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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第366页 > AD5259EVAL2
非易失性的,我
2
C兼容
256位数字电位计
AD5259
特点
非易失性存储器保存游标设置
256-position
薄LFCSP - 10(3毫米× 3毫米x 0.8mm)的包
紧凑型MSOP - 10 ( 3毫米x 4.9毫米× 1.1毫米)封装
I
2
C兼容接口
V
逻辑
引脚提供增强的接口灵活性
端至端电阻5 kΩ的,为10kΩ , 50 kΩ的, 100千欧
存储在EEPROM中的电阻容差( 0.1 %精度)
上电EEPROM刷新时间1毫秒<
软件写保护命令
地址解码引脚AD0和AD1引脚允许
每辆公交车4包
100年的典型的数据保留在55℃下
宽工作温度
40°C
至+ 85°C
3 V至5 V单电源供电
V
DD
V
逻辑
GND
8
I
2
C
串行
接口
8
数据
控制
命令
解码逻辑
地址
解码逻辑
控制逻辑
RDAC
EEPROM
RDAC
注册
功能方框图
RDAC
A
W
B
SCL
SDA
AD0
AD1
AD5259
05026-001
电源 -
上电复位
图1.框图
V
逻辑
V
DD
A
EEPROM
应用
液晶面板V
COM
调整
液晶显示面板的亮度和对比度控制
替代机械电位器的新设计
可编程电源
RF放大器偏置
汽车电子调整
增益控制和失调电压调整
光纤到户系统
电子级设置
SCL
SDA
AD0
AD1
I
2
C
串行
接口
命令
解码逻辑
地址
解码逻辑
控制
逻辑
RDAC
注册
水平
W
GND
B
图2.框图显示电平转换器
概述
的AD5259提供了一个紧凑的,非易失性的LFCSP -10
( 3毫米×3毫米)或MSOP - 10 ( 3毫米× 4.9毫米)打包
解决方案, 256位调整应用程序。这些
设备执行相同的电子调整功能
机械电位器
1
或可变电阻器,但
具有增强的分辨率和固态可靠性。
该游标设置可通过I
2
C兼容
这也用于回读抽头寄存器数字接口
和EEPROM的内容。电阻容差也被存储内
EEPROM中,提供了0.1%的端至端的公差精度。
单独的V
逻辑
引脚可提供更高的接口灵活性。为
谁需要在一条总线上,地址位AD0和多个部分用户
地址位AD1最多允许在同一总线上四台设备。
1
接线图
W
1
AD0
2
AD1
3
10
A
B
AD5259
9
8
SCL
5
6
V
逻辑
图3.引脚
数字电位计, VR(可变电阻器) ,和RDAC这些所使用的术语
互换。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
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或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
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一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
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05026-002
V
DD
顶视图
(不按比例)
7
GND
SDA
4
05026-003
AD5259
目录
规格................................................. .................................... 3
电气特性................................................ ............. 3
时序特性................................................ ................ 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 13
工作原理............................................... ....................... 14
编程可变电阻......................................... 14
编程电位分压器............................... 14
I
2
C兼容接口.............................................. ................. 15
写................................................. ........................................ 15
保存/恢复............................................... ........................ 15
阅读................................................. ....................................... 15
I
2
C-兼容格式.............................................. ................... 16
通用接口................................................ ........................ 16
写模式................................................ ................................ 16
阅读模式................................................ ................................. 17
存储/恢复模式.............................................. .................... 17
公差回读模式............................................... ....... 18
ESD保护数字引脚电阻和终端的........ 19
上电排序.............................................. ..................... 19
布局和电源旁路....................................... 19
在一条总线上的多个器件............................................. ...... 19
评估板................................................ ........................ 19
显示应用................................................ ...................... 20
电路................................................. ..................................... 20
外形尺寸................................................ ....................... 21
订购指南................................................ .......................... 21
修订历史
7/05 - 修订版0至修订版A
增加了10引脚LFCSP ............................................. ..........通用
更改功能部分和
概述部分............................................... ............ 1
更改表1 .............................................. .............................. 3
更改表2和图新增4 ........................................ 5
