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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第263页 > AD5255
3通道数字电位
非易失性存储器
AD5255
特点
3个通道：
双512位
单128位
25 kΩ或250 kΩ的满量程电阻
低温度系数：
电位器分压为15ppm /°C的
变阻器模式为35ppm /°C的
非易失性存储器保存游标设置
永久存储器写保护
线性递增/递减
± 6分贝递增/递减
I
2
C兼容串行接口
2.7 V至5.5 V单电源供电
± 2.25 V至± 2.75 V双电源供电
上电复位时间
256字节通用的用户EEPROM
11 RDAC字节用户EEPROM
GBIC和SFP标准的EEPROM
100年的典型的数据保留在T
A
= 55°C
V
DD
V
SS
GND
SCL
SDA
A0_RDAC
A1_RDAC
A0_E
A1_E
命令
解码
逻辑
POWER- ON
RESET
地址
解码
逻辑
解码
逻辑
I
2
C
串行
接口
功能框图
RDAC0
注册
256字节
用户
EEPROM
32字节
RDAC
EEPROM
数据
控制
RDAC0
A0
W0
9位
RDAC1
B0
RDAC1
注册
A1
W1
9位
RDAC2
B1
RDAC2
注册
A2
W2
RS
7位
B2
04555-0-001
WP
图1 。
应用
替代机械电位器
RGB LED背光控制
白光LED亮度调节
可编程增益和失调控制
可编程滤波器
概述
的AD5255提供双512位和一个单
128位上的数字控制的可变电阻
1
（VR）中的一
TSSOP封装。这个设备将执行相同的电子
调整功能作为一个电位器，微调，或可变
电阻器。各VR提供一个完全可编程的价值
A端和雨刮器或B之间的电阻
终端和雨刮器。的固定A至B端电阻
25 kΩ或250 kΩ的有1 ％的通道至通道匹配
宽容和35 PPM / ℃的标称温度系数。
雨刮器位置编程， EEPROM
2
阅读和EEPROM
写作是通过标准的2线I进行
2
C接口。预
vious /雨刮器默认设置的位置可以存储在内存中，
并刷新后，系统上电。
在AD5255的其他功能还包括预编程
线性和对数递增/递减雨刷更换。
实际电阻容差存储在EEPROM中，以使
实际的端至端的电阻是已知的，这是有价值的
校准精度的应用。
该AD5255是采用24引脚TSSOP封装。所有部件
保证工作在扩展工业温度
TURE范围为-40 ° C至+ 85°C 。
1
术语可编程电阻器，可变电阻器， RDAC和数字
电位器可以互换使用。
2
非易失性存储器， EEMEM ，和EEPROM的所使用的术语
互换。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担由Analog Devices供其使用，也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利，可能导致其使用的。
规格如有变更，恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.326.8703
2004 ADI公司保留所有权利。
AD5255
目录
电气特性................................................ ................. 3
电气特性................................................ ................. 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 8
接口说明................................................ .................... 10
I
2
C接口................................................ ................................ 10
EEPROM接口................................................ ..................... 11
我RDAC
2
C接口................................................ .................... 12
工作原理............................................... ....................... 15
线性递增和递减命令...................... 15
对数抽头模式调整（ ±6分贝/步） .............. 15
使用额外的内部非易失性EEPROM .................. 16
数字输入/输出配置........................................ 16
在一条总线上的多个器件............................................. ...... 16
