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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1185页 > AD5270BRMZ-100-RL7
1024 / 256位, 1 %电阻容差误差,
SPI接口和50 -TP存储器数字电位器
数据表
特点
单通道, 1024 / 256位的分辨率
20千欧, 50千欧, 100 kΩ的标称阻值
最大± 1 %标称电阻容差误差
50次可编程( 50 -TP )雨刮器内存
变阻器模式下的温度系数为5ppm /°C的
2.7 V至5.5 V单电源供电
±2.5 V至± 2.75 V双电源供电的交流或双极性
操作
SPI兼容接口
抽头设置回读
在50 -TP存储器刷新的功率
超薄LFCSP封装, 10引脚3 mm × 3毫米×0.8毫米封装
紧凑型MSOP和10引脚3 mm × 4.9毫米×1.1倍mm封装
V
DD
AD5270/AD5271
功能框图
POWER- ON
RESET
AD5270/AD5271
SCLK
SYNC
DIN
SDO
串行
接口
10/8
RDAC
注册
A
W
50-TP
内存
应用
机械变阻器的替代品
运算放大器:可变增益控制
仪器仪表:增益,偏移调整
可编程电压至电流转换
可编程滤波器,延迟,时间常数
可编程电源
传感器校准
V
SS
EXT_CAP
GND
图1 。
概述
在AD5270 / AD5271
1
是单通道, 1024 / 256位
数字变阻器,集业界领先的可变电阻器
用非易失性存储器(NVM)中的紧凑性能
封装。
的AD5270 / AD5271确保小于1%的端至端电阻
宽容错误,并提供50次可编程( 50 -TP )存储器。
保证行业领先的低电阻容差误差
功能简化开环应用以及精密
校准和容差匹配应用。
在AD5270 / AD5271器件游标设置可
通过SPI数字接口。无限制调整是
电阻值编程进前允许
50 -TP存储器。的AD5270 / AD5271不需要任何
外部电压源,以促进熔丝熔断而有
50商机永久编程。在50 -TP
激活,永久熔断保险丝命令冻结的阻力
位置(类似于将环氧树脂的机械微调) 。
的AD5270 / AD5271是在3毫米×3毫米, 10引线可
LFCSP封装和10引线MSOP封装。该部件是
保证工作在扩展工业级温度
范围为-40 ° C至+ 125°C 。
1
由美国专利号为7688240的保护
牧师F
文档反馈
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
电话: 781.329.4700 2009-2013 ADI公司保留所有权利。
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
技术支援
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08077-001
AD5270/AD5271
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性, AD5270 .......................................... 3
电气特性, AD5271 .......................................... 5
接口时序规格............................................... 7 ...
绝对最大额定值............................................... ............. 9
热阻................................................ ...................... 9
ESD注意事项................................................ .................................. 9
引脚配置和功能描述........................... 10
典型性能特征........................................... 11
测试电路................................................ ..................................... 17
工作原理............................................... ....................... 18
串行数据接口............................................... .................... 18
数据表
移位寄存器................................................ ............................... 18
RDAC注册................................................ ............................ 18
50 -TP内存块............................................. ................... 18
写保护................................................ ......................... 18
RDAC和50 -TP读操作.......................................... 19
关机模式.............................................. ......................... 20
电阻性能模式............................................... ....... 20
复位................................................. ............................................ 20
SDO引脚和菊花链运作..................................... 21
RDAC结构................................................ .................... 21
编程可变电阻......................................... 22
EXT_CAP电容................................................ .................. 22
终端电压工作范围......................................... 22
上电排序.............................................. ..................... 22
外形尺寸................................................ ....................... 23
订购指南................................................ .......................... 24
修订历史
3月13日 - 修订版。 E至版本F
改变的电阻噪声密度,R
AW
=从仅为50 nV / √Hz的20千欧
13纳伏/ √Hz的;表1 ................................................ ...................... 4
改变的电阻噪声密度,R
AW
=从仅为50 nV / √Hz的20千欧
13纳伏/ √Hz的;表4 ................................................ ...................... 6
更新的外形尺寸............................................... ........ 23
12月10日 - 修订版。 D钮英文内容
更改SDO引脚说明............................................. .... 10
更改SDO引脚和菊花链业务科....... 21
11/10 -REV 。 C到Rev. D的
图25 ..............................................变化........................ 14
9月10日 - 修订版。 B到C版
变化图3标题............................................. .............. 7
变化图4标题............................................. .............. 8
删除的菊花链操作部分,增加了SDO引脚和
菊花链工作组............................................. ...... 21
5/10 -REV 。 A到版本B
加入LFCSP整个............................................... ............... 1
改变OTP 50 -TP整个........................................... 1 ...
