【a特点AD5200—256-PositionAD5201—33-Position10 k , 50 】,IC型号AD5200,AD5200 PDF资料,AD5200经销商,ic,电子元器件-51电子网

a

特点

AD5200—256-Position

AD5201—33-Position

10 k , 50 k

3线SPI兼容串行数据输入

单电源2.7 V至5.5 V或

双电源2.7 V的交流或双极性操作

内部上电预设中间值

应用

替代机械电位器

仪器仪表：增益，偏移调整

可编程电压至电流转换

可编程滤波器，延迟，时间常数

线阻抗匹配

256位和33位

数字电位器

AD5200/AD5201

功能框图

AD5200/AD5201

V

DD

V

SS

A

CS

CLK

SDI

GND

PWR -ON

预设

SER

REG

Dx

W

B

8/6

RDAC

REG

SHDN

概述

在AD5200和AD5201是可编程电阻器件，

分别与256个位置和33的位置，这可能是digi-

通过3线SPI串行接口符合控制。条款

可编程电阻器，可变电阻器（VR）和RDAC是

通常可互换使用，指为数字电位器。

这些设备执行相同的电子调整功能

如电位计或可变电阻器。这两个AD5200 / AD5201

包含在紧凑的单一可变电阻器

SOIC-10

封装。每个设备包含在一个固定抽头电阻

滑动触头那个水龙头的可编程电阻的点处

由数字代码来确定。中的代码序列被加载

输入寄存器。雨刮器及两端之间的电阻

点的可编程电阻器相对于线性变化

数字代码传送到VR锁存器。每个变量

电阻器的电阻提供一个完全可编程的价值，

A端和雨刮器，或B端和之间

雨刮器。 10 kΩ或50 kΩ的固定A至B端电阻

有500ppm的/ ℃的标称温度系数。虚拟现实

有保存其编程电阻值的VR锁存器。该

VR锁存器与更新的SPI兼容串行到并行

移位寄存器从一个标准三线式串行输入装

数字接口。八个数据位为AD5200和6的数据

位的AD5201组成的移入数据字

串行输入寄存器。内部预设的强制雨刷

通过加载80的中间值位置

H

和10

H

到AD5200和

AD5201 VR锁存器中。该

SHDN

引脚强制

电阻器到A终端上的端至端开路状态

和短裤雨刮器的B端，实现了微瓦

电源关闭状态。当

SHDN

返回到逻辑高，

前一锁存器的设置使擦拭器在相同的电阻

设置在关闭之前。数字接口仍处于活动状态很好地协同

荷兰国际集团关机，这样代码的更改可以将产生

当设备从关机返回一个新的雨刮器位置。

所有部件都保证工作在扩展工业

温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。

版本B

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式

在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2001

AD5200/AD5201–SPECIFICATIONS

AD5200电气特性

参数

符号

直流特性变阻器模式

R- DNL

电阻微分非线性

2

R- INL

电阻积分非线性

R

AB

标称电阻容差

3

电阻温度COEF网络cient

R

AB

/T

滑动端电阻

R

W

(V

DD

= 5伏的10％，或3 V 10 ％以下，V

SS

= 0 V, V

A

= +V

DD

, V

B

= 0 V,

-40℃ <牛逼

A

< + 85℃ ，除非另有说明。）

最小值典型值

1

–1

–2

–30

最大

单位

最低位

%

PPM /°C的

位

最低位

PPM /°C的

最低位

V

pF

A

nA

V

A

pF

V

A

mW

%/%

千赫

%

s

nV√Hz

条件

R

WB

, V

A

- 无连接

R

WB

, V

A

- 无连接

T

A

= 25°C

V

AB

= V

DD

，雨刮=无连接

V

DD

= 5 V

±

0.25 +1

±

0.5 +2

+30

500

50

100

直流特性电位器分频模式（规格适用于所有的村代表。）

决议

N

DNL

微分非线性

4

INL

积分非线性

4

码= 80

H

分压器温度系数

V

W

/T

代码= FF

H

满量程误差

V

WFSE

零刻度误差

V

WZSE

码= 00

H

电阻端子

电压范围

5

电容

6

A，B

电容

6

W

关断电源电流

共模漏

V

A，B ，W

C

A，B

C

W

I

DD_SD

I

CM

V

IH

V

IL

V

IH

V

IL

I

IL

C

IL

V

逻辑

V

DD范围

V

DD / SS取值范围

I

DD

I

SS

P

DISS

PSS

6, 9

8

–1

–2

±

1/4

±

1/2

5

–1.5 –0.5

0

+0.5

V

SS

+1

+2

0

+1.5

V

DD

7

F = 1MHz时，测量到GND ，代码= 80

V

DD

= 5.5 V

V

A

= V

B

= V

DD

/2

H

45

60

0.01

1

2.4

5

数字输入和输出

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入电流

输入电容

6

电源

逻辑电源

单电源供电范围

双电源供电范围

正电源电流

负电源电流

功耗

8

电源灵敏度

动态特性

带宽的-3 dB

总谐波失真

V

W

稳定时间（从10kΩ / 50 kΩ的）

电阻的噪声电压密度

0.8

V

DD

= 3 V, V

SS

= 0 V

V

DD

= 3 V, V

SS

= 0 V

V

IN

= 0 V或5 V

2.1

0.6

±

1

5

2.7

–0.3

±

2.3

5.5

±

2.7

15

40

15

40

0.2

–0.01 0.001 +0.01

600

100

0.003

2/9

9

V

SS

= 0 V

V

IH

= 5 V或V

IL

= 0 V

V

SS

= –5 V

V

IH

= 5 V或V

IL

= 0 V, V

DD

= +5 V, V

SS

= 0 V

V

DD

= +5 V

±

10 ％，代码=中间值

R

AB

= 10 kΩ的，代码= 80

H

R

AB

= 50 kΩ的，代码= 80

H

V

A

= 1 V有效值，V

B

= 0 V ， F = 1千赫，R

AB

= 10 k

V

A

= 5 V, V

B

= 0 V,

±

1 LSB误差带

R

WB

= 5 kΩ的， RS = 0

BW_10千欧

BW_50千欧

THD

W

t

S

e

N_WB

笔记

1

标准结构代表平均读数在25℃和V

DD

= 5 V, V

SS

= 0 V.

