移位数据
输入锁存到下一个DAC ,从而最大限度地减少数
需要SIN , CS和LDAC控制线。字节模式输入
格式也是灵活的,高字节和低字节数据可以
首先被加载。双缓冲锁存结构不仅可以消除
数据偏斜误差,还能够DAC的同步更新
在multiDAC系统。
该AD660是五个等级。 AN和BN版本
从-40 ° C至+ 85°C ,并封装在一个24引脚
300万塑料DIP封装。 AR和BR的版本也从指定
-40 ° C至+ 85°C ,并封装在一个24引脚SOIC封装。该SQ
版本封装在一个24引脚300密耳CERDIP封装,
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
也可符合MIL- STD-883标准。参阅
AD660SQ / 883B军用数据手册规范和测试
条件。
产品亮点
1.
该AD660是一个完整的16位DAC ,具有电压
参照,双缓冲锁存器,和一个输出放大器
在单个芯片上。
内部埋齐纳参考激光调整至
10.000 V为± 0.1 %的最大误差和温度
漂移为± 15 PPM /°C的性能。的参考文献可
外部应用程序。
在AD660的输出范围是引脚可编程的,
可以被设置为提供0V到10V的单极性输出范围
或-10 V至+10 V的双极性输出范围无需外部
组件是必需的。
该AD660是直流和交流规定。 DC规格
包括± 1 LSB INL和± 1 LSB DNL误差。 AC规格
系统蒸发散包括0.009 %的THD + N和83分贝信噪比。
在AD660的双缓冲锁存器消除数据
偏斜误差,允许的DAC同时更新中
multiDAC应用。
清除功能可以异步设置输出
到0V不管在DAC是否在单极性或
双极性模式。
输出放大器落户在10微秒到± & frac12 ; LSB为
全面的步骤,并在2.5微秒的1 LSB步过温
真实存在。输出毛刺通常是15 nV-s表示,当全面
步骤是加载的。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
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传真: 781.461.3113 1993-2008 ADI公司保留所有权利。
AD660
目录
特点................................................. ............................................. 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
AC性能特点............................................... 4
时序特性................................................ ................ 5
绝对最大额定值............................................... ............. 7
ESD注意事项................................................ .................................. 7
引脚配置和功能说明............................. 8
术语................................................. ..................................... 9
工作原理............................................... ....................... 10
模拟电路的连接............................................... ...... 10
单极性配置................................................ ............. 10
双极性配置................................................ ................ 11
内部/外部参考使用............................................. 11
输出稳定和毛刺.............................................. .......... 13
数字电路细节............................................... ................. 14
微处理器接口................................................ ............... 15
AD660到MC68HC11 ( SPI总线)接口............................. 15
AD660至MICROWIRE接口........................................... 15
AD660到ADSP- 210X系列接口.................................. 15
AD660为Z80接口.............................................. ............... 16
噪音................................................. ........................................... 16
电路板布局................................................ ................................... 17
电源去耦................................................ ..................... 17
接地................................................. .................................. 17
外形尺寸................................................ ....................... 18
订购指南................................................ .......................... 19
修订历史
6月8日 - 修订版。 A到版本B
更新格式................................................ ..................通用
更新引脚名称MSB / LSB到DATADIR整个........... 1
更新引脚名称UNI / BIP CLEAR以清除选择
纵观................................................. ...................................... 1
更改表1 .............................................. .............................. 3
更改尾注3表1 ........................................... 4 .........
图2 ..............................................变化............................ 5
改变图3和图5 ........................................... 6 ........
更改表4 .............................................. ............................... 7
新增引脚配置和功能描述第... 8
更改内部/外部参考使用第................ 11
图12 ..............................................变化........................ 12
