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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第981页 > AD5262BRU200-REEL7
a
特点
256个位置
AD5260 - 1通道
AD5262 - 双通道(可独立编程)
电位计的替代
20 k , 50 k , 200 k
低温度系数为35ppm /℃
4线SPI兼容串行数据输入
5 V至15 V单电源; 5.5 V双电源供电
电源开中等规模预设
应用
替代机械电位器
仪器仪表:增益,偏移调整
立体声通道音频电平控制
可编程电压至电流转换
可编程滤波器,延迟,时间常数
线阻抗匹配
低分辨率DAC的替代
概述
1-/2-Channel
15 V数字电位器
AD5260/AD5262
功能方框图
A
W
B
SHDN
V
DD
V
SS
V
L
CS
逻辑
8
CLK
SDI
GND
串行输入寄存器
SDO
AD5260
RDAC
注册
POWER- ON
RESET
PR
A1
W1 B1
A2
W2 B2
SHDN
百分比标称
端至端电阻 - %R
AB
在AD5260 / AD5262提供单或双通道, 256
位,数字控制可变电阻( VR )装置。 *这些
设备执行相同的电子调整功能作为
电位计或可变电阻器。在AD5260的每个通道/
AD5262包含一个固定电阻与一个滑动触头即敲击
在由数字码所确定的点装固定电阻值
进入SPI兼容串行输入寄存器。之间的电阻
擦拭器和固定电阻器的任一端点线性变化
相对于传送到VR锁存器中的数字码。该
可变电阻器的电阻提供一个完全可编程的价值,
A端和雨刮器或B端与雨刮器之间。
固定A到B的20千瓦, 50千瓦的终端电阻,或200千瓦的有
是35ppm / ∞C标称温度系数。不同于多数
在市场上的数字电位计,这些设备可以操作
高达15伏或
±5
V提供适当的电源电压提供。
每个VR都有自己的VR锁存器,它拥有其编程电阻
值。这些VR锁存器由一个内部串行 - 并行更新
移位寄存器,它是由一个标准的3线串行输入装
数字接口。的AD5260包含一个8位串行寄存器
而AD5262包括一个9位的串行寄存器。每个比特的时钟
成在CLK的上升沿的寄存器。在AD5262
地址位确定要加载相应的VR锁存
同的正磨边过程中的最后一个8位的数据字的
CS
频闪。串行数据输出引脚串行的另一端
寄存器使能简单的菊花链连接多个VR的应用
无需额外的外部解码逻辑。一个可选的复位引脚
( PR )通过加载80强制雨刮器到中间刻度位置
H
INTO
在VR锁存器。
*本
术语数字电位计, VR和RDAC可互换使用。
V
DD
V
SS
V
L
CS
逻辑
8
CLK
SDI
GND
串行输入寄存器
SDO
POWER- ON
RESET
PR
RDAC1注册
RDAC2注册
AD5262
100
R
WA
R
WB
75
50
25
0
0
64
128
CODE - 十进制
192
256
图1。R
WA
和R
WB
与代码
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
在AD5260 / AD5262是薄的表面贴装提供TSSOP -14
和TSSOP - 16封装。所有部件都保证工作
在扩展工业级温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 2002年
AD5260/AD5262–SPECIFICATIONS
参数
符号
(V
DD
= +15 V, V
SS
= 0 V或V
DD
= +5 V, V
SS
= –5 V, V
L
= +5 V, V
A
= +5 V,
V
B
= 0 V , - 40℃ <牛逼
A
< + 85℃ ,除非另有说明。 )
电气特性20千瓦, 50千瓦, 200千瓦VERSIONS
条件
–1
–1
–30
典型值
1
±
1/4
±
1/2
35
60
0.1
0.05
最大
+1
+1
30
150
单位
最低位
最低位
%
PPM /°C的
W
%
%
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
V
pF
pF
5
2.4
0.8
V
L
= 3 V, V
SS
= 0 V
V
L
= 3 V, V
SS
= 0 V
R
引体向上
= 2千瓦至5 V
I
OL
= 1.6毫安, V
逻辑
= 5 V
V
IN
= 0 V或5 V
2.1
0.6
4.9
5
2.7
4.5
±
4.5
0.4
±
1
nA
mA
V
V
V
V
V
V
mA
pF
V
V
V
mA
mA
mA
mW
%/%
千赫
%
ms
直流特性变阻器模式规范适用于所有村
电阻差NL
2
R- DNL
R
WB
, V
A
= NC
2
R- INL
R
WB
, V
A
= NC
非线性电阻器
R
AB
T
A
= 25∞C
标称电阻容差
3
电阻温度COEF网络cient
R
AB
/ T
雨刮=无连接
I
W
= 1 V / R
AB
滑动端电阻
R
W
通道1和2 R
WB ,
D
X
= 80
H
通道电阻匹配( AD5262只)R
WB
/R
WB
电阻漂移
R
