a
特点
激光调整到高精度：
5.000 V 2.0毫伏（M级）
修剪温度系数：
为2ppm /℃ ， 0℃ + 70℃ （M级）
为5ppm /℃ ， -40℃到+ 85℃ （B & L级）
为10ppm /℃ ， -55℃至+ 125 ℃（ T分级）
低噪音，百纳伏/ √Hz的
降噪能力
输出调整功能
MIL -STD- 883可提供标准版本
工业应用温度范围SOIC封装
输出能够采购或沉没10毫安
精度高
5 V参考
AD586
功能框图
产品说明
产品亮点
该AD586代表了先进设备，最先进的中的一大进步
单片电压基准。使用专有的离子注入
高稳定性嵌入式齐纳二极管和激光晶圆调整
薄膜电阻， AD586提供了出色的perfor-
曼斯低成本。
该AD586提供的性能比其他要高得多
5 V基准电压源。因为AD586使用一种工业标准
引出线，许多系统可以即时与升级
AD586 。埋齐纳方法参考设计亲
志愿组织更低的噪声和漂移比带隙基准电压源。该
AD586提供降噪引脚，可用于进一步
减小由埋齐纳产生的噪声电平。
的AD586推荐用作用于8-参考， 10-，
12位，14位或16位D / A转换器所需的外部
精密基准。该器件也非常适合连续
逼近或积分A / D转换器具有高达14位
准确的，并且在一般情况下，可以提供比更好的性能
标准的片上参考。
该AD586J ，K，L和M是从0 ° C温度范围
至+ 70 ° C时， AD586A和B为-40 ° C至+ 85 ° C温度范围
操作，并且AD586S和T为-55 ℃至指定
+ 125 ° C温度范围。该AD586J ，K，L和M是在一个可用的
8引脚塑料DIP封装。该AD586J ， K，L ， A和B都可以
8引脚塑料表面贴装小外形（ SO ）封装。该
AD586J ，K，L ，S和T分别提供8引脚CERDIP封装。
两个初始精度和温度1.激光微调
系数导致非常低的误差在整个温度范围与 -
出了使用外部组件。该AD586M有
从5.000 V的最大偏差
±
与2.45毫伏
0℃， + 70℃，并在AD586T保证
±
7.5毫伏
-55 ° C至+ 125°C最大总误差。
2.对于要求较高的精密应用，可选的细
提供装饰连接。
3.采用工业标准引脚可参考的任何系统
可与AD586瞬间升级。
AD586的4输出噪声非常低，通常为4
V
峰 - 峰值。一
降噪引脚提供了额外的噪声过滤
使用外部电容器。
5. AD586是符合MIL-版本
STD- 883 。请参阅ADI公司军用产品
数据手册或电流AD586 / 883B数据手册详细
特定连接的阳离子。
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
AD586–SPECIFICATIONS
（ @ T = + 25 ° C，V
A
IN
= + 15V ，除非另有说明）
AD586M
AD586S
最小值典型值最大值最小值典型值最大值
5.002 4.990
AD586T
最小典型最大
模型
输出电压
输出电压漂移
l
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
增益调整
线路调整
1
10.8 V < + V
IN
< 36 V
T
民
给T
最大
11.4 V < + V
IN
< 36 V
T
民
给T
最大
负载调整率
l
采购0 <我
OUT
＆ LT ; 10毫安
25°C
T
民
给T
最大
下沉-10 <我
OUT
< 0毫安
25°C
静态电流
耗电量
输出噪声
0.1赫兹到10赫兹
谱密度， 100Hz的
长期稳定性
短路电流对地
温度范围
指定的性能
2
经营业绩
3
AD586J
AD586K/A
最小值典型值最大值最小值典型值最大值
4.980
5.020 4.995
AD586L/B
最小典型最大
单位
5.005 4.9975
5.0025 4.998
5.010 4.9975
5.0025
V
25
15
5
2
20
10
+6
–2
PPM /°C的
+6
–2
+6
–2
+6
–2
+6
–2
+6
–2
%
100
100
100
100
150
150
±V/V
100
100
400
2
30
3
2
30
100
100
400
3
2
30
100
100
400
3
