添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1697页 > AD587SQ
a
特点
激光调整到高精度:
10.000 V为5 mV (L和U级)
修剪温度系数:
为5ppm /℃的(L和U级)
降噪能力
低静态电流:4 mA最大
输出调整功能
MIL -STD- 883可提供标准版本
+V
IN
2
R
S
噪音
减少
8
精度高
10 V参考
AD587
功能框图
A1
R
F
R
T
6 V
OUT
5 TRIM
R
I
AD587
4
GND
注意:
引脚1,3和7是内部测试点。
无连接这些点。
产品说明
产品亮点
该AD587代表了先进设备,最先进的中的一大进步
单片电压基准。使用专有的离子注入
高稳定性嵌入式齐纳二极管和激光晶圆调整
薄膜电阻, AD587提供了出色的perfor-
曼斯低成本。
该AD587提供的性能比其他要高得多
10 V基准电压源。因为AD587使用一种工业标准
引出线,许多系统可以即时与升级
AD587 。埋齐纳方法参考设计亲
志愿组织更低的噪声和漂移比带隙基准电压源。该
AD587提供降噪引脚,可用于进一步
减小由埋齐纳产生的噪声电平。
的AD587推荐用作用于8-参考, 10-,
12位,14位或16位D / A转换器所需的外部
精密基准。该器件也非常适合连续
逼近或积分A / D转换器具有高达14位
准确的,并且在一般情况下,可以提供比更好的性能
标准的片上参考。
该AD587J ,K和L被指定为操作从0℃至
+ 70°C ,以及AD587S , T和U都是为-55 ℃至指定
+ 125 ° C温度范围。所有的成绩都是8引脚CERDIP可用。该
J和K的版本也采用8引脚小外形集成电路
( SOIC)封装为表面贴装应用,而J,K
和L的成绩也都在8引脚塑料封装。
两个初始精度和温度1.激光微调
系数导致非常低的误差在整个温度范围与 -
出了使用外部组件。该AD587L有
从10.000 V的最大偏差
±
8.5毫伏在0°C
至+ 70℃,并在AD587U保证
±
14 mV(最大值)
-55 ° C至+ 125°C的总误差。
2.对于要求较高的精密应用,可选的精
提供装饰连接。
3.采用工业标准引脚10为参考电压的任何系统
ENCE可以即时与AD587升级。
在AD587的4输出噪声非常低,通常为4
V
峰 - 峰值。一
降噪引脚提供了额外的噪声过滤
使用外部电容器。
5. AD587是符合MIL-版本
STD- 883 。请参阅ADI公司军用产品
数据手册或电流AD587 / 883B数据手册详细
特定连接的阳离子。
Rev. D的
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 2000
AD587–SPECIFICATIONS
(T = 25 ℃, V
A
IN
= + 15V ,除非另有说明)
9.995
AD587K/T
典型值
最大
10.005
10
10
+3
–1
+3
–1
9.995
AD587L/U
典型值
最大
10.005
5
5
单位
V
PPM /°C的
%
模型
输出电压
输出电压漂移
1
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
增益调整
线路调整
1
13.5 V
+ V
IN
36 V
T
给T
最大
负载调整率
采购0 <我
OUT
& LT ; 10毫安
T
给T
最大
采购-10 <我
OUT
< 0毫安
2
T
给T
最大
静态电流
功耗
输出噪声
0.1赫兹到10赫兹
谱密度, 100Hz的
长期稳定性
短路电流对地
短路电流 - V
IN
温度范围
指定的性能(J , K,L )
经营业绩(J , K,L )
3
指定的性能( S,T , U)
经营业绩( S,T , U)
3
0
–40
–55
–55
1
AD587J/S
典型值
最大
10.010
20
20
9.990
+3
–1
100
100
100
±V/V
100
100
2
30
4
100
15
30
30
70
70
+70
+85
+125
+125
0
–40
–55
–55
4
2
30
4
100
15
30
30
100
100
4
2
30
4
100
15
70
70
+70
+85
+125
+125
0
–40
–55
–55
30
30
100
100
4
± μV / MA
mA
mW
V
p-p
纳伏/赫兹÷
±
PPM / 1000小时。
70
70
+70
+85
+125
+125
mA
mA
°C
笔记
1
规范是保证所有的包和档次。 CERDIP封装器件100 %生产测试。
2
负载调整率(沉没)规范SOIC ( R)封装
