【1024 / 256位， 1 ％电阻容差误差，I2C接口和50 -TP存储器数字电位器数据表特点单通】,IC型号AD5274BCPZ-20-RL7,AD5274BCPZ-20-RL7 PDF资料,AD5274BCPZ-20-RL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

1024 / 256位， 1 ％电阻容差误差，

C接口和50 -TP存储器数字电位器

数据表

特点

单通道， 1024 / 256位的分辨率

20千欧， 50千欧， 100 kΩ的标称阻值

最大± 1 ％标称电阻容差误差

50次可编程（ 50 -TP ）雨刮器内存

变阻器模式下的温度系数为5ppm /°C的

2.7 V至5.5 V单电源供电

±2.5 V至± 2.75 V双电源供电的交流或双极性

操作

I C兼容接口

抽头设置回读

在50 -TP存储器刷新的功率

超薄LFCSP封装10引脚3 mm × 3毫米×0.8毫米封装

紧凑型MSOP和10引脚3 mm × 4.9毫米×1.1倍mm封装

AD5272/AD5274

功能框图

POWER- ON

RESET

AD5272/AD5274

SCL

SDA

ADDR

RESET

串行

接口

10/8

RDAC

50-TP

内存

块

EXT_CAP

GND

应用

机械变阻器的替代品

运算放大器：可变增益控制

仪器仪表：增益，偏移调整

可编程电压至电流转换

可编程滤波器，延迟，时间常数

可编程电源

传感器校准

图1 。

概述

在AD5272 / AD5274

是单通道， 1024 / 256位

数字变阻器，集业界领先的可变电阻器

用非易失性存储器（NVM）中的紧凑性能

封装。

的AD5272 / AD5274确保小于1％的端至端电阻

宽容错误，并提供50次可编程（ 50 -TP ）存储器。

保证行业领先的低电阻容差误差

功能简化开环应用以及精密

校准和容差匹配应用。

在AD5272 / AD5274器件游标设置可

通过我

C兼容数字接口。无限

调整允许编程电阻前

值到50 -TP存储器。在AD5272 / AD5274不

不需要任何外部电源，以方便熔丝熔断和

有永久编程50的机会。中

50 - TP激活，永久熔断保险丝命令冻结

雨刮器的位置（类似于将环氧树脂的机械

微调）。

在AD5272 / AD5274可在3毫米×3毫米×10引脚

LFCSP封装和10引线MSOP封装。该部件是

保证工作在扩展工业级温度

范围为-40 ° C至+ 125°C 。

美国专利号为7688240的保护。

文档反馈

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

技术支援

www.analog.com

Rev. D的

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

08076-001

AD5272/AD5274

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

电气特性， AD5272 .......................................... 3

电气特性， AD5274 .......................................... 5

接口时序规格............................................... 7 ...

绝对最大额定值............................................... ............. 9

热阻................................................ ...................... 9

ESD注意事项................................................ .................................. 9

引脚配置和功能描述........................... 10

典型性能特征........................................... 11

测试电路................................................ ..................................... 17

工作原理............................................... ....................... 18

串行数据接口............................................... .................... 18

数据表

移位寄存器................................................ ............................... 18

写操作................................................ .......................... 19

读操作................................................ ........................... 20

RDAC注册................................................ ............................ 21

50 -TP内存块............................................. ................... 21

写保护................................................ ......................... 21

50 -TP存储器写应答查询.......................... 23

复位................................................. ............................................ 23

电阻性能模式............................................... ....... 23

关断模式................................................ ......................... 23

RDAC结构................................................ .................... 23

编程可变电阻......................................... 23

EXT_CAP电容................................................ .................. 24

终端电压工作范围......................................... 24

上电排序.............................................. ..................... 24

外形尺寸................................................ ....................... 25

订购指南................................................ .......................... 25

修订历史

3月13日 - 修订版。 C到Rev. D的

改变的电阻噪声密度，R

=从仅为50 nV / √Hz的20千欧

13纳伏/ √Hz的;表1 ................................................ ...................... 4

改变的电阻噪声密度，R

=从仅为50 nV / √Hz的20千欧

13纳伏/ √Hz的;表4 ................................................ ...................... 6

更新的外形尺寸............................................... ........ 25

11/10 -REV 。 B到C版

图24 ..............................................变化........................ 14

5/10 -REV 。 A到版本B

加入LFCSP封装...............................................纵观

改变OTP 50 -TP ............................................纵观....

更改功能部分和应用部分............... 1

增加了尾注1 ............................................... ............................... 1

更改表1 .............................................. .............................. 3

添加表3 ............................................... ..................................... 4

更改表4 .............................................. .............................. 5

添加表6 ............................................... ..................................... 6

变为表8和表9 ........................................... ............ 9

添加图5 ............................................... ................................. 10

添加裸露焊盘注表10 .......................................... 10

更改典型性能特征....................... 11

更改电阻性能模式第....................... 23

更新的外形尺寸............................................... ........ 25

更改订购指南.............................................. ............ 26

3月10日 - 修订版。 0到版本A

更改产品名称和概述第1 .......