2

电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻雨刮器位置之间测量的理想值之间的偏差

系统蒸发散。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。我

W

= V

DD

/ R为V

DD

= +2.7 V,

V

SS

= –2.7 V.

3

V

AB

= V

DD

，雨刮器（V

W

） =无连接。

4

INL和DNL在V测量

W

与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V

A

= V

DD

和V

B

= 0 V DNL

规格范围

±

1 LSB（最大值）保证单调的工作条件。

5

电阻端子A， B，W对极性没有限制相对于对方。

6

通过设计保证，不受生产测试。

7

测得的A端子。终端开路关断模式。

8

P

DISS

从（我计算

DD

×

V

DD

）。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。

9

所有的动态特性采用V

DD

= 5 V, V

SS

= 0 V.

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

版本B

AD5200/AD5201

AD5201电气特性

参数

符号

直流特性变阻器模式

R- DNL

电阻微分非线性

2

R- INL

电阻积分非线性

R

AB

标称电阻容差

3

电阻温度COEF网络cient

R

AB

/T

滑动端电阻

R

W

(V

DD

= 5伏的10％，或3 V 10 ％以下，V

SS

= 0 V, V

A

= +V

DD

, V

B

= 0 V,

-40℃ <牛逼

A

< + 85℃ ，除非另有说明。）

最小值典型值

1

–0.5

±

0.05

–1

±

0.1

–30

500

50

6

–0.5

±

0.01

–1

±

0.02

5

–1/2 –1/4

0

+1/4

V

SS

最大

+0.5

+1

+30

100

单位

最低位

%

PPM /°C的

位

最低位

PPM /°C的

最低位

V

pF

A

nA

V

A

pF

V

A

mW

%/%

千赫

%

s

nV√Hz

条件

R

WB

, V

A

- 无连接

R

WB

, V

A

- 无连接

T

A

= 25°C

V

AB

= V

DD

，雨刮=无连接

V

DD

= 5 V

直流特性电位器分频模式（规格适用于所有的村代表。）

N

决议

4

DNL

微分非线性

5

INL

积分非线性

CODE = 10

H

分压器温度系数

V

W

/T

CODE = 20

H

满量程误差

V

WFSE

零刻度误差

V

WZSE

码= 00

H

电阻端子

电压范围

6

电容

7

A，B

电容

7

W

关断电源电流

共模漏

V

A，B ，W

C

A，B

C

W

I

DD_SD

I

CM

V

IH

V

IL

V

IH

V

IL

I

IL

C

IL

V

逻辑

V

DD范围

V

DD / SS取值范围

I

DD

I

SS

P

DISS

PSS

7, 10

+0.5

+1

0

+1/2

V

DD

8

F = 1MHz时，测量到GND ，代码= 10

V

DD

= 5.5 V

V

A

= V

B

= V

DD

/2

H

45

60

0.01

1

2.4

5

数字输入和输出

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入电流

输入电容

7

电源

逻辑电源

单电源供电范围

双电源供电范围

正电源电流

负电源电流

功耗

9

电源灵敏度

动态特性

带宽的-3 dB

总谐波失真

V

W

稳定时间（从10kΩ / 50 kΩ的）

电阻的噪声电压密度

0.8

V

DD

= 3 V, V

SS

= 0 V

V

DD

= 3 V, V

SS

= 0 V

V

IN

= 0 V或5 V

2.1

0.6

±

1

5

2.7

–0.3

±

2.3

5.5

±

2.7

15

40

15

40

0.2

–0.01 0.001 +0.01

600

100

0.003

2/9

9

V

SS

= 0 V

V

IH

= 5 V或V

IL

= 0 V

V

SS

= –5 V

V

IH

= 5 V或V

IL

= 0 V, V

DD

= +5 V, V

SS

= –5 V

V

DD

= +5 V

±

10%

R

AB

= 10 kΩ的，代码= 10

H

R

AB

= 50 kΩ的，代码= 10

H

V

A

= 1 V有效值，V

B

= 0 V ， F = 1千赫，R

AB

= 10 k

V

A

= 5 V, V

B

= 0 V,

±

1 LSB误差带

R

WB

= 5 kΩ的， RS = 0

BW_10千欧

BW_50千欧

THD

W

t

S

e

N_WB

笔记

1

标准结构代表平均读数在25℃和V

DD

= 5 V, V

SS

= 0 V.

2

电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻雨刮器位置之间测量的理想值之间的偏差

系统蒸发散。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。我

W

= V

DD

/ R为V

DD

= +2.7 V,

V

SS

= –2.7 V.

3

V

AB

= V

DD

，雨刮器（V

W

） =无连接。

4

需要为33的位置，即使它不是一个64位设备六位。

5

INL和DNL在V测量

W

与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V

A

= V

DD

和V

B

= 0 V DNL

规格范围

±

1 LSB（最大值）保证单调的工作条件。

6

电阻端子A， B，W对极性没有限制相对于对方。

7

通过设计保证，不受生产测试。

8

测得的A端子。终端开路关断模式。

9

P

DISS

从（我计算

DD

×

V

DD

）。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。

10

所有的动态特性采用V

DD

= 5 V, V

SS

= 0 V.