±200 μV / mA的电流。
3
所述操作温度范围被定义为温度极端,其中该设备将仍然起作用。部分可能偏离其规定的性能
以外的指定温度范围。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
订购指南
模型
1
初始
错误
10毫伏
10毫伏
10毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
10毫伏
10毫伏
5毫伏
10毫伏
温度
系数
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为5ppm /°C的
为5ppm /°C的
20 PPM /°C的
为10ppm /°C的
为5ppm /°C的
20 PPM /°C的
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
选项
2
Q-8
SO-8
N-8
Q-8
SO-8
N-8
Q-8
N-8
Q-8
Q-8
Q-8
AD587JQ
AD587JR
AD587JN
AD587KQ
AD587KR
AD587KN
AD587LQ
AD587LN
AD587SQ
AD587TQ
AD587UQ
AD587JCHIPS
笔记
1
上档次,包装产品筛选符合MIL -STD- 883的详细信息,请参阅
ADI公司军用产品数据手册或电流AD587 / 883B数据手册。
2
N =塑料DIP ; Q = CERDIP ; SO = SOIC 。
–2–
Rev. D的
AD587
绝对最大额定值*
引脚配置
噪音
8还原
V
IN
到地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
功率耗散( + 25 ° C) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
封装热阻
θ
JC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22 ° C / W
θ
JA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110 ° C / W
输出保护:输出安全的不确定接地短路和
瞬间短路到V
IN
.
*注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件,在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
TP
*
1
+V
IN
2
AD587
7 TP
*
顶视图
TP
*
3 (不按比例) 6 V
OUT
5 TRIM
GND 4
*
TP表示工厂的测试点。
没有任何连接应
这些引脚。
DIE规格
参数
输出电压
增益调整
线路调整
13.5 V < + V
IN
< 36 V
负载调整率
采购0 <我
OUT
& LT ; 10毫安
下沉-10 <我
OUT
< 0毫安
静态电流
短路电流对地
短路Currrent到-V
OUT
以下规格是在为AD587JCHIPS芯片级测试。这些死亡是探讨在+ 25℃而已。
(T
A
= + 25 ° C,V
IN
= + 15V ,除非另有说明)
芯片版图
单位
AD587JCHIPS
最小典型最大
9.990
–1
10.010 V
3
100
100
100
2
4
70
70
%
±V/V
μV / MA
μV / MA
mA
mA
mA
模具尺寸: 0.081
×
0.060英寸
笔记
1
双方V
OUT
焊盘应连接到输出端。
2
感和力量理由必须绑在一起。
模具厚度:
的Analog Devices公司双极骰子的标准厚度为24密耳
±
2密耳。
DIE尺寸:
给出的尺寸具有一公差
±
2密耳。
基材:
标准的背侧表面是硅(未镀) 。 ADI公司不推荐
黄金支持的骰子对于大多数应用程序。
边缘:
金刚石锯被用来分隔成晶圆裸片,从而提供垂直边缘半
通过模头方式。
在对比划线骰子,这种技术提供了一个更均匀的模具的形状和尺寸。该perpen-
层理边方便操作(如镊子拾取),而均匀的形状和大小简化
基板设计和芯片粘接。
顶面:
模具的标准顶部表面覆盖有一层玻璃熔封的。所有地区
覆盖除键合焊盘和划线。
表面金属化:
金属化到Analog Devices公司的双极骰子是铝。最低限度
厚度为10,000A 。
焊盘:
所有接合垫具有4密耳通过4密耳的最小尺寸。钝化窗
有3.5密耳3.5密耳最小。
Rev. D的
–3–
AD587
工作原理
噪声性能和降噪
该AD587包括一个专有的嵌入式齐纳二极管为参考的
ENCE ,放大器缓冲输出和几个高稳定性
如在图1中所示的框图的薄膜电阻。
