【256 / 1024的位置，用数字电位器最大± 1 ％R -容许误差和20 -TP存储器AD5291】,IC型号AD5291BRUZ-100-RL7,AD5291BRUZ-100-RL7 PDF资料,AD5291BRUZ-100-RL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

256 / 1024的位置，用数字电位器

最大± 1 ％R -容许误差和20 -TP存储器

AD5291/AD5292

特点

单通道， 256 / 1024的位置分辨率

20千欧， 50千欧，和100 kΩ的标称阻值

最大± 1 ％标称电阻容差误差（电阻器

性能模式）

20次可编程存储器雨刮器

变阻器模式下的温度系数为35ppm /°C的

分压器温度系数为5ppm /°C的

+9 V至+33 V单电源供电

± 9 V至± 16.5 V双电源供电

SPI兼容串行接口

抽头设置回读

上电，从20 -TP存储器刷新

功能框图

POWER- ON

RESET

逻辑

SCLK

SYNC

DIN

SDO

RDY

EXT_CAP

GND

07674-001

RESET

AD5291/

AD5292

RDAC

串行

接口

数据

OTP

内存

块

应用

替代机械电位器

仪器仪表：增益和失调电压调整

可编程电压至电流转换

可编程滤波器，延迟，和时间常数

可编程电源

低分辨率DAC的替代

传感器校准

图1 。

概述

在AD5291和AD5292是单通道， 256 / 1024

位置数字电位计

结合了业界领先

与非易失性存储器的可变电阻性能（ NVM ）

在一个紧凑的封装。这些器件能够操作

在宽电压范围，同时支持双电源供电

工作在± 10.5 V至± 16.5 V单电源供电时

21 V到33伏，同时确保不超过1％的端至端电阻

宽容错误，并提供20次可编程（ 20 -TP ）

内存。

保证行业领先的低电阻容差误差

功能简化开环应用以及精密

校准和容差匹配应用。

在AD5291和AD5292器件游标设置可

通过SPI数字接口。无限制调整是

电阻值编程进前允许

20 -TP存储器。的AD5291和AD5292不需要任何

外部电压源，以促进熔丝熔断，并有20个

机会永久编程。在20 -TP

激活，永久熔断保险丝命令冻结雨刷

位置（类似于将环氧树脂的机械微调）。

在AD5291和AD5292均采用紧凑型14引脚

TSSOP封装。该器件保证工作的

扩展工业温度范围为-40 ° C至+ 105°C 。

术语数字电位计和RDAC可互换使用。

Rev. D的

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责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

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联系电话： 781.329.4700

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AD5291/AD5292

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

电气特性， AD5291 .......................................... 3

电阻性能模式代码范围................................. 4

电气特性， AD5292 .......................................... 6

电阻性能模式代码范围................................. 7

接口时序规格............................................... 8 ...

绝对最大额定值............................................... ........... 10

热阻................................................ .................... 10

ESD注意事项................................................ ................................ 10

引脚配置和功能描述........................... 11

典型性能特征........................................... 12

测试电路................................................ ..................................... 21

工作原理............................................... ....................... 22

串行数据接口............................................... .................... 22

移位寄存器................................................ ............................... 22

RDAC注册................................................ ............................ 22

20 -TP存储器.............................................. ............................. 23

写保护................................................ ......................... 23

基本操作................................................ .......................... 24

20 -TP回读和备用内存状态........................... 24

关断模式................................................ ......................... 24

电阻性能模式............................................... ....... 25

复位................................................. ............................................ 25

SDO引脚和菊花链运作..................................... 25

RDAC结构................................................ .................... 25

编程可变电阻......................................... 26

编程电位分压器............................... 26

EXT_CAP电容................................................ .................. 27

终端电压工作范围......................................... 27

应用信息................................................ .............. 28

高电压DAC ............................................... ....................... 28

可编程电压源升压输出........... 28

高精度DAC ............................................... ................... 28

可变增益仪表放大器.............................. 28

音量控制............................................... ............... 29

外形尺寸................................................ ....................... 30

订购指南................................................ .......................... 30

修订历史

9月10日 - 修订版。 C到Rev. D的

更改SDO引脚和菊花链操作部分25 .......