电平转换的双向通信........................ 16
端电压操作范围......................................... 16
上电排序.............................................. ..................... 17
布局和电源偏置............................................ 17
RDAC结构................................................ .......................... 17
计算的可编程性............................. 17
编程电位分压器............................... 18
应用................................................. .................................... 19
激光二极管驱动器（ LDD ）校准................................... 19
外形尺寸................................................ ....................... 20
订购指南................................................ .......................... 20
修订历史
7月4日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第20页2
AD5255
电气特性
单电源： V
DD
= 2.7 V至5.5 V和-40°C <牛逼
A
< + 85 ℃，除非另有说明。
双电源： V
DD
= 2.25 V和2.75 V ，V
SS
= -2.25 V和-2.75 V和-40°C <牛逼
A
< + 85 ℃，除非另有说明。
表1中。
参数
直流特性，
变阻器模式
电阻微分非线性
2
符号
条件
民
典型值
1
最大
单位
R- DNL
电阻积分非线性
2
R- INL
R- INL
R- INL
电阻温度系数
滑动端电阻
通道电阻匹配
标称电阻容差
直流特性，
电位器分频模式
微分非线性
3
(R
WB
/R
WB
)/T × 10
6
R
WB
7位信道
R
WB
， 9位通道
R
WB
7位信道
R
WB
， 9位通道，V
DD
= 5.5 V
R
WB
， 9位通道，V
DD
= 2.7 V
V
DD
= 5 V，I
W
= 1 V / R
WB
V
DD
= 3 V，I
W
= 1 V / R
WB
通道1和2 R
WB
，的Dx =到0x1FF
DX = 0x3FF处
0.75
2.5
0.5
2.0
4.0
35
100
250
0.1
15
+0.75
+2.5
+0.5
+2.0
+4.0
150
400
+15
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
%
%
R
W
R
AB1
/R
AB2
R
AB
/R
AB
DNL
DNL
积分非线性
3
INL
INL
(V
W
/V
W
)/T × 10
6
V
WFSE
V
WZSE
7位的信道
9位通道
7位的信道
9位通道
代码=半刻度
7位的信道/ 9位信道，
代码=满量程
7位的信道/ 9位信道，
代码=零刻度
0.5
2.0
0.5
2.0
15
1/2.75
0/0
+0.5
+2.0
+0.5
+2.0
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
分压器温度
系数中
满量程误差
零刻度误差
电阻端子
终端电压范围
4
电容
5
AX ，BX
电容
5
Wx
共模漏电流
5, 8
数字输入和输出
输入逻辑高
0/0
1/2.0
V
A，B ，W
C
A，B
C
W
I
CM
V
IH
V
SS
F = 1千赫兹，测量到GND，
代码=半刻度
F = 1千赫兹，测量到GND，
代码=半刻度
V
W
= V
DD
/2
V
DD
= 5 V, V
SS
= 0 V
V
DD
/V
SS
= +2.7 V / 0 V或
V
DD
/V
SS
= ±2.5 V
V
DD
= 5 V, V
SS
= 0 V
V
DD
/V
SS
= +2.7 V / 0 V或
V
DD
/V
SS
= ±2.5 V
R
引体向上
= 2.2 kΩ到V
DD
= 5 V,
V
SS
= 0 V
R
引体向上
= 2.2 kΩ到V
DD
= 5 V,
V
SS
= 0 V
WP = V
DD
A0 = GND
2.4
2.1
85
95
0.01
V
DD
V
pF
pF
1
A
V
V
输入逻辑低电平
V
IL
0.8
0.6
4.9
0.4
9
3
V
V
V
V
A
A
输出逻辑高电平（ SDA ）
输出逻辑低电平
WP漏电流
A0漏电流
V
OH
V
OL
I
WP
I
A0
第0版|第20页3
AD5255