这种设计导致了高精度单片10 V输出
为5mV或更小的初始参考偏移。温度
补偿电路为设备提供一个温度
在5 PPM /°C的系数。
+V
IN
2
R
S
A1
R
F
R
T
5 TRIM
R
I
6 V
OUT
噪音
减少
8
由AD587产生的噪声通常小于4
V
峰 - 峰值在0.1赫兹到10赫兹频带。噪声在1 MHz频带 -
宽度大约为200
V
峰 - 峰值。的主要来源
这种噪声是埋齐纳有助于约
100纳伏/ √Hz的。相比较而言,运算放大器的作用是忽略不
gible 。图3显示了一个典型的0.1赫兹到10赫兹的噪声
AD587 。噪声测量是用一个带通滤波器
具有转角频率为制成的1极的高通滤波器的
0.1 Hz和2极的低通滤波器,角频率
12.6赫兹创建具有9.922赫兹带宽的滤波器。
AD587
4
GND
注意:
引脚1,3和7是内部测试点。
无连接这些点。
图1. AD587功能框图
电容器可在降噪针加(引脚
8)以形成一个低通滤波器,其中R
S
以减少噪声的贡献
灰齐纳到该电路的。
应用AD587
图3. 0.1 Hz至10 Hz噪声
该AD587是使用简单,几乎所有的精密基准电压源
应用程序。当电源被应用到引脚2和引脚4
接地引脚6提供10 V的输出。没有外部元件
堂费是必需的;的期望的绝对精度的程度是
只需选择所需的设备级实现。该
AD587需要从一个能操作小于4 mA静态电流
阿婷供应+15 V.
精修整可能期望的输出电平设定为恰好
10.000 V(校准到一个主系统参考) 。卡利系统
bration也可能需要一个参考电压,该电压略微differ-
耳鼻喉科从10.000 V,例如,10.24 V代表二进制的应用程序。
在这两种情况下,示于图的可选微调电路2可
由多达300毫伏,如果需要的话,用微型偏移输出
发作对其他设备的特性。
+V
IN
2
可选
噪音
减少
电容
C
N
1F
V
IN
8
噪音
V
O
减少
6
产量
如果进一步降低噪声是需要的,一个外部电容器可
介于降噪引脚和地加入
在图2中,该电容所示,结合4千欧
S
和齐纳电阻,以在输出端的低通滤波器
齐纳细胞。 A 1
F
电容将有3dB的点
40赫兹,它会降低高频( 1 MHz)的噪声
至约160
V
峰 - 峰值。图4示出了一个典型的1 MHz的噪声
卡尔AD587具有和不具有一个1
F
电容。
1图4.影响
减少f噪声电容上
宽带噪声
开启时间
AD587
TRIM
GND
4
5
10k
图2.可选精细修剪配置
当施加功率(冷启动)的,所需要的时间
输出电压到指定的误差范围内达到最终值
波段被定义为导通的稳定时间。两个组件
通常与此相关的是:时间为有源电路
沉降,时间为热梯度芯片上
稳定。图5示出了导通的特性
AD587 。它示出了沉降为约60
s
为0.01%。记
由于没有任何热尾巴当水平尺度是EX-
膨胀性,以在图5b中1毫秒/厘米。
–4–
Rev. D的
AD587
输出的导通时间被修改,当外部噪声reduc-
化电容器被使用。当存在时,该电容器充当
附加载荷的内部齐纳二极管的电流源,重新
质保的义务在一个稍微长的开启时间。中的1的情况下
F
电容器,所述初始导通时间约为400毫秒到
0.01% (参见图5c ) 。
动态性能
输出缓冲放大器被设计为提供AD587
与静态和动态负载调节优于较少见
完整的参考。
许多A / D和D / A转换器目前瞬态电流负载
对于参考,差的参考响应会降低
转换器的性能。
图6显示了AD587的输出特性扩增
费里开着0毫安10 mA负载。
V
OUT
7.0V
1k
AD587
V
L
10V
0V
一。电气导通论
图6a 。瞬态负载测试电路
B 。长时间尺度
图6b 。大规模的瞬态响应
。开启1
F c的
N
图5.打开,在特色
图6c 。细度稳定的瞬态负载
Rev. D的
–5–
精度高
10 V参考
AD587
特点
激光调整到高精度:
10.000 V为5 mV (L和U级)
修剪温度系数:
为5ppm /℃最大(L和U级)
降噪能力
低静态电流:4 mA最大
输出调整功能
MIL -STD- 883可提供标准版本
功能框图
+V
IN
2
R
S
A1
R
F
R
T
5 TRIM
R
I
6 V
OUT
噪音
减少
8
AD587
4
GND
引脚1 , 3 ,和7是内部测试点。
无连接这些点。
概述
产品亮点
该AD587代表了先进设备,最先进的一大进步
单片电压基准。使用专有的离子注入
高稳定性嵌入式齐纳二极管和激光晶圆调整
薄膜电阻, AD587提供出色的性能
以较低的成本。
该AD587提供的性能比其他要高得多
10 V基准电压源。因为AD587使用一种工业标准
引出线,许多系统可以即时与AD587升级。
埋齐纳方法,参考设计提供较低的
噪声和漂移比带隙基准电压源。该AD587
