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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1601页 > AD5539J
a
特点
改善置换西格尼蒂克SE / NE5539
AC性能
增益带宽积: 1.4 GHz的典型值
单位增益带宽: 220 MHz的典型值
高压摆率: 600 V /秒(典型值)
全功率响应: 82 MHz的典型值
开环增益: 47分贝分52 dB典型值
直流性能
保证所有的DC规格都经过100%测试
对于每个设备在其整个温度
范围 - 对于所有级别和包
V
OS
: 5毫伏最大,在整个温度范围
(AD5539S)
I
B
: 20 A最大( AD5539J )
CMRR : 70分贝分钟,85 dB典型值
PSRR : 100 V / V (典型值)
MIL- STD- 883B零件可用
产品说明
超高频
运算放大器连接器
AD5539
接线图
塑料DIP (N )封装
或CERDIP (Q )封装
产品亮点
1.保证所有的DC规格100%经过测试。
2. AD5539驱动器50
和75
直接加载。
3.输入电压噪声小于4 nV√Hz 。
4.低成本的射频和视频的速度性能。
5.
±
2伏的输出范围为150
负载。
6.成本低。
7.芯片提供。
的AD5539是一个超高频运算放大器DE-
在视频电路和RF放大器使用专门签署。
需要比5的收益更大,无需外部补偿,这
可在较低的增益与加入外部进行操作
补偿。
作为一名卓越的替代西格尼蒂克NE / SE5539 ,每
AD5539是100%的直流测试,以满足其保证直流
规格在器件的整个温度范围内。
在AD5539的高压摆率和高带宽提供
低成本的解决方案,许多其他复杂和昂贵
高频电路设计问题。
在AD5539可指定工作在任一
商业( AD5539JN / JQ )或军事( AD5539SQ )温度
TURE范围。商用级可无论是在14针
塑料或陶瓷浸渍包。军用版在提供
陶瓷浸渍包。芯片版本也可以。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 617 / 329-4700
传真: 617 / 326-8703
AD5539–SPECIFICATIONS
( @ +25 C和V =
S
8伏直流电,除非另有说明)
AD5539S
典型值
2
参数
输入失调电压
初始偏移
1
T
给T
最大
输入失调电流
初始偏移
2
T
给T
最大
输入偏置电流
初始
2
V
CM
= 0
任一输入
T
给T
最大
频率响应
R
L
= 150
3
小信号带宽
A
CL
= 2
4
增益带宽积
A
CL
= 26分贝
全功率响应
A
CL
= 2
4
A
CL
= 7
A
CL
= 20
建立时间( 1 % )
压摆率
大信号传播延迟
总谐波失真
R
L
=
R
L
= 100
3
V
OUT
= 2 V P-P
A
CL
= 7中,f = 1千赫
输入阻抗
输出阻抗(F <10兆赫)
输入电压范围
迪FF erential
5
(最大无损)
共模电压
(最大无损)
共模抑制比
V
CM
= 1.7 V
R
S
= 100
T
给T
最大
输入电压噪声
宽带RMS噪声( RTI)
BW = 5 MHz的;
S
= 50
点噪声
F = 1千赫
S
= 50
开环增益
V
O
= +2.3 V, –1.7 V
R
L
= 150
3
R
L
= 2 k
T
给T
最大
–R
L
= 2 k
AD5539J
典型值
2
最大
5
6
2
5
最大
3
5
1
3
单位
mV
mV
A
A
A
A
0.1
0.1
6
20
40
6
13
25
220
1400
220
1400
兆赫
兆赫
68
82
65
12
600
4
0.010
0.016
68
82
65
12
600
4
0.010
0.016
兆赫
兆赫
兆赫
ns
V / μs的
ns
%
%
100
2
100
2
k
250
2.5
250
2.5
mV
V
70
60
85
70
60
85
dB
dB
FV
nV√Hz
5
4
5
4
47
47
43
52
58
58
63
47
48
46
52
58
57
60
dB
dB
dB
–2–
版本B
AD5539
参数
输出特性
正输出摆幅
R
L
= 150
3
+2.3
R
L
= 2 k
+2.3
T
给T
最大
R
L
= 2 k
+2.3
负输出摆幅
R
L
= 150
3
R
L
= 2 k
T
给T
最大
R
L
= 2 k
电源(无负载,无电阻-V
S
)
额定性能
工作范围
4.5
静态电流
最初我
CC
+
T
给T
最大
最初我
CC
T
给T
最大
PSRR
初始
T
给T
最大
温度范围
操作时,
额定性能
商用(0 ° C至+ 70 ° C)
AD5539JN,
军用( -55 ° C至+ 125°C )
封装选项
塑料( N-14 )
AD5539JN
CERDIP ( Q- 14 )
AD5539JQ
J和等级S芯片可用
AD5539J
典型值
最大
AD5539S
典型值
最大
单位
+2.8
+3.3
+2.3
+2.5
+2.3
+2.8
+3.3
V
V
V
–2.2
–2.9
–1.7
–1.7
–1.5
–2.2
–2.9
–1.7
–2.0
–1.5
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
V/V
V/V
±
8
10
14
11
18
20
15
17
1000
2000
4.5
±
8
10
14
11
17
18
14
15
1000
2000
100
100
AD5539JQ
AD5539SQ
AD5539SQ , AD5539SQ / 883B
笔记
1
输入失调电压规格在5分钟运行在T后保证
A
= +25°C.
2
偏置电流规格都保证在最大的两个输入5分钟后运行在T
A
= +25°C.
3
R
X
= 470
为±V
S
.
4
外部补偿。
5
定义为输入,这样既不超过+2.5 V, -5.0 V ,从地面之间的电压。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
规格
粗体
所有生产经营单位在最后的电气测试进行测试。结果,从这些测试被用来计算出射
的质量水平。所有的最小和最大规格有保证,但只有那些以粗体显示的所有生产经营单位进行了测试。
版本B
–3–
AD5539
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
10 V
内部功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 550毫瓦
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +2.5 V, -5.0 V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.25 V
存储温度范围( Q) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
存储温度范围(N ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 125∞C
工作温度范围
AD5539JN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
AD5539JQ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
AD5539SQ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
铅温度范围(焊接60秒) 。 。 。 + 300℃
*
绝对最大额定值
*
OFFSET NULL CONFlGURATION
条件超过上述“绝对最大额定值”,可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的操作部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
金属化PHOTOGRAPH
尺寸以英寸(毫米)所示。
联系工厂最新的尺寸。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然AD5539具有专用ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
–4–
版本B
典型特征
AD5539
图1.输出电压摆幅
- 电源电压
图2.输出电压摆幅
和负载电阻
图3.最大的共
模电压与电源电压
图4.正电源电流
- 电源电压
图5.输入电压与输出
电压不同温度
图6.低频输入
噪声与频率
图7.共模
抑制比与频率的关系
图8.谐波失真
与频率的关系 - 低增益
图9.谐波失真
与频率的关系 - 高增益
版本B
–5–
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AD5539J
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