精度高
10 V参考
AD587
特点
激光调整到高精度：
10.000 V为5 mV （L和U级）
修剪温度系数：
为5ppm /℃最大（L和U级）
降噪能力
低静态电流：4 mA最大
输出调整功能
MIL -STD- 883可提供标准版本
功能框图
+V
IN
2
R
S
A1
R
F
R
T
5 TRIM
R
I
6 V
OUT
噪音
减少
8
AD587
4
GND
记
引脚1 ， 3 ，和7是内部测试点。
无连接这些点。
概述
产品亮点
该AD587代表了先进设备，最先进的一大进步
单片电压基准。使用专有的离子注入
高稳定性嵌入式齐纳二极管和激光晶圆调整
薄膜电阻， AD587提供出色的性能
以较低的成本。
该AD587提供的性能比其他要高得多
10 V基准电压源。因为AD587使用一种工业标准
引出线，许多系统可以即时与AD587升级。
埋齐纳方法，参考设计提供较低的
噪声和漂移比带隙基准电压源。该AD587
提供降噪引脚，可用于进一步减少
通过掩埋齐纳产生的噪声电平。
该AD587推荐用作对8,10参考， 12-，
14-或16位DAC需要外部精密基准。
该器件也非常适合逐次逼近或integrat-
荷兰国际集团的ADC精度高达14位，并且在一般情况下，可以
提供比标准片内基准更好的性能。
该AD587J ， AD587K和AD587L是为操作指定
从0℃至70℃，并在AD587U被指定为-55 ℃至
+ 125 ° C温度范围。所有的成绩都是8引脚CERDIP可用。
在J和K的版本也采用8引脚SOIC封装
表面贴装应用，而J，K和L的成绩也
进来的8引脚PDIP 。
两个初始精度和温度1.激光微调
系数导致非常低的误差在整个温度范围不
使用外部元件。该AD587L具有最大
从10.000 V的偏差
±
8.5毫伏在0°C至70 ° C，
和AD587U保证
±
14 mV的最大总误差
-55 ° C至+ 125°C 。
2.对于要求较高的精密应用，可选的精
提供装饰连接。
3.采用工业标准引脚10 V基准电压的任何系统
可以用AD587瞬间升级。
在AD587的4输出噪声非常低，通常为4
V
p-p.
降噪引脚提供了额外的噪声过滤
使用外部电容器。
5. AD587是兼容版本
MIL - STD-883标准。请参阅ADI公司军用产品
数据手册或当前AD587 / 883B数据表详细
特定连接的阳离子。
牧师F
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
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AD587–SPECIFICATIONS
（T = 25℃ ，V
A
IN
= 15V，除非另有说明。 ）
AD587K
典型值
AD587L/AD587U
民
典型值
最大
10.005
5
5
+3
–1
参数
输出电压
输出电压漂移
1
0 ° C至70℃
-55 ° C至+ 125°C
增益调整
线路调整
1
13.5 V
≤
+V
IN
≤
36 V
T
民
给T
最大
负载调整率
1
采购0毫安<我
OUT
＆ LT ; 10毫安
T
民
给T
最大
采购-10毫安<我
OUT
< 0毫安
2
T
民
给T
最大
静态电流
功耗
输出噪声
0.1赫兹到10赫兹
谱密度， 100Hz的
长期稳定性
短路
电流对地
短路
CURRENT - TO -V
IN
温度范围
指定的性能（J ， K，L ）
经营业绩（J ， K，L ）
3
指定的性能（ U）
经营业绩（ U）
3
民
9.990
AD587J
典型值
最大
10.010
20
20
民
9.995
最大
单位
V
PPM /°C的
%
10.005 9.995
10
10
+3
–1
+3
–1
±
100
±
100
±
100
V/V
±
100
±
100
2
30
4
100
±
15
30
30
0
–40
–55
–55
70
70
+70
+85
+125
+125
0
–40
–55
–55
4
2
30
4
100
±
15
30
30
±
100
±
100
4
2
30
4
100
±
15
70
70
+70
+85
+125
+125
0
–40
–55
–55
30
30
±
100
±
100
4
μV / MA
mA
mW
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PPM / 1000小时。
70
70
+70
+85
+125
+125
mA
mA
°C
笔记
1
规范是保证所有的包和档次。 CERDIP封装器件100 ％生产测试。
2
负载调整率（沉没）规范SOIC （ R）封装
±
200
μV / mA的电流。
3
在工作温度范围被定义为温度极端，其中该设备将仍然起作用。部分可能偏离其规定的性能
以外的指定温度范围。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
牧师F
AD587
绝对最大额定值*
引脚配置
TP
*
1
+V
IN 2
TP
*
3
噪音
减少
7
TP
*
8
+V
IN
到地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
功耗（ 25 ° C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
封装热阻
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22 ° C / W
JC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110 ° C / W
JA
输出保护：输出安全的不确定接地短路
和瞬间短+ V
IN
.
