【a非易失性存储器，1024位数字电位器AD5231*功能框图CSCLKSDIGNDSDI串行接口EE】,IC型号AD5231BRU50,AD5231BRU50 PDF资料,AD5231BRU50经销商,ic,电子元器件-51电子网

a

非易失性存储器，

1024位数字电位器

AD5231

*

功能框图

CS

CLK

SDI

GND

SDI

串行

接口

EEMEM1

ADDR

解码

RDAC

注册

特点

非易失性存储器

1

预设保持雨刮器设置

1024位分辨率

全单调的操作

10 K， 50 K和100 K时终端电阻

永久存储器写保护

游标设置回读

线性递增/递减

登录锥度递增/递减

按钮递增/递减兼容

SPI与回读功能兼容的串行接口

3 V至5 V单电源或2.5 V双电源供电

28字节用户非易失性存储器常量存储

100年典型数据保持牛逼

A

= 55 C

应用

替代机械电位器

仪器仪表：增益，偏移调整

可编程电压至电流转换

可编程滤波器，延迟，时间常数

线阻抗匹配

电源调整

低分辨率DAC的替代

AD5231

RDAC

V

DD

A

W

B

SDO

WP

RDY

SDO

EEMEM

控制

数字

注册

2

O1

数字

产量

卜FF器

O2

EEMEM2

28个字节

USER EEMEM

PR

V

SS

100

R

WA

（D ）中，R

WB

（ D） - ％R - 标称的百分比

AB

R

WA

R

WB

75

概述

50

该AD5231提供数字控制的非易失性存储器

电位器

2

与1024位分辨率。这些设备

执行相同的电子调整功能作为机械

电位器。在AD5231的通过标多功能编程

准3线串行接口允许操作16模式和

调整后，包括便笺程序，内存stor-

荷兰国际集团和检索，递增/递减，登录锥度调整，

抽头设置回读，和额外的用户定义EEMEM 。

在高速暂存编程模式下，一个特定的设置可

直接编程至RDAC

2

寄存器，它设置电阻

tance在终端W- A和W- B 。该RDAC寄存器也可以

加载与预先存储在EEMEM一个值

1

寄存器

之三。在EEMEM的值是可以改变的或受保护的。

更改时至RDAC寄存器的值

新的设置可以被保存到EEMEM 。此后，这样的价值

期间，将自动转移到RDAC寄存器

系统电源。它是由内部预设选通脉冲使能。

EEMEM也可以通过直接的编程检索和

外部预设引脚控制。

25

0

256

512

CODE - 十进制

768

1023

图1。R

WA

（D ）和R

WB

（四）与十进制码

其他业务包括线性步递增和递减

命令，使得在所述RDAC寄存器的设定可以

向上或向下移动，一步一个脚印的时间。对数变化

在电刷设置，一个左/右移位指令来调整电平

in

±

6分贝步骤。

该AD5231是薄TSSOP -16封装。所有部件

保证工作在扩展工业温度

TURE范围为-40 ° C至+ 85°C 。

笔记

1

术语非易失性存储器和EEMEM可互换使用。

2

术语数字电位计和RDAC可互换使用。

*专利

PENDING

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式

在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2001

AD5231–SPECIFICATIONS

电气特性10 K， 50 K， 100千

(V

DD

= 3 V

参数

DC特性

变阻器模式

电阻微分非线性

2

电阻积分非线性

2

标称电阻容差

电阻温度COEF网络cient

滑动端电阻

版本

民

典型值

1

最大

单位

10％或5伏

10％和V

SS

= 0 V, V

A

= +V

DD

, V

B

= 0 V ， -40℃ <牛逼

A

< 85 ℃，除非另有说明。）

符号

条件

R- DNL

R- INL

R

WB

R

AB

/ T

R

W

R

WB ，

V

A

= NC ，单调

R

WB ，

V

A

= NC

D = 3FF

H

I

W

= 100

A,

V

DD

= 5.5 V,

代码=半刻度

I

W

= 100

A,

V

DD

= 3 V,

代码=半刻度

–1

–0.2

–40

±

1/2

600

15

50

+1.8

+0.2

+20

100

最低位

％ FS

%

PPM /°C的

DC特性

电位器分频模式

决议

微分非线性

3

积分非线性

3

分压器温度系数

满量程误差

零刻度误差

电阻端子

终端电压范围

4

电容

5

A，B

电容

5

W

共模漏电流

5, 6

数字输入和输出

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输出逻辑高电平（ SDO ， RDY ）

输出逻辑低电平

输入电流

输入电容

5

输出电流

5

电源

单电源功率范围

双电源功率范围

正电源电流

编程模式电流

阅读模式电流

7

负电源电流

功耗

8

电源灵敏度

5

I

O

I