AB
直流特性电位器分频模式规范适用于所有村
决议
N
8
4
微分非线性
DNL
–1
4
积分非线性
INL
–1
码= 80
H
分压器温度系数
DV
W
/ DT
代码= FF
H
–2
满量程误差
V
WFSE
零刻度误差
V
WZSE
码= 00
H
0
电阻端子
电压范围
5
电容
6
AX ,BX
电容
6
Wx
共模漏电流
关断电流
7
数字输入和输出
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输出逻辑高电平( SDO )
输出逻辑低电平( SDO )
输入电流
8
输入电容
6
电源
逻辑电源
单电源供电范围
双电源供电范围
逻辑电源电流
正电源电流
负电源电流
功耗
9
电源灵敏度
动态特性
6, 10
带宽的-3 dB
总谐波失真
V
W
建立时间
相声
11
V
A,B ,W
C
A,B
C
W
I
CM
I
SHDN
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
C
IL
V
L
V
DD范围
V
DD / SS取值范围
I
L
I
DD
I
SS
P
DISS
PSS
BW
THD
W
t
S
C
T
V
SS
F = 5MHz时,
测到GND ,代码= 80
H
F = 1MHz时,
测到GND ,代码= 80
H
V
A
=V
B
= V
DD
/2
±
1/4
±
1/2
5
–1
1
+1
+1
+0
2
V
DD
25
55
1
V
SS
= 0 V
V
L
= 5 V
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V
V
SS
= –5 V
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V,
V
DD
= +5 V, V
SS
= –5 V
DV
DD
= +5 V,
±10%
R
AB
= 20千瓦/ 50千瓦/ 200千瓦
V
A
= 1 V
RMS
, V
B
= 0 V,
F = 1千赫,R
AB
= 20千瓦
V
A
= +5 V, V
B
= –5 V,
±1
LSB误差带,R
AB
= 20千瓦
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
测量V
W
与相邻
RDAC使满量程
代码变更( AD5262只)
V
A1
= V
DD
, V
B1
= 0V,
测量V
W1
V
W2
= 5 V P-P @ F = 10 kHz时,
R
AB
= 20千瓦/ 200千瓦( AD5262只)
R
WB
= 20千瓦
F = 1千赫
–2–
5.5
16.5
±
5.5
60
1
1
0.3
0.003
0.01
310/130/30
0.014
5
1
nVs
模拟串扰
C
TA
–64
13
dB
纳伏/赫兹÷
第0版
电阻的噪声电压
e
N_WB
AD5260/AD5262
参数
符号
条件
典型值
最大
25
20
10
10
1
5
20
50
0
10
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
接口时序特性适用于所有地区
6, 12
时钟频率
f
CLK
输入时钟脉冲宽度
t
CH
, t
CL
时钟电平高或低
数据建立时间
t
DS
数据保持时间
t
DH
CLK到SDO传输延迟
13
t
PD
R
L
= 1千欧,C
L
< 20pF的
CS
建立时间
t
CSS
CS
高脉冲宽度
t
CSW
复位脉冲宽度
t
RS
CLK到秋季
CS
上升保持时间
t
CSH
CS
上升到时钟上升沿设置
t
CS1
160
笔记
在AD5260 / AD5262包含1968个晶体管。模具尺寸: 89万。
×
105密耳。 9345平方密耳。
1
标准结构代表平均读数在25℃和V
DD
= +5 V, V
SS
= –5 V.
2
电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻抽头之间的理想值之间的偏差。
R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。我
W
= V
DD
/ R为V
DD
= +5 V, V
SS
= –5 V.
3
V
AB
= V
DD
,雨刮器(V
W
) =无连接。
4
INL和DNL在V测量
W
与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 VA = V
DD
和V
B
= 0V 。 DNL
规格范围
±
1 LSB(最大值)保证单调的工作条件。
5
电阻端子A, B,W对极性没有限制相对于对方。
6
通过设计保证,不受生产测试。
7
测量斧头终端。所有的斧终端开路关断模式。
8
当输入的所有逻辑输入电平设定为2.4 V ,标准CMOS逻辑的特征最坏情况下的电源电流消耗。
9
P
DISS
从(我计算
DD
V
DD
) 。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
10
所有的动态特性采用V
DD
= +5 V, V
SS
= –5 V, V
L
= +5 V.
