【数据表特点1024位分辨率非易失性存储器保存抽头设置上电刷新EEMEM设置EEMEM恢复时间： 14】,IC型号AD5231BRUZ100,AD5231BRUZ100 PDF资料,AD5231BRUZ100经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

特点

1024位分辨率

非易失性存储器保存抽头设置

上电刷新EEMEM设置

EEMEM恢复时间： 140微秒（典型值）

全单调的操作

为10kΩ ， 50 kΩ，并将100 kΩ的终端电阻

永久存储器写保护

抽头设置回读

预定义线性递增/递减指令

预定义±6分贝/步数锥度递增/递减

说明

SPI 兼容的串行接口

3 V至5 V单电源或± 2.5 V双电源供电

28字节额外的非易失性存储器，用于用户定义数据

100年的典型的数据保留，T

= 55°C

非易失性存储器，

1024位数字电位计

AD5231

功能框图

CLK

SDI

GND

SDI

串行

接口

ADDR

解码

RDAC

AD5231

RDAC

EEMEM(0)

SDO

RDY

SDO

EEMEM

控制

数字

OUTOUT

卜FF器

EEMEM(1)

02739-001

28个字节

USER EEMEM

图1 。

100

应用

替代机械电位器

仪器仪表：增益，偏移调整

可编程电压至电流转换

可编程滤波器，延迟，时间常数

可编程电源

低分辨率DAC的替代

传感器校准

（D ）中，R

（D）中;标称的R （％

)

256

512

代码（十进制）

768

1023

图2。R

（D ）和R

（四）与十进制码

概述

的AD5231是非易失性存储器

数字控制

电位器

1024步分辨率。该装置执行

相同的电子调整功能作为机械

电位器具有增强的分辨率，固态可靠性，

和远程可控性。在AD5231具有多种编程

使用了16个模式，一个标准的3线串行接口

操作和调整，包括暂存器编程

记忆存储和恢复，递增/递减， ±6分贝/步

登录锥度调整，抽头设置回读，并额外EEMEM

为用户定义的信息，例如用于其它存储器的数据

元件，查找表或系统识别信息。

在暂存器中的编程模式中，一个特定的设置可

直接编程到RDAC寄存器，用于设置

术语非易失性存储器和EEMEM可互换使用。

术语数字电位计和RDAC可互换使用。

Rev. D的

文档反馈

端子W- A和终端W- B之间的电阻。这

设置可以被存储到EEMEM和转移

在系统上电时会自动向RDAC寄存器。

该EEMEM内容可以动态或通过恢复

外部PR选通和WP功能保护EEMEM

内容。为了简化编程，线性步长增量

或递减命令可以用来移动RDAC雨刮器

向上或向下，一步一个脚印的时间。在±6 dB步进命令可以

用来增加一倍或一半的RDAC抽头设置。

该AD5231是采用16引脚TSSOP封装。的部分是

保证工作在扩展工业级温度

范围为-40 ° C至+ 85°C 。

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

技术支援

www.analog.com

02739-002

AD5231

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

电气特性，为10kΩ ， 50 kΩ的， 100 kΩ的版本。3

时序特性，为10kΩ ， 50 kΩ的， 100 kΩ的版本...... 5

绝对最大额定值............................................... ............. 7

ESD注意事项................................................ .................................. 7

引脚配置和功能说明............................. 8

典型性能特征............................................. 9

测试电路................................................ ..................................... 13

工作原理............................................... ....................... 14

暂存器和EEMEM程序.................................. 14

基本操作................................................ .......................... 14

EEMEM保护................................................ .................... 14

数字输入/输出配置........................................ 15

串行数据接口............................................... .................... 15

菊花链运作.............................................. ............... 15

端电压操作范围......................................... 16

上电排序.............................................. ..................... 16

数据表

锁存数字输出............................................... ............. 16

先进的控制方式............................................... .......... 18

RDAC结构................................................ .......................... 19

编程可变电阻......................................... 19

编程电位分压器............................... 20

编程实例................................................ ............ 21

闪存/ EEMEM可靠性.............................................. ............ 22

应用................................................. .................................... 23

双极性工作的双电源.................................... 23

高电压操作............................................... ............. 23

双极性可编程增益放大器................................... 23

10位双极性DAC ............................................. ....................... 23

10位单极性DAC ............................................. .................... 24

可编程电压源升压输出........... 24

可编程电流源............................................... 24

可编程双向电流源......................... 25

阻力缩放................................................ ...................... 25

RDAC电路仿真模型............................................. 26

外形尺寸................................................ ....................... 27

订购指南................................................ .......................... 27