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本B

–3–

AD5200/AD5201–SPECIFICATIONS

电气特性

参数

(V

DD

= 5伏的10％，或3伏

除非另有说明）。

条件

10%, V

SS

= 0 V, V

A

= +V

DD

, V

B

= 0 V ， -40℃ <牛逼

A

< + 85°C

民

20

5

15

40

0

10

典型值

1

最大

单位

ns

符号

接口时序特性（适用于所有零件[注2 ， 3 ] ）

输入时钟脉冲宽度

t

CH

, t

CL

时钟电平高或低

数据建立时间

t

DS

数据保持时间

t

DH

CS

建立时间

t

CSS

CS

高脉冲宽度

t

CSW

CLK到秋季

CS

秋季保持时间

t

CSH0

CLK到秋季

CS

上升保持时间

t

CSH1

CS

上升到时钟上升沿设置

t

CS1

笔记

1

标准结构代表平均读数在25℃和V

DD

= 5 V, V

SS

= 0 V.

2

通过设计保证，不受生产测试。

3

看测量值的位置的时序图。所有的输入控制电压与T指定

R

= t

F

= 2纳秒（10％至90％的3 V）和定时从一个电压电平

1.5 V的开关特性是使用V测量

逻辑

= 5 V.

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

1

SDI

0

1

CLK

0

1

CS

VOUT

0

1

0

DAC寄存器加载

D7

D6

D5

D4

D3

D2

D1

D0

图1a。 AD5200时序图

1

SDI

0

1

CLK

0

1

CS

VOUT

0

1

D5

D4

D3

D2

D1

D0

DAC寄存器加载

图1b。 AD5201时序图

1

Dx

0

1

CLK

0

1

CS

0

V

DD

VOUT

0

1LSB

Dx

SDI

（数据输入）

t

CH

t

DS

t

DH

t

CS1

t

CSH0

t

CSS

t

CL

t

CSH1

t

CSW

t

S

图1c 。详细时序图

–4–

版本B

AD5200/AD5201

绝对最大额定值

1

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明）

引脚功能描述

V

DD

到V

SS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V

V

DD

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 ， + 7V

V

SS

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0 V ， -7 V

V

A

, V

B

, V

W

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

SS

, V

DD

I

最大

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

20毫安

2

数字输入和输出电压GND 。。。。。。。 0 V ， 7 V

工作温度范围。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

最高结温（T

J

马克斯）。。。。。。。。。 150℃

储存温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

引线温度（焊接， 10秒）。。。。。。。。。。。。 300℃

热阻

θ

JA ，

SOIC-10

。。。。。。。。。。。。。 200 ° C / W

封装功耗= （T

J

马克斯 - T的

A

)/θ

JA

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力等级;该装置的功能操作

在这些或以上的在这个业务部门所列出的条件

特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，

长时间可能会影响器件的可靠性。

2

最大电流由开关的最大电流处理为界，

封装的最大功耗，以及跨最大施加电压

任何两个在A ， B和W端子中的一个给定的电阻。请参阅TPC 31

与TPC 32查看详细。

针

1

2

3

4

名字

B

V

SS

GND

CS

描述

B端子。

负电源，用于指定操作

化从0 V至-2.7 V.