更改产品名称,特点,并概述1 ....
更改表1 .............................................. ............................... 3
添加表3 ;重新编号,按顺序..................................... 4
更改表4 .............................................. ............................... 5
添加表6 ............................................... ..................................... 6
变为表8和表9 ........................................... ............. 9
加图6和改变表10 ..................................... 10
取代典型性能特性部分............ 11
图44 ..............................................变化........................ 21
更新的外形尺寸............................................... ........ 23
更改订购指南.............................................. ............ 24
3月10日 - 修订版。 0到版本A
更改产品名称和概述..................... 1
更改工作组理论................................... 14
10月9日 - 修订版0 :初始版
修订版F |页24 2
数据表
特定网络阳离子
电气特性, AD5270
AD5270/AD5271
V
DD
= 2.7 V至5.5 V ,V
SS
= 0 V; V
DD
= 2.5 V至2.75 V ,V
SS
= -2.5 V至-2.75 V ; -40°C <牛逼
A
< + 125 ℃,除非另有说明。
表1中。
参数
直流特性,变阻器模式
决议
电阻积分非线性
2, 3
符号
测试条件/评论
10
1
1
1
1
1
±0.5
±15
5
35
典型值
1
最大
单位
最低位
最低位
最低位
最低位
%
%
PPM /°C的
V
pF
pF
50
nA
R- INL
R
AW
= 20 kΩ的, | V
DD
V
SS
| = 3.0 V至5.5 V
R
AW
= 20 kΩ的, | V
DD
V
SS
| = 2.7 V至3.0 V
R
AW
= 50 k, 100 k
电阻微分非线性
2
标称电阻容差
R- PERF模式
4
普通模式
电阻温度COEF网络cient
5, 6
滑动端电阻
电阻端子
终端电压范围
5
, 7
电容
5
A
电容
5
W
共模漏电流
5
数字输入
输入逻辑
5
输入电流
输入电容
5
数字输出
输出电压
5
R- DNL
SEE
表2
表3
代码=满量程
代码=零刻度
+1
+1.5
+1
+1
+1
70
V
DD
V
SS
F = 1MHz时,测量到GND ,代码=
半秤
F = 1MHz时,测量到GND ,代码=
半秤
V
A
= V
W
90
40
V
INH
V
INL
I
IN
C
IN
2.0
0.8
±1
5
V
V
A
pF
V
OH
V
OL
R
PULL -UP
= 2.2 kΩ到V
DD
R
PULL -UP
= 2.2 kΩ到V
DD
V
DD
= 2.7 V至5.5 V ,V
SS
= 0 V
V
DD
= 2.5 V至2.75 V ,V
SS
= -2.5 V至-2.75 V
V
DD
0.1
0.4
0.6
+1
5
V
V
V
A
pF
V
V
A
A
mA
mA
500
A
A
三态泄漏电流
输出电容
5
电源
单电源功率范围
双电源功率范围
电源电流
积极
50 -TP店电流
5
, 8
积极
OTP读取电流
5
, 9
积极
1
V
SS
= 0 V
2.7
±2.5
5.5
±2.75
1
I
DD
I
SS
I
DD_OTP_STORE
I
SS_OTP_STORE
I
DD_OTP_READ
I
SS_OTP_READ
1
4
4
500
修订版F |第24 3
AD5270/AD5271
参数
功耗
10
电源抑制比
5
符号
PSRR
测试条件/评论
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
ΔV
DD
/ΔV
SS
= ±5 V ± 10%
R
AW
= 20 k
R
AW
= 50 k
R
AW
= 100 k
-3分贝,R
AW
= 10 kΩ的,终端W,
SEE
图42
R
AW
= 20 k
R
AW
= 50 k
R
AW
= 100 k
V
A
= 1 V RMS, F = 1 kHz时,
典型值
1
数据表
最大
5.5
55
67
70
千赫
300
120
60
dB
90
88
85
纳伏/赫兹÷
13
25
32
单位
W
dB
66
75
78
动态特性
5
, 11
带宽
总谐波失真
CODE =半秤
R
AW
= 20 k
R
AW
= 50 k
R
AW
= 100 k
代码=规模的一半,T
A
= 25°C
R
AW
= 20 k
R
AW
= 50 k
R
AW
= 100 k
电阻噪声密度
典型规格代表平均读数为25 ° C,V
DD
= 5V ,和V
SS
= 0 V.