2
30
100
100
400
3
2
30
150
150
400
3
2
30
150
150
400
3
μV / MA
mA
mW
V
p-p
纳伏/赫兹÷
PPM / 1000人才招聘
mA
°C
4
100
15
45
60
4
100
15
45
60
4
100
15
45
60
4
100
15
45
60
4
100
15
45
60
4
100
15
45
60
0
–40
+70
+85
0
–40
–40
+70
+85
+85
0
–40
–40
+70
+85
+85
0
–40
+70
+85
–55
–55
+125 –55
+125 –55
+125
+125
笔记
1
最大输出电压漂移保证所有的包和档次。 CERDIP封装器件还100 ℃，生产测试。
2
下排显示指定的性能A和B等级。
3
工作温度范围被定义为极端的温度，在该设备仍然会起作用。部分可能偏离超出其规定的性能
规定的温度范围。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
规格粗体字都落在了所有生产经营单位在最后的电气测试。结果，从这些测试被用来计算出射的质量水平。所有的最小和最大规格
系统蒸发散得到保障，但只有那些以粗体显示，除非另有说明，所有生产经营单位进行了测试。
绝对最大额定值
*
V
IN
到地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
功耗（ 25 ° C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
铅温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
封装热阻
θ
JC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22 ° C / W
θ
JA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110 ° C / W
输出保护：输出安全的不确定对地短路或
V
IN
.
*条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的操作部分是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
接线图
（ TOP VIEW ）
–2–
版本C
AD586
DLE性能参数
参数
输出电压
增益调整
线路调整
10.8 V < + V
IN
< 36 V
负载调整率
采购0 <我
OUT
＆ LT ; 10毫安
下沉-10 <我
OUT
< 0毫安
静态电流
短路电流对地
以下规格是在为AD586JCHIPS芯片级测试。这些模具进行探测，在25℃
只。 （T
A
= +25 C，V
IN
= + 15V ，除非另有说明）
AD586JCHIPS
民
典型值
最大
4.980
+6
–2
5.020
单位
V
%
%
±V/V
μV / MA
μV / MA
mA
mA
100
100
400
3
60
笔记
1
双方V
OUT
焊盘应连接到输出端。
模具厚度：
的Analog Devices公司双极骰子的标准厚度为24密耳
±
2密耳。
DIE尺寸：
给出的尺寸具有一公差
±
2密耳。
基材：
标准的背侧表面是硅（未镀） 。 ADI公司不
建议黄金支持的骰子对于大多数应用程序。
边缘：
金刚石锯被用来分隔成晶圆裸片，从而提供垂直
缘中途通过模具。
在对比划线骰子，这种技术提供了一个更均匀的模具的形状和尺寸。该
垂直边缘便于处理（如镊子接机），而均匀的形状
和尺寸，简化基板设计和芯片粘接。
顶面：
模具的标准顶部表面覆盖有一层玻璃熔封的。所有
区域都覆盖除键合焊盘和划线。
表面金属化：
金属化到Analog Devices公司的双极骰子是铝。
最小厚度为10,000A 。
焊盘：
所有接合垫具有4密耳通过4密耳的最小尺寸。钝化
窗户有3.5密耳3.5密耳最小。
订购指南
模型
1
初始
错误
20毫伏
20毫伏
20毫伏
5毫伏
5毫伏
5毫伏
2.5毫伏
2.5毫伏
2毫伏
5毫伏
2.5毫伏
2.5毫伏
10毫伏
2.5毫伏
20毫伏
温度
系数
为25ppm /°C的