地面上。

片选输入，低电平有效。当

CS

返回高电平时，数据会被加载到

DAC寄存器。

串行数据输入。

串行时钟输入，上升沿触发。

低电平输入有效。 A端开路。

关断控制的可变电阻器

RDAC临时无穷。

V的电源正极（总和

DD

+ V

SS

≤

5.5 V).

雨刮器终端。

一个终端。

5

6

7

SDI

CLK

SHDN

8

9

10

V

DD

W

A

引脚配置

B

1

V

SS 2

GND

3

10

A

AD5200/

AD5201

9

8

W

V

DD

顶视图

7

SHDN

CS

4

（不按比例）

5

6

CLK

SDI

订购指南

模型

AD5200BRM10-REEL7

AD5200BRM50-REEL7

AD5201BRM10-REEL7

AD5201BRM50-REEL7

水库

256

33

k

10

50

10

50

温度

范围

–40°C/+85°C

包

描述

SOIC-10

包

选项

RM-10

满

REEL数量。

5000

BRANDING

信息

DLA

DLB

DMA

DMB

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

在AD5200 / AD5201具有专用ESD保护电路，可能会导致永久性损坏

上经受高能量静电放电设备。因此，适当的ESD防范措施

建议，以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

版本B

–5–

a

特点

非易失性存储器预置保持雨刮器设置

双通道， 256级分辨率

全单调操作DNL < 1 LSB

10 K， 50 K， 100 K时终端电阻

线性或对数锥度设置

按钮式递增/递减兼容

SPI兼容串行数据输入与回读

功能

3 V至5 V单电源或2.5 V双电源供电

手术

14字节用户EEMEM非易失性存储器的

恒存储

永久存储器写保护

100年的典型数据保留牛逼

A

= 55 C

应用

替代机械电位器

仪器仪表：增益，偏移调整

可编程电压至电流转换

可编程滤波器，延迟，时间常数

线阻抗匹配

电源调整

DIP开关设置

概述

8位双非易失性存储器

数字电位计

AD5232

*

功能框图

CS

CLK

SDI

GND

SDI

串行

接口

ADDR

解码

RDAC1

注册

AD5232

V

DD

RDAC1

A1

W1

EEMEM1

B1

SDO

WP

RDY

PR

SDO

EEMEM

控制

14字节

USER EEMEM

RDAC2

注册

RDAC2

A2

W2

EEMEM2

B2

V

SS

的AD5232器件提供一个非易失性的，双通道

数字控制可变电阻（ VR ）与256位

分辨率。这些设备执行相同的电子调整

精神疾病用作电位计或可变电阻器。该

AD5232的通过单片机通用的编程允许

多种模式的操作和调整。

在直接编程模式的RDAC的一个预定的设定

注册可以直接从微控制器加载。

操作的另一个重要模式使RDAC寄存器是

刷新与设置预先存储在EEMEM

注册。更改时至RDAC寄存器estab-

中国语新的雨刮器位置，设置的值可以保存

进入EEMEM通过执行EEMEM保存操作。

一旦设置被保存在EEMEM注册这些值

将被自动转移至RDAC寄存器设置

在系统上电抽头位置。允许这样的操作

由内部预设选通脉冲和预先设定的，也可以访问

外部。

串行数据的所有内部寄存器的内容可以被读出

输出（ SDO ）。这包括RDAC1和RDAC2注册，

相应的非易失性EEMEM1和EEMEM2寄存器

TER值，而14备用USER EEMEM寄存器可用

常量存储空间。

*专利

正在申请中。

调整的基本模式是递增和递减

指挥控制雨刮位置的当前设置

设置（ RDAC ）寄存器。内部便笺式RDAC寄存器

可以移动UP或标称终端的向下一个步骤

终端A和B这之间的电阻线性变化的

雨刮器到B终端电阻（R

WB

）通过一个位置段

器件的端至端电阻（R

AB

）。对于指数/ loga-

在抽头设置rithmic变化，左/右移指令

调整的水平

±

6分贝步骤，可以为音频是有用的，

光报警功能的应用程序。

在AD5232可在薄薄的TSSOP -16封装。所有部件

保证工作在扩展工业温度

TURE范围为-40 ° C至+ 85°C 。一个评估板可用，

产品型号： AD5232EVAL 。

100

百分比标称

端至端电阻 - ％R

AB

75

50

25

R

WB

0

R

WA

0

64

128

CODE - 十进制

192

256

图1.对称操作RDAC

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式

在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2001

AD5232–SPECIFICATIONS

电气特性， 10 K， 50 K， 100千

( V

DD

= 3 V

参数

版本

民

典型值

1

最大

单位

10％或5伏

10％和V

SS

= 0 V, V

A

= +V

DD

, V

B

= 0 V ， -40℃ <牛逼

A

< + 85℃ ，除非另有说明。）

符号

条件

DC特性

变阻器模式 - 规范适用于所有村

电阻微分非线性

2

R- DNL

非线性电阻器

2

R- INL

标称电阻容差

R

AB

电阻温度COEF网络cient

R

AB

/ T

滑动端电阻

R

W

R

W

R

WB

, V

A

= NC

R

WB

, V

A

= NC

I

W

= 100

A,

V

DD

= 5.5 V ，代码= 1E

H

I

W

= 100

A,

V

DD

= 3 V ，代码= 1E

H

–1

–0.4

–40

±

1/2

600

5

200

+1

+0.4

+20

100

最低位

％ FS

%

PPM /°C的

位

最低位

％ FS

PPM /°C的

％ FS

V

pF

A

V

A

pF

电位器分频模式 - 规范适用于所有村

决议

N

微分非线性

3

DNL

3

INL

积分非线性

分压器温度系数

V

W

/ T

代码=半刻度

满量程误差

V

WFSE

代码=满量程

代码=零刻度

零刻度误差

V

WZSE

电阻端子

终端电压范围

4

电容

5

AX ，BX

电容蜡质

共模漏电流

5, 6

5

8

–1

–0.4

–3

0

V

SS

±

1/2

15

+1

+0.4

0

+3

V

DD

V

A，B ，W

C

A，B

C

W

I

CM

V

IH

V

IL

V

IH

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

V

OL

I

IL

C

IL

V

DD

V

DD

/V

SS

I

DD

I

DD （ PG ）

I

DD （ XFR ）

I

SS

P

DISS

PSS

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=半刻度

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=半刻度

V

W

= V

DD

/2

相对于GND ，V

DD

= 5 V

相对于GND ，V

DD

= 5 V

相对于GND ，V

DD

= 3 V

相对于GND ，V

DD

= 3 V

相对于GND ，V

DD

= +2.5 V,

V

SS

= –2.5 V

相对于GND ，V

DD

= +2.5 V,

V

SS

= –2.5 V

R

引体向上

= 2.2 kΩ至5 V

I

OL

= 1.6毫安， V

逻辑

= 5 V

V

IN

= 0 V或V

DD

2.4

45

60

0.01

1

数字输入和输出

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输出逻辑高电平（ SDO和RDY ）

输出逻辑低电平

输入电流

输入电容

5

电源

单电源功率范围

双电源功率范围

正电源电流

编程模式电流

阅读模式电流

7

负电源电流

功耗

电源灵敏度

5

8

0.8

2.1

0.6

2.0

0.5

4.9

0.4

±

2.5

4

V

SS

= 0 V

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND ，

V

DD

= +2.5 V, V

SS

= –2.5 V

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND

V

DD

= 5 V

±

10%

2.7

±

2.25

0.9

3.5

35

3

3.5

0.018

0.002

5.5

V

±

2.75 V

10

A

mA

9

mA

10

0.05

0.01

A

mW

%/%

–2–

第0版

AD5232

参数

符号

条件

-3分贝， BW_10千欧， R = 10 kΩ的

V

A

= 1 V有效值，V

B

= 0 V ， F = 1 kHz时，

R

AB

= 10 k

V

A

= 1 V有效值，V

B

= 0 V ， F = 1 kHz时，

R

AB

= 50 k, 100 k

V

DD

= 5 V, V

SS

= 0 V, V

A

= V

DD

, V

B

= 0 V,

V

W

= 0.50 ％误差带， 00码

H

80

H

对于R

AB

= 10 k/50 k/100 k

R

WB

= 5kΩ的中，f = 1千赫

串扰（C

W1

/C

W2

) C

T

V

A

= V

DD

, V

B

= 0 V ，测量V

W

同

相邻的VR制作全量程编码变化

V

A1

= V

DD

, V

B1

= 0 V ，测量V

W1

随着V

W2

= 5 V P-P @ F = 10 kHz时，

CODE

1

= 80

H

;代码

2

= FF

H

20

10

1

10

5

40

50

0

10

4

0

0.1

10

50

70

100

0.15

25

民

典型值

1

500

0.022

0.045

最大单位

千赫

%

s

纳伏/赫兹÷

nV-s表示

动态特性

5, 9

带宽

总谐波失真

THD

W

THD

W

V

W

建立时间

电阻的噪声电压

t

S

e

N_WB

0.65/3/6

9

–5

模拟串扰（C

W1

/C

W2

)

