【单通道， 1024位数字变阻器与SPI接口和50 -TP存储器AD5174特点单通道， 1024位分】,IC型号AD5174BCPZ-10-RL7,AD5174BCPZ-10-RL7 PDF资料,AD5174BCPZ-10-RL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

单通道， 1024位数字变阻器

与SPI

接口

和50 -TP存储器

AD5174

特点

单通道， 1024位分辨率

10 kΩ的标称阻值

50次可编程（ 50 -TP ）雨刮器内存

变阻器模式下的温度系数为35ppm /°C的

2.7 V至5.5 V单电源供电

±2.5 V至± 2.75 V双电源供电的交流或双极性

操作

SPI兼容接口

雨刮器设定和回读记忆

电源从内存刷新

电阻容差存储在存储器中

超薄LFCSP封装10引脚3 mm × 3毫米×0.8毫米封装

紧凑型MSOP和10引脚3 mm × 4.9毫米×1.1倍mm封装

功能框图

POWER- ON

RESET

AD5174

SCLK

SYNC

DIN

SDO

SPI

串行

接口

RDAC

50-TP

内存

块

应用

机械变阻器的替代品

运算放大器：可变增益控制

仪器仪表：增益，偏移调整

可编程电压 - 电流转换

可编程滤波器，延迟，时间常数

可编程电源

传感器校准

EXT_CAP

GND

图1 。

概述

的AD5174是单通道， 1024位数字变阻器

它结合业界领先的可变电阻性能

与非易失性存储器（ NVM）在一个紧凑的封装。

该器件支持在± 2.5 V双电源操作

± 2.75 V单电源工作在2.7 V至5.5 V和报价

50次可编程（ 50 -TP ）存储器。

该AD5174器件游标设置可通过

SPI数字接口。无限调节，方可

编程电阻值到50 -TP存储器。该

AD5174不需要任何外部电源，以设施

泰特熔断熔丝，并有50个机会永久

编程。在50 - TP激活，永久的熔断器。

命令冻结的阻力位置（类似于将

环氧树脂上的机械变阻器）。

在AD5174可在3毫米× 3毫米10引脚LFCSP封装

封装和10引线MSOP封装。该部分是有保证

以工作在扩展工业级温度范围

-40 ° C至+ 125°C 。

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

传真： 781.461.3113

08718-001

AD5174

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

电气特性................................................ ............. 3

接口时序规格............................................... ... 4

绝对最大额定值............................................... ............. 6

热阻................................................ ...................... 6

ESD注意事项................................................ .................................. 6

引脚配置和功能说明............................. 7

典型性能特征............................................. 8

测试电路................................................ ..................................... 11

工作原理............................................... ....................... 12

串行数据接口............................................... .................... 12

移位寄存器................................................ ............................... 12

RDAC注册................................................ ............................ 12

50 -TP内存块............................................. ................... 12

写保护................................................ ......................... 12

RDAC和50 -TP读操作.......................................... 13

关断模式................................................ ......................... 14

复位................................................. ............................................ 14

菊花链运作.............................................. ............... 15

RDAC结构................................................ .................... 15

编程可变电阻......................................... 16

EXT_CAP电容................................................ .................. 17

终端电压工作范围......................................... 17

上电排序.............................................. ..................... 17

外形尺寸................................................ ....................... 18

订购指南................................................ .......................... 18