电阻位置非线性误差(R- INL)是在最大电阻和最小电阻抽头之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。
3
在每个码的最大电流由I定义
AW
= (V
DD
1)/R
AW
.
4
术语电阻性能模式和R- PERF模式可以互换使用。见电阻性能模式部分。
5
通过设计保证,不受生产测试。
6
参见图25的更多细节。
7
电阻端子A和电阻端W无极性限制,相对于对方。双电源供电使接地参考的双极
信号调整。
8
从工作电流不同,电源电流保险丝节目持续约55毫秒。
9
从工作电流不同,电源电流保险丝读大约持续500纳秒。
10
P
DISS
从(我计算
DD
× V
DD
) + (I
SS
× V
SS
).
11
所有的动态特性采用V
DD
= +2.5 V, V
SS
= 2.5 V.
1
2
表2. AD5270-20 kΩ的电阻性能模式代码范围
每个代码电阻容差
R-公差
1 %R -公差
2 %的R-公差
3 %的R-公差
|V
DD
V
SS
| = 4.5 V至5.5 V
从0x078到0x3FF
从0x037到0x3FF
从量0x028到0x3FF
|V
DD
V
SS
| = 2.7 V至4.5 V
从0x0BE到0x3FF
从0x055到0x3FF
从0x037到0x3FF
表3. AD5270-50 kΩ和100 kΩ电阻性能模式代码范围
每个代码电阻容差
R-公差
1 %R -公差
2 %的R-公差
3 %的R-公差
R
AW
= 50 k
从0x078到0x3FF
从0x055到0x3FF
从0x032到0x3FF
R
AW
= 100 k
从0x04B到0x3FF
从0x032到0x3FF
从0x019到0x3FF
修订版F |第24 4
数据表
电气特性, AD5271
AD5270/AD5271
V
DD
= 2.7 V至5.5 V ,V
SS
= 0 V; V
DD
= 2.5 V至2.75 V ,V
SS
= -2.5 V至-2.75 V ; -40°C <牛逼
A
< + 125 ℃,除非另有说明。
表4 。
参数
直流特性,变阻器模式
决议
电阻积分非线性
2, 3
电阻微分非线性
2
标称电阻容差
R- PERF模式
4
普通模式
电阻温度COEF网络cient
5, 6
滑动端电阻
电阻端子
终端电压范围
5, 7
电容
5
A
电容
5
W
共模漏电流
5
数字输入
输入逻辑
5
5
输入电流
输入电容
5
数字输出
输出电压
5
符号
测试条件/评论
8
1
1
见表5和表6中
代码=满量程
代码=零刻度
V
SS
F = 1MHz时,测量到GND ,代码=
半秤
F = 1MHz时,测量到GND ,代码=
半秤
V
A
= V
W
90
40
50
1
±0.5
±15
5
35
典型值
1
最大
单位
最低位
最低位
%
%
PPM /°C的
V
pF
pF
nA
R- INL
R- DNL
+1
+1
+1
70
V
DD
V
INH
V
INL
I
IN
C
IN
2.0
0.8
±1
5
V
V
A
pF
V
OH
V
OL
R
PULL -UP
= 2.2 kΩ到V
DD
R
PULL -UP
= 2.2 kΩ到V
DD
V
DD
= 2.7 V至5.5 V ,V
SS
= 0 V
V
DD
= 2.5 V至2.75 V ,V
SS
= -2.5 V至-2.75 V
V
DD
0.1
0.4
0.6
+1
5
V
V
V
A
pF
V
V
A
A
mA
mA
500
A
A
W
dB
三态泄漏电流
输出电容
5
电源
单电源功率范围
双电源功率范围
电源电流
积极
50 -TP店电流
5, 8
积极
OTP读取电流
5, 9
积极
功耗
10
电源抑制比
5
1
V
SS
= 0 V
2.7
±2.5
5.5
±2.75
1
I
DD
I
SS
I
DD_OTP_STORE
I
SS_OTP_STORE
I
DD_OTP_READ
I
SS_OTP_READ
PSRR
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
ΔV
DD
/ΔV
SS
= ±5 V ± 10%
R
AW
= 20 k
R
AW
= 50 k
R
AW
= 100 k
1
4
4
500
5.5
66
75
78
55
67
70
修订版F |第24 5
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