改变图13,图14 ,图15 ,图16 ....... 13
图17和图18的变化........................................... 15 ..
图19 ..............................................变化........................ 16
更新的外形尺寸............................................... ........ 18
更改订购指南.............................................. ............ 19
版本B |第20页2
AD660
特定网络阳离子
T
A
= 25 ° C, + V
CC
= 15 V, V
EE
= 15 V, +V
LL
= 5V ,除非另有说明。
表1中。
参数
决议
数字输入(T
给T
最大
)
V
IH
(逻辑1 )
V
IL
(逻辑0 )
I
IH
(V
IH
= 5.5 V)
I
IL
(V
IL
= 0 V)
传递函数特性
1
积分非线性
双极性工作
T
给T
最大
单极性工作
T
给T
最大
微分非线性
T
给T
最大
单调过热
增益误差
2, 3
增益漂移(T
给T
最大
)
DAC增益误差
4
DAC增益漂移
4
单极性偏移
单极性偏移漂移(T
给T
最大
)
双极性零误差
双极性零误差漂移(T
给T
最大
)
参考输入
输入阻抗
双极偏移输入电阻
参考输出
电压
漂移
外部电流
5
容性负载
短路电流
输出特性
输出电压范围
单极CON组fi guration
双极性配置
输出电流
容性负载
短路电流
16
2.0
0
10
10
AD660AN/AR/SQ
典型值
最大
AD660BN/BR
典型值
最大
16
2.0
0
10
10
5.5
0.8
+10
+10
单位
V
V
μA
μA
5.5
0.8
+10
+10
2
4
2
4
2
4
14
0.1
0.05
2.5
7.5
+2
+4
+2
+4
+2
+4
+0.1
25
+0.05
10
+2.5
3
+7.5
5
10
10
10.00
4
1000
25
13
13
10.01
25
1
2
1
2
1
2
15
0.1
0.05
2.5
7.5
+1
+2
+1.5
+2
+1
+2
+0.1
15
+0.05
10
+2.5
3
+7.5
5
10
10
10.00
4
1000
25
13
13
10.01
15
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
% FSR的
PPM /°C的
% FSR的
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
mV
PPM /°C的
V
PPM /°C的
mA
pF
mA
7
7
9.99
2
7
7
9.99
2
0
10
5
25
+10
+10
1000
0
10
5
25
+10
+10
1000
V
V
mA
pF
mA
版本B |第20页3
AD660
参数
电源
电压
+V
CC6
V
EE6
+V
LL
电流(无负载)
I
CC
I
EE
I
LL
@ V
IH
= 5 V, V
IL
= 0 V
@ V
IH
= 2.4 V, V
IL
= 0.4 V
电源灵敏度
功耗(静态,空载)
温度范围
指定的性能(A , B)
指定的性能( S)
1
AD660AN/AR/SQ
典型值
最大
AD660BN/BR
典型值
最大
单位
+13.5
13.5
+4.5
+12
12
0.3
3
1
365
40
55
+16.5
16.5
+5.5
+18
18
2
7.5
2
625
+85
+125
+13.5
13.5
+4.5
+12
12
0.3
3
1
365
40
+16.5
16.5
+5.5
+18
18
2
7.5
2
625
+85
V
V
V
mA
mA
mA
mA
PPM / %
mW
°C
°C
对于16位分辨率, 1 LSB = FSR的0.0015 % 。对于15位分辨率, 1 LSB = FSR的0.003 % 。对于14位分辨率, 1 LSB = FSR的0.006 % 。 FSR表示满量程范围
并为10 V在单极模式和20 V的双极性模式。
2
增益误差和增益漂移在使用内部基准测量。内部参考的主要贡献者增益漂移。如果低增益漂移是必需的, AD660
可以用精确的外部基准被用于诸如
AD587 , AD586 ,
or
AD688.
3
增益误差是衡量固定的50 Ω电阻,如图中的工作原理部分。消除这些电阻由FSR的0.25 %,提高了增益误差
(单极性模式)或FSR (双极性模式) 0.50 % 。
4
DAC增益误差和漂移测量采用外部参考电压。它们代表贡献由DAC单独,用于与外部参考使用该错误。
5
外部电流被定义为除了供应到REF IN和SPAN /双极性电流可抵消的AD660 。
6
操作上± 12伏电源是可以使用外部基准,如AD586和减少的输出范围。请参阅内部/外部参考使用
部分。
AC性能特点
除总谐波失真+噪声(THD + N)和信号 - 噪声(SNR)的比值,这些特征包括用于
设计参考之用,并不受考验。 THD + N和信噪比都经过100%测试。
T
≤ T
A
≤ T
最大
, +V
CC
= 15 V, V
EE
= 15 V, +V
LL
= 5 V ,除非另有说明。
表2中。
参数
输出建立时间
(时间为± 0.0008 %FS
与2 kΩ的, 1000 pF负载)
极限
13
8
10
6
8
2.5
0.009
0.056
5.6
83
15
2
120
125
单位
微秒最大
微秒(典型值)
微秒(典型值)
微秒(典型值)
微秒(典型值)
微秒(典型值)
%最大
%最大
%最大
分贝分钟
nV-s表示,典型值
nV-s表示,典型值
内华达州/ √Hz的典型值
内华达州/ √Hz的典型值
测试条件/评论
20 V步骤,T
A
= 25°C
20 V步骤,T
A
= 25°C
20 V步骤,T
≤ T
A
≤ T
最大
10 V步骤,T
A
= 25°C
10 V步骤,T
≤ T
A
≤ T
最大
1 LSB步,T
≤ T
A
≤ T
最大
0分贝, 990.5赫兹,采样率= 96千赫,T
A
= 25°C
-20分贝, 990.5赫兹,采样率= 96千赫,T
A
= 25°C
-60分贝, 990.5赫兹,采样率= 96千赫,T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
DAC交替载入0x8000和0x7FFF的
DAC交替载入0x0000和0xFFFF的, CS高
测量V
OUT
, 20 V范围,不包括参考
测量REF OUT
总谐波失真+噪声
A,B ,S级
A,B ,S级
A,B ,S级
信噪比
数模转换毛刺脉冲
数字馈通
输出噪声电压
密度(1千赫兹至1 MHz )
参考噪声
版本B |第20页4
AD660
时序特性
+V
CC
= 15 V, V
EE
= 15 V, +V
LL
= 5 V, V
= 2.4 V, V
= 0.4 V.
表3中。
参数
字节加载(见图2)
t
CS
t
DS
t
DH
t
BES
t
BEH
t
LH
t
LW
串行载荷(参见图3)
t
CLK
t
t
t
SS
t
DS
t
DH
t
SH
t
LH
t
LW
异步清零双极
或单极性归零(请参阅图4 )
t
CLR
t
SET
t
HOLD
串行输出(参见图5)
t
PROP
t
DS
在T限制
A
= 25°C
40
40
0
40
0
80
40
80
30
30
0
40
0
0
80
40
在T限制
A
= -55 ° C至+ 125°C
50
50
10
50
10
100
50
100
50
50
10
50
10
10
100
50
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
80
80
0
50
50
110
110
10
100
80
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
DB0到DB7
t
DS
HBE或LBE
t
DH
t
BES
t
CS
CS
t
BEH
t
LH
LDAC
t
LW
01813-002
图2. AD660字节加载时间
版本B |第20页5
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