【初步的技术数据a特点非易失性存储器预置保持雨刮器设置AD5231单， 1024位分辨率AD5232双】,IC型号AD5232BRU10-REEL7,AD5232BRU10-REEL7 PDF资料,AD5232BRU10-REEL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步的技术数据

特点

非易失性存储器预置保持雨刮器设置

AD5231单， 1024位分辨率

AD5232双通道， 256位分辨率

AD5233四通道， 64位分辨率

10K ， 50K ， 100K欧姆的终端电阻

线性或对数锥度设置

递增/递减命令，按钮命令

SPI兼容的串行数据输入与回读功能

+3到+ 5V单电源或± 2.5V双电源供电

用户EEMEM非易失性存储器，用于存储常量

应用

替代机械电位器

仪器仪表：增益，偏移调整

可编程电压至电流转换

可编程滤波器，延迟，时间常数

线阻抗匹配

电源调整

DIP开关设置

CLK

SDI

非易失性存储器

数字电位器

AD5231/AD5232/AD5233

功能方框图

公元523 1

AD DR

ECO D E

SDI

发E - [R IA升

在T E的R F一权证

RDAC1

- [R E G IS T E

RDAC1

GND

EEMEM1

SDO

RDY

SDO

EEMEM

C ON TR 0 1

28 B Y形释

USER EEMEM

IG IT A L 2

- [R E G IS T E

IG IT A L

本安输出

卜FFER

EEMEM2

SDI

发E - [R IA升

在T E的R F一权证

AD ，D R

EC D E

A D 5232

RDAC1

- [R E G IS T E

RDAC1

概述

在AD5231 / AD5232 / AD5233系列可提供一个单

/双/四通道，数字控制可变电阻（ VR ）

随着1024/256/64位置分别决议。这些

设备执行相同的电子调整功能作为

电位计或可变电阻器。该AD523X的多功能

通过微控制器编程允许多种模式

操作和调节。

在直接编程模式的一个预定的设定

RDAC寄存器可以直接从微控制器被加载。

操作的另一个重要模式使RDAC寄存器是

刷新与设置预先存储在EEMEM

建立一个新的雨刮器位置，设置的值可以是

保存到EEMEM通过执行EEMEM保存

操作。一旦设置被保存在EEMEM寄存器

这些值将被自动转移到RDAC

寄存器来设置，在系统上电抽头位置。这样

操作由内部预设选通脉冲和预先设定的允许

也可以从外部访问。

调整的基本模式是递增和递减

指挥控制雨刮位置的当前设置

设置（ RDAC ）寄存器。内部便笺式RDAC寄存器

可以移动UP或DOWN时，标称终端的一个步骤

终端A-和-B之间的电阻。这种线性变化的

雨刮器到B终端电阻（R

）通过一个位置段

该设备的端至端电阻（R

）。为

在抽头设置指数/对数变化，左/右

变速指令调整水平+/- 6分贝步骤，其可以是

实用的声光报警的应用程序。

该AD523X是在薄TSSOP封装。所有

件，保证工作在扩展工业

温度范围-40C至+ 85C的。

REV PRF 3月22日01

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用;也为专利的任何侵犯

第三方的，这可能导致其使用的或其他权利。没有获发牌照以

暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

GND

EEM EM 1

RDAC2

SDO

RDY

SDO

EEM EM

CONTRO L

14字节

用户EEM EM

RDAC2

- [R E G IS T E

EEM EM 2

SDI

发E - [R IA升

在T E的R F一权证

AD ，D R

EC D E

A D 5233

RDAC1

- [R E G IS T E

RDAC1

EEM EM 1

RDAC2

SDO

RDY

GND

SDO

EEM EM

CONTRO L

RDAC2

- [R E G IS T E

EEM EM 2

11被T ES

用户EEM EM

IG IT A L

产量

卜FF器

RDAC3

- [R E G IS T E

RDAC3

EEM EM 3

RDAC4

IG IT A L 5

- [R E G IS T E

EEM EM 5

RDAC4

- [R E G IS T E

EEM EM 4

一个技术的方式， P.O.盒9106 ，

诺伍德，MA 02062-9106 ü

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 617 / 326-8703

ADI公司， 1999

初步的技术数据

AD5231 / AD5232 / AD5233 -

特定网络阳离子

电气特性10K ， 50K ， 100K OHM VERSIONS

= + 3V， ± 10％或+ 5V±10％和V

=0V,

= +V

, V

= 0V ， -40°C <牛逼

< + 85 ℃，除非另有说明。）

参数

电阻微分非线性

非线性电阻器

标称电阻容差

电阻温度系数

滑动端电阻

符号

R- DNL