参数
输入漏电流（不包括WP
和A0 ）
输入电容
5
电源
单电源功率范围
双电源功率范围
正电源电流
负电源电流
EEMEM数据存储模式电流
EEMEM数据恢复模式电流
功耗
6
电源灵敏度
5
见表2后注脚。
符号
I
I
C
I
V
DD
V
DD
/V
SS
I
DD
I
SS
I
DD_STORE
I
DD_RESTORE
P
DISS
P
SS
条件
V
IN
= 0 V或V
DD
民
典型值
1
最大
±1
单位
A
pF
5
V
SS
= 0 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND ，V
SS
= 0 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND ，
V
DD
= 2.5 V, V
SS
= 2.5 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
IH
= V
DD
= 5 V或V
IL
= GND
V
DD
= 5 V ± 10%
2.7
±2.25
5
5
35
2.5
25
0.01
5.5
±2.75
15
15
V
V
A
A
mA
mA
W
%/%
75
0.025
t
8
SDA
t
1
t
8
t
9
t
6
SCL
t
2
P
S
t
4
t
3
t
5
S
t
7
P
t
10
图2.我
2
时序图
第0版|第20页4
04555-0-015
AD5255
电气特性
单电源： V
DD
= 3 V至5.5 V和-40°C <牛逼
A
< + 85 ℃，除非另有说明。
双电源： V
DD
= 2.25 V和2.75 V ，V
SS
= -2.25 V和-2.75 V和-40°C <牛逼
A
< + 85 ℃，除非另有说明。
表2中。
参数
动态特性
5, 7
带宽的-3 dB
总谐波失真
V
W
建立时间
符号
BW
THD
W
t
S
条件
V
DD
/V
SS
= -2.5 V ，R
AB
= 25 k/250 k
V
A
= 1 V有效值，V
B
= 0 V ， F = 1千赫
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
V
W
= 0.50 ％误差带，
代码0x000到0x100的，R
AB
= 25 k/250 k
民
典型值
1
125/12
0.05
4/36
最大
单位
千赫
%
s
电阻的噪声频谱密度
数字串扰
e
N_WB
C
T
模拟串扰
接口时序特性
（适用于所有部分） （注
8, 9
)
SCL时钟频率
t
BUF
总线空闲时间之间停止并
开始
t
HD ; STA
保持时间（重复启动）
t
低
SCL时钟的低电平时间
t
高
高周期SCL时钟
t
SU ; STA
为启动条件建立时间
t
HD ; DAT
数据保持时间
t
SU ; DAT
数据建立时间
t
R
上升的SDA和SCL时间
信号的
t
F
秋季的SDA和SCL时间
信号的
t
SU ; STO
停止条件建立时间
EEMEM数据保存时间
EEMEM数据恢复时间
POWER- ON
EEMEM数据的恢复时间
恢复
指令或复位操作
EEMEM数据可擦写时间
Flash / EE存储器可靠性
耐力
10
数据保留
11
C
AT
R
AB
= 25千欧/ 250千欧，T
A
= 25°C
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V ，测量与大众
相邻RDAC制定全面
变化
信号输入为A0和测量输出
在W 1中，f = 1千赫
14/45
80
nV√Hz
dB
72
dB
f
SCL
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
t
9
t
10
t
EEMEM_STORE
t
EEMEM_RESTORE1
t
EEMEM_RESTORE2
在此期间后的第一个时钟脉冲是
产生
400
1.3
600
1.3
0.6
600
100
300
300
600
26
360
360
千赫
s
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
s
50
900
t
EEMEM_REWRITE
540
100
55°C
100
s
kcycles
岁月
1
2
典型代表平均读数在25℃ ，V
DD
= 5 V.
电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻雨刮器之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。
3
INL和DNL在V测量
W
与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V.
4
电阻端子A， B，W对极性没有限制相对于对方。
5
通过设计保证，不受生产测试。
6
P
DISS
从（我计算
DD
× V
DD
） 。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
7
所有的动态特性采用V
DD
= 5 V.