3月10日 - 修订版。 B到C版

更改修订历史.............................................. ............. 2

变化图3和图4字幕.................................. 9

3月10日 - 修订版。 A到版本B

更改数据表标题............................................. ............... 1

更改概述第...................................... 1

更改工作组.................................... 22理论

12/09 -REV 。 0到版本A

加入50 kΩ和100 kΩ的规格.........................通用

更改功能部分.............................................. .............. 1

更改表1 .............................................. ............................... 3

更改表2 .............................................. ............................... 4

添加表3 ............................................... ..................................... 5

更改表4 .............................................. ............................... 6

更改表5 .............................................. ............................... 7

添加表6 ............................................... ..................................... 8

更改为表7 .............................................. ................................ 8

更改绝对最大额定值部分........................ 10

变化表9 ............................................... ............................... 11

更改典型性能特性部分........ 12

更改订购指南.............................................. ............ 30

4月9日 - 修订版0 ：初始版

修订版D |页32 2

AD5291/AD5292

特定网络阳离子

电气特性， AD5291

= 21 V至33 V ，V

= 0 V; V

= 10.5 V至16.5 V ，V

= -10.5 V至-16.5 V ; V

逻辑

= 2.7 V至5.5 V ，V

= V

, V

= V

-40°C <牛逼

< + 105℃，除非另有说明。

表1中。

参数

直流特性，变阻器模式

决议

电阻微分非线性

电阻积分非线性

标称电阻容差（ R- PERF模式）

标称电阻容差（正常模式）

电阻温度COEF网络cient

滑动端电阻

直流特性电位器

分频模式

决议

微分非线性

积分非线性

分压器温度系数

满量程误差

零刻度误差

电阻端子

终端电压范围

电容，电容B

电容W

共模漏电流

数字输入

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入电流

输入电容

数字量输出（ SDO和RDY ）

输出高电压

输出低电压

三态泄漏电流

输出电容

电源

单电源功率范围

双电源功率范围

正电源电流

负电源电流

逻辑电源电压范围

逻辑电源电流

OTP存储当前

, 7

OTP读取电流

, 8

功耗

电源抑制比

符号

R- DNL

R- INL

)/T × 10

条件

民

典型值

最大

单位

位

最低位

PPM /°C的

, V

= NC

SEE

表2

表3

代码=满量程;看

图38

代码=零刻度

±0.5

±7

100

DNL

INL

)/T × 10

WFSE

WZSE

, V

, C

逻辑

LOGIC_PROG

LOGIC_FUSE_READ

DISS

PSRR

= 0 V

= ±16.5 V

逻辑

= 5 V; V

= 5 V或V

= GND

= 5 V或V

= GND

= 5 V或V

= GND

= 5 V或V

= GND

= ±15 V ± 10%

= 20 kΩ

= 50 kΩ

= 100 kΩ

代码=半级;看

图41

代码=满量程

代码=零刻度

0.5

1.5

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=半刻度