修订历史

3月13日 - 修订版。 C到Rev. D的

加入叔

;表2 ................................................ ............................ 5

更改订购指南.............................................. ............ 27

1月7日 - 修订版。 B到C版

更新格式................................................ ..................通用

更改动态特性规格..................... 4

更改表2脚注............................................. ............... 5

更改表3 .............................................. ............................... 7

更改订购指南.............................................. ............. 27

9月4日 - 修订版。 A到版本B

更新格式................................................ ..................通用

更改表20 .............................................. ........................... 23

更改抵抗缩放部......................................... 25

更改订购指南.............................................. ............. 27

5月4日 - 修订版。 0到版本A

更新格式................................................通用............

编辑特点，概述，并框图1 .......

更改规格............................................... .................. 3

更换时序图............................................... ............... 6

更改引脚功能描述........................................... 8

更改典型性能特征.......................... 9

更改测试电路.............................................. ................... 13

编辑操作理论............................................. ............ 14

编辑应用程序............................................... ........................ 23

更新的外形尺寸............................................... ......... 27

12月1日 - 修订版0 ：初始版

修订版D |页28 2

数据表

特定网络阳离子

电气特性，为10kΩ ， 50 kΩ的， 100 kΩ的

= 3V ±10％或5伏±10 ％以下，V

= 0 V, V

= V

, V

= 0 V ， -40°C <牛逼

< + 85 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

DC特征 -

变阻器模式

电阻微分非线性

电阻积分非线性

标称电阻容差

电阻温度COEF网络cient

滑动端电阻

符号

条件

民

典型值

AD5231

最大

单位

R- DNL

R- INL

ΔR

(ΔR

)/ΔT × 10

, V

= NC ，单调

= NC

D = 0x3FF处

= 100 μA ，V

= 5.5 V,

CODE =半秤

= 100 μA ，V

= 3 V,

CODE =半秤

0.2

±1/2

+1.8

+0.2

+20

100

600

最低位

PPM /°C的

DC特征 -

电位器分频模式

决议

微分非线性

积分非线性

分压器温度

系数

满量程误差

零刻度误差

电阻端子

终端电压范围

电容A，B

电容W

共模漏电流

5, 6

数字输入和输出

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输出逻辑高电平（ SDO ， RDY ）

输出逻辑低电平

输入电流

输入电容

输出电流

DNL

INL

(ΔV

)/ΔT × 10

WFSE

WZSE

A，B ，W

A，B

, I

单调，T

= 25°C

单调，T

= -40 ° C或+ 85°C

CODE =半秤

代码=满量程

代码=零刻度

0.4

±1/2

+1.25

+0.4

1.5

0.01

2.4

0.8

2.1

0.6

2.0

0.5

4.9

0.4

±2.5

位

最低位

PPM /°C的

％ FS

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=半刻度

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=半刻度

= V

相对于GND ，V

= 5 V

相对于GND ，V

= 5 V

相对于GND ，V

= 3 V

相对于GND ，V

= 3 V

相对于GND ，V

= +2.5 V,

= 2.5 V

相对于GND ，V

= +2.5 V,

= 2.5 V

引体向上

= 2.2 kΩ至5 V

（参见图26）

= 1.6毫安， V

逻辑

= 5 V

（参见图26）

= 0 V或V

= 5 V, V

= 0 V ，T

= 25°C

= 2.5 V, V

= 0 V ，T

= 25°C

修订版D |第28 3

AD5231

参数

电源

单电源功率范围

双电源功率范围

正电源电流

负电源电流

EEMEM商店模式电流

符号

（存储）

（还原）

DISS

THD

条件

= 0 V

= V

或V

= GND

= V

或V

= GND ，

= +2.5 V, V

= 2.5 V

= V

或V

= GND ，

= GND ，我

≈ 0

= +2.5 V, V

= 2.5 V

= V

或V

= GND ，

= GND ，我

≈ 0

= +2.5 V, V

= 2.5 V

= V

或V

= GND

ΔV

= 5 V ± 10%

-3分贝，R

= 10 k/50 k/

100 k

= 1 V有效值，V

= 0 V ， F = 1 kHz时，

= 10 k

= 1 V有效值，V

= 0 V ， F = 1 kHz时，

= 50 k, 100 k

= V

, V

= 0 V,

= 0.50 ％误差带，

代码量0x000为0x200

对于R

= 10 k/50 k/100 k

= 5kΩ的中，f = 1千赫

民

2.7

±2.25

2.7

0.5

0.018

0.002

370/85/44

0.045

0.022

1.2/3.7/7

典型值

数据表

最大

5.5

±2.75

单位

%/%

千赫

EEMEM恢复模式电流

0.3

0.05

0.01

功耗

电源灵敏度

动态特性

5, 9

带宽

总谐波失真

建立时间

电阻的噪声电压

N_WB

纳伏/赫兹÷

典型值代表平均的读数在25℃和V

= 5 V.