提供降噪引脚,可用于进一步减少
通过掩埋齐纳产生的噪声电平。
该AD587推荐用作对8,10参考, 12-,
14-或16位DAC需要外部精密基准。
该器件也非常适合逐次逼近或integrat-
荷兰国际集团的ADC精度高达14位,并且在一般情况下,可以
提供比标准片内基准更好的性能。
该AD587J , AD587K和AD587L是为操作指定
从0℃至70℃,并在AD587U被指定为-55 ℃至
+ 125 ° C温度范围。所有的成绩都是8引脚CERDIP可用。
在J和K的版本也采用8引脚SOIC封装
表面贴装应用,而J,K和L的成绩也
进来的8引脚PDIP 。
两个初始精度和温度1.激光微调
系数导致非常低的误差在整个温度范围不
使用外部元件。该AD587L具有最大
从10.000 V的偏差
±
8.5毫伏在0°C至70 ° C,
和AD587U保证
±
14 mV的最大总误差
-55 ° C至+ 125°C 。
2.对于要求较高的精密应用,可选的精
提供装饰连接。
3.采用工业标准引脚10 V基准电压的任何系统
可以用AD587瞬间升级。
在AD587的4输出噪声非常低,通常为4
V
p-p.
降噪引脚提供了额外的噪声过滤
使用外部电容器。
5. AD587是兼容版本
MIL - STD-883标准。请参阅ADI公司军用产品
数据手册或当前AD587 / 883B数据表详细
特定连接的阳离子。
牧师F
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
2004 ADI公司保留所有权利。
AD587–SPECIFICATIONS
(T = 25℃ ,V
A
IN
= 15V,除非另有说明。 )
AD587K
典型值
AD587L/AD587U
典型值
最大
10.005
5
5
+3
–1
参数
输出电压
输出电压漂移
1
0 ° C至70℃
-55 ° C至+ 125°C
增益调整
线路调整
1
13.5 V
+V
IN
36 V
T
给T
最大
负载调整率
1
采购0毫安<我
OUT
& LT ; 10毫安
T
给T
最大
采购-10毫安<我
OUT
< 0毫安
2
T
给T
最大
静态电流
功耗
输出噪声
0.1赫兹到10赫兹
谱密度, 100Hz的
长期稳定性
短路
电流对地
短路
CURRENT - TO -V
IN
温度范围
指定的性能(J , K,L )
经营业绩(J , K,L )
3
指定的性能( U)
经营业绩( U)
3
9.990
AD587J
典型值
最大
10.010
20
20
9.995
最大
单位
V
PPM /°C的
%
10.005 9.995
10
10
+3
–1
+3
–1
±
100
±
100
±
100
V/V
±
100
±
100
2
30
4
100
±
15
30
30
0
–40
–55
–55
70
70
+70
+85
+125
+125
0
–40
–55
–55
4
2
30
4
100
±
15
30
30
±
100
±
100
4
2
30
4
100
±
15
70
70
+70
+85
+125
+125
0
–40
–55
–55
30
30
±
100
±
100
4
μV / MA
mA
mW
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PPM / 1000小时。
70
70
+70
+85
+125
+125
mA
mA
°C
笔记
1
规范是保证所有的包和档次。 CERDIP封装器件100 %生产测试。
2
负载调整率(沉没)规范SOIC ( R)封装
±
200
μV / mA的电流。
3
在工作温度范围被定义为温度极端,其中该设备将仍然起作用。部分可能偏离其规定的性能
以外的指定温度范围。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
牧师F
AD587
绝对最大额定值*
引脚配置
TP
*
1
+V
IN 2
TP
*
3
噪音
减少
7
TP
*
8
+V
IN
到地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
功耗( 25 ° C) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
封装热阻
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22 ° C / W
JC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110 ° C / W
JA
输出保护:输出安全的不确定接地短路
和瞬间短+ V
IN
.