11
测量在V
W
脚的地方相邻V
W
销使一满刻度电压的变化。
12
看测量值的位置的时序图。所有的输入控制电压与T指定
R
= t
F
= 2ns的(10 %90%的3 V)和从1.5 V的电压电平的定时
开关特性是使用V测量
L
= 5 V.
13
传播延迟取决于V的价值
DD
, R
L
和C
L
.
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明。 )
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ,+ 15 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V , -7 V
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
V
A
, V
B
, V
W
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
, V
DD
A
X
– B
X
, A
X
– W
X
, B
X
– W
X
断断续续的
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
20毫安
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
5毫安
数字输入和输出电压GND 。 。 。 。 。 。 。 0 V , 7 V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
最高结温(T
j max的情况
) . . . . . . . . . . . 150°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
热阻
3
θ
JA
TSSOP -14 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
TSSOP -16 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150 ° C / W
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力只有额定值。该装置的功能操作
在这些或以上的在这个业务部门所列出的条件
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
2
最大终端电流通过的最大电流处理界
开关,封装的最大功耗和最大应用
在任意两个A,B和W端子的电压在给定的电阻设置。
3
封装功耗= (T
j max的情况
– T
A
)/
θ
JA
第0版
–3–
AD5260/AD5262
订购指南
模型
AD5260BRU20
AD5260BRU20-REEL7
AD5260BRU50
AD5260BRU50-REEL7
AD5260BRU200
AD5260BRU200-REEL7
AD5262BRU20
AD5262BRU20-REEL7
AD5262BRU50
AD5262BRU50-REEL7
AD5262BRU200
AD5262BRU200-REEL7
R
AB
( kW)的
20
20
50
50
200
200
20
20
50
50
200
200
温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
描述
TSSOP-14
TSSOP-14
TSSOP-14
TSSOP-14
TSSOP-14
TSSOP-14
TSSOP-16
TSSOP-16
TSSOP-16
TSSOP-16
TSSOP-16
TSSOP-16
选项
RU-14
RU-14
RU-14
RU-14
RU-14
RU-14
RU-16
RU-16
RU-16
RU-16
RU-16
RU-16
零件号
每个集装箱
96
1000
96
1000
96
1000
96
1000
96
1000
96
1000
BRANDING
信息
*
AD5260B20
AD5260B20
AD5260B50
AD5260B50
AD5260B200
AD5260B200
AD5262B20
AD5262B20
AD5262B50
AD5262B50
AD5262B200
AD5262B200
*
第1行中包含的部件号, 2号线所包含的部分类型和ADI公司的标志符号区分的细节,第3行中包含日期代码YWW 。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
在AD5260 / AD5262具有专用ESD保护电路,可能会导致永久性损坏
上经受高能量静电放电设备。因此,适当的ESD防范措施
建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
–4–
第0版
AD5260/AD5262
表一, AD5260 8位串行数据字格式
表II中。 AD5262 9位串行数据字格式
数据
B7
B6
B5
D5
B4
D4
B3
D3
B2
D2
B1
D1
B0
D0
最低位
2
0
ADDR
B8
A0
2
8
B7
数据
B6
B5
D5
B4
D4
B3
D3
B2
D2
B1
D1
B0
D0
最低位
2
0
D7 D6
最高位
2
7
D7 D6
最高位
2
7
SDI
1
0
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
SDI
(数据输入)
1
AX或DX
0
1
一个X或深x
0
Dx
Dx
CLK
CS
1
0
1
0
1
0
CLK
0
1
SDO
(数据输出)
t
DS
t
DH
RDAC寄存器加载
t
CH
t
PD- MAX
t
CS1
t
CL
t
CSH
t
CSW
t
S
V
OUT
图2a。 AD5260时序图
CS
1
0
t
CSS
SDI
1
0
1
A0
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
V
OUT
V
DD
0V
1 LSB误差带
1 LSB
CLK
CS
0
1
0
1
图2c 。详细时序图
RDAC寄存器加载
V
OUT
0
PR
1
0
t
RS
t
S
1 LSB
图2b 。 AD5262时序图
V
OUT
V
DD
0V 1 LSB误差带
图2d 。预设时序图
第0版
–5–
1 / 2通道15 V数字电位计
AD5260/AD5262
特点
256个位置
AD5260 :1通道