OL

动态特性

5, 9

带宽

总谐波失真

N

DNL

INL

V

W

/ T

V

WFSE

V

WZSE

V

A，B ，W

C

A，B

C

W

I

CM

V

IH

V

IL

V

IH

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

V

OL

I

IL

C

IL

I

O1,

I

O2

单调，T

A

= 25°C

单调，T

A

= -40 ° C或+ 85°C

代码=半刻度

代码=满量程

代码=零刻度

10

–1

–0.4

–3

0

V

SS

±

1/2

15

+1

+1.25

+0.4

0

+1.5

V

DD

位

最低位

％ FS

PPM /°C的

％ FS

V

pF

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=半刻度

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=半刻度

V

W

= V

DD

/2

相对于GND ，V

DD

= 5 V

相对于GND ，V

DD

= 5 V

相对于GND ，V

DD

= 3 V

相对于GND ，V

DD

= 3 V

相对于GND ，

V

DD

= +2.5 V, V

SS

= –2.5 V

相对于GND ，

V

DD

= +2.5 V, V

SS

= –2.5 V

R

引体向上

= 2.2 kΩ至5 V

I

OL

= 1.6毫安， V

逻辑

= 5 V

V

IN

= 0 V或V

DD

V

DD

= 5 V, V

SS

= 0 V ，T

A

= 25°C

V

DD

= 2.5 V, V

SS

= 0 V ，T

A

= 25°C

V

SS

= 0 V

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND ，

V

DD

= +2.5 V, V

SS

= –2.5 V

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND

V

DD

= 5 V

±

10%

-3 dB时， R = 10千欧/ 50千欧/ 100千欧

V

A

= 1 V

RMS

, V

B

= 0 V ， F = 1 kHz时，

R

AB

= 10 k

V

A

= 1 V

RMS

, V

B

= 0 V ， F = 1 kHz时，

R

AB

= 50 k, 100 k

2.7

±

2.25

0.3

2.4

50

0.01

1

A

V

0.8

2.1

0.6

2.0

0.5

4.9

0.4

±

2.5

4

50

7

5.5

±

2.75

10

9

10

0.05

0.01

V

A

pF

mA

V

A

mA

A

mW

%/%

千赫

%

V

DD

V

DD

/V

SS

I

DD

I

DD （ PG ）

I

DD （ XFR ）

I

SS

P

DISS

P

SS

BW

THD

W

THD

W

2.7

40

3

0.5

0.018

0.002

370/85/44

0.022

0.045

–2–

第0版

AD5231

参数

V

W

建立时间

符号

t

S

条件

V

A

= V

DD

, V

B

= 0 V,

V

W

= 0.50 ％误差带，

代码000

H

200

H

对于R

AB

= 10 k

/50 k

/100 k

民

典型值

1

1.2/3.7/7

最大

单位

s

电阻的噪声电压

e

N_WB

R

WB

= 5kΩ的中，f = 1千赫

9

纳伏/赫兹÷

笔记

1

标准结构代表平均读数在25℃和V

DD

= 5 V.

2

电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻抽头之间的理想值之间的偏差。

R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。我

W

~ 50

A

@ V

DD

= +2.7 V和I

W

~ 400

A

@ V

DD

= + 5V用于R

AB

= 10 k

版本，我

W

50 A用于R

AB

= 50 kΩ和我

W

25 A用于R

AB

= 100 kΩ的版本。见测试电路如图12所示。

3

INL和DNL在V测量

W

与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V

A

= V

DD

和V

B

= V

SS

。 DNL

-1 LSB最小规格限制，保证单调的工作条件。见测试电路如图13所示。

4

电阻端子A，B和W的极性没有限制相对于彼此。双电源OPERAT离子使接地参考的双极性信号调整。

5

通过设计保证，不受生产测试。

6

共模泄漏电流的测量，从任何终端B的直流泄漏和W与V的共模偏置电平

DD

/2.