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件,在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
AD587
顶视图
6
V
OUT
(不按比例)
5
TRIM
GND
4
*
TP表示工厂的测试点。
没有任何连接应
这些引脚。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
AD587具有专用ESD保护电路,永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
订购指南
模型
AD587JQ
AD587JR
AD587JR-REEL
AD587JR-REEL7
AD587JRZ
2
AD587JRZ-REEL
2
AD587JRZ-REEL7
2
AD587JN
AD587JNZ
2
AD587KQ
AD587KR
AD587KR-REEL
AD587KR-REEL7
AD587KRZ
2
AD587KRZ-REEL
2
AD587KRZ-REEL7
2
AD587KN
AD587LQ
AD587LN
AD587UQ
初始
错误
10毫伏
10毫伏
10毫伏
10毫伏
10毫伏
10毫伏
10毫伏
10毫伏
10毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
温度
系数
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为5ppm /°C的
为5ppm /°C的
为5ppm /°C的
温度
范围
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
-55 ° C至+ 125°C
选项
1
Q-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
N-8
N-8
Q-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
N-8
Q-8
N-8
Q-8
笔记
1
N =表示PDIP ; Q = CERDIP ; R = SOIC 。
2
Z =无铅一部分。
牧师F
–3–
AD587
工作原理
噪声性能和降噪
该AD587包括一个专有的嵌入式齐纳二极管为参考的
单一模式,一个放大器来缓冲输出,并且几个高稳定性
如在图1中所示的框图的薄膜电阻。
这种设计导致了高精度单片10 V输出
为5mV或更小的初始参考偏移。温度
补偿电路为设备提供一个温度
在5 PPM /°C的系数。
+V
IN
2
R
S
A1
R
F
R
T
5 TRIM
R
I
6
V
OUT
噪音
减少
8
由AD587产生的噪声通常小于4
V
p-p
在0.1 Hz至10 Hz频带。噪声在1 MHz带宽
大约200
V
峰 - 峰值。这种噪声的主要来源是
埋齐纳二极管,这有助于约100纳伏/ √Hz的。
相比较而言,运算放大器的贡献可以忽略不计。图3
示出了一个典型的AD587的0.1赫兹到10赫兹的噪声。噪音
测量是用制成的1极的带通滤波器
高通滤波器的拐角频率在0.1赫兹和2极
在12.6 Hz低通滤波器的拐角频率来创建
过滤用9.922赫兹的带宽。
AD587
4
GND
引脚1,3和7是内部测试点。
无连接这些点。
图1.功能框图
电容器可在降噪针加
(引脚8 ),以形成一个低通滤波器,其中R
S
以降低噪声
齐纳到该电路的贡献。
应用AD587
图3. 0.1 Hz至10 Hz噪声
该AD587是使用简单,几乎所有的精密基准电压源
应用程序。当电源被应用到引脚2和引脚4
接地引脚6提供10 V的输出。无需外部元件
是必需的;的期望的绝对精度的程度达到
只需选择所需的设备档次。该AD587要求
从15 V的工作电压小于4 mA静态电流
精修整可能期望的输出电平设定为恰好
10.000 V(校准到一个主系统参考) 。系统校准
化也可能需要提供一个参考电压,该电压略有不同
从10.000 V,例如,10.24 V代表二进制的应用程序。在
无论是哪种情况,在图2中所示的可选的微调电路可以抵消
由多达300毫伏的输出与其它影响最小
器件特性。
+V
IN
2
可选
噪音
减少
电容
C
N
1 F
V
IN
8
噪音
V
O
6
减少
产量
如果进一步降低噪声是需要的,一个外部电容器可
介于降噪引脚与地增加,
如示于图2.该电容器,结合
4千欧
S
和齐纳电阻,形成在一个低通滤波器
输出的齐纳细胞。 A 1
F
电容将有一个3 dB点
在40赫兹,并且将降低高频( 1 MHz)的噪声
至约160
V
峰 - 峰值。图4示出了一个典型的1 MHz的噪声
卡尔AD587具有和不具有一个1
F
电容。
1图4.影响
减少f噪声电容
在宽带噪声
开启时间
AD587
TRIM
GND
4
5
10k