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=半刻度

= V

JEDEC标准

逻辑

= 2.7 V至5.5 V

逻辑

= 2.7 V至5.5 V

= 0 V或V

逻辑

PULL -UP

= 2.2 kΩ到V

逻辑

PULL -UP

= 2.2 kΩ到V

逻辑

±9

2.7

0.1

0.103

0.039

0.021

逻辑

0.4

2.0

±1

+0.5

+0.25

位

最低位

PPM /°C的

最低位

0.8

±1

μA

GND + 0.4 V

μA

μW

%/%

±16.5

5.5

110

修订版D |第32 3

AD5291/AD5292

参数

动态特性

带宽

, 10

符号

条件

-3分贝，代码=半级

= 20 kΩ

= 50 kΩ

= 100 kΩ

= 1 V有效值，V

= 0 V ， F = 1千赫

= 20 kΩ

= 50 kΩ

= 100 kΩ

= 30 V, V

= 0 V ，± 0.5 LSB误差

乐队，最初的代码=零刻度，

主板电容= 170 pF的

代码=满量程，正常模式

代码=满量程， R- PERF模式

代码=半级，正常模式

= 20 kΩ

= 50 kΩ

= 100 kΩ

代码=半级， R- PERF模式

= 20 kΩ

= 50 kΩ

= 100 kΩ

代码=半级，T

= 25 ° C， 0千赫

于200kHz的

= 20 kΩ

= 50 kΩ

= 100 kΩ

民

典型值

最大

单位

千赫

520

210

105

101

106

总谐波失真

THD

建立时间

750

2.5

μs

纳伏/赫兹÷

电阻噪声密度

N_WB

典型值代表平均的读数在25℃ ，V

= 15 V, V

= -15 V，和V

逻辑

= 5 V.

电阻位置非线性误差。 R- INL是从R之间测量的理想值的偏差

在码为0x02到0xFF的代码或R之间

在代码是0xFD到

代码为0x00 。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。本说明书中是有保证的电阻性能模式下，用

以1mA的电流抽头为V

< 12 V和1.2 mA，对于V

≥ 12 V.

电阻性能模式（见电阻性能模式部分）。术语电阻性能模式和R- PERF模式可以互换使用。

通过设计和特性保证，未经生产测试。

INL和DNL在V测量

与配置类似的电压输出DAC电位分压器的RDAC 。 V

= V

和V

= 0 V DNL规范极限值

±1 LSB（最大值）保证单调的工作条件。

电阻端子A，电阻端B和电阻端W无极性限制，相对于对方。双电源供电使地面

引用双极性信号调整。

不同的工作电流;电源电流保险丝节目大约持续550微秒。

不同的工作电流;电源电流保险丝读大约持续550微秒。

DISS

从（我计算

× V

) + (I

× V

) + (I

逻辑

× V

逻辑

所有的动态特性采用V

= 15 V, V

= -15 V，和V

逻辑

= 5 V.

电阻性能模式代码范围

表2中。

电阻器

每个公差

CODE

1 ％R -公差

2 ％的R-公差

3 ％的R-公差

| = 30 V至33 V

从字5AH

为0x00

为0xFF

到到0x55

从0x23

为0x00

为0xFF

到的0xDC

从0X1E

为0x00

为0xFF

到0xE1

= 20 kΩ

| = 26 V至30 V

| = 22 V至26 V

从0x7D

为0x00

从0x7D

为0x00

为0xFF

要为0x82

为0xFF

要为0x82

从0x2D

为0x00

从0x23

为0x00

为0xFF

为0xD2

为0xFF

到的0xDC

从0x19符号

为0x00

从0x17已

为0x00

为0xFF

到0xE6

为0xFF

到0xE8

| = 21 V至22 V

不适用

从0x23

为0xFF

从0x17已

为0xFF

为0x00

到的0xDC

为0x00

到0xE8

修订版D |第32 4

AD5291/AD5292

表3中。

电阻容差

每码

1 ％R -公差

2 ％的R-公差

3 ％的R-公差

= 50 kΩ

| = 26 V至33 V

| = 21 V至26 V

从0x2A

为0x00

从0x37符号

为0x00

为0xFF

为0xD5

为0xFF

为0xC8

从为0x11

为0x00

从为0x16

为0x00

为0xFF

到0xEE

为0xFF

到0xE9

从0x0A的

为0x00

从0X0D

为0x00

为0xFF

到0xF5

为0xFF

到0xF2

= 100 kΩ

| = 26 V至33 V

| = 21 V至26 V

从0X1E

为0x00

从0×14

为0x00

为0xFF

到0xE1

为0xFF

为将0xEB

从0x0A的

为0x00

从0x0A的

为0x00

为0xFF

到0xF5

为0xFF

到0xF5

从0×07

为0x00

从0×07

为0x00

为0xFF

为0xF8

为0xFF

为0xF8

修订版D |第32 5