R- INL

INL

DNL

WFSE

WZSE

A，B ，W

A，B

DD （ PG ）

DD （ READ ）

DISS

PSS

条件

, V

= 25 ° C，V

= V

，雨刮器（V

） =无连接

VAB = VDD ，雨刮器（V

） =无连接

= 1 V / R ，V

= +5V

= 1 V / R ，V

= +3V

AD5231/AD5232/AD5233

民

-1

-30

典型值

最大

单位

最低位

％ FS

PPM /°C的

位

％ FS

最低位

PPM /°C的

％ FS

直流特性变阻器模式规范适用于所有村

±1/4

±1/2

500

200

100

直流特性电位器分频模式规范适用于所有村

决议

积分非线性

微分非线性

分压器温度系数

满量程误差

零刻度误差

电阻端子

电压范围

电容

AX ，BX

电容

共模漏电流

数字输入输出&

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输出逻辑高电平

输出逻辑低电平

输入电流

输入电容

电源

单电源功率范围

双电源功率范围

正电源电流

编程模式电流

阅读模式电流

负电源电流

功耗

电源灵敏度

动态特性

5, 8

带宽-3dB

总谐波失真

建立时间

电阻的噪声电压

串扰（C

)

BW_10K

THD

N_WB

R = 10kΩ的

= 1VRMS ，V

= 0V ， F = 1KHz的

= V

, V

= 0V ，终值50 ％

对于R

= 10K/50K/100K

= 5KΩ中，f = 1KHz的

= V

, V

= 0V ，测量V

与相邻

VR充分规模的变化

600

0.003

1/3/6

-65

千赫

nV√Hz

= 0V

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND ，V

= 2.5V, V

= -2.5V

= V

或V

= GND

= +5V ±10%

2.7

±2.25

0.9

5.5

±2.75

0.1

0.01

%/%

相对于GND ， VDD = 5V

相对于GND ， VDD = 3V

引体向上

= 2.2KΩ到+ 5V

= 40μA ，V

逻辑

= +5V

= 1.6毫安，V

逻辑

= +5V

= 0V或V

2.4

0.8

2.1

0.6

4.9

0.4

±1

F = 1MHz时，测量到GND ，代码=半级

= V

0.01

10 / 8 / 6

–1

–3

±1/2

±1/4

代码=半刻度

代码=满量程

代码=零刻度

0.002

注：请参阅表下页的底部。

REV PRF

3月22日'01

包含在这个初步数据表中的信息描述了在早期定义阶段的产物。但不保证该

这里包含的信息将成为其目前的形式最终产品。有关最新信息，请联系华Heinzer / ADI公司，圣诞老人

圣克拉拉， CA。电话：（ 408 ） 382-3107 ;传真：（408 ） 382-2708 ; walt.heinzer@analog.com

初步的技术数据

AD5231 / AD5232 / AD5233 -

特定网络阳离子

电气特性10K ， 50K ， 100K OHM VERSIONS

（ v = + 3V ±10 ％到+ 5V±10％和V = 0V

= +V

, V

= 0V ， -40°C <牛逼

< + 85 ℃，除非另有说明。）

参数

符号

条件

民

典型值

最大

单位

接口时序特性适用于所有的零部件（注5,9 ）

时钟周期时间

输入时钟脉冲宽度

, t

时钟电平高或低

建立时间

数据建立时间

从积极CLK转型

数据保持时间

从积极CLK转型

CLK停机时间

上升到时钟上升沿设置

高脉冲宽度

CLK到SDO传输延迟

= 1kΩ的，C

< 20pF的

保存到非易失EEMEM节省时间

适用于命令2

, 3

, 9

到SDO - SPI线采集

到SDO - SPI线发布

RDY崛起

秋天

启动时间

CLK建立时间

1 CLK周期（T

- t

= 1 CLK周期）

预置脉冲宽度（异步）

预设响应时间

PRESP

脉冲低再高

注意事项：

10.

11.

12.

13.

标准结构代表的平均读数为+ 25°C和V

= +5V.

电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻抽头之间的理想值之间的偏差。 R- DNL测量

相对阶跃变化，从连续抽头位置之间的理想。部分保证单调性。我

= V

/ R为V

= + 3V或V

=+5V.

INL和DNL在V测量

与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V

= V

和V

= V

± 1LSB最大DNL规范极限值保证单调的工作条件。

电阻端子A， B，W对极性没有限制相对于对方。

通过设计保证，不受生产测试。

共模漏电流是从任何终端A中的DC泄漏的量度，B，W与V的共模偏置电平

/ 2.

DISS

从（我计算

X V

) + (I

X V

所有的动态特性采用V

= +5V.