7

转移（ XFR ）模式下的电流是不连续的。电流消耗而EEMEM位置被读出并传送至RDAC寄存器。见TPC 19 。

8

P

DISS

从（我计算

DD

V

DD

) + (I

SS

V

SS

).

9

所有的动态特性采用V

DD

= + 2.5V和V

SS

= –2.5 V.

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

电气特性10 K， 50 K， 100千

(V

DD

= 3 V至5.5 V和-40℃ <牛逼

A

< 85 ℃，除非另有说明。）

参数

接口时序

特征

2, 3

时钟周期时间（T

CYC

)

CS

建立时间

CLK关机时间

CS

上升

输入时钟脉冲宽度

数据建立时间

数据保持时间

CS

到SDO -SPI线采集

CS

到SDO -SPI线发布

CLK到SDO传输延迟

4

CLK为SDO数据保持时间

CS

高脉冲宽度

5

CS

高

CS

高

5

RDY崛起

CS

秋天

CS

上升到RDY下降时间

读取/保存到非易失性EEMEM

6

CS

上升到时钟的上升/下降设置

预置脉冲宽度（异步）

预置的响应时间RDY高

Flash / EE存储器可靠性

耐力

7

数据保留

8

版本

民

典型值

1

最大

单位

符号

条件

t

1

t

2

t

3

t

4

, t

5

t

6

t

7

t

8

t

9

t

10

t

11

t

12

t

13

t

14

t

15

t

16

t

17

t

PRW

t

PRESP

时钟电平高或低

从积极CLK转型

R

P

= 2.2千欧，C

L

< 20 pF的

R

P

= 2.2千欧，C

L

< 20 pF的

20

10

1

10

5

40

50

0

10

4

0

0.1

0.15

25

10

50

70

100

适用于命令2

H

, 3

H

, 9

H

未显示在时序图

PR

低脉冲来刷新

滑动端位置

ns

t

CYC

ns

t

CYC

ns

ms

s

k个圈

岁月

笔记

1

标准结构代表平均读数在25℃和V

DD

= 5 V.

2

通过设计保证，不受生产测试。

3

看测量值的位置的时序图。所有的输入控制电压与T指定

R

= t

F

= 2.5纳秒（10％至90％的3 V）和定时从一个电压电平

的1.5V。同时使用V开关特性进行测量

DD

= 3 V和5 V.

4

传播延迟取决于V的价值

DD

, R

PULL -UP

和C

L

。看到应用程序的文本。

5

有效的命令不激活RDY引脚。

6

RDY引脚为低电平，只为命令2 ， 3 ， 8 ， 9 ， 10， PR硬件脉冲： CMD_8 1秒; CMD_9,10 0.12秒; CMD_2,3 20秒。在T设备操作

