【精度高10 V IC参考AD581特点激光调整，精度高10.000 V± 5毫伏（ L型和U型）修剪】,IC型号AD581UH1,AD581UH1 PDF资料,AD581UH1经销商,ic,电子元器件-51电子网

精度高

10 V IC参考

AD581

特点

激光调整，精度高

10.000 V± 5毫伏（ L型和U型）

修剪温度系数

5 PPM / ° C（最大值）， 0 ° C至70 ° C（ L型）

为10ppm / ° C（最大值）， -55 ° C至+ 125°C （ U型）

优异的长期稳定性

为25ppm / 1000小时（非累积）

-10 V基准电压能力

低静态电流为1.0 mA（最大值）

10毫安电流输出能力

3引脚TO- 5封装

MIL -STD- 883可提供标准版本

功能框图

OUT

AD581

GND

08014-001

TO-5

底部视图

图1 。

概述

该AD581是3针，温度补偿，单片，

带隙参考电压，它提供一个精确10.00 V的输出

从未经稳压的输入电平范围为12 V至30 V.

激光晶圆调整（ LWT ）既用于修剪的初始

在+ 25° C的误差以及温度系数，从而

高精度性能以前仅在昂贵可用

西伯混合动力或烤箱稳压模块。 5 mV的初始误差

宽容和5 PPM / ℃，保证温度系数

该AD581L可在单片电压基准。

在AD581中使用的带隙电路设计提供了几种

优于传统的齐纳击穿二极管技术。

最重要的是，无需外部元件即可

实现充分的精度和稳定性显著低功耗

系统。此外，该设备的总电源电流，

包括输出缓冲放大器（它可提供高达

到10 mA）的典型750微安。的长期稳定性

带隙设计等效于选择齐纳参考

二极管。

的AD581推荐用作用于8-参考， 10-

或12位的数字 - 模拟需要一个转换器（DAC ）

外部精密基准。该器件也非常适合所有类型

模拟 - 数字转换器（ADC ）到14位精度的，

无论是逐次逼近型或集成设计，并能

一般提供比由标准提供了更好的性能

自包含的参考文献。

该AD581J ， AD581K和AD581L是为操作指定

从0℃至70 ℃;在AD581S ， AD581T和AD581U是

为-55 °C至+ 125 ° C温度范围内。所有成绩

包装在密封的3针TO- 5金属罐。

产品亮点

两个初始精度和温度激光微调

系数的结果在整个温度范围内非常低的错误

在不使用外部元件的。该AD581L有

从10.000的V ± 7.25 mV的最大偏差

0℃至70℃ ，而AD581U保证±15毫伏

从-55°C无需外部饰件最大总误差

至+ 125°C 。

因为激光修整晶片上之前进行

分离成独立的芯片， AD581是极其

有价值的混合设计师为它的易用性，缺乏

所需的外部装饰，以及固有的高性能。

在AD581也可以在一个双引脚齐纳模式操作

提供精密-10 V基准电压，只需一个外部

电阻不受管制的供给。在此性能

模式几乎等于该标准的3针置信的

guration 。

使用带隙的概念先进的电路设计使

该AD581充分的表现与不受管制

输入电压下降到13V。通过外部电阻时，

器件工作在电源低至11.4 V.

该AD581是兼容版本

MIL-STD- 883 。请参阅军事数据表详细

特定连接的阳离子。

版本C

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AD581

特点................................................. ............................................. 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

绝对最大额定值............................................... ............. 5

ESD注意事项................................................ .................................. 5

应用AD581 ............................................... .......................... 6

电压变化与温度的关系............................................. 6

输出电流特性............................................... 7 ....

动态性能................................................ .................. 7

高精度电流供应.............................................. 8 .....