看测量值的位置的时序图。所有的输入控制电压与T指定

=为2.5ns （10％至90％为3V ），并在1.5V的电压电平的定时。开关

特点是同时使用V测

= + 3V或+ 5V 。

传播延迟取决于V的价值

, R

PULL -UP

和C

看到应用程序的文本。

低仅对指令命令8 ， 9,10 ，2，3 ： CMD_8 1毫秒; CMD_9,10 0.12ms ; CMD_2,3 20ms的

双电源供电主要影响POT终端。

阅读模式的电流是不连续的。

时序图

SDI

最高位

最低位

SDO

最高位

最低位

RDY

LK ID LES 1。· W

LK ID LES IG

图1.时序图

REV PRF

3月22日'01

包含在这个初步数据表中的信息描述了在早期定义阶段的产物。但不保证该

这里包含的信息将成为其目前的形式最终产品。有关最新信息，请联系华Heinzer / ADI公司，圣诞老人

圣克拉拉， CA。电话：（ 408 ） 382-3107 ;传真：（408 ） 382-2708 ; walt.heinzer@analog.com

初步的技术数据

非易失性存储器数字电位器

AD5231/AD5232/AD5233

绝对最大额定值

(

= + 25 ° C，除非

另有说明）

到GND ................................................ ..............- 0.3 ， + 7V

到GND ................................................ ................. 0V ， -7V

到V

.........................................................................+7V

, V

到GND ................................................ ..V

, V

– B

, A

– W

, B

– W

间歇性................................................. .. ± 20毫安

连续................................................. .. ± 1.3毫安

到GND ................................................ .................. 0V ，V

数字输入&输出电压GND .................. 0V ， + 7V

工作温度范围........................ -40 ° C至+ 85°C

最高结温（T

j max的情况

) .................. +150°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

引线温度（焊接， 10秒） ......................... + 300℃

封装功耗........................ （T

JMAX

- T

) /

热阻

JA ，

TSSOP- 16 ............................................... ...... 150 ° C / W

TSSOP -24 ............................................... ...... 128 ° C / W

订购指南

模型

AD5231BRU10

AD5231BRU10-REEL7

AD5231BRU50

AD5231BRU50-REEL7

AD5231BRU100

AD5231BRU100-REEL7

AD5232BRU10

AD5232BRU10-REEL7

AD5232BRU50

AD5232BRU50-REEL7

AD5232BRU100

AD5232BRU100-REEL7

AD5233BRU10

AD5233BRU10-REEL7

AD5233BRU50

AD5233BRU50-REEL7

AD5233BRU100

AD5233BRU100-REEL7

数

频道

端到端

R（千欧）

100

温度

范围

-40/+85°C

包

描述

TSSOP-16

TSSOP-24

包装#Devices

顶标

每个容器的选择

RU-16

RU-24

1,000

在AD5231 / AD5232 / AD5233包含9646个晶体管。

芯片尺寸： 69密耳× 115万， 7993万平方米

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3月22日'01

包含在这个初步数据表中的信息描述了在早期定义阶段的产物。但不保证该

这里包含的信息将成为其目前的形式最终产品。有关最新信息，请联系华Heinzer / ADI公司，圣诞老人

圣克拉拉， CA。电话：（ 408 ） 382-3107 ;传真：（408 ） 382-2708 ; walt.heinzer@analog.com

初步的技术数据

非易失性存储器数字电位器

AD5231/AD5232/AD5233

AD5231

引脚配置

CLK

SDI

SDO

GND

RDY

AD5232

引脚配置

CLK

SDI

SDO

GND

RDY

AD5231引脚功能说明

＃姓名

描述

CLK

SDI

SDO

非易失性数字输出＃ 1 ， ADDR （ 01 ） =

1H ，数据比特位D0

串行输入寄存器时钟引脚。在一个班次

位在时间上正时钟CLK的边缘。

串行数据输入引脚。

串行数据输出引脚。开漏输出

需要外部上拉电阻。命令9

& 10启动SDO输出。请参阅指令

操作真值表。其他命令转移

推迟了以前加载的位模式

由24个时钟脉冲。这允许菊花链

多包操作。

接地引脚，逻辑接地参考。

负电源。连接到零伏特

单电源应用。

在工厂测试模式用于数字输入。

离开引脚悬空或连接到V

或V

RDAC1的B端子。

RDAC1的滑动端，

ADDR（ RDAC1 ） = 0的

RDAC1的终端。

正电源引脚。应

≥

该

输入逻辑高电压。

写保护引脚。当低电平有效

防止任何改变本发明的内容

除了检索EEMEM内容

复位。

硬件，轻搭预设引脚。刷新

暂存寄存器的当前内容

在EEMEM寄存器。出厂默认加载

中间值200

直到EEMEM加载有

由用户新值（编排是在激活

上升的逻辑高电平跳变）

串行寄存器片选低电平有效。串行

注册操作发生时，

回报

为逻辑高电平。

准备好了。高电平有效开漏输出。

识别命令2，3， 8,9的完成，

10.

非易失性数字输出＃2 ，ADDR （O 2） =

1H，数据比特位置D1 。

AD5232引脚功能说明

＃姓名

描述

CLK

SDI

SDO

串行输入寄存器时钟引脚。在一个班次

位在时间上正时钟边沿。

串行数据输入引脚。移在一个位在一个

时间正时钟CLK的边缘。

串行数据输出引脚。开漏输出

需要外部上拉电阻。命令9

& 10启动SDO输出。请参阅指令

操作真值表。其他命令转移

推迟了以前加载的位模式

由16个时钟脉冲。这允许菊花链

多包操作。

接地引脚，逻辑接地参考

负电源。连接到零伏特

单电源应用。

RDAC1的终端。

RDAC1的滑动端，

ADDR（ RDAC1 ） = 0的

RDAC1的B端子。

RDAC2的B端子。

RDAC2的滑动端，

ADDR（ RDAC2 ）= 1

RDAC2的终端。

正电源引脚。应

≥

该

输入逻辑高电压。

写保护引脚。当低电平有效，

防止任何改变本发明的内容，

除了检索EEMEM内容

复位。

硬件，轻搭预设引脚。刷新

暂存寄存器的当前内容

在EEMEM寄存器。出厂默认加载

中间值80

直到EEMEM装入一个新

值由用户（ PR被在逻辑激活

高转换）。

串行寄存器片选低电平有效。串行

注册操作发生时，

回报

为逻辑高电平。

准备好了。高电平有效开漏输出。

识别命令2，3， 8,9的完成，

10.