A

= –40 C

和V

DD

< +3 V延长保存时间为35秒。

7

耐力是合格100,000次按照JEDEC标准。 22方法A117 ，并在-40℃ ， 25 ℃， 85 ℃下测定;典型的耐力，在25℃ 70万次。

8

保持期限相当于在结温（T

J

）= 55 C按照JEDEC标准。 22 ，方法A117 。基于0.6 eV的活化能保持期限

将与结温降额作为本数据手册的Flash / EE存储器说明部分，如图20所示。该AD5231包含9646个晶体管。

芯片尺寸： 69万115万， 7993万平方米。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

第0版

–3–

AD5231

CPHA = 1

CS

t

12

t

3

t

2

CLK

CPOL = 1

t

13

t

1

t

5

t

4

t

10

t

17

t

11

LSB OUT

t

8

SDO

t

9

*

最高位

t

7

t

6

SDI

最高位

最低位

t

14

RDY

t

15

t

16

*不

的定义，但通常LSB CHARACTER先前已传送。

THE CPOL = 1微控制器命令对齐，输入的数据在时钟的上升沿。

图2a。 CPHA = 1时序图

CS

CPHA = 0

t

12

t

1

t

2

CLK

CPOL = 0

t

3

t

5

t

17

t

13

t

4

t

8

t

10

t

11

t

9

SDO

MSB OUT

最低位

*

t

7

t

6

SDI

在MSB

最低位

t

14

RDY

t

15

t

16

*不

的定义，但通常最高位字符的刚刚收到。

THE CPOL = 0单片机对齐命令输入的数据在时钟的上升沿。

图2b 。 CPHA = 0时序图

–4–

第0版

AD5231

绝对最大额定值

1

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明）

V

DD

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V， + 7V

V

SS

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +0.3 V， -7 V

V

DD

到V

SS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V

V

A

, V

B

, V

W

到GND 。。。。。。。。。。。。。 V

SS

– 0.3 V, V

DD

+ 0.3 V

A-B ， A- W，B -W

断断续续的

2

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

20毫安

连续的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

2毫安

数字输入和输出电压GND

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V, V

DD

+ 0.3 V

工作温度范围

3

。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

最高结温（T

J

马克斯）。。。。。。。。。 150℃

储存温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

热阻结到环境

JA

,

TSSOP -16 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150 ° C / W

热阻结到外壳

JC

,

TSSOP -16 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 28 ° C / W

封装功耗= （T

J

马克斯 - T的

A

)/

JA

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力等级;该装置的功能操作

在这些或以上的在这个业务部门所列出的条件

特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，

长时间可能会影响器件的可靠性。

2

最大终端电流通过的最大电流处理界

开关，封装的最大功耗和最大应用

在任意两个A，B和W端子的电压在给定的阻力。

3

包括非易失性存储器的编程

订购指南

模型

AD5231BRU10

AD5231BRU10-REEL7

AD5231BRU50

AD5231BRU50-REEL7

AD5231BRU100

AD5231BRU100-REEL7

R

AB

温包

包

（ k）的范围（ C）

说明选项

10

50

100

-40至+85

TSSOP-16

RU-16

订购

QUANTITY

96

1,000

96

1,000

96

1,000

顶标*

5231B10

5231B50

5231BC

*线

1包含ADI公司的标志符号和日期代码YYWW ;第2行包含在此列中列出的详细型号。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