C

TA

–70

dB

ns

t

CYC

ns

t

CYC

ns

ms

ns

s

k个圈

岁月

接口时序特性 - 适用于所有零件

5, 10

时钟周期时间（T

CYC

)

t

1

CS

建立时间

t

2

CLK关机时间

CS

上升

t

3

输入时钟脉冲宽度

t

4

, t

5

时钟电平高或低

从积极CLK转型

数据建立时间

t

6

数据保持时间

t

7

从积极CLK转型

CS

到SDO -SPI线采集

t

8

CS

到SDO -SPI线发布

t

9

11

CLK到SDO传输延迟

t

10

R

P

= 2.2千欧，C

L

< 20 pF的

CLK为SDO数据保持时间

t

11

R

P

= 2.2千欧，C

L

< 20 pF的

t

12

CS

高脉冲宽度

12

CS

高

CS

高

12

t

13

RDY崛起

CS

秋天

t

14

CS

上升到RDY下降时间

t

15

13

读取/保存到非易失性EEMEM

t

16

适用于命令2

H

, 3

H

, 9

H

CS

上升到时钟的上升/下降设置

t

17

未显示在时序图

预置脉冲宽度（异步）

t

PRW

预置的响应时间RDY高t

PRESP

PR

低脉冲来刷新

滑动端位置

Flash / EE存储器可靠性的特点

耐力

14

数据保留

15

笔记

1

典型的参数代表平均读数在25℃和V

DD

= 5 V.

2

电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻雨刮器之间测量的理想值之间的偏差

志愿服务岗位。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。我

W

~ 50

A

@ V

DD

= 2.7 V和

I

W

~ 400

A

@ V

DD

= 5 V对于R

AB

= 10 kΩ的版本，我

W

~ 50

A

对于R

AB

= 50 kΩ和我

W

~ 25

A

对于R

AB

= 100 kΩ的版本。参见图13 。

3

INL和DNL在V测量

W

与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V

A

= V

DD

和V

B

= V

SS

。 DNL

规格范围

±

1 LSB（最大值）保证单调的工作条件。参见图14 。

4

电阻端子A， B，W对极性没有限制相对于对方。双电源供电使接地参考的双极性信号调整。

5

通过设计保证，不受生产测试。

6

共模漏电流是从任何终端A的量度的直流泄漏，B，W与V的共模偏置电平

DD

/2.

7

转移（ XFR ）模式下的电流是不连续的。电流消耗而EEMEM位置被读出并传送至RDAC寄存器。见TPC 9 。

8

P

DISS

从（我计算

DD

V

DD

) + (I

SS

V

SS

).

9

所有的动态特性采用V

DD

= + 2.5V和V

SS

= -2.5 V，除非另有说明。

10

看测量值的位置的时序图。所有的输入控制电压与T指定

R

= t

F

= 2.5纳秒（10％至90％的3 V）和定时从一个电压电平

的1.5V。同时使用V开关特性进行测量

DD

= 3 V或5 V.

11

传播延迟取决于V的价值

DD

, R

PULL -UP

和C

L

。看到应用程序的文本。

12

有效的命令不激活RDY引脚。

13

RDY引脚为低电平仅供指令命令8 ， 9 ， 10 ， 2 ， 3，

PR

硬件脉冲： CMD_8 1毫秒; CMD_9,10 0.12毫秒; CMD_2,3 20毫秒。设备操作

在T

A

= -40°C和V

DD

< 3 V延长保存时间为35毫秒。

14

耐力是合格100,000次按照JEDEC标准。 22方法A117和V测

DD

= 2.7 V ，T

A

= -40 ° C至+ 85°C ，典型的续航能力，在25℃

70万次。

15

保持期限相当于在结温（T

J

） = 55 ℃，按照JEDEC标准。 22 ，方法A117 。基于0.6EV的活化能保持期限

将与结温降额作为本数据手册的Flash / EE存储器描述部分，如图23所示。该AD5232包含9646

晶体管。芯片尺寸： 69万115万， 7993万平方米。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