GND

RDY

REV PRF

3月22日'01

包含在这个初步数据表中的信息描述了在早期定义阶段的产物。但不保证该

这里包含的信息将成为其目前的形式最终产品。有关最新信息，请联系华Heinzer / ADI公司，圣诞老人

圣克拉拉， CA。电话：（ 408 ） 382-3107 ;传真：（408 ） 382-2708 ; walt.heinzer@analog.com

特点

非易失性存储器预置保持雨刮器设置

双通道， 256级分辨率

全单调操作DNL < 1 LSB

10 K， 50 K， 100 K时终端电阻

线性或对数锥度设置

按钮式递增/递减兼容

SPI兼容串行数据输入与回读

功能

3 V至5 V单电源或2.5 V双电源供电

手术

14字节用户EEMEM非易失性存储器的

恒存储

永久存储器写保护

100年的典型数据保留牛逼

= 55 C

应用

替代机械电位器

仪器仪表：增益，偏移调整

可编程电压至电流转换

可编程滤波器，延迟，时间常数

线阻抗匹配

电源调整

DIP开关设置

概述

8位双非易失性存储器

数字电位计

AD5232

功能框图

CLK

SDI

GND

SDI

串行

接口

ADDR

解码

RDAC1

AD5232

RDAC1

EEMEM1

SDO

RDY

SDO

EEMEM

控制

14字节

USER EEMEM

RDAC2

EEMEM2

的AD5232器件提供一个非易失性的，双通道

数字控制可变电阻（ VR ）与256位

分辨率。这些设备执行相同的电子调整

精神疾病用作电位计或可变电阻器。该

AD5232的通过单片机通用的编程允许

多种模式的操作和调整。

在直接编程模式的RDAC的一个预定的设定

注册可以直接从微控制器加载。

操作的另一个重要模式使RDAC寄存器是

刷新与设置预先存储在EEMEM

中国语新的雨刮器位置，设置的值可以保存

进入EEMEM通过执行EEMEM保存操作。

一旦设置被保存在EEMEM注册这些值

将被自动转移至RDAC寄存器设置

在系统上电抽头位置。允许这样的操作

由内部预设选通脉冲和预先设定的，也可以访问

外部。

串行数据的所有内部寄存器的内容可以被读出

输出（ SDO ）。这包括RDAC1和RDAC2注册，

相应的非易失性EEMEM1和EEMEM2寄存器

TER值，而14备用USER EEMEM寄存器可用

常量存储空间。

*专利

正在申请中。

调整的基本模式是递增和递减

指挥控制雨刮位置的当前设置

设置（ RDAC ）寄存器。内部便笺式RDAC寄存器

可以移动UP或标称终端的向下一个步骤

终端A和B这之间的电阻线性变化的

雨刮器到B终端电阻（R

）通过一个位置段

器件的端至端电阻（R

）。对于指数/ loga-

在抽头设置rithmic变化，左/右移指令

调整的水平

6分贝步骤，可以为音频是有用的，

光报警功能的应用程序。

在AD5232可在薄薄的TSSOP -16封装。所有部件

保证工作在扩展工业温度

TURE范围为-40 ° C至+ 85°C 。一个评估板可用，

产品型号： AD5232EVAL 。

100

百分比标称

端至端电阻 - ％R

128

CODE - 十进制

192

256

图1.对称操作RDAC

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式

在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2001

AD5232–SPECIFICATIONS

电气特性， 10 K， 50 K， 100千

( V

= 3 V

参数

版本

民

典型值

最大

单位

10％或5伏

10％和V

= 0 V, V

= +V

, V

= 0 V ， -40℃ <牛逼

< + 85℃ ，除非另有说明。）

符号

条件

DC特性

变阻器模式 - 规范适用于所有村

电阻微分非线性

R- DNL

非线性电阻器

R- INL

标称电阻容差

电阻温度COEF网络cient

/ T

滑动端电阻

, V

= NC

, V

= NC

= 100

= 5.5 V ，代码= 1E

= 100

= 3 V ，代码= 1E

–1

–0.4

–40

1/2

600

200

+0.4

+20

100

最低位

％ FS

PPM /°C的

位

最低位

％ FS

PPM /°C的

％ FS

电位器分频模式 - 规范适用于所有村

决议

微分非线性

DNL

INL

积分非线性

分压器温度系数

/ T

代码=半刻度

满量程误差

WFSE

代码=满量程

代码=零刻度

零刻度误差

WZSE

电阻端子

终端电压范围

电容

AX ，BX

电容蜡质

共模漏电流

5, 6

–1

–0.4

–3

1/2

+0.4

A，B ，W

A，B

DD （ PG ）

DD （ XFR ）

DISS

PSS

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=半刻度