在AD5231具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能发生

器件经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施

建议避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

第0版

–5–

初步的技术数据

a

特点

非易失性存储器预置保持雨刮器设置

AD5231单， 1024位分辨率

AD5232双通道， 256位分辨率

AD5233四通道， 64位分辨率

10K ， 50K ， 100K欧姆的终端电阻

线性或对数锥度设置

递增/递减命令，按钮命令

SPI兼容的串行数据输入与回读功能

+3到+ 5V单电源或± 2.5V双电源供电

用户EEMEM非易失性存储器，用于存储常量

应用

替代机械电位器

仪器仪表：增益，偏移调整

可编程电压至电流转换

可编程滤波器，延迟，时间常数

线阻抗匹配

电源调整

DIP开关设置

CS

CLK

SDI

非易失性存储器

数字电位器

AD5231/AD5232/AD5233

功能方框图

公元523 1

AD DR

ECO D E

V

DD

A

1

W

1

SDI

发E - [R IA升

在T E的R F一权证

RDAC1

- [R E G IS T E

RDAC1

GND

EEMEM1

B

1

SDO

WP

RDY

PR

SDO

EEMEM

C ON TR 0 1

28 B Y形释

USER EEMEM

IG IT A L 2

- [R E G IS T E

2

IG IT A L

本安输出

卜FFER

O

1

O

2

V

SS

EEMEM2

CS

LK

SDI

发E - [R IA升

在T E的R F一权证

AD ，D R

EC D E

A D 5232

RDAC1

- [R E G IS T E

RDAC1

V

DD

A

1

W

1

概述

在AD5231 / AD5232 / AD5233系列可提供一个单

/双/四通道，数字控制可变电阻（ VR ）

随着1024/256/64位置分别决议。这些

设备执行相同的电子调整功能作为

电位计或可变电阻器。该AD523X的多功能

通过微控制器编程允许多种模式

操作和调节。

在直接编程模式的一个预定的设定

RDAC寄存器可以直接从微控制器被加载。

操作的另一个重要模式使RDAC寄存器是

刷新与设置预先存储在EEMEM

注册。更改时至RDAC寄存器

建立一个新的雨刮器位置，设置的值可以是

保存到EEMEM通过执行EEMEM保存

操作。一旦设置被保存在EEMEM寄存器

这些值将被自动转移到RDAC

寄存器来设置，在系统上电抽头位置。这样

操作由内部预设选通脉冲和预先设定的允许

也可以从外部访问。

调整的基本模式是递增和递减

指挥控制雨刮位置的当前设置

设置（ RDAC ）寄存器。内部便笺式RDAC寄存器

可以移动UP或DOWN时，标称终端的一个步骤

终端A-和-B之间的电阻。这种线性变化的

雨刮器到B终端电阻（R

WB

）通过一个位置段

该设备的端至端电阻（R

AB

）。为

在抽头设置指数/对数变化，左/右

变速指令调整水平+/- 6分贝步骤，其可以是

实用的声光报警的应用程序。

该AD523X是在薄TSSOP封装。所有

件，保证工作在扩展工业

温度范围-40C至+ 85C的。

REV PRF 3月22日01

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用;也为专利的任何侵犯

第三方的，这可能导致其使用的或其他权利。没有获发牌照以

暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

GND

EEM EM 1

B

1

RDAC2

A

2

W

2

SDO

WP

RDY

PR

SDO

EEM EM

CONTRO L

14字节

用户EEM EM

RDAC2

- [R E G IS T E

EEM EM 2

B

2

V

SS

CS

LK

SDI

发E - [R IA升

在T E的R F一权证

AD ，D R

EC D E

A D 5233

RDAC1

- [R E G IS T E

RDAC1

V

DD

A

1

W

1

EEM EM 1

B

1

RDAC2

A

2

W

2

SDO

WP

RDY

GND

SDO

EEM EM

CONTRO L

RDAC2

- [R E G IS T E

EEM EM 2

11被T ES

用户EEM EM

B

2

O

1

O

2

IG IT A L

产量

卜FF器

2

RDAC3

- [R E G IS T E

RDAC3

A

3

W

3

EEM EM 3

B

3

RDAC4

A

4

W

4

IG IT A L 5

- [R E G IS T E

PR

EEM EM 5

RDAC4

- [R E G IS T E

EEM EM 4

B

4

V

SS

一个技术的方式， P.O.盒9106 ，

诺伍德，MA 02062-9106 ü

.

S

.

A

.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 617 / 326-8703

ADI公司， 1999

初步的技术数据

AD5231 / AD5232 / AD5233 -

特定网络阳离子

电气特性10K ， 50K ， 100K OHM VERSIONS

(V

DD

= + 3V， ± 10％或+ 5V±10％和V

SS

=0V,

V

A

= +V

DD

, V

B

= 0V ， -40°C <牛逼

A

< + 85 ℃，除非另有说明。）

参数

电阻微分非线性

2

非线性电阻器

2

标称电阻容差

电阻温度系数

滑动端电阻

符号

R- DNL

R- INL

R

AB

/T

R

W

R

W

N

INL

DNL

V

W

/T

V

WFSE

V

WZSE

V

A，B ，W

C

A，B

C

W

I

CM

V

IH

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

V

OH

V

OL

I

IL

C

IL

V

DD

V

DD

/V

SS

I

DD

I

DD （ PG ）

I

DD （ READ ）

I

SS

P

DISS

PSS

条件

R

WB

, V

A

nC

R

WB

, V

A

nC

T

A

= 25 ° C，V

AB

= V

DD

，雨刮器（V

W

） =无连接

VAB = VDD ，雨刮器（V

W

） =无连接

I

W

= 1 V / R ，V

DD

= +5V

I

W

= 1 V / R ，V

DD

= +3V

AD5231/AD5232/AD5233

民

-1

-30

典型值

1

最大

+1

30

单位

最低位

％ FS

%

PPM /°C的

位

％ FS

最低位

PPM /°C的

％ FS

直流特性变阻器模式规范适用于所有村

±1/4

±1/2

500

50

200

100

直流特性电位器分频模式规范适用于所有村

决议

积分非线性

3

微分非线性

3

分压器温度系数

满量程误差

零刻度误差

电阻端子

电压范围

4

电容

5

AX ，BX

电容

5

Wx

共模漏电流

6

数字输入输出&

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输出逻辑高电平

输出逻辑低电平

输入电流

输入电容

5

电源

单电源功率范围

双电源功率范围

正电源电流

编程模式电流

阅读模式电流

13

负电源电流

功耗

7

电源灵敏度

动态特性

5, 8

带宽-3dB

总谐波失真

V

W

建立时间

电阻的噪声电压

串扰（C

W1

/C

W2

)