AD5262 :2通道(可独立编程)
电位计的替代
20 kΩ, 50 kΩ, 200 kΩ
低温度系数为35ppm /°C的
4线SPI兼容的串行数据输入
5 V至15 V单电源供电; ± 5.5 V双电源供电
上电中量程预设
功能方框图
A
W
B
SHDN
AD5260
RDAC
注册
V
DD
V
SS
V
L
CS
逻辑
POWER- ON
RESET
8
PR
替代机械电位器
仪器仪表:增益,偏移调整
立体声通道音频电平控制
可编程电压至电流转换
可编程滤波器,延迟,时间常数
线阻抗匹配
低分辨率DAC的替代
GND
图1. AD5260
A1
W1
B1
A2
W2 B2
SHDN
V
DD
V
SS
V
L
CS
逻辑
8
CLK
SDI
GND
串行输入寄存器
SDO
02695-002
概述
在AD5260 / AD5262提供单或双通道, 256
位置时,数字控制的可变电阻器( VR)的设备。
1
这些设备执行相同的电子调整功能
如电位计或可变电阻器。的每个通道
AD5260 / AD5262包含一个固定电阻与一个滑动触头
这水龙头在由确定的点的固定电阻值
加载到SPI兼容串行输入寄存器的数字码。
刮水器及的任一端点之间的电阻
固定电阻相对于数字码呈线性变化
转移到在VR锁存器。可变电阻提供
电阻完全可编程的值时, A之间
端子和电刷或B端子和电刷。该
固定20 Ω的A到B端电阻50 Ω或200 Ω具有
35 PPM /°C的额定温度系数。不像
大多数数字电位器在市场上,这些
设备最多可以提供适当的电源供电,以15 V或± 5 V
电压提供。
每个VR具有保持其设定自己的VR锁存器
电阻值。这些VR锁存器由一个内部更新
串行至并行移位寄存器,它是从一个标准装载
三线式串行输入数字接口。该AD5260包含一个
8位串行而AD5262寄存器包括一个9位的串行
注册。每一位都被读入寄存器的积极
RDAC1
注册
RDAC2
注册
POWER- ON
RESET
PR
AD5262
图2. AD5262
CLK引脚的边缘。在AD5262地址位决定
相应的VR锁存器被装入最后一个八位
CS DQS的正磨边过程中的数据字。串行
数据输出引脚串行寄存器的相对端使
简单的菊花链连接多个VR应用程序,而
额外的外部解码逻辑。一个可选的复位引脚( PR )
强制雨刮器的中间值位置,通过加载0x80的成
在VR锁存器。
在AD5260 / AD5262是薄的表面贴装可
14引脚TSSOP和16引脚TSSOP封装。所有部分都
保证工作在扩展工业级温度
范围为-40 ° C至+ 85°C 。
1
术语数字电位计, VR和RDAC可互换使用。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
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02695-001
应用
CLK
SDI
串行输入寄存器
SDO
AD5260/AD5262
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... .............. 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性- 20千欧, 50千欧, 200 kΩ的版本。3
时序图................................................ .......................... 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能描述........................... 7
典型性能特征............................................. 9
测试电路................................................ ..................................... 14
工作原理............................................... ....................... 15
数字接口................................................ ...................... 15
菊花链运作.............................................. ............... 16
RDAC结构................................................ .......................... 16
编程可变电阻......................................... 16
编程电位分压器............................... 17
布局和电源旁路....................................... 18
终端电压工作范围......................................... 18
上电排序.............................................. ..................... 18
RDAC电路仿真模型............................................. 18
对于RDAC宏模型网表............................................ 18
应用信息................................................ .............. 19
双极直流或交流操作的双电源................. 19
增益控制补偿............................................... ..... 19
可编程电压参考............................................ 19
8位双极性DAC ............................................. ......................... 19
双极性可编程增益放大器................................... 20
...........可编程电压源升压输出20
可编程4 mA至20 mA电流源................... 20