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=半刻度

= V

相对于GND ，V

= 5 V

相对于GND ，V

= 5 V

相对于GND ，V

= 3 V

相对于GND ，V

= 3 V

相对于GND ，V

= +2.5 V,

= –2.5 V

相对于GND ，V

= +2.5 V,

= –2.5 V

引体向上

= 2.2 kΩ至5 V

= 1.6毫安， V

逻辑

= 5 V

= 0 V或V

2.4

0.01

数字输入和输出

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输出逻辑高电平（ SDO和RDY ）

输出逻辑低电平

输入电流

输入电容

电源

单电源功率范围

双电源功率范围

正电源电流

编程模式电流

阅读模式电流

负电源电流

功耗

电源灵敏度

0.8

2.1

0.6

2.0

0.5

4.9

0.4

2.5

= 0 V

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND ，

= +2.5 V, V

= –2.5 V

= V

或V

= GND

= 5 V

10%

2.7

2.25

0.9

3.5

0.018

0.002

5.5

2.75 V

0.05

0.01

%/%

–2–

第0版

AD5232

参数

符号

条件

-3分贝， BW_10千欧， R = 10 kΩ的

= 1 V有效值，V

= 0 V ， F = 1 kHz时，

= 10 k

= 1 V有效值，V

= 0 V ， F = 1 kHz时，

= 50 k, 100 k

= 5 V, V

= 0 V, V

= V

, V

= 0 V,

= 0.50 ％误差带， 00码

对于R

= 10 k/50 k/100 k

= 5kΩ的中，f = 1千赫

串扰（C

) C

= V

, V

= 0 V ，测量V

同

相邻的VR制作全量程编码变化

= V

, V

= 0 V ，测量V

随着V

= 5 V P-P @ F = 10 kHz时，

CODE

= 80

;代码

= FF

0.1

100

0.15

民

典型值

500

0.022

0.045

最大单位

千赫

纳伏/赫兹÷

nV-s表示

动态特性

5, 9

带宽

总谐波失真

THD

建立时间

电阻的噪声电压

N_WB

0.65/3/6

–5

模拟串扰（C

)

–70

CYC

k个圈

岁月

接口时序特性 - 适用于所有零件

5, 10

时钟周期时间（T

CYC

)

建立时间

CLK关机时间

上升

输入时钟脉冲宽度

, t

时钟电平高或低

从积极CLK转型

数据建立时间

数据保持时间

从积极CLK转型

到SDO -SPI线采集

到SDO -SPI线发布

CLK到SDO传输延迟

= 2.2千欧，C

< 20 pF的

CLK为SDO数据保持时间

= 2.2千欧，C

< 20 pF的

高脉冲宽度

高

RDY崛起

秋天

上升到RDY下降时间

读取/保存到非易失性EEMEM

适用于命令2

, 3

, 9

上升到时钟的上升/下降设置

未显示在时序图

预置脉冲宽度（异步）

PRW

预置的响应时间RDY高t

PRESP

低脉冲来刷新

滑动端位置

Flash / EE存储器可靠性的特点

耐力

数据保留

笔记

典型的参数代表平均读数在25℃和V

= 5 V.

电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻雨刮器之间测量的理想值之间的偏差

志愿服务岗位。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。我

~ 50

@ V

= 2.7 V和

~ 400

@ V

= 5 V对于R

= 10 kΩ的版本，我

~ 50

对于R

= 50 kΩ和我

~ 25

对于R

= 100 kΩ的版本。参见图13 。

INL和DNL在V测量

与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V

= V

和V

= V

。 DNL

规格范围

1 LSB（最大值）保证单调的工作条件。参见图14 。

电阻端子A， B，W对极性没有限制相对于对方。双电源供电使接地参考的双极性信号调整。

通过设计保证，不受生产测试。

共模漏电流是从任何终端A的量度的直流泄漏，B，W与V的共模偏置电平

/2.

转移（ XFR ）模式下的电流是不连续的。电流消耗而EEMEM位置被读出并传送至RDAC寄存器。见TPC 9 。

DISS

从（我计算

) + (I

所有的动态特性采用V

= + 2.5V和V

= -2.5 V，除非另有说明。

看测量值的位置的时序图。所有的输入控制电压与T指定

= t

= 2.5纳秒（10％至90％的3 V）和定时从一个电压电平

的1.5V。同时使用V开关特性进行测量

= 3 V或5 V.