BW_10K

THD

W

t

S

e

N_WB

C

T

R = 10kΩ的

V

A

= 1VRMS ，V

B

= 0V ， F = 1KHz的

V

A

= V

DD

, V

B

= 0V ，终值50 ％

对于R

AB

= 10K/50K/100K

R

WB

= 5KΩ中，f = 1KHz的

V

A

= V

DD

, V

B

= 0V ，测量V

W

与相邻

VR充分规模的变化

600

0.003

1/3/6

9

-65

千赫

%

s

nV√Hz

dB

V

SS

= 0V

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND ，V

DD

= 2.5V, V

SS

= -2.5V

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND

V

DD

= +5V ±10%

2.7

±2.25

2

35

0.9

5.5

±2.75

20

9

10

0.1

0.01

V

A

mA

A

mW

%/%

相对于GND ， VDD = 5V

相对于GND ， VDD = 3V

R

引体向上

= 2.2KΩ到+ 5V

I

OH

= 40μA ，V

逻辑

= +5V

I

OL

= 1.6毫安，V

逻辑

= +5V

V

IN

= 0V或V

DD

2.4

0.8

2.1

0.6

4.9

4

0.4

±1

5

V

A

pF

V

SS

F = 1MHz时，测量到GND ，代码=半级

V

A

= V

B

= V

DD

/2

45

60

0.01

V

DD

V

pF

A

10 / 8 / 6

–1

–3

0

±1/2

±1/4

15

+1

+0

+3

代码=半刻度

代码=满量程

代码=零刻度

1

0.002

注：请参阅表下页的底部。

REV PRF

2

3月22日'01

包含在这个初步数据表中的信息描述了在早期定义阶段的产物。但不保证该

这里包含的信息将成为其目前的形式最终产品。有关最新信息，请联系华Heinzer / ADI公司，圣诞老人

圣克拉拉， CA。电话：（ 408 ） 382-3107 ;传真：（408 ） 382-2708 ; walt.heinzer@analog.com

初步的技术数据

AD5231 / AD5232 / AD5233 -

特定网络阳离子

电气特性10K ， 50K ， 100K OHM VERSIONS

（ v = + 3V ±10 ％到+ 5V±10％和V = 0V

DD

SS

V

A

= +V

DD

, V

B

= 0V ， -40°C <牛逼

A

< + 85 ℃，除非另有说明。）

参数

符号

条件

民

20

10

5

0

10

1

典型值

1

最大

单位

ns

ms

ns

ms

ns

us

接口时序特性适用于所有的零部件（注5,9 ）

时钟周期时间

t

1

输入时钟脉冲宽度

t

2

, t

3

时钟电平高或低

CS

建立时间

t

4

数据建立时间

t

5

从积极CLK转型

数据保持时间

t

6

从积极CLK转型

CLK停机时间

t

7

CS

上升到时钟上升沿设置

t

8

CS

高脉冲宽度

t

9

CLK到SDO传输延迟

10

t

10

R

P

= 1kΩ的，C

L

< 20pF的

11

保存到非易失EEMEM节省时间

t

12

适用于命令2

H

, 3

H

, 9

H

CS

到SDO - SPI线采集

t

13

CS

到SDO - SPI线发布

t

14

RDY崛起

CS

秋天

t

15

启动时间

t

16

CLK建立时间

t

17

1 CLK周期（T

4

- t

3

= 1 CLK周期）

预置脉冲宽度（异步）

t

PR

预设响应时间

t

PRESP

PR

脉冲低再高

注意事项：

1.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

8.

9.

10.

11.

12.

13.

25

50

70

标准结构代表的平均读数为+ 25°C和V

DD

= +5V.

电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻抽头之间的理想值之间的偏差。 R- DNL测量

相对阶跃变化，从连续抽头位置之间的理想。部分保证单调性。我

W

= V

DD

/ R为V

DD

= + 3V或V

DD

=+5V.

