a
特点
直流性能
400 A最大静态电流
10 pA的最大偏置电流，预热（ AD648C ）
300 V最大失调电压（ AD648C ）
3 V / C最大漂移（ AD648C ）
2 V峰 - 峰值噪声， 0.1赫兹到10赫兹
AC性能
1.8 V / s的压摆率
1 MHz的单位增益带宽
可在小型塑封DIP ， CERDIP ，塑料SOIC
和密封金属罐包装
MIL- STD- 883B零件可用
表面贴装（ SOIC ）封装带和
卷轴符合EIA - 481A标准
单机版： AD548
产品说明
双路精密，
低功耗BiFET运算放大器
AD648
连接图
该AD648是一对匹配的低功耗，高精度单
岩屑运算放大器。它提供了低偏置电流
（ 10 pA的最大，热身）和低静态电流（ 400
A
max）和被制造与离子注入场效应管和激光晶圆
微调技术。输入偏置电流保证在
AD648的整个共模电压范围。
经济级的最大保证失调电压
小于2毫伏的年龄和更小的偏移电压漂移比
20
μV/°C 。
在C级使失调电压小于
0.30毫伏和失调电压漂移小于3
μV/°C 。
这个水平
直流精度，实现利用模拟的激光晶圆漂移
修整过程。低静态电流的结合
和低失调电压漂移最小化变化的输入失调
电压，由于自热效应。另外五个成绩
提供在商业，工业和军用温度
范围。
该AD648推荐用于所有的双电源运算放大器应用程序
阳离子要求低功耗和出色的直流和交流perfor-
曼斯。在应用中，如电池供电的，精密
仪器前端和CMOS DAC缓冲器， AD648的
低输入失调电压和漂移，低的完美结合
偏置电流，低1 / f噪声降低了输出误差。高
共模抑制比（86分贝，分上的“C”级）和
高开环增益保证了比12位线性度好高
阻抗缓冲器应用。
该AD648被固定在一个标准的双通道运算放大器的配置
化，并有七种性能等级。该AD648J
和AD648K的额定在商用温度范围
0° C至+ 70°C 。该AD648A ， AD648B和AD648C是
额定工作在-40 ° C至+ 85°C工业温度范围。
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
该AD648S和AD648T的额定军温度
-55 ℃的TURE至+ 125°C ，并可加工成
MIL- STD- 883B ，牧师C.
该AD648是采用8引脚小型塑封DIP ， CERDIP ，
SOIC ， TO- 99金属罐或芯片形式。
产品亮点
1.低电源电流，具有出色的直流和交流的结合
性能和低漂移，使AD648的理想运算
放大器针对高性能，低功耗的应用。
2. AD648与行业标准双运引脚兼容
安培如LF442 ， TL062和AD642 ，使
设计师提高性能的同时，实现了reduc-
灰中的高达85％的功耗。
3.保证低输入失调电压（ 2毫伏max）和漂移
(20
μV/°C
最大值）为AD648J得以实现利用模拟
器件的漂移激光微调技术。
4. ADI公司指定的暖机的每个器件所
DITION ，确保该装置将满足其公布的specifi-
阳离子在实际使用中。
5.匹配特性非常适合所有等级。该
在放大器之间的输入偏移电压的匹配
AD648J是在2 mV时，为C级匹配中
0.4毫伏。
放大器之间6.串扰小于-120分贝在1 kHz 。
7. AD648是在芯片的形式提供。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
AD648–SPECIFICATIONS
（ @ + 25°C和V =
S
15伏直流电，除非另有说明）
民
AD648K/B/T
典型值
最大
0.3
1.0
1.5/1.5/2.0
10
86
80
15
15
10
0.25/0.65/10
15
5
0.15/0.35/5
1.0
1.5/1.5/2.0
5
–120
1
×
10
12
3
3
×
10
12
3
±
20
±
12
–120
1
×
10
12
3
3
×
10
12
3
±
20
±
12
3
10
0.65
15
5
0.35
0.4
0.5
5
民
AD648C
典型值
最大
0.10
0.3
0.5
3.0
单位
mV
mV
μV/°C
dB
dB
μV /月
pA
nA
pA
pA
nA
mV
mV
μV/°C
pA
dB
pF
pF
V
V
dB
dB
dB
dB
2
80
40
30
30
1.8
0.8
1.0
1.0
30
1.8
8
1000
700
500
300
4.0
V
p-p
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
兆赫
千赫
V / μs的
s
V / MV
V / MV
V / MV
V / MV
模型
民
输入失调电压
初始偏移
T
民
给T
最大
与温度的关系
与供应
与供应，T
民
给T
最大
长期偏移稳定性
输入偏置电流
任一输入，
2
V
CM
= 0
任一输入
2
在T
最大
, V
CM
= 0
最大输入偏置电流
共模电压范围
失调电流，V
CM
= 0
失调电流在T
最大
匹配特性
3
输入失调电压
输入失调电压牛逼
民
给T
最大
输入失调电压与温度
输入偏置电流
相声
输入阻抗
迪FF erential
共模
输入电压范围
迪FF erential
4
共模
共模抑制
V
CM
=
±
10 V
T
民
给T
最大
V
CM
=
±
11 V
T
民
给T
最大
输入电压噪声
电压0.1 Hz至10 Hz
F = 10赫兹
F = 100赫兹
F = 1千赫
F = 10千赫
输入电流噪声
F = 1千赫
频率响应
单位增益小信号
全功率响应
压摆率，单位增益
建立时间
±
0.01%
开环增益
V
O
=
±
10 V ，R
L
≥
10 k
T
民
给T
最大
, R
L
≥
10 k
V
O
=
±
10 V ，R
L
≥
5 k
T
民
给T
最大
, R
L
≥
5 k
输出特性
电压1 R
L
≥