传播延迟取决于V的价值

, R

PULL -UP

和C

。看到应用程序的文本。

有效的命令不激活RDY引脚。

RDY引脚为低电平仅供指令命令8 ， 9 ， 10 ， 2 ， 3，

硬件脉冲： CMD_8 1毫秒; CMD_9,10 0.12毫秒; CMD_2,3 20毫秒。设备操作

在T

= -40°C和V

< 3 V延长保存时间为35毫秒。

耐力是合格100,000次按照JEDEC标准。 22方法A117和V测

= 2.7 V ，T

= -40 ° C至+ 85°C ，典型的续航能力，在25℃

70万次。

保持期限相当于在结温（T

） = 55 ℃，按照JEDEC标准。 22 ，方法A117 。基于0.6EV的活化能保持期限

将与结温降额作为本数据手册的Flash / EE存储器描述部分，如图23所示。该AD5232包含9646

晶体管。芯片尺寸： 69万115万， 7993万平方米。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

第0版

–3–

AD5232

CPHA = 1

CLK

CPOL = 1

LSB OUT

SDO

最高位

SDI

最高位

最低位

RDY

没有定义，但通常LSB CHARACTER先前已传送。

THE CPOL = 1微控制器命令对齐，输入的数据在时钟的上升沿。

图2a。 CPHA = 1时序图

CPHA = 0

CLK

CPOL = 0

SDO

MSB OUT

最低位

SDI

在MSB

最低位

RDY

没有定义，但通常最高位字符的刚刚收到。

THE CPOL = 0单片机对齐命令输入的数据在时钟的上升沿。

图2b 。 CPHA = 0时序图

–4–

第0版

AD5232

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V， + 7V

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +0.3 V， -7 V

到V

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V

, V

到GND 。。。。。。。。。。。。。 V

– 0.3 V, V

+ 0.3 V

– B

, A

– W

, B

– W

断断续续的

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

20毫安

连续的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

2毫安

数字输入和输出电压

GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V ，V

+0.3 V

工作温度范围

。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

最高结温（T

马克斯）。。。。。。。。 150℃

储存温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

封装功耗。。。。。。。。。。。。。（T

马克斯 - T的

热阻结到环境

TSSOP -16 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150 ° C / W

热阻结到外壳

TSSOP -16 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 28 ° C / W

笔记

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

最大终端电流通过的最大电流处理界

开关，封装的最大功耗和最大应用

在任意两个A，B和W端子的电压在给定的阻力。

包括非易失性存储器进行编程。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

在AD5232具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能发生

器件经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施

建议避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

订购指南

模型

AD5232BRU10

AD5232BRU10-REEL7

AD5232BRU50

AD5232BRU50-REEL7

AD5232BRU100

AD5232BRU100-REEL7

数

频道

端至端

(k )

100

温包

包

范围（° C）

说明选项

-40至+85

TSSOP-16

RU-16

数

设备每

集装箱

1,000

品牌*

信息

5232B10

5232B50

5232BC

*线

1包含ADI公司的标志符号和数据代码YYWW ，第2行包含在此列中列出的详细型号。

第0版

–5–

数据表

特点

非易失性存储器，

双256位数字电位计

AD5232

功能框图

ADDR

解码

串行

接口

EEMEM1

RDAC1

CLK

SDI

SDO

双通道， 256位分辨率

为10kΩ ， 50 kΩ的，和100kΩ标称终端电阻

雨刮设定非易失性存储器维护

预定义线性递增/递减指令

预定义±6 dB步数锥度递增/递减

说明

SPI兼容串行接口

雨刮器的设置和EEMEM回读

3 V至5 V单电源供电

±2.5 V双电源供电

14字节的通用用户EEMEM

永久存储器写保护

100年的典型的数据保持（T

= 55°C)