更改表4 .............................................. .............................. 7
变化图27标题............................................. .......... 11
更改工作组.................................... 14理论
更改我
2
C兼容接口部分............................ 15
更改表5 .............................................. ............................ 16
更改多个设备在一个总线上段..................... 19
更新图49标题.............................................. ............. 21
更改订购指南.............................................. ............ 21
02/05 - 修订版0 :初始版
版本A |页24 2
AD5259
特定网络阳离子
电气特性
V
DD
= V
逻辑
= 5伏±10%或3伏± 10% ; V
A
= V
DD
; V
B
= 0 V ; -40°C <牛逼
A
< + 85 ℃,除非另有说明。
B
表1中。
参数
DC特性:
变阻器模式
电阻微分非线性
5 kΩ
10 kΩ
50 kΩ/100 kΩ
电阻积分非线性
5 kΩ
10 kΩ
50 kΩ/100 kΩ
标称电阻容差
电阻温度COEF网络cient
共抽头电阻
DC特性:
电位器分频模式
微分非线性
5 kΩ
10 kΩ
50 kΩ/100 kΩ
积分非线性
5 kΩ
10 kΩ
50 kΩ/100 kΩ
满量程误差
5 kΩ
10 kΩ
50 kΩ/100 kΩ
零刻度误差
5 kΩ
10 kΩ
50 kΩ/100 kΩ
分压器温度
系数
电阻端子
电压范围
电容A,B
电容W
共模漏
符号
条件
典型值
1
最大
单位
R- DNL
R
WB
, V
A
- 无连接
–1
1
0.5
±0.2
±0.1
±0.1
±0.3
±0.2
±0.4
500/15
75
350
+1
+1
+0.5
最低位
R- INL
R
WB
, V
A
- 无连接
–4
2
1
–30
+4
+2
+1
+30
最低位
ΔR
AB
(ΔR
AB
x 10
6
)/
(R
AB
X ΔT )
R
WB
T
A
= 25 ° C,V
DD
= 5.5 V
代码= 0×00 / 0x80的
CODE = 0×00
%
PPM /°C的
Ω
DNL
–1
0.5
0.5
INL
–1
0.5
0.5
V
WFSE
CODE = 0xFF的
7
4
1
V
WZSE
CODE = 0×00
0
0
0
(V
W
x 10
6
)/
(V
W
X ΔT )
V
A,B ,W
C
A,B
C
W
I
CM
代码= 0×00 / 0x80的
2.5
1
0.2
60/5
4
3
0.5
3
1.5
0.4
0
0
0
±0.2
±0.1
±0.1
+1
+0.5
+0.5
±0.2
±0.1
±0.2
+1
+0.5
+0.5
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
GND
F = 1MHz时,测量到GND ,
代码= 0x80的
F = 1MHz时,测量到GND ,
代码= 0x80的
V
A
= V
B
= V
DD
/2
45
60
10
V
DD
V
pF
pF
nA
版本A |第24 3
AD5259
参数
数字输入和输出
输入逻辑高
输入逻辑低电平
漏电流
SDA , AD0 , AD1
SCL - 逻辑高
SCL - 逻辑低
输入电容
电源
电源电压范围
正电源电流
逻辑电源
逻辑电源电流
编程模式电流( EEPROM )
功耗
电源抑制比
动态特性
带宽的-3 dB
符号
V
IH
V
IL
I
IL
V
IN
= 0 V或5 V
V
IN
= 0 V
V
IN
= 5 V
C
IL
V
DD
I
DD
V
逻辑
I
逻辑
I
逻辑(PROG)
P
DISS
PSRR
BW
2.7
0.1
2.7
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V, V
DD
= 5 V
V
DD
= + 5V ± 10 % ,代码= 0x80的
代码= 0x80的
R
AB
= 5 kΩ
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 50 kΩ
R
AB
= 100 kΩ
R
AB
= 10 kΩ的,V
A
= 1 V RMS,
V
B
= 0中,f = 1千赫
R
AB
= 10 kΩ的,V
AB
= 5 V,
± 1 LSB误差带
R
WB
= 5kΩ的中,f = 1千赫
B
条件
0.7 × V
L
0.5
典型值
1
最大
V
L
+ 0.5
0.3 × V
L
单位
V
V
μA
2.5
0.01
1.3
0.01
5
±1
+1
±1
pF
5.5
2
5.5
6
40
±0.06
V
μA
V
μA
mA
μW
%/%
3
35
15
±0.005
总谐波失真
V
W
建立时间
电阻的噪声电压密度
1
THD
W
t
S
e
N_WB
2000
800
160
80
0.01
500
9
千赫
千赫
千赫
千赫
%
ns
纳伏/赫兹÷
典型值代表平均的读数在25℃和V
DD
= 5 V.
版本A |第24 4
AD5259
时序特性
V
DD
= V
逻辑
= 5伏±10%或3伏± 10% ; V
A
= V
DD
; V
B
= 0 V ; -40°C <牛逼
A
< + 85 ℃,除非另有说明。
B
表2中。
参数
I
2
C接口时序
特征
1
SCL时钟频率
t
BUF
总线空闲时间之间停止
开始
t
HD ; STA
保持时间(重复启动)
t
SCL时钟的低电平时间
t
高周期SCL时钟
t
SU ; STA
建立时间与重复
启动条件
t
HD ; DAT
数据保持时间
t
SU ; DAT
数据建立时间
t
F
秋季SDA双方的时间和
SCL信号
t
R
上升两个SDA的时间和
SCL信号
t
SU ; STO
停止条件建立时间
EEPROM数据保存时间
EEPROM数据恢复时间
电源
2
EEPROM数据恢复时间后,
restore命令
2
EEPROM数据可擦写时间
3
Flash / EE存储器可靠性
耐力
4
数据保留
5
1
2
符号
条件
典型值
最大
单位
f
SCL
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
t
9
t
10
t
EEMEM_STORE
t
EEMEM_RESTORE1
t
EEMEM_RESTORE2
t
EEMEM_REWRITE
在此期限之后,在网络连接第一个时钟脉冲是
产生的。
0
1.3
0.6
1.3
0.6
0.6
0
100
400
千赫
μs
μs
μs
μs
μs
0.9
300
300
μs
ns
ns
ns
μs
ms
μs
μs
μs
kcycles
岁月
0.6
V
DD
上升时间依赖性。测量无
在V去耦电容
DD
和GND 。
V
DD
= 5 V.
26
300
300
540
100
700
100
标准I
2
C模式的操作保证了设计。
在上电期间,输出瞬间预设为中间电平恢复EEPROM内容之前。
3
延迟时间之前写入新的数据EEPROM上电后预置。
4
耐力有资格根据JEDEC标准10万次。 22方法A117 ,并测量在-40℃ , + 25 ℃, + 85 ℃;典型的耐力+ 25° C为70万次。
5
保持期限相当于在结温(T
J
) =每JEDEC标准55 ℃。 22 ,方法A117 。基于0.6 eV的减额的激活能保持期限
随着结温。
t
8
SCL
t
6
t
9
t
2
t
2
t
3
t
8
t
9
t
4
t
7
t
5
t
10
SDA
t
1
P
S
S
P
图4.我
2
C接口时序图
版本A |第24 5
05026-004
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AD5259EVAL2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
AD5259EVAL2
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