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
AD587
顶视图
6
V
OUT
（不按比例）
5
TRIM
GND
4
*
TP表示工厂的测试点。
没有任何连接应
这些引脚。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
AD587具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
订购指南
模型
AD587JQ
AD587JR
AD587JR-REEL
AD587JR-REEL7
AD587JRZ
2
AD587JRZ-REEL
2
AD587JRZ-REEL7
2
AD587JN
AD587JNZ
2
AD587KQ
AD587KR
AD587KR-REEL
AD587KR-REEL7
AD587KRZ
2
AD587KRZ-REEL
2
AD587KRZ-REEL7
2
AD587KN
AD587LQ
AD587LN
AD587UQ
初始
错误
10毫伏
10毫伏
10毫伏
10毫伏
10毫伏
10毫伏
10毫伏
10毫伏
10毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
温度
系数
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
20 PPM /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为10ppm /°C的
为5ppm /°C的
为5ppm /°C的
为5ppm /°C的
温度
范围
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
-55 ° C至+ 125°C
包
选项
1
Q-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
N-8
N-8
Q-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
N-8
Q-8
N-8
Q-8
笔记
1
N =表示PDIP ; Q = CERDIP ; R = SOIC 。
2
Z =无铅一部分。
牧师F
–3–
AD587
工作原理
噪声性能和降噪
该AD587包括一个专有的嵌入式齐纳二极管为参考的
单一模式，一个放大器来缓冲输出，并且几个高稳定性
如在图1中所示的框图的薄膜电阻。
这种设计导致了高精度单片10 V输出
为5mV或更小的初始参考偏移。温度
补偿电路为设备提供一个温度
在5 PPM /°C的系数。
+V
IN
2
R
S
A1
R
F
R
T
5 TRIM
R
I
6
V
OUT
噪音
减少
8
由AD587产生的噪声通常小于4
V
p-p
在0.1 Hz至10 Hz频带。噪声在1 MHz带宽
大约200
V
峰 - 峰值。这种噪声的主要来源是
埋齐纳二极管，这有助于约100纳伏/ √Hz的。
相比较而言，运算放大器的贡献可以忽略不计。图3
示出了一个典型的AD587的0.1赫兹到10赫兹的噪声。噪音
测量是用制成的1极的带通滤波器
高通滤波器的拐角频率在0.1赫兹和2极
在12.6 Hz低通滤波器的拐角频率来创建
过滤用9.922赫兹的带宽。
AD587
4
GND
记
引脚1,3和7是内部测试点。
无连接这些点。
图1.功能框图
电容器可在降噪针加
（引脚8 ），以形成一个低通滤波器，其中R
S
以降低噪声
齐纳到该电路的贡献。
应用AD587
图3. 0.1 Hz至10 Hz噪声
该AD587是使用简单，几乎所有的精密基准电压源
应用程序。当电源被应用到引脚2和引脚4
接地引脚6提供10 V的输出。无需外部元件
是必需的;的期望的绝对精度的程度达到
只需选择所需的设备档次。该AD587要求
从15 V的工作电压小于4 mA静态电流
精修整可能期望的输出电平设定为恰好
10.000 V（校准到一个主系统参考） 。系统校准
化也可能需要提供一个参考电压，该电压略有不同
从10.000 V，例如，10.24 V代表二进制的应用程序。在
无论是哪种情况，在图2中所示的可选的微调电路可以抵消
由多达300毫伏的输出与其它影响最小
器件特性。
+V
IN
2
可选
噪音
减少
电容
C
N
1 F
V
IN
8
噪音
V
O
6
减少
产量
如果进一步降低噪声是需要的，一个外部电容器可
介于降噪引脚与地增加，
如示于图2.该电容器，结合
4千欧
S
和齐纳电阻，形成在一个低通滤波器
输出的齐纳细胞。 A 1
F
电容将有一个3 dB点
在40赫兹，并且将降低高频（ 1 MHz）的噪声
至约160
V
峰 - 峰值。图4示出了一个典型的1 MHz的噪声
卡尔AD587具有和不具有一个1
F
电容。
1图4.影响
减少f噪声电容
在宽带噪声
开启时间
AD587
TRIM
GND
4
5
10k
图2.可选精细修剪配置
当施加功率（冷启动）的，所需要的时间
输出电压到指定的误差范围内达到最终值
波段被定义为导通的稳定时间。两个组件
通常与此相关的是时间为有源电路
沉降，时间为热梯度芯片上
稳定。图5示出了导通的AD587的特性。
它示出了沉降为约60
s
为0.01％。注意：如果没有
的任何热尾巴当水平刻度被扩展为
1毫秒/在图5b厘米。
–4–
牧师F
QQ：2880707522 复制