10 k,
T
民
给T
最大
电压1 R
L
≥
5 k,
T
民
给T
最大
短路电流
电源
额定性能
工作范围
静态电流（两个放大器）
温度范围
运行时，额定性能
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
工业级（-40° C至+ 85°C ）
军用（ -55 ° C至+ 125°C ）
封装选项
SOIC （R- 8）的
塑料（N - 8 ）
CERDIP （ C- 8）的
金属罐（ H- 08A ）
磁带和卷轴
提供芯片
0.8
1.0
1
AD648J/A/S
典型值
最大
0.75
2.0
3.0/3.0/3.0
20
80
76/76/76
15
5
20
0.45/1.3/20
30
10
0.25/0.7/10
2.0
3.0/3.0/3.0
10
–120
1
×
10
1 2
3
3
×
10
12
3
±
20
±
12
86
80
3
5
2
2
1.0
8
0.5
5
0.2
2.5
±
11
76
76/76/76
70
70/70/70
±
11
82
82
76
76
±
11
86
86
76
76
2
80
40
30
30
1.8
1.0
30
1.8
8
1000
700
500
300
0.8
1.0
2
80
40
30
30
1.8
1.0
30
1.8
8
1000
700
500
300
300
300/300/300
150
150/150/150
300
300
150
150
300
300
150
150
±
12/± 12/± 12
±
11/± 11/± 11
±
13
±
12
15
±
15
340
±
12
±
11
±
13
±
12
15
±
15
340
±
12
±
11
±
13
±
12
15
±
15
340
V
V
mA
V
V
A
±
4.5
±
18
400
±
4.5
±
18
400
±
4.5
±
18
400
AD648J
AD648A
AD648S
AD648JR
AD648JN
AD648AQ ， AD648SQ ， AD648SQ / 883B
AD648AH
AD648JR - REEL ， AD648JR -REEL7
AD648JChips ， AD648SChips
AD648K
AD648B
AD648T
AD648KR
AD648KN
AD648BQ ， AD648TQ / 883B
AD648BH ， AD648TH / 883B
AD648KR - REEL ， AD648KR -REEL7
AD648C
AD648CQ
–2–
版本C
AD648
笔记
1
输入失调电压规格在5分钟运行在T后保证
A
= +25°C.
2
偏置电流规格都保证在最大的两个输入5分钟后运行在T
A
= + 25°C 。对于较高的温度，电流双打
每隔10℃。
3
匹配被定义为两个放大器的参数之间的差异。
4
定义为输入端之间的电压，使得既不超过
±
10伏地面。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
绝对最大额定值
1
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
18 V
内部功耗
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
输入电压
3
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
18 V
输出短路持续时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不定
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + V
S
和-V
S
存储温度范围（Q ，H ） 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
存储温度范围
（ N，R ） 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
工作温度范围
AD648J / K 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
AD648A / B / C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
AD648S / T 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
铅温度范围（焊接60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
笔记
1
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的操作部分是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
2
热特性：
8引脚塑料包装：
θ
JA
= 165 ° C /瓦
8引脚CERDIP包装：
θ
JC
= 22 ° C /瓦;
θ
JA
= 110 ° C /瓦
8引脚金属封装：
θ
JC
= 65 ° C /瓦;
θ
JA
= 150 ℃/瓦特
8引脚SOIC封装：
θ
JC
= 42 ° C /笏;
θ
JA
= 160 ° C /瓦
3
对于电源电压低于
±
18 V时，绝对最大输入电压等于
到电源电压。
金属化PHOTOGRAPH
联系工厂最新的尺寸。
尺寸以英寸（毫米）所示。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然AD648具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
版本C
–3–
QQ：2881677436 复制