8
带宽，噪声和稳定时间取决于所选择的终端电阻值。在最快的时间解决最低的R值结果和最高
带宽。最高的R值的结果中的最小总功率消耗。
9
看测量值的位置的时序图。
10
耐力是合格100,000次按照JEDEC标准。 22方法A117和在-40℃下测得的， + 25 ℃， + 85℃时，典型的耐力，在25 ℃下为70万次。
11
保持期限相当于在结温（T
J
） = 55 ℃，按照JEDEC标准。 22 ，方法A117 。基于0.6EV的活化能保持期限
随着结温递减。
第0版|第20页5
3通道数字电位
非易失性存储器
AD5255
特点
3个通道：
双512位
单128位
25 kΩ或250 kΩ的满量程电阻
低温度系数：
电位器分压为15ppm /°C的
变阻器模式为35ppm /°C的
非易失性存储器保存游标设置
永久存储器写保护
线性递增/递减
± 6分贝递增/递减
I
2
C兼容串行接口
2.7 V至5.5 V单电源供电
± 2.25 V至± 2.75 V双电源供电
上电复位时间
256字节通用的用户EEPROM
11 RDAC字节用户EEPROM
GBIC和SFP标准的EEPROM
100年的典型的数据保留在T
A
= 55°C
V
DD
V
SS
GND
SCL
SDA
A0_RDAC
A1_RDAC
A0_E
A1_E
命令
解码
逻辑
POWER- ON
RESET
地址
解码
逻辑
解码
逻辑
I
2
C
串行
接口
功能框图
RDAC0
注册
256字节
用户
EEPROM
32字节
RDAC
EEPROM
数据
控制
RDAC0
A0
W0
9位
RDAC1
B0
RDAC1
注册
A1
W1
9位
RDAC2
B1
RDAC2
注册
A2
W2
RS
7位
B2
04555-0-001
WP
图1 。
应用
替代机械电位器
RGB LED背光控制
白光LED亮度调节
可编程增益和失调控制
可编程滤波器
概述
的AD5255提供双512位和一个单
128位上的数字控制的可变电阻
1
（VR）中的一
TSSOP封装。这个设备将执行相同的电子
调整功能作为一个电位器，微调，或可变
电阻器。各VR提供一个完全可编程的价值
A端和雨刮器或B之间的电阻
终端和雨刮器。的固定A至B端电阻
25 kΩ或250 kΩ的有1 ％的通道至通道匹配
宽容和35 PPM / ℃的标称温度系数。
雨刮器位置编程， EEPROM
2
阅读和EEPROM
写作是通过标准的2线I进行
2
C接口。预
vious /雨刮器默认设置的位置可以存储在内存中，
并刷新后，系统上电。
在AD5255的其他功能还包括预编程
线性和对数递增/递减雨刷更换。
实际电阻容差存储在EEPROM中，以使
实际的端至端的电阻是已知的，这是有价值的
校准精度的应用。
该AD5255是采用24引脚TSSOP封装。所有部件
保证工作在扩展工业温度
TURE范围为-40 ° C至+ 85°C 。
1
术语可编程电阻器，可变电阻器， RDAC和数字
电位器可以互换使用。
2
非易失性存储器， EEMEM ，和EEPROM的所使用的术语
互换。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担由Analog Devices供其使用，也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利，可能导致其使用的。
规格如有变更，恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.326.8703
2004 ADI公司保留所有权利。
AD5255
目录
电气特性................................................ ................. 3
电气特性................................................ ................. 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 8
接口说明................................................ .................... 10
I
2
C接口................................................ ................................ 10
EEPROM接口................................................ ..................... 11
我RDAC
2
C接口................................................ .................... 12
工作原理............................................... ....................... 15
线性递增和递减命令...................... 15
对数抽头模式调整（ ±6分贝/步） .............. 15
使用额外的内部非易失性EEPROM .................. 16
数字输入/输出配置........................................ 16
在一条总线上的多个器件............................................. ...... 16