AD5232

RDAC1

POWER- ON

RESET

RDAC2

EEMEM2

RDAC2

RDY

EEMEM

控制

应用

替代机械电位器

仪器仪表：增益和失调电压调整

可编程电压至电流转换

可编程滤波器，延迟，和时间常数

可编程电源

低分辨率DAC的替代

传感器校准

GND

14字节

用户

EEMEM

02618-001

图1 。

概述

该

AD5232

设备提供了非易失性的，双通道

数字控制可变电阻（ VR ）与256位

分辨率。这个设备将执行相同的电子调整

功能机械电位器具有增强的分辨率，

固态可靠性和出色的低温度系数

性能。的多功能编程

AD5232,

Per-

通过微控制器ormed ，允许多个操作模式

和调整。

在直接编程模式中， RDAC的一个预定的设定

寄存器（ RDAC1和RDAC2 ）可直接从被加载

微控制器。操作的另一重要模式允许

在RDACx注册要刷新此前的设置

存储在相应的EEMEM寄存器（ EEMEM1和

EEMEM2 ）。如果更改了该RDACx寄存器

建立一个新的雨刮器位置，设置的值可以是

保存到EEMEMx寄存器通过执行EEMEM保存

操作。设置后保存在EEMEMx寄存器，

这些值将被自动传送到寄存器RDACx

设置在系统上电时滑动端的位置。这样的操作是

由内部预设选通脉冲使能。预置闸门也可以

可以从外部访问。

版本C

文档反馈

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

技术支援

www.analog.com

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

所有内部寄存器的内容也可通过串行数据被读

输出（ SDO ）。这包括RDAC1和RDAC2注册，

相应的非易失性EEMEM1和EEMEM2寄存器，

和14备用用户EEMEM寄存器可用于

常量存储空间。

调整的基本模式是递增和递减

控制滑动端的位置设定命令指示

可向上或向下移动之间的标称电阻的一个步骤

A端和B端这一步调整线性变化

雨刮器到B端电阻（R

）由1位段

该设备的端至端电阻（R

）。对于指数/

在抽头设置对数的变化，左/右移指令

指令来调整水平±6 dB步，这可能是有用的

音频和灯光报警应用。

该

AD5232

可在薄， 16引脚TSSOP封装。

所有部件都保证工作在扩展工业

温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。评估电路板，该

EVAL-AD5232-10EBZ,

是可用的。

AD5232

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

电气特性，为10kΩ ， 50 kΩ的， 100 kΩ的版本。3

接口时序特性............................................... 5

绝对最大额定值............................................... ............. 7

热阻................................................ ...................... 7

ESD注意事项................................................ .................................. 7

引脚配置和功能说明............................. 8

典型性能特征............................................. 9

测试电路................................................ ..................................... 12

工作原理............................................... ....................... 14

便笺簿和EEMEM编程................................. 14

基本操作................................................ .......................... 14

EEMEM保护................................................ .................... 14

数据表

数字输入/输出配置........................................ 14

串行数据接口............................................... .................... 15

菊花链式操作.............................................. .......... 15

先进的控制方式............................................... .......... 17

使用额外的内部，非易失性EEMEM ................... 18

终端电压工作范围......................................... 18

详细电位器操作.......................................... 18

编程可变电阻......................................... 19

编程电位分压器............................... 20

操作的双电源.............................................. ... 20

应用编程实例...................................... 20

设备客户启动顺序

对于PCB校准装置与受保护的设置................ 21

闪存/ EEMEM可靠性.............................................. ............ 21

评估板................................................ ........................ 21

外形尺寸................................................ ....................... 22

订购指南................................................ .......................... 22

修订历史

11/13 -REV 。 B到C版

改变的吨

从25毫秒（最大值）为25毫秒（典型值） ;表2 ............... 5

更改订购指南.............................................. ............ 22

9月11日 - 修订版。 A到版本B

改变电阻噪声电压参数如表1 ............. 4

10月9日 - 修订版。 0到版本A

更新格式................................................ ..................通用

更改数据表标题............................................. ............... 1

更改功能部分.............................................. .............. 1

更改应用程序组.............................................. 1 .......

改变抽头电阻参数，表1 ........................... 3

切换到CS上升到RDY下降时间参数，表2 ........... 5

图的变化2和图3 ........................................... 6 .........

图24 ..............................................变化........................ 12

补充图32 ............................................... .............................. 13