连接为降低初级供应.................................. 8

该AD581作为限流............................................ ......... 9

负10 V参考.............................................. ................. 9

10 V参考用乘法CMOS的DAC或ADC的9 .......

精密12位DAC参考............................................ ..... 9

外形尺寸................................................ ........................ 11

订购指南................................................ ........................... 11

修订历史

4月9日 - 修订版。 B到C版

更新格式................................................ ..................通用

更改表1 .............................................. .............................. 3

图2 ..............................................变化............................ 6

图11 ..............................................变化.......................... 8

变化到10 V参考用乘法CMOS数模转换器

或ADC的第............................................... ................................ 9

更改精密12位DAC参考第.................. 9

图13 ..............................................变化.......................... 9

图15和图16的变化........................................... .. 10

更新的外形尺寸............................................... ........ 11

更改订购指南.............................................. ............ 11

版本C | 12页2

AD581

特定网络阳离子

@ V

= + 15V和T

= +25°C.

如图规格

粗体

所有生产经营单位在最后的电气测试进行测试。结果，从这些测试被用来计算

即将离任的质量水平。所有的最小值和最大值的保证，但只有在那些所示

粗体

进行测试的

所有生产经营单位。

表1中。

模型

输出电压容差

（错误的额定万V输出）

输出电压的变化

从+ 25 ° C最大偏差

值，T

民

给T

最大

温度COEF网络cient

线路调整

15 V ≤ V

≤ 30 V

13 V ≤ V

≤ 15 V

负载调整率

0 ≤ I

OUT

= 5毫安

静态电流

开启建立时间0.1 ％

噪声（ 0.1 Hz至10 Hz ）

长期稳定性

短路电流

输出电流

源@ + 25°C

来源牛逼

民

给T

最大

沉牛逼

民

给T

最大

温度范围

特定网络版

操作

封装选项

TO-5 （H- 03B ）

民

AD581J

典型值

最大

±30

±13.5

3.0

(0.002)

1.0

(0.005)

200

0.75

500

1.0

民

AD581K

典型值

最大

±10

±6.75

3.0

(0.002)

1.0

(0.005)

200

0.75

200

500

1.0

民

AD581L

典型值

最大

±5

±2.25

3.0

(0.002)

1.0

(0.005)

200

0.75

200

500

1.0

单位

PPM /°C的

%/V

μV / MA

μs

μV （峰 - 峰值）

PPM / 1000人才招聘

200

AD581JH

+150

AD581KH

AD581LH

+150

μA

°C

见图7 。

H表示的密封金属罐。

版本C |第12页3

AD581

表2中。

AD581S

模型

输出电压容差

（错误的额定万V输出）

输出电压的变化

从+ 25 ° C最大偏差

值，T

民

给T

最大

温度COEF网络cient

线路调整

15 V ≤ V

≤ 30 V

13 V ≤ V

≤ 15 V

负载调整率

0 ≤ I

OUT

= 5毫安

静态电流

开启建立时间0.1 ％

噪声（ 0.1 Hz至10 Hz ）

长期稳定性

短路电流

输出电流

源@ + 25°C

来源牛逼

民

给T

最大

沉牛逼

民

给T

最大

沉-55 ° C至+ 85°C

温度范围

特定网络版

操作

封装选项

TO-5 （H- 03B ）

AD581T

最大

±30

3.0

(0.002)

1.0

(0.005)

民

典型值

最大

±10

±15

3.0

(0.002)

1.0

(0.005)

200

0.75

200

AD581TH

+125

+150

500

1.0

民

AD581U

典型值

最大

±5

±10

3.0

(0.002)

1.0

(0.005)

200

0.75

200

+125

+150

AD581UH

500

1.0

单位

PPM /°C的

%/V

μV / MA

μs

μV （峰 - 峰值）

PPM / 1000人才招聘

μA

°C

民

典型值

200

0.75

500

1.0

200

AD581SH

+125

+150

见图7 。

H表示密封金属罐。

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AD581

绝对最大额定值

表3中。

参数

输入电压

功耗@ + 25°C

工作结温范围

引线温度（焊接10秒）

热阻

结到环境

等级

40 V

600毫瓦

-55 ° C至+ 150°C

+300°C

150°C/W

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

ESD警告

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