电平转换的双向通信........................ 16
端电压操作范围......................................... 16
上电排序.............................................. ..................... 17
布局和电源偏置............................................ 17
RDAC结构................................................ .......................... 17
计算的可编程性............................. 17
编程电位分压器............................... 18
应用................................................. .................................... 19
激光二极管驱动器（ LDD ）校准................................... 19
外形尺寸................................................ ....................... 20
订购指南................................................ .......................... 20
修订历史
7月4日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第20页2
AD5255
电气特性
单电源： V
DD
= 2.7 V至5.5 V和-40°C <牛逼
A
< + 85 ℃，除非另有说明。
双电源： V
DD
= 2.25 V和2.75 V ，V
SS
= -2.25 V和-2.75 V和-40°C <牛逼
A
< + 85 ℃，除非另有说明。
表1中。
参数
直流特性，
变阻器模式
电阻微分非线性
2
符号
条件
民
典型值
1
最大
单位
R- DNL
电阻积分非线性
2
R- INL
R- INL
R- INL
电阻温度系数
滑动端电阻
通道电阻匹配
标称电阻容差
直流特性，
电位器分频模式
微分非线性
3
(R
WB
/R
WB
)/T × 10
6
R
WB
7位信道
R
WB
， 9位通道
R
WB
7位信道
R
WB
， 9位通道，V
DD
= 5.5 V
R
WB
， 9位通道，V
DD
= 2.7 V
V
DD
= 5 V，I
W
= 1 V / R
WB
V
DD
= 3 V，I
W
= 1 V / R
WB
通道1和2 R
WB
，的Dx =到0x1FF
DX = 0x3FF处
0.75
2.5
0.5
2.0
4.0
35
100
250
0.1
15
+0.75
+2.5
+0.5
+2.0
+4.0
150
400
+15
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
%
%
R
W
R
AB1
/R
AB2
R
AB
/R
AB
DNL
DNL
积分非线性
3
INL
INL
(V
W
/V
W
)/T × 10
6
V
WFSE
V
WZSE
7位的信道
9位通道
7位的信道
9位通道
代码=半刻度
7位的信道/ 9位信道，
代码=满量程
7位的信道/ 9位信道，
代码=零刻度
0.5
2.0
0.5
2.0
15
1/2.75
0/0
+0.5
+2.0
+0.5
+2.0
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
分压器温度
系数中
满量程误差
零刻度误差
电阻端子
终端电压范围
4
电容
5
AX ，BX
电容
5
Wx
共模漏电流
5, 8
数字输入和输出
输入逻辑高
0/0
1/2.0
V
A，B ，W
C
A，B
C
W
I
CM
V
IH
V
SS
F = 1千赫兹，测量到GND，
代码=半刻度
F = 1千赫兹，测量到GND，
代码=半刻度
V
W
= V
DD
/2
V
DD
= 5 V, V
SS
= 0 V
V
DD
/V
SS
= +2.7 V / 0 V或
V
DD
/V
SS
= ±2.5 V
V
DD
= 5 V, V
SS
= 0 V
V
DD
/V
SS
= +2.7 V / 0 V或
V
DD
/V
SS
= ±2.5 V
R
引体向上
= 2.2 kΩ到V
DD
= 5 V,
V
SS
= 0 V
R
引体向上
= 2.2 kΩ到V
DD
= 5 V,
V
SS
= 0 V
WP = V
DD
A0 = GND
2.4
2.1
85
95
0.01
V
DD
V
pF
pF
1
A
V
V
输入逻辑低电平
V
IL
0.8
0.6
4.9
0.4
9
3
V
V
V
V
A
A
输出逻辑高电平（ SDA ）
输出逻辑低电平
WP漏电流
A0漏电流
V
OH
V
OL
I
WP
I
A0
第0版|第20页3
AD5255
参数
输入漏电流（不包括WP
和A0 ）
输入电容
5
电源
单电源功率范围
双电源功率范围
正电源电流
负电源电流
EEMEM数据存储模式电流
EEMEM数据恢复模式电流
功耗
6
电源灵敏度
5
见表2后注脚。
符号
I
I
C
I
V
DD
V
DD
/V
SS
I
DD
I
SS
I
DD_STORE
I