INL和DNL在V测量

W

与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V

A

= V

DD

和V

B

= V

SS

.

± 1LSB最大DNL规范极限值保证单调的工作条件。

电阻端子A， B，W对极性没有限制相对于对方。

通过设计保证，不受生产测试。

共模漏电流是从任何终端A中的DC泄漏的量度，B，W与V的共模偏置电平

DD

/ 2.

P

DISS

从（我计算

DD

X V

DD

) + (I

SS

X V

SS

).

所有的动态特性采用V

DD

= +5V.

看测量值的位置的时序图。所有的输入控制电压与T指定

R

=t

F

=为2.5ns （10％至90％为3V ），并在1.5V的电压电平的定时。开关

特点是同时使用V测

DD

= + 3V或+ 5V 。

传播延迟取决于V的价值

DD

, R

PULL -UP

和C

L

看到应用程序的文本。

低仅对指令命令8 ， 9,10 ，2，3 ： CMD_8 1毫秒; CMD_9,10 0.12ms ; CMD_2,3 20ms的

双电源供电主要影响POT终端。

阅读模式的电流是不连续的。

时序图

LK

t

17

t

4

t

1

t

3

t

2

t

7

t

8

t

9

CS

t

5

t

6

SDI

t

13

最高位

t

10

最低位

t

14

SDO

1

SDO

2

最高位

t

15

最低位

t

16

t

12

RDY

SD

1

LK ID LES 1。· W

SD

2

LK ID LES IG

图1.时序图

REV PRF

3

3月22日'01

包含在这个初步数据表中的信息描述了在早期定义阶段的产物。但不保证该

这里包含的信息将成为其目前的形式最终产品。有关最新信息，请联系华Heinzer / ADI公司，圣诞老人

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初步的技术数据

非易失性存储器数字电位器

AD5231/AD5232/AD5233

绝对最大额定值

(

T

A

= + 25 ° C，除非

另有说明）

V

DD

到GND ................................................ ..............- 0.3 ， + 7V

V

SS

到GND ................................................ ................. 0V ， -7V

V

DD

到V

SS

.........................................................................+7V

V

A

, V

B

, V

W

到GND ................................................ ..V

SS

, V

DD

A

X

– B

X

, A

X

– W

X

, B

X

– W

X

间歇性................................................. .. ± 20毫安

连续................................................. .. ± 1.3毫安

O

x

到GND ................................................ .................. 0V ，V

DD

数字输入&输出电压GND .................. 0V ， + 7V

工作温度范围........................ -40 ° C至+ 85°C

最高结温（T

j max的情况

) .................. +150°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

引线温度（焊接， 10秒） ......................... + 300℃

封装功耗........................ （T

JMAX

- T

A

) /

θ

JA

热阻

θ

JA ，

TSSOP- 16 ............................................... ...... 150 ° C / W

TSSOP -24 ............................................... ...... 128 ° C / W

订购指南

模型

AD5231BRU10

AD5231BRU10-REEL7

AD5231BRU50

AD5231BRU50-REEL7

AD5231BRU100

AD5231BRU100-REEL7

AD5232BRU10

AD5232BRU10-REEL7

AD5232BRU50

AD5232BRU50-REEL7

AD5232BRU100

AD5232BRU100-REEL7

AD5233BRU10

AD5233BRU10-REEL7

AD5233BRU50

AD5233BRU50-REEL7

AD5233BRU100

AD5233BRU100-REEL7

数

频道

X1

X2

X4

端到端

R（千欧）

10

50

100

10

50

100

10

50

100

温度

范围

-40/+85°C

包

描述

TSSOP-16

TSSOP-24

包装#Devices

顶标

每个容器的选择

RU-16

RU-24

1,000

在AD5231 / AD5232 / AD5233包含9646个晶体管。

芯片尺寸： 69密耳× 115万， 7993万平方米

REV PRF

4

3月22日'01

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这里包含的信息将成为其目前的形式最终产品。有关最新信息，请联系华Heinzer / ADI公司，圣诞老人