可编程双向电流源......................... 21
可编程低通滤波器............................................. ... 21
可编程振荡器................................................ .......... 21
阻力缩放................................................ ...................... 22
外形尺寸................................................ ....................... 23
订购指南................................................ .......................... 24
修订历史
8月10日 - 修订版。 0到版本A
更新格式................................................ ..................通用
删除图1 ;重新编号,按顺序................................. 1
更改概述第...................................... 1
更改通道电阻匹配条件
( AD5262只)参数,分压器温度
系数参数,满量程误差参数,和零
刻度误差参数,表1 ............................................ ............ 3
变为表2和表3 ........................................... ............ 5
更改表4 .............................................. .............................. 6
更改表5 .............................................. .............................. 7
更改表6 .............................................. .............................. 8
变化图11标题和图12 ................................ 9
图31 ..............................................变化........................ 12
变化图35标题............................................. ......... 13
图43和图46的变化........................................... .. 14
删除电位器系列选型指南......................... 18
更改为可编程电压源升压输出
Section.............................................................................................. 20
图64 ..............................................变化........................ 21
更新的外形尺寸............................................... ........ 23
更改订购指南.............................................. ............ 24
3月2日 - 修订版0 :初始版
版本A |页24 2
AD5260/AD5262
特定网络阳离子
电气特性- 20千欧, 50千欧, 200 kΩ的
V
DD
= +15 V, V
SS
= 0 V或V
DD
= +5 V, V
SS
= –5 V; V
L
= +5 V; V
A
= +5 V, V
B
= 0 V , -40°C <牛逼
A
< + 85 ℃,除非另有说明。
在AD5260 / AD5262包含1968个晶体管。芯片尺寸: 89万× 105万( 9345万平方米) 。
表1中。
参数
直流特性变阻器模式
电阻微分非线性
2
非线性电阻器
2
标称电阻容差
3
电阻温度COEF网络cient
滑动端电阻
通道电阻匹配( AD5262只)
电阻漂移
直流特性电位器分频模式
决议
微分非线性
4
积分非线性
4
分压器温度系数
满量程误差
零刻度误差
电阻端子
电压范围
5
Ax和Bx的电容
6
WX电容
6
共模漏电流
关断电流
7
数字输入和输出
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输出逻辑高电平( SDO )
输出逻辑低电平( SDO )
输入电流
8
输入电容
6
电源
逻辑电源
单电源供电范围
双电源供电范围
逻辑电源电流
正电源电流
负电源电流
功耗
9
电源灵敏度
符号
R- DNL
R- INL
ΔR
AB
ΔR
AB
/ΔT
R
W
ΔR
WB
/R
WB
ΔR
AB
规范适用于所有村
N
DNL
INL
ΔV
W
/ΔT
W
FSE
V
WZSE
V
A,B ,W
C
A,B
C
W
I
CM
I
SHDN
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
C
IL
V
L
V
DD范围
V
DD / SS取值范围
I
L
I
DD
I
SS
P
DISS
PSS
8
1
1
CODE =半秤
代码=满量程
代码=零刻度
2
0
V
SS
F = 5MHz时,测量到GND,
CODE =半秤
F = 1MHz时,测量到GND ,
CODE =半秤
V
A
= V
B
= V
DD
/2
25
55
1
5
2.4
0.8
V
L
= 3 V, V
SS
= 0 V
V
L
= 3 V, V
SS
= 0 V
R
引体向上
= 2 kΩ至5 V
I
OL
= 1.6毫安, V
逻辑
= 5 V
V
IN
= 0 V或5 V
2.1
0.6
4.9
0.4
±1
5
2.7
4.5
±4.5
5.5
16.5
±5.5
60
1
1
0.3
0.003
0.01
±1/4
±1/2
5
1
1
+1
+1
+0
2
V
DD