更改工作组.................................... 15理论

10月9日 - 修订版0 ：初始版

修订版D |页28 2

数据表

特定网络阳离子

电气特性， AD5272

AD5272/AD5274

= 2.7 V至5.5 V ，V

= 0 V; V

= 2.5 V至2.75 V ，V

= -2.5 V至-2.75 V ; -40°C <牛逼

< + 125 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

直流特性，变阻器模式

决议

电阻积分非线性

2, 3

符号

测试条件/评论

民

±0.5

±15

典型值

最大

单位

位

最低位

PPM /°C的

R- INL

= 20 kΩ的， | V

| = 3.0 V至5.5 V

= 20 kΩ的， | V

| = 2.7 V至3.0 V

= 50 k, 100 k

电阻微分非线性

标称电阻容差

R- PERF模式

普通模式

电阻温度COEF网络cient

5, 6

滑动端电阻

电阻端子

终端电压范围

5, 7

电容

共模漏电流

数字输入

输入逻辑

高

低

输入电流

输入电容

数字输出

输出电压

高

低

R- DNL

参照表2和表3中

代码=满量程

代码=零刻度

+1.5

F = 1MHz时，测量到GND ，代码=满量程的一半

= V

INH

INL

2.0

0.8

±1

PULL -UP

= 2.2 kΩ到V

PULL -UP

= 2.2 kΩ到V

= 2.7 V至5.5 V ，V

= 0 V

= 2.5 V至2.75 V ，V

= -2.5 V至-2.75 V

0.1

0.4

0.6

500

三态泄漏电流

输出电容

电源

单电源功率范围

双电源功率范围

电源电流

积极

负

50 -TP店电流

5, 8

积极

负

50 -TP读取电流

5, 9

积极

负

功耗

= 0 V

2.7

±2.5

5.5

±2.75

DD_OTP_STORE

SS_OTP_STORE

DD_OTP_READ

SS_OTP_READ

= V

或V

= GND

500

5.5

修订版D |第28 3

AD5272/AD5274

参数

电源抑制比

符号

PSRR

测试条件/评论

ΔV

/ΔV

= ±5 V ± 10%

= 20 k

= 50 k

= 100 k

-3分贝，R

= 10 kΩ的，终端W，见图41

= 20 k

= 50 k

= 100 k

= 1 V RMS， F = 1 kHz时，代码=满量程的一半

= 20 k

= 50 k

= 100 k

代码=规模的一半，T

= 25 ° C，F = 10千赫

= 20 k

= 50 k

= 100 k

民

典型值

数据表

最大

千赫

300

120

纳伏/赫兹÷

单位

动态特性

5, 11

带宽

总谐波失真

电阻噪声密度

典型规格代表平均读数为25 ° C，V

= 5V ，和V

= 0 V.

电阻位置非线性误差（R- INL）是在最大电阻和最小电阻抽头之间测量的理想值之间的偏差

位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。

在每个码的最大电流由I定义

= (V

1)/R

的条款，电阻性能模式和R- PERF模式下，可以互换使用。见电阻性能模式部分。

通过设计保证，不受生产测试。

参见图24的更多细节。

电阻端子A和电阻端W无极性限制，相对于对方。双电源供电使接地参考的双极

信号调整。

从工作电流不同，电源电流保险丝节目持续约55毫秒。

从工作电流不同，电源电流保险丝读大约持续500纳秒。

DISS

从（我计算

× V

) + (I

× V

所有的动态特性采用V

= +2.5 V, V

= 2.5 V.

表2. AD5272电阻性能模式代码范围

每个代码电阻容差

R-公差

1 ％R -公差

2 ％的R-公差

3 ％的R-公差

| = 4.5 V至5.5 V

从0x078到0x3FF

从0x037到0x3FF

从量0x028到0x3FF

| = 2.7 V至4.5 V

从0x0BE到0x3FF

从0x055到0x3FF

从0x037到0x3FF

表3. AD5272 50 kΩ和100 kΩ电阻性能模式代码范围

每个代码电阻容差

R-公差

1 ％R -公差

2 ％的R-公差

3 ％的R-公差

= 50 k

从0x078到0x3FF

从0x055到0x3FF

从0x032到0x3FF

= 100 k

从0x04B到0x3FF

从0x032到0x3FF

从0x019到0x3FF

修订版D |第28 4

数据表

电气特性， AD5274

AD5272/AD5274

= 2.7 V至5.5 V ，V

= 0 V; V

= 2.5 V至2.75 V ，V

= -2.5 V至-2.75 V ; -40°C <牛逼

< + 125 ℃，除非另有说明。

表4 。

参数

DC特征 -

变阻器模式

决议

电阻积分非线性

2, 3

微分电阻

非线性

标称电阻容差

R- PERF模式

普通模式

电阻温度

系数

5, 6

滑动端电阻

电阻端子

终端电压范围

5, 7

电容

共模漏

当前

数字输入

输入逻辑

高

低

输入电流

输入电容

数字输出

输出电压

高

低

符号

测试条件/评论

民

典型值

最大

单位

R- INL

R- DNL

位

最低位

见表5和表6中

代码=满量程

代码=零刻度

±0.5

±15

PPM /°C的

F = 1MHz时，测量到GND ，代码=满量程的一半

= V

INH

INL

2.0

0.8

±1

PULL -UP

= 2.2 kΩ到V

PULL -UP

= 2.2 kΩ到V

= 2.7 V至5.5 V ，V

= 0 V

= 2.5 V至2.75 V ，V

= -2.5 V至-2.75 V

0.1

0.4

0.6

500

三态泄漏电流

输出电容

电源

单电源功率范围

双电源功率范围

电源电流

积极

负

OTP存储当前

5, 8

积极

负

OTP读取电流

5, 9

积极

负

功耗

电源抑制比

= 0 V

2.7

±2.5

5.5

±2.75

DD_OTP_STORE

SS_OTP_STORE

DD_OTP_READ

SS_OTP_READ

PSRR

= V

或V

= GND

ΔV

/ΔV

= ±5 V ± 10%

= 20 k

= 50 k

= 100 k

修订版D |第28 5

500

5.5