第0版

–3–

AD5232

CPHA = 1

CS

t

12

t

3

t

2

CLK

CPOL = 1

t

13

t

1

t

5

t

4

t

10

t

17

t

11

LSB OUT

t

8

SDO

t

9

*

最高位

t

7

t

6

SDI

最高位

最低位

t

14

RDY

*

没有定义，但通常LSB CHARACTER先前已传送。

t

15

t

16

THE CPOL = 1微控制器命令对齐，输入的数据在时钟的上升沿。

图2a。 CPHA = 1时序图

CS

CPHA = 0

t

12

t

1

t

2

CLK

CPOL = 0

t

3

t

5

t

17

t

13

t

4

t

8

t

10

t

11

t

9

SDO

MSB OUT

最低位

*

t

7

t

6

SDI

在MSB

最低位

t

14

RDY

*

没有定义，但通常最高位字符的刚刚收到。

t

15

t

16

THE CPOL = 0单片机对齐命令输入的数据在时钟的上升沿。

图2b 。 CPHA = 0时序图

–4–

第0版

AD5232

绝对最大额定值

1

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明）

V

DD

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V， + 7V

V

SS

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +0.3 V， -7 V

V

DD

到V

SS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V

V

A

, V

B

, V

W

到GND 。。。。。。。。。。。。。 V

SS

– 0.3 V, V

DD

+ 0.3 V

A

X

– B

X

, A

X

– W

X

, B

X

– W

X

断断续续的

2

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

20毫安

连续的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

2毫安

数字输入和输出电压

GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V ，V

DD

+0.3 V

工作温度范围

3

。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

最高结温（T

J

马克斯）。。。。。。。。 150℃

储存温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

封装功耗。。。。。。。。。。。。。（T

J

马克斯 - T的

A

)/

JA

热阻结到环境

JA

,

TSSOP -16 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150 ° C / W

热阻结到外壳

JC

,

TSSOP -16 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 28 ° C / W

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

2

最大终端电流通过的最大电流处理界

开关，封装的最大功耗和最大应用

在任意两个A，B和W端子的电压在给定的阻力。

3

包括非易失性存储器进行编程。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

在AD5232具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能发生

器件经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施

建议避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

订购指南

模型

AD5232BRU10

AD5232BRU10-REEL7

AD5232BRU50

AD5232BRU50-REEL7

AD5232BRU100

AD5232BRU100-REEL7

数

频道

2

端至端

R

AB

(k )

10

50

100

温包

包

范围（° C）

说明选项

-40至+85

TSSOP-16

RU-16

数

设备每

集装箱

96

1,000

96

1,000

96

1,000

品牌*

信息

5232B10

5232B50

5232BC

*线

1包含ADI公司的标志符号和数据代码YYWW ，第2行包含在此列中列出的详细型号。

第0版

–5–

a

特点

256位， 2通道

电位计的替代

10 k , 50 k , 100 k

电源关机，不到5 A

2.7 V至5.5 V单电源供电

2.7 V双电源供电

3线SPI兼容串行数据输入

中量程预设在上电

应用

替代机械电位器

立体声通道音频电平控制

仪器仪表：增益，偏移调整

可编程电压至电流转换

可编程滤波器，延迟，时间常数

线阻抗匹配

汽车电子调整

SHDN

双通道， 256位

数字电位计

AD5207

功能框图

A1

W1

B1

A2

W2

B2

V

DD

V

SS

CS

RDAC1注册

R

RDAC2注册

R

逻辑

电源 -

ON

RESET

AD5207

CLK

SDI

DGND

8

SDO

串行输入寄存器

概述

该AD5207提供双通道， 256位，数字

控制的可变电阻器（ VR），执行相同的设备

电子调整功能作为一个电位计或可变

电阻器。在AD5207的每个通道包含一个固定电阻与

一个电刷触点该水龙头在一个点的固定电阻值

通过加载到SPI兼容的数字码所确定

串行输入寄存器中。雨刮器，要么之间的电阻

该固定电阻器的一端点相对于线性变化

数字代码传送到VR锁存器。可变电阻器

提供阻力的完全可编程值之间

在终端和雨刮器或B端和雨刮器。

为10kΩ ， 50 kΩ或100 kΩ的固定A至B端电阻

有

±

1 ％的通道至通道匹配公差与公称

为500ppm / ℃，最终温度系数。独特的开关

电路最大限度地减少高故障固有的传统交换

电阻器的设计，避免任何先合后断或突破性

之前，使操作。

每个VR都有自己的VR锁存器，它拥有其编程

电阻值。这些VR锁存器由一个内部更新

串行至并行移位寄存器，它是从一个标准装载

三线式串行输入数字接口。十位，以弥补

数据字，是必需的，读入串行输入寄存器。

第2位是地址位。下面的8位是

表示的256步的电阻值的数据比特。

其原因有两个地址位，而不是一个是要兼容

与同类产品，如AD8402 ，这样简易替换

是可能的。地址位确定相应的VR

锁存器可以用数据比特期间返回的正装

边缘

CS

频闪。串行数据输出引脚的另一端

串行寄存器允许简单的菊花链连接多个

虚拟现实应用，而无需额外的外部解码逻辑。

内部复位模块将强制雨刮器的中间值位置

在每一个电化条件。该

SHDN

引脚将强制执行

在A端，并在同一时间短裤开路的

雨刮器的B端，实现了微瓦功耗关断

状态。当

SHDN

返回到逻辑高，以前的闩

设置把刮水器在同一电阻设置前

关机。数字接口关闭过程中保持激活状态;