修订历史

3月10日 - 修订版0 ：初始版

第0版|第20页2

AD5174

特定网络阳离子

电气特性

= 2.7 V至5.5 V ，V

= 0 V; V

= 2.5 V至2.75 V ，V

= -2.5 V至-2.75 V ; -40°C <牛逼

< 125 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

直流特性，变阻器模式

决议

电阻积分非线性

2, 3

符号

测试条件/评论

民

2.5

±15

F = 1MHz时，测量到GND ，代码=满量程的一半

= V

典型值

最大

单位

位

最低位

PPM /°C的

R- INL

| = 3.6 V至5.5 V

| = 3.3 V至3.6 V

| = 2.7 V至3.3 V

电阻微分非线性

标称电阻容差

电阻温度COEF网络cient

4, 5

滑动端电阻

电阻端子

终端电压范围

4, 6

电容

电容W

共模漏电流

数字输入

输入逻辑

高

低

输入电流

输入电容

数字输出

输出电压

高

低

R- DNL

代码=满量程

代码=零刻度

TERM

+1.5

+2.5

INH

INL

2.0

0.8

±1

μA

PULL -UP

= 2.2 kΩ到V

PULL -UP

= 2.2 kΩ到V

= 2.7 V至5.5 V ，V

= 0 V

= 2.5 V至2.75 V ，V

= -2.5 V至-2.75 V

0.1

0.4

0.6

μA

500

μA

μW

三态泄漏电流

输出电容

电源

单电源功率范围

双电源功率范围

电源电流

积极

负

50 -TP店电流

4, 7

积极

负

50 -TP读取电流

4, 8

积极

负

功耗

电源抑制比

= 0 V

2.7

±2.5

5.5

±2.75

DD_OTP_STORE

SS_OTP_STORE

DD_OTP_READ

SS_OTP_READ

DISS

PSRR

500

= V

或V

= GND

ΔV

/ΔV

= ±5 V ± 10%

5.5

第0版|第20页3

AD5174

参数

动态特性

4, 10

带宽

总谐波失真

电阻噪声密度

符号

测试条件/评论

-3分贝，R

= 5 kΩ的，终端W，见图24

= 1 V RMS， F = 1千赫，R

= 5 kΩ

= 5 kΩ的，T

= 25 ° C，F = 10千赫

民

典型值

700

最大

单位

千赫

纳伏/赫兹÷

典型规格代表平均读数为25 ° C，V

= 5V ，和V

= 0 V.

电阻位置非线性误差（R- INL）是在最大电阻和最小电阻抽头之间测量的理想值之间的偏差

位置。 R- DNL测量的相对阶跃变化，从连续抽头位置之间的理想。

在每个码的最大电流由I定义

= (V

1)/R

通过设计保证，不受生产测试。

参见图9的更多细节。

电阻端子A和电阻端W无极性限制，相对于对方。双电源供电使接地参考的双极

信号调整。

不同的工作电流;供电电流的保险丝节目持续约55毫秒。

不同的工作电流;供电电流的保险丝读大约持续500纳秒。

DISS

从（我计算

× V

) + (I

× V

所有的动态特性采用V

= +2.5 V, V

= 2.5 V.

接口时序规范

= 2.7 V至5.5 V ，V

= 0 V; V

= 2.5 V, V

= -2.5 V ;所有规格牛逼

民

给T

最大

中，除非另有说明。

表2中。

参数

1 2

8 3

10 4

MEMORY_READ

MEMORY_PROGRAM

RESET

POWER- UP 5

极限

400

450

350

600

单位

ns（最小值）

ns（最大值）

微秒最大

ms（最大值）

微秒最大

ms（最大值）

测试条件/评论

SCLK周期时间

SCLK高电平时间

SCLK低电平时间

SYNC到SCLK下降沿建立时间

数据建立时间

数据保持时间

SCLK下降沿到SYNC上升沿

最小SYNC高电平时间

SYNC上升沿到下一个SCLK秋季忽略

SCLK上升沿到SDO有效。

记忆回读执行时间

存储器中的程序时间

OTP复位恢复时间

上电50 -TP的恢复时间

所有输入信号均指定tR = tF = 1纳秒/ V（ 10 ％90 ％的V指定

）和定时从一个电压电平（V

+ V

)/2.

最大SCLK频率为50兆赫。

请参阅吨

MEMORY_READ

和T

MEMORY_PROGRAM

内存命令操作。

PULL -UP

= 2.2 kΩ到V

与168 pF的电容负载。

V之后的最长时间

等于2.5V。

第0版|第20页4

AD5174

移位寄存器和时序图

DB9 （MSB）

DB0 （ LSB ）

数据位

控制位

图2.移位寄存器的内容

SCLK

SYNC

DIN

08718-002

SDO

图3.写时序图， CPOL = 0 ， CPHA = 1

SCLK

SYNC

DIN

SDO

08718-004

图4.读时序图， CPOL = 0 ， CPHA = 1

第0版|第20页5

08718-003