为25ppm /°C的
为25ppm /°C的
15 PPM /°C的
15 PPM /°C的
15 PPM /°C的
为5ppm /°C的
为5ppm /°C的
2 PPM /°C的
15 PPM /°C的
为5ppm /°C的
为5ppm /°C的
20 PPM /°C的
为10ppm /°C的
为25ppm /°C的
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
包
选项
2
N-8
Q-8
SO-8
N-8
Q-8
SO-8
N-8
SO-8
N-8
SO-8
SO-8
Q-8
Q-8
Q-8
AD586JN
AD586JQ
AD586JR
AD586KN
AD586KQ
AD586KR
AD586LN
AD586LR
AD586MN
AD586AR
AD586BR
AD586LQ
AD586SQ
AD586TQ
AD586JCHIPS
笔记
1
对于筛选符合MIL -STD- 883 ，R EFER ADI公司军事上档次，包装产品详细信息
产品数据手册或电流AD586 / 883B数据手册。
2
N =塑料DIP ; Q = CERDIP ; SO =小外形集成电路（ SOIC ） 。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然AD586具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
版本C
–3–
AD586
工作原理
噪声性能和降噪
该AD586包括一个专有的嵌入式齐纳二极管为参考的
ENCE ，放大器缓冲输出和几个高稳定性
如在图1中所示的框图的薄膜电阻。
这种设计导致了高精度单片5伏输出
2.0毫伏或更低与初始参考偏移。温度
补偿电路为设备提供一个温度
在2 PPM / ℃的系数。
使用齐纳输出的偏置补偿电阻
和同相输入到放大器，电容器可
在降噪引脚（引脚8 ），以形成一个低加
低通滤波器，减少齐纳二极管的噪声贡献
电路。
由AD586产生的噪声通常小于4
V
峰 - 峰值在0.1赫兹到10赫兹频带。噪声在1 MHz频带 -
宽度大约为200
V
峰 - 峰值。这样做的主要来源
噪声是埋齐纳有助于约
100纳伏/ √Hz的。相比较而言，运算放大器的作用是忽略不
gible 。图3显示了一个典型的0.1赫兹到10赫兹的噪声
AD586 。噪声测量是用一个带通滤波器
具有转角频率为制成的1极的高通滤波器的
0.1 Hz和2极的低通滤波器，角频率
12.6赫兹创建具有9.922赫兹带宽的滤波器。
如果进一步降低噪声是需要的，一个外部电容器可
介于降噪引脚和地加入
在图2中，该电容所示，结合4千欧
S
和齐纳电阻上形成的输出端的低通滤波器
齐纳细胞。 A 1
F
电容将有一个3 dB点在12赫兹，
它会降低高频（ 1 MHz）的噪声约
160
V
峰 - 峰值。图4显示了一个典型的AD586的1 MHz的噪声
具有和不具有一个1
F
电容。
图1. AD586功能框图
应用AD586
该AD586是使用简单，几乎所有的精密基准电压源
应用程序。当电源被应用到引脚2和引脚4
接地引脚6提供5 V输出。无需外部元件
是必需的;的期望的绝对精度的程度达到
只需选择所需的设备档次。该AD586重
张塌塌米从操作支持小于3mA静态电流
+12 V或+15 V.层
外部细修剪可能期望的输出电平设置为
恰好5.000 V（校准到一个主系统参考） 。系统
校准也可能需要一个参考电压，该电压略
不同，从5.000伏，例如，5.12 V代表二进制的应用
系统蒸发散。在任一情况下，如图2中所示的可选的修整电路
可以由多达300毫伏，如果需要的话，与偏移量的输出
在其它的器件特性的影响最小。
图3. 0.1 Hz至10 Hz噪声
1图4.影响
减少f噪声电容上
宽带噪声
开启时间
图2.可选精细修剪配置
当施加功率（冷启动）的，所需要的时间
输出电压到指定的误差范围内达到最终值
波段被定义为导通的稳定时间。两个组件
通常与此相关的是：时间为有源电路
沉降，时间为热梯度芯片上
稳定。图5示出了导通的特性
AD586 。它示出了沉降为约60
微秒
为0.01％。
注意，由于没有任何热尾部水平定标时
膨胀以升毫秒/在图5b厘米。
–4–
版本C
QQ：2880707522 复制