代码更改，可以做成能产生新的雨刮器位置时，

该设备是由关断恢复。

该AD5207是1.1毫米的超薄型TSSOP -14封装，

它适合于PCMCIA的应用程序。所有部件都瓜拉尼

开球工作在扩展工业级温度范围

-40 ° C至+ 125°C 。

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式

在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 2001

AD5207–SPECIFICATIONS

电气特性10 K， 50 K， 100千

V

B

= 0 ， -40℃ <牛逼

A

< + 125 C除非另有说明。）

参数

DC特性

变阻器模式

规范适用于所有村

电阻微分非线性

2

非线性电阻器

2

标称电阻容差

3

电阻温度COEF网络cient

滑动端电阻

标称电阻匹配

DC特性

电位器分频模式

规范适用于所有村

决议

积分非线性

4

微分非线性

4

分压器温度

系数

满量程误差

零刻度误差

电阻端子

电压范围

5

电容

6

A

X

, B

X

电容

6

W

X

关断电流

7

关闭抽头电阻

共模漏

数字输入和输出

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输入逻辑高

输入逻辑低电平

输出逻辑高电平

输出逻辑低电平

输入电流

输入电容

6

电源

单电源供电范围

双电源供电范围

正电源电流

负电源电流

功耗

8

电源灵敏度，V

DD

电源灵敏度，V

SS

动态特性

6, 9

带宽的-3 dB

总谐波失真

V

W

建立时间

电阻的噪声电压

相声

10

符号

条件

民

典型值

1

最大

单位

VERSION

(V

DD

= 5 V, V

SS

= 0, V

A

= 5 V,

R- DNL

R- INL

R

AB

/T

R

W

R/R

O

R

WB

, V

A

= NC

R

WB

, V

A

= NC

V

AB

= V

DD

，雨刮=无连接

I

W

= 1 V / R ，V

DD

= 5 V

CH 1 2，V

AB

= V

DD

, T

A

= 25°C

–1

–1.5

–30

500

50

0.2

+1

+1.5

+30

100

1

最低位

%

PPM /°C的

%

N

INL

DNL

V

W

/T

V

WFSE

V

WZSE

V

A，B ，W

C

A，B

C

W

I

A_SD

R

W_SD

I

CM

V

IH

V

IL

V

IH

V

IL

V

OH

V

OL

I

IL

C

IL

V

DD范围

V

DD / SS取值范围

I

DD

I

SS

P

DISS

PSS

BW_10千欧

BW_50千欧

BW_100千欧

THD

W

t

S

e

N_WB

C

T

V

DD

= 5 V, V

SS

= 0 V

码= 80

H

代码= FF

H

码= 00

H

|V

DD

| + |V

SS

|

≤5.5

V

F = 1MHz时，测量到GND ，代码= 80

H

F = 1MHz时，测量到GND ，代码= 80

H

V

A

= V

DD

, V

B

= 0 V,

SHDN

= 0

V

A

= V

DD

, V

B

= 0 V,

SHDN

= 0, V

DD

= 5 V

V

A

= V

B

= V

DD

/2

V

DD

= 5 V, V

SS

= 0 V

V

DD

= 5 V, V

SS

= 0 V

V

DD

= 3 V, V

SS

= 0 V

V

DD

= 3 V, V

SS

= 0 V

R

L

= 1 kΩ到V

DD

I

OL

= 1.6毫安， V

DD

= 5 V

V

IN

= 0 V或5 V

8

–1.5

–1

15

–1.5

+1.5

+1

位

最低位

PPM /°C的

最低位

V

pF

A

nA

V

A

pF

V

A

mW

%/%

千赫

%

s

nV√Hz

dB

+1.5

V

SS

45

70

5

200

1

2.4

0.8

2.1

0.6

V

DD

– 0.1

0.4

±

10

V

DD

V

SS

= 0 V

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND ，V

SS

= 0 V

V

IH

= V

DD

或V

IL

= GND V

SS

= –2.5 V

V

IH

= 5 V或V

IL

= 0 V, V

DD

= 5 V

V

DD

= 5 V

±

10%, V

SS

= 0 V ，代码= 80

H

V

SS

= –2.5 V

±

10%, V

DD

= 2.5 V ，代码= 80

H

R

AB

= 10 k

R

AB

= 50 k

R

AB

= 100 k

V

A

= 1 V有效值，V

B

= 0 V ， F = 1千赫，R

AB

= 10 k

R

AB

= 10 k/50 k/100 k,

±

1 LSB误差带

R

WB

= 5 kΩ的， F = 1 kHz时， RS = 0

V

A

= 5 V, V

B

= 0 V

2.7

±

2.2

5.5

±

2.7

40

0.2

0.01

0.03

600

125

71

0.003

2/9/18

9

–65

–2–

第0版

AD5207

参数

接口时序

特征

适用于所有零件

6, 11

输入时钟脉冲宽度

数据建立时间

数据保持时间

CLK到SDO传输延迟

12

CS

建立时间

CS

高脉冲宽度

CLK到秋季

CS

秋季保持时间

CLK到秋季

CS

上升保持时间

CS

上升到时钟上升沿设置

符号

条件

民

典型值

1

最大

单位

t

CH

, t

CL

t

DS

t

DH

t

PD

t

CSS

t

CSW

t

CSH0

t

CSH1

t

CS1

时钟电平高或低

R

L

= 1 kΩ至5 V ，C

L

< 20 pF的

10

5

1

10

0

10

25

ns

笔记

1

标准结构代表平均读数在25℃和V

DD

= 5 V, V

SS

= 0 V.

2

电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻雨刮器之间测量的理想值之间的偏差

位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。我

W

= V

DD

/ R为V

DD

= 5 V,

V

SS

= 0 V.

3

V

AB

= V

DD

，雨刮器（V

W

） =无连接。

4

INL和DNL在V测量

W

与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V

A

= V

DD

和V

B

= 0 V DNL

规格范围

±

1 LSB（最大值）保证单调的工作条件。

5

电阻端子A， B，W对极性没有限制相对于对方。

6

通过设计保证，不受生产测试。

7

测量在A

X

终端。所有A

X

端子是开路的在运转停止模式。

8

P

DISS

从（我计算

DD

×

V

DD

）。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。

9

所有的动态特性采用V

DD

= 5 V, V

SS

= 0 V.

10

测量在V

W

脚的地方相邻V

W

销使一满刻度电压的变化。

11

看测量值的位置的时序图。所有的输入控制电压与T指定

R

= t

F

= 2纳秒（10％至90％的3 V）和定时从一个电压电平

1.5 V的开关特性是使用V测量

DD

= 5 V.