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初步的技术数据

非易失性存储器数字电位器

AD5231/AD5232/AD5233

AD5231

引脚配置

O1

1

CLK

2

SDI

3

SDO

4

GND

5

V

SS

6

T1

7

B1

8

16

O2

15

RDY

14

CS

13

PR

12

WP

11

V

DD

10

A1

9

W1

AD5232

引脚配置

CLK

SDI

SDO

GND

V

SS

A1

W1

B1

1

2

3

4

5

6

7

8

16

RDY

15

CS

14

PR

13

WP

12

V

DD

11

A2

10

W2

9

B2

AD5231引脚功能说明

＃姓名

描述

1

2

3

4

O1

CLK

SDI

SDO

非易失性数字输出＃ 1 ， ADDR （ 01 ） =

1H ，数据比特位D0

串行输入寄存器时钟引脚。在一个班次

位在时间上正时钟CLK的边缘。

串行数据输入引脚。

串行数据输出引脚。开漏输出

需要外部上拉电阻。命令9

& 10启动SDO输出。请参阅指令

操作真值表。其他命令转移

推迟了以前加载的位模式

由24个时钟脉冲。这允许菊花链

多包操作。

接地引脚，逻辑接地参考。

负电源。连接到零伏特

单电源应用。

在工厂测试模式用于数字输入。

离开引脚悬空或连接到V

DD

或V

SS

.

RDAC1的B端子。

RDAC1的滑动端，

ADDR（ RDAC1 ） = 0的

H

RDAC1的终端。

正电源引脚。应

≥

该

输入逻辑高电压。

写保护引脚。当低电平有效

WP

防止任何改变本发明的内容

除了检索EEMEM内容

复位。

硬件，轻搭预设引脚。刷新

暂存寄存器的当前内容

在EEMEM寄存器。出厂默认加载

中间值200

H

直到EEMEM加载有

由用户新值（编排是在激活

上升的逻辑高电平跳变）

串行寄存器片选低电平有效。串行

注册操作发生时，

CS

回报

为逻辑高电平。

准备好了。高电平有效开漏输出。

识别命令2，3， 8,9的完成，

10.

非易失性数字输出＃2 ，ADDR （O 2） =

1H，数据比特位置D1 。

AD5232引脚功能说明

＃姓名

描述

1

2

3

CLK

SDI

SDO

串行输入寄存器时钟引脚。在一个班次

位在时间上正时钟边沿。

串行数据输入引脚。移在一个位在一个

时间正时钟CLK的边缘。

串行数据输出引脚。开漏输出

需要外部上拉电阻。命令9

& 10启动SDO输出。请参阅指令

操作真值表。其他命令转移

推迟了以前加载的位模式

由16个时钟脉冲。这允许菊花链

多包操作。

接地引脚，逻辑接地参考

负电源。连接到零伏特

单电源应用。

RDAC1的终端。

RDAC1的滑动端，

ADDR（ RDAC1 ） = 0的

H

.

RDAC1的B端子。

RDAC2的B端子。

RDAC2的滑动端，

ADDR（ RDAC2 ）= 1

H

.

RDAC2的终端。

正电源引脚。应

≥

该

输入逻辑高电压。

写保护引脚。当低电平有效，

WP

防止任何改变本发明的内容，

除了检索EEMEM内容

复位。

硬件，轻搭预设引脚。刷新

暂存寄存器的当前内容

在EEMEM寄存器。出厂默认加载

中间值80

H

直到EEMEM装入一个新

值由用户（ PR被在逻辑激活

高转换）。

串行寄存器片选低电平有效。串行

注册操作发生时，

CS

回报

为逻辑高电平。

准备好了。高电平有效开漏输出。

识别命令2，3， 8,9的完成，

10.

5

6

7

8

9

10

11

12

GND

V

SS

T1

B1

W1

A1

V

DD

WP

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

GND

V

SS

A1

W1

B1

B2

W2

A2

V

DD

WP

13

PR

14

PR

14

CS

15

CS

15

RDY

16

RDY

16

O2

REV PRF

5

3月22日'01

包含在这个初步数据表中的信息描述了在早期定义阶段的产物。但不保证该

这里包含的信息将成为其目前的形式最终产品。有关最新信息，请联系华Heinzer / ADI公司，圣诞老人

圣克拉拉， CA。电话：（ 408 ） 382-3107 ;传真：（408 ） 382-2708 ; walt.heinzer@analog.com