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
V
pF
pF
nA
μA
V
V
V
V
V
V
μA
pF
V
V
V
μA
μA
μA
mW
%/%
条件
规范适用于所有村
R
WB
, V
A
- 无连接
R
WB
, V
A
- 无连接
T
A
= 25°C
雨刮=无连接
I
W
= 1 V / R
AB
通道1和通道2 R
WB
,
D
X
= 0x80
1
1
30
典型值
1
±
±½
35
60
0.1
0.05
最大
+1
+1
30
150
单位
最低位
最低位
%
PPM /°C的
Ω
%
%
V
SS
= 0 V
V
L
= 5 V
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V
V
SS
= 5 V
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V,
V
DD
= +5 V, V
SS
= –5 V
ΔV
DD
= +5 V, ±10%
版本A |第24 3
AD5260/AD5262
参数
动态特性
6, 10
带宽的-3 dB
总谐波失真
V
W
建立时间
相声
11
符号
BW
THD
W
t
S
C
T
条件
R
AB
= 20 kΩ/50 kΩ/200 kΩ
V
A
= 1 V
RMS
, V
B
= 0 V , F = 1 kHz时,
R
AB
= 20 kΩ
V
A
= +5 V, V
B
= -5 V ,± 1 LSB
误差带,R
AB
= 20 kΩ
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V ,测量V
W
与相邻RDAC制作
满量程编码变化( AD5262
只)
V
A1
= V
DD
, V
B1
= 0 V ,测量V
W1
随着V
W2
= 5V峰 - 峰值在f = 10千赫,
R
AB
= 20千欧/ 200千欧( AD5262
只)
R
WB
= 20 kΩ的, F = 1千赫
规范适用于所有地区
时钟电平高或低
20
10
10
1
5
20
50
0
10
典型值
1
310/130/30
0.014
5
1
最大
单位
千赫
%
μs
用nV-sec
模拟串扰
C
TA
–64
dB
电阻的噪声电压
接口时序特性
6, 12
时钟频率
输入时钟脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
CLK到SDO传输延迟
13
CS建立时间
CS高脉冲宽度
复位脉冲宽度
CLK秋天到CS上升保持时间
CS上升到时钟上升沿设置
1
2
e
N_WB
f
CLK
t
CH
, t
CL
t
DS
t
DH
t
PD
t
CSS
t
CSW
t
RS
t
CSH
t
CS1
13
25
纳伏/赫兹÷
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R
L
= 1千欧,C
L
< 20 pF的
160
典型值代表平均的读数在25℃和V
DD
= +5 V, V
SS
=
5
V.
电阻位置非线性误差(R- INL)是在最大电阻和最小电阻抽头之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。我
W
= V
DD
/ R为V
DD
= + 5V和+
V
SS
= 5V.
3
V
AB
= V
DD
,雨刮器=无连接。
4
INL和DNL在V测量
W
与被配置为类似于一个电压输出数字 - 模拟转换器的电位计分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V.
±1 LSB DNL最大规格限制,保证单调的工作条件。
5
电阻端子A, B端和终端W具有极性没有限制相对于对方。
6
通过设计保证,不受生产测试。
7
测量斧头终端。所有的斧终端开路关断模式。
8
当所有的逻辑输入电平设定为2.4 V ,这是CMOS逻辑电路的标准特征最坏情况下的电源电流消耗。
9
P
DISS
从(我计算
DD
× V
DD
) 。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
10
所有的动态特性采用V
DD
= +5 V, V
SS
= 5 V, V
L
= +5 V.
11
测量V
W
其中,相邻的V
W
是制造满刻度电压的变化。
12
参见图5,用于测量值的位置。所有的输入控制电压与T指定
R
= t
F
= 2纳秒(10%至90%的3 V)和从1.5 V的电压电平的定时
开关特性是使用V测量
L
= 5 V.
13
传播延迟取决于V的价值
DD
, R
L
和C
L
.
版本A |第24 4
AD5260/AD5262
时序图
表2. AD5260 8位串行数据字格式
数据
B7 (MSB)
D7
2
7
B6
D6
2
6
B5
D5
2
5
B4
D4
2
4
B3
D3
2
3
B2
D2
2
2
B1
D1
2
1
B0 ( LSB )
D0
2
0
表3. AD5262 9位串行数据字格式
ADDR
B8
A0
2
8
B7 (MSB)
D7
2
7
B6
D6
2
6
B5
D5
2
5
B4
D4
2
4
数据
B3
D3
2
3
B2
D2
2
2
B1
D1
2
1
B0 ( LSB )
D0
2
0
1
SDI
0
1
CLK
0
1
CS
0
1
V
OUT
0
RDAC寄存器加载
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
图3. AD5260时序图
1
SDI
0
1
CLK
0
1
CS
0
1
V
OUT
0
RDAC寄存器加载
A0
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
图4. AD5262时序图
SDI 1
(数据输入)
0
SDO
(数据输出)
1
A'x或D' X
0
D' X
AX或DX
Dx
t
DS
t
DH
t
PD
1
CLK
0
1
CS
0
V
OUT
V
DD
0V
± 1 LSB的ERROR品牌
02695-006
t
CH
t
CS1
t
CL
t
CSH
t
CSW
t
S
-1 LSB
t
CSS
图5.详细的时序图
PR
1
0
V
DD
t
RS
t
S
02695-007
± 1 LSBD
0V ± 1 LSB误差带
图6.预设时序图
版本A |第24 5
02695-005
02695-004
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