电阻位置非线性误差（R- INL）是在最大电阻和最小电阻抽头之间测量的理想值之间的偏差

位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。我

50 μA @ V

= 2.7 V和I

400 μA @ V

= 5 V的

= 10 kΩ的版本，我

50 μA的用于R

= 50 kΩ，并将我

25 μA对于R

= 100kΩ的版本（参见图26）。

INL和DNL在V测量

与配置类似的电压输出DAC电位分压器的RDAC 。 V

= V

和V

= V

。的DNL规范极限值

-1 LSB最低保证单调的工作条件（参见图27）。

电阻端子A，电阻端B和电阻端W无极性限制，相对于对方。双电源供电使地面

引用双极性信号调整。

通过设计保证，不受生产测试。

共模泄漏电流的测量，从任何终端的B- W上的直流泄漏到V的共模偏置电平

/2.

EEMEM恢复模式的电流是不连续的。电流消耗而EEMEM位置被读出并传送至RDAC寄存器（参见图23）。为了最大限度地减少

功耗， NOP指令0 （为0x0 ）指令1 （为0x1 ）后，应立即发出。

DISS

从（我计算

× V

) + (I

× V

所有的动态特性采用V

= + 2.5V和V

= 2.5 V.

修订版D |第28 4

数据表

时序特性，为10kΩ ， 50 kΩ的， 100 kΩ的

= 3 V至5.5 V ，V

= 0 V和-40°C <牛逼

< + 85 ℃，除非另有说明。

表2中。

参数

接口时序特性

2, 3

时钟周期时间（T

CYC

)

CS建立时间

CLK关机时间CS上升

输入时钟脉冲宽度

数据建立时间

数据保持时间

CS到SDO -SPI线收购

CS到SDO -SPI线发布

CLK到SDO传输延迟

CLK为SDO数据保持时间

CS高脉冲宽度

CS高到CS高

RDY崛起CS下降

CS上升到RDY下降时间

存储/读取EEMEM时间

上电EEMEM恢复时间

动态EEMEM恢复时间

WP高或低到CS下降时间

CS上升到时钟的上升/下降设置

预置脉冲宽度（异步）

预置的响应时间抽头设置

Flash / EE存储器可靠性

耐力

数据保留

AD5231

符号

, t

EEMEM1

EEMEM2

PRW

PRESP

条件

民

典型值

最大

单位

CYC

μs

kcycles

岁月

时钟电平高或低

从积极CLK转型

= 2.2千欧，C

< 20 pF的

= 2.2千欧，C

< 20 pF的

0.1

140

100

0.15

适用于指导0X2 ， 0x3的，和0x9

= 10 kΩ

未显示在时序图

PR低脉冲刷新抽头

典型值代表平均的读数在25℃和V

= 5 V.

通过设计保证，不受生产测试。

看时序图（图3和图4），用于测量值的位置。所有的输入控制电压与T指定

= t

= 2.5纳秒（10％至90％的3伏），并定时

从1.5 V的电压电平转换特性，同时使用V测

= 3 V和V

= 35 V.

传播延迟取决于V的值

, R

引体向上

和C

有效的命令不激活RDY引脚。

RDY引脚为低电平，只为说明2 ， 3 ， 8 ， 9 ， 10， PR硬件脉： CMD_2 ， 3 20毫秒; CMD_8 1毫秒; CMD_9 ， 10 0.12毫秒。在T设备操作

= -40 ° C和

< 3 V延长EEMEM店时间35毫秒。

耐力有资格根据JEDEC 22标准方法A117 10万次，并在-40°C测量， + 25 ° C和+ 85°C ;典型的耐力+ 25° C为70万次。

保持期限相当于在结温（T

） =每JEDEC标准22 55 ° C，方法A117 。基于0.6 eV的活化能保持期限

随着结温递减，如图45中的闪存/ EEMEM可靠性部。

修订版D |第28 5