12

传播延迟取决于V的价值

DD

, R

L

和C

L

;看到应用程序的文本。

该AD5207包含474个晶体管。模具尺寸： 67万

×

69万， 4623平方密耳。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

1

SDI

0

1

CLK

0

1

CS

0

V

OUT

RDAC寄存器加载

A1

A0

D7

D6

D5

D4

D3

D2

D1

D0

图1a。时序图

SDI

（数据输入）

1

AX或DX

0

1

A'x或D' X

0

AX或DX

t

DS

t

DH

SDO

（数据输出）

A

'

X或D

'

x

t

PD- MAX

t

CH

1

CLK

0

t

CS1

t

CL

t

CSH1

t

CSW

t

S

t

CSH0

1

CS

0

V

DD

0V

t

CSS

V

OUT

1 LSB误差带

1LSB

图1b。详细时序图

第0版

–3–

AD5207

绝对最大额定值

1

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明）

引脚功能描述

V

DD

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 ， + 7V

V

SS

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0 ， -3 V

V

DD

到V

SS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V

V

A

, V

B

, V

W

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

SS

, V

DD

I

MAX2

（A ， B， W）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

±

20毫安

数字输入和输出电压GND 。。 0 V ，V

DD

+ 0.3 V

工作温度范围。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 125°C

最高结温（T

J

最大值）。。。。。。。。。。 150℃

储存温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

引线温度（焊接， 10秒）。。。。。。。。。。。。。 300℃

热阻

3

θ

JA ，

TSSOP -14 。。。。。。。。。。。。。 206 ° C / W

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

2

最大电流由开关的最大电流处理为界，

封装的最大功耗，并且最大施加电压

横跨在给定的电阻任意两个A， B和W终端。请参阅

TPC 22的细节。

3

封装功耗= （T

J

最大-T

A

)/θ

JA

.

引脚名称描述

1

2

3

4

5

6

V

SS

B2

A2

W2

DGND

SHDN

负电源，用于指定操作

化从0 V至-2.7 V.

的RDAC ＃ 2 B候机楼。

的RDAC ＃ 2端子A 。

雨刮器， RDAC ＃ 2 ，地址= 1

2

数字地。

低电平输入有效。 A端开路

和B端短接雨刮。关断模式

下控制两个RDACs ＃1和＃ 2 。

片选输入，低电平有效。当

CS

返回高电平时，数据在串行输入寄存器

被解码时，根据地址位，和

加载到相应的RDAC寄存器。

串行数据输入。 MSB先加载。

串行数据输出。漏极开路晶体管

需要上拉电阻。

串行时钟输入。上升沿触发。

正电源。指定操作

化在2.7 V至5.5 V.

雨刮器， RDAC ＃ 1 ，地址= 0

2

.

的RDAC ＃ 1 A端。

的RDAC ＃ 1 B候机楼。

表一，串行数据字格式

7

CS

8

9

10

11

12

13

14

SDI

SDO

CLK

V

DD

W1

A1

B1

引脚配置

V

SS 1

B2

2

A2

3

W2

4

14

B1

13

A1

AD5207

12

W1

顶视图

11

V

DD

（不按比例）

10

DGND

5

CLK

SHDN

6

CS

7

9

8

ADDR

B9

B8

A1

2

9

A0

2

8

B7

B6

数据

B5

B4

B3

D5

D4

D3

B2

D2

B1

D1

B0

D0

最低位

2

0

SDO

SDI

D7 D6

最高位

2

7

笔记

ADDR （ RDAC1 ）= 00 ; ADDR （ RDAC2 = 01 ）。

数据加载B9首先进入SDI引脚。

订购指南

模型

AD5207BRU10-REEL7

AD5207BRU50-REEL7

AD5207BRU100-REEL7

k

10

50

100

温度

范围

-40 ° C至+ 125°C

包

描述

TSSOP-14

包

选项

RU-14

QTY PER

集装箱

1,000

BRANDING

信息*

B10

B50

B100

*三

信息线出现在设备上。第1行中列出的部件号; 2号线包括品牌信息和ADI徽标和第3行中包含

日期代码YYWW 。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

在AD5207具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能发生

器件经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施

建议避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

–4–

第0版

典型性能特性， AD5207

0.20

V

DD

= 5.5V, V

SS

= 0V

0.15

0.10

0.3

0.2

0.1

0.4

V

DD

= 5.5V, V

SS

= 0V

RDNL - LSB

INL - LSB

0

32

64

96

128

160

CODE - 十进制

192

224

256

0.05

0.00

0.05

0.10

0.15

0.20

0.0

–0.1

–0.2

–0.3

–0.4

0

32

64

96

128

160

CODE - 十进制

192

224

256

TPC 1. 10千

RDNL与代码

TPC 4. 10千

INL与代码

0.20

V

DD

= 5.5V, V

SS

= 0V

0.15

0.10

1.0

I

DD

@ V

DD

/V

SS

= 5V/0V

I

DD

/I

SS

- 毫安

RINL - LSB

0.05

0.00

0.1

I

DD

@ V

DD

/V

SS

=

2.5V

–0.05

–0.10

–0.15

–0.20

0.01

I

SS

@ V

DD

/V

SS

=

2.5V

I

DD

@ V

DD

/V

SS

= 3V/0V

0

32

64

96

128

160

CODE - 十进制

192

224

256

0.001

0.0

1.0

2.0

V

IH

– V

3.0

4.0

5.0

TPC 2. 10千

RINL与代码

TPC 5.电源电流与逻辑输入电压

0.3

V

DD

= 5.5V, V

SS

= 0V

0.2

20

18

V

IL

= V

SS

V

IH

= V

DD

I

DD

电源电流 - 一个

16

14

12

10

8

6

4

V

DD

= 2.7V

V

DD

= 5.5V

0.1

DNL - LSB

0.0

–0.1

–0.2

2

–0.3

0

–40

0

32

64

96

128

160

CODE - 十进制

192

224

256

–20

0

20

40

温度 - C

60

80

100

TPC 3. 10千

DNL与代码

TPC 6.电源电流与温度的关系

第0版

–5–