图2.可选精细修剪配置
当施加功率(冷启动)的,所需要的时间
输出电压到指定的误差范围内达到最终值
波段被定义为导通的稳定时间。两个组件
通常与此相关的是时间为有源电路
沉降,时间为热梯度芯片上
稳定。图5示出了导通的AD587的特性。
它示出了沉降为约60
s
为0.01%。注意:如果没有
的任何热尾巴当水平刻度被扩展为
1毫秒/在图5b厘米。
–4–
牧师F
AD587
输出的导通时间被修改,当外部噪声reduc-
化电容器被使用。当存在时,该电容器充当
附加载荷的内部齐纳二极管的电流源,
导致一个稍微长的开启时间。中的一个的情况下
1
F
电容器,所述初始导通时间约为400毫秒
至0.01% (参见图5c ) 。
动态性能
输出缓冲放大器被设计为提供AD587
与静态和动态负载调节优于不完整
引用。
许多ADC和DAC呈现瞬态电流负载的
引用和参考不佳的反应会降低转换器的
性能。
图6b和6c显示了AD587的输出的特性
功放驱动0毫安10 mA负载。
V
OUT
7.0V
1k
AD587
V
L
10V
0V
一。电气导通论
图6a 。瞬态负载测试电路
B 。长时间尺度
图6b 。大规模的瞬态响应
。开启1
F关联
图5.打开,在特色
图6c 。精细刻度设置为瞬态负载
牧师F
–5–
查看更多AD587SQPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AD587SQ
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
AD587SQ
AD
1839+
3093
DIP
强势渠道 绝对优势价格 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881279568 复制

电话:13804556529(原厂渠道,原装正品,优势热卖)
联系人:李爽
地址:深圳市南山区朗山路7号军工科技园南航大厦1栋12楼 市场部:深圳市福田区振兴路101号振华大院1栋5楼B14
AD587SQ
ADI★★★████FPGA芯片战略合供方★★★
2305+
3800███★★(原装正品)★★
CDIP
主营ADI全系列产品,原装现货,优势热卖★★★★
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
AD587SQ
AD
22+
1600
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2273544375 复制 点击这里给我发消息 QQ:1402770874 复制

电话:13711580601
联系人:郭
地址:深圳市福田区华强北华强广场B座
AD587SQ
ADI
15+
1000
TSSOP14
原装正品 力挺实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881894392 复制 点击这里给我发消息 QQ:28818943932881894393 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881894392 复制

电话:0755- 82556029/82532511
联系人:高小姐/李先生
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
AD587SQ
AD
2025+
3485
DIP
全新原装、公司现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
AD587SQ
ADI
2024+
9675
DIP8
优势现货,全新原装进口
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AD587SQ
ADI
21+22+
27000
DIP8
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AD587SQ
ADI
0043+
85
DIP8
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:229754250 复制

电话:0755-83254070/18680328178
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
AD587SQ
AD
21+
19500
CDIP8
全新原装现货,质量保证,可开税票,可出样品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
AD587SQ
ADI/亚德诺
24+
4280
NA
原装正品优势渠道!实单特价!
查询更多AD587SQ供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!