更改串行数据接口部分.................................... 15

更改编程可变电阻部分.......... 19

更改订购指南.............................................. ............ 22

10月1日 - 修订版0 ：初始版

版本C |页24 2

数据表

特定网络阳离子

电气特性，为10kΩ ， 50 kΩ的， 100 kΩ的

= 3V ±10％或5伏±10％和V

= 0 V, V

= +V

, V

= 0 V ， -40°C <牛逼

< + 85 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

直流特性，

变阻器模式

电阻微分非线性

非线性电阻器

标称电阻容差

电阻温度COEF网络cient

滑动端电阻

电位器分模式

决议

微分非线性

积分非线性

分压器温度

系数

满量程误差

零刻度误差

电阻端子

终端电压范围

电容斧，BX

电容蜡质

共模漏电流

5, 6

数字输入和输出

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输出逻辑高电平（ SDO和RDY ）

输出逻辑低电平

输入电流

输入电容

电源

单电源功率范围

双电源功率范围

正电源电流

编程模式电流

阅读模式电流

负电源电流

功耗

电源灵敏度

AD5232

符号

条件

规范适用于所有村

, V

= NC

, V

= NC

民

典型值

最大

单位

R- DNL

R- INL

0.4

±1/2

+0.4

+20

100

= 100 μA ，V

= 5.5 V ，代码= 0X1E

= 100 μA ，V

= 3 V ，代码= 0X1E

0.4

CODE =半秤

代码=满量程

代码=零刻度

F = 1MHz时，测量到GND ，代码=半级

F = 1MHz时，测量到GND ，代码=满量程的一半

= V

相对于GND ，V

= 5 V

相对于GND ，V

= 5 V

相对于GND ，V

= 3 V

相对于GND ，V

= 3 V

相对于GND ，V

= +2.5 V, V

= 2.5 V

相对于GND ，V

= +2.5 V, V

= 2.5 V

引体向上

= 2.2 kΩ至5 V

= 1.6毫安， V

逻辑

= 5 V

= 0 V或V

2.4

600

200

最低位

％ FS

PPM /°C的

位

最低位

％ FS

PPM /°C的

％ FS

%/%

DNL

INL

/ΔT

WFSE

WZSE

, V

, C

DD （ PG ）

DD （ XFR ）

DISS

PSS

±1/2

+0.4

0.01

0.8

2.1

0.6

2.0

0.5

4.9

0.4

±2.5

= 0 V

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND ，

= +2.5 V, V

= 2.5 V

= V

或V

= GND

= 5 V ± 10%

2.7

±2.25

3.5

0.018

0.002

5.5

±2.75

0.05

0.01

0.9

版本C |第24 3

AD5232

参数

动态特性

5, 9

带宽

总谐波失真

建立时间

符号

条件

-3分贝， BW_10kΩ ， R = 10 kΩ的

= 1 V有效值，V

= 0 V ， F = 1千赫，R

= 10 k

= 1 V有效值，V

= 0 V ， F = 1千赫，R

= 50 k, 100 k

= 5 V, V

= 0 V, V

= V

, V

= 0 V,

= 0.50％的误差范围，代码0x00到0x80的代码

对于R

= 10 k/50 k/100 k

= 5kΩ的中，f = 1千赫

= V

, V

= 0 V ，测量V

同

相邻的VR制作全量程编码变化

= V

, V

= 0 V ，测量V

随着V

5 V P-P @ F = 10 kHz的;代码

= 0x80的;代码

= 0xFF的

100

民

典型值

500

0.022

0.045

0.65/3/6

数据表

最大

单位

千赫

THD

电阻的噪声电压

串扰（C

)

模拟串扰（C

)

Flash / EE存储器可靠性

耐力

数据保留

N_WB

纳伏/赫兹÷

用nV-sec

kcycles

岁月

典型的参数代表平均读数在25℃和V

= 5 V.

电阻位置非线性误差（ R- INL ）误差是最大电阻和最小电阻雨刮器之间测量的理想值之间的偏差

位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。我

50 μA @ V

= 2.7 V和I

400 μA @ V

= 5 V对于R

= 10 kΩ的版本，我

50 μA的用于R

= 50 kΩ的版本，我

25 μA对于R

= 100kΩ的版本（见图22）。

INL和DNL在V测量

与RDACx配置为类似于一个电压输出数字 - 模拟转换器的电位计分压器。 V

= V

和V

= V

±1 LSB DNL最大规格限制，保证单调操作条件下（参见图23）。

在A， B和W电阻端子间无极性限制，相对于对方。双电源供电使接地参考的双极信号

调整。

通过设计保证;不受生产测试。

共模泄漏电流的测量，从任意的A，B的直流泄漏，或W端子到V的共模偏置电平

/2.

转移（ XFR ）模式下的电流是不连续的。电流消耗而EEMEMx位置被读出并传送到RDACx寄存器（参见图13）。

DISS

从（我计算

× V

) + (I

× V

所有的动态特性采用V

= + 2.5V和V

= -2.5 V时，除非另有说明。

耐力有资格根据JEDEC标准10万次。 22，方法A117和在-40℃下测得的， + 25 ℃， + 85 ℃。典型的耐力+ 25° C为70万次。

保留期限相当于在结温（T

） = 55 ° C，按照JEDEC标准。 22 ，方法A117 。保持期限，根据0.6电子伏特的激活能，

与结温的额定值下降，如图44中的闪存/ EEMEM可靠性部。该

AD5232

包含9646个晶体管。模具尺寸= 69万× 115万，

7993平方密耳。

版本C |第24 4

数据表

接口时序特性

AD5232

所有的输入控制电压与T指定

= t

= 2.5纳秒（10％至90％的3 V）和从1.5 V开关的电压电平被设定时间

特点是同时使用V测

= 3 V和V

= 5 V.

表2中。

参数

1, 2

时钟周期时间（T

CYC

)

CS建立时间

CLK关机时间CS上升

输入时钟脉冲宽度

数据建立时间

数据保持时间

CS到SDO -SPI线收购

CS到SDO -SPI线发布

CLK到SDO传输延迟

CLK为SDO数据保持时间

CS高脉冲宽度

CS高到CS高

RDY崛起CS下降

CS上升到RDY下降时间

存储/读取EEMEM时间

CS上升到时钟的上升/下降设置

预置脉冲宽度（异步）

预置的响应时间RDY高

符号

, t

PRW

PRESP

条件

时钟电平高或低

从积极CLK转型

民

典型值

最大

= 2.2千欧，C

< 20 pF的

= 2.2千欧，C

< 20 pF的

0.15

0.3

适用于命令指令2 ，命令

指令3 ，和命令指令9

未显示在时序图

PR低脉冲刷新抽头

单位

CYC

通过设计保证;不受生产测试。

参见测量值的位置的时序图部分。

标准结构代表平均读数在25℃和V

= 5 V.

传播延迟取决于V的值

, R

引体向上

和C

有效的命令不激活RDY引脚。

RDY引脚为低电平仅供司令部指令2 ，指令3指令，命令指令8 ，命令指令9 ，命令指令10， PR硬件脉：

CMD_8 1毫秒， CMD_9 = CMD_10 0.12毫秒， CMD_2 = CMD_3 20毫秒。在T设备操作

= -40°C和V

< 3 V延长保存时间为35毫秒。

版本C |第24个5