DD_RESTORE
P
DISS
P
SS
条件
V
IN
= 0 V或V
DD
民
典型值
1
最大
±1
单位
A
pF
5
V
SS
= 0 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND ，V
SS
= 0 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND ，
V
DD
= 2.5 V, V
SS
= 2.5 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
IH
= V
DD
= 5 V或V
IL
= GND
V
DD
= 5 V ± 10%
2.7
±2.25
5
5
35
2.5
25
0.01
5.5
±2.75
15
15
V
V
A
A
mA
mA
W
%/%
75
0.025
t
8
SDA
t
1
t
8
t
9
t
6
SCL
t
2
P
S
t
4
t
3
t
5
S
t
7
P
t
10
图2.我
2
时序图
第0版|第20页4
04555-0-015
AD5255
电气特性
单电源： V
DD
= 3 V至5.5 V和-40°C <牛逼
A
< + 85 ℃，除非另有说明。
双电源： V
DD
= 2.25 V和2.75 V ，V
SS
= -2.25 V和-2.75 V和-40°C <牛逼
A
< + 85 ℃，除非另有说明。
表2中。
参数
动态特性
5, 7
带宽的-3 dB
总谐波失真
V
W
建立时间
符号
BW
THD
W
t
S
条件
V
DD
/V
SS
= -2.5 V ，R
AB
= 25 k/250 k
V
A
= 1 V有效值，V
B
= 0 V ， F = 1千赫
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V,
V
W
= 0.50 ％误差带，
代码0x000到0x100的，R
AB
= 25 k/250 k
民
典型值
1
125/12
0.05
4/36
最大
单位
千赫
%
s
电阻的噪声频谱密度
数字串扰
e
N_WB
C
T
模拟串扰
接口时序特性
（适用于所有部分） （注
8, 9
)
SCL时钟频率
t
BUF
总线空闲时间之间停止并
开始
t
HD ; STA
保持时间（重复启动）
t
低
SCL时钟的低电平时间
t
高
高周期SCL时钟
t
SU ; STA
为启动条件建立时间
t
HD ; DAT
数据保持时间
t
SU ; DAT
数据建立时间
t
R
上升的SDA和SCL时间
信号的
t
F
秋季的SDA和SCL时间
信号的
t
SU ; STO
停止条件建立时间
EEMEM数据保存时间
EEMEM数据恢复时间
POWER- ON
EEMEM数据的恢复时间
恢复
指令或复位操作
EEMEM数据可擦写时间
Flash / EE存储器可靠性
耐力
10
数据保留
11
C
AT
R
AB
= 25千欧/ 250千欧，T
A
= 25°C
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V ，测量与大众
相邻RDAC制定全面
变化
信号输入为A0和测量输出
在W 1中，f = 1千赫
14/45
80
nV√Hz
dB
72
dB
f
SCL
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
t
9
t
10
t
EEMEM_STORE
t
EEMEM_RESTORE1
t
EEMEM_RESTORE2
在此期间后的第一个时钟脉冲是
产生
400
1.3
600
1.3
0.6
600
100
300
300
600
26
360
360
千赫
s
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
s
50
900
t
EEMEM_REWRITE
540
100
55°C
100
s
kcycles
岁月
1
2
典型代表平均读数在25℃ ，V
DD
= 5 V.
电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻雨刮器之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。
3
INL和DNL在V测量
W
与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V.
4
电阻端子A， B，W对极性没有限制相对于对方。
5
通过设计保证，不受生产测试。
6
P
DISS
从（我计算
DD
× V
DD
） 。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
7
所有的动态特性采用V
DD
= 5 V.
8
带宽，噪声和稳定时间取决于所选择的终端电阻值。在最快的时间解决最低的R值结果和最高
带宽。最高的R值的结果中的最小总功率消耗。
9
看测量值的位置的时序图。
10
耐力是合格100,000次按照JEDEC标准。 22方法A117和在-40℃下测得的， + 25 ℃， + 85℃时，典型的耐力，在25 ℃下为70万次。
11
保持期限相当于在结温（T
J
） = 55 ℃，按照JEDEC标准。 22 ，方法A117 。基于0.6EV的活化能保持期限
随着结温递减。
第0版|第20页5
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