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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1542页 > AD5160BRJZ5-R2
256位SPI兼容
数字电位计
AD5160
特点
256-position
端至端电阻: 5 kΩ的,为10kΩ , 50 kΩ的, 100千欧
小巧的SOT- 23-8 ( 2.9毫米× 3毫米),包
SPI兼容接口
上电预设为中间电平
单电源: 2.7 V至5.5 V
低温度系数为45ppm /°C的
低功耗,我
DD
= 8 μA
宽工作温度: -40 ° C至+ 125°C
评估板可用
功能框图
V
DD
A
CS
SDI
CLK
雨刮器
注册
W
SPI接口
B
GND
应用
替代机械电位器的新设计
换能器的调整的压力,温度,位置
化学和光学传感器
RF放大器偏置
汽车电子调整
增益控制和失调电压调整
W 1
V
DD
2
GND 3
图1 。
引脚配置
8 A
AD5160
7 B
6 CS
顶视图
4 (不按比例) 5 SDI
CLK
图2中。
概述
的AD5160提供了一种紧凑2.9毫米× 3毫米打包
解决方案, 256位调整应用程序。这些
设备执行相同的电子调整功能
机械式电位器
1
或可变电阻器,但与
增强的分辨率,固态可靠性和出色的低
温度系数性能。
该游标设置可通过SPI兼容
数字接口。雨刮器,要么之间的电阻
该固定电阻器的一端点相对于线性变化
数字代码传送到RDAC锁存器。
从2.7 V至5.5 V电源供电和消费
小于5微安允许使用在便携式电池供电
应用程序。
1
术语数字电位计, VR和RDAC可互换使用。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113 2003-2009 ADI公司保留所有权利。
AD5160
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
引脚配置................................................ ............................. 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性- 5 kΩ的版本.................................. 3
为10kΩ , 50 kΩ的, 100 kΩ的版本......................................... 4 .........
时序特性 - 所有版本....................................... 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征.............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 12
SPI接口................................................ .................................... 13
工作原理............................................... ....................... 14
编程可变电阻......................................... 14
编程电位分压器............................... 15
SPI兼容的3线串行总线.......................................... 15
ESD保护................................................ ........................... 15
上电排序.............................................. ..................... 15
布局和电源旁路....................................... 15
外形尺寸................................................ ....................... 16
订购指南................................................ .......................... 16
修订历史
5月9日 - 修订版。 A到版本B
更改订购指南.............................................. ............ 16
1月9日 - 修订版。 0到版本A
删除的关断电源电流参数和
尾7 ,表1 ............................................. ............................... 3
更改电阻噪声电压密度参数,
表1 ................................................ ................................................ 3
删除的关断电源电流参数和
尾7 ,表2 ............................................. ............................... 4
更改电阻噪声电压密度参数,
表2 ................................................ ................................................ 4
新增尾注表3 ............................................. .................. 5
更改表4 .............................................. .............................. 6
改变变阻器操作部分............................... 14
删除终端电压工作范围和节
图41 ,图重新编号按顺序............................. 13
图40和图41的变化........................................... 15 ..
更改订购指南.............................................. ............ 16
5月3日 - 修订版0 :初始版
版本B |第2页
16
AD5160
特定网络阳离子
电气特性- 5 kΩ器件
V
DD
= 5伏±10% ,或3伏± 10% ; V
A
= +V
DD
; V
B
= 0 V ; -40°C <牛逼
A
< + 125°C ;除非另有说明。
表1中。
参数
DC特性
变阻器模式
电阻微分非线性
2
电阻积分非线性
2
标称电阻容差
3
电阻温度COEF网络cient
滑动端电阻
电位器分频模式
决议
微分非线性
4
积分非线性
4
分压器温度系数
满量程误差
零刻度误差
电阻端子
电压范围
5
电容,电容B
6
电容W
6
共模漏
数字输入
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入电流
输入电容
6
电源
电源电压范围
电源电流
功耗
7
电源灵敏度
动态特性
6, 8
带宽的-3 dB
总谐波失真
V
W
建立时间
电阻的噪声电压密度
1
2
符号
条件
典型值
1
最大
单位
R- DNL
R- INL
R
AB
R
AB
/T
R
W
N
DNL
INL
V
W
/T
V
WFSE
V
WZSE
V
A,
V
B,
V
W
C
A,B
C
W
I
CM
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
I
IL
C
IL
V
DD范围
I
DD
P
DISS
PSS
BW_5K
THD
W
t
S
e
N_WB
R
WB
, V
A
- 无连接
R
WB
, V
A
- 无连接
T
A
= 25°C
V
AB
= V
DD
,雨刮=无连接
规范适用于所有村
1.5
4
20
±0.1
±0.75
45
50
+1.5
+4
+20
120
8
+1.5
+1.5
0
+6
V
DD
最低位
最低位
%
PPM /°C的
Ω
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
V
pF
pF
nA
V
V
V
V
μA
pF
V
μA
mW
%/%
兆赫
%
μs
纳伏/赫兹÷
1.5
1.5
代码= 0x80的
CODE = 0xFF的
CODE = 0×00
6
0
GND
F = 1MHz时,测量到GND ,代码= 0x80的
F = 1MHz时,测量到GND ,代码= 0x80的
V
A
= V
B
= V
DD
/2
2.4
±0.1
±0.6
15
2.5
+2
45
60
1
0.8
V
DD
= 3 V
V
DD
= 3 V
V
IN
= 0 V或5 V
2.1
0.6
±1
5
2.7
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V, V
DD
= 5 V
V
DD
= + 5V ± 10 % ,代码=中间电平
R
AB
= 5 kΩ的,代码= 0x80的
V
A
= 1 V有效值,V
B
= 0 V , F = 1千赫
V
A
= 5 V, V
B
= 0 V ,± 1 LSB误差带
R
WB
= 2.5 kΩ
3
±0.02
1.2
0.05
1
6
5.5
8
0.2
±0.05
典型规格代表平均读数为+ 25°C和V
DD
= 5 V.
电阻位置非线性误差(R- INL)是在最大电阻和最小电阻抽头之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。
3
V
AB
= V
DD
,雨刮器(V
W
) =无连接。
4
INL和DNL在V测量
W
与被配置为类似于一个电压输出数字 - 模拟转换器(DAC)的一个电位分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
=
0 V. DNL规格为± 1 LSB(最大值)限值保证单调的工作条件。
5
电阻端子A,电阻端B和电阻端W无极性限制,相对于对方。
6
通过设计保证,不受生产测试。
7
P
DISS
从(我计算
DD
× V
DD
) 。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
8
所有的动态特性采用V
DD
= 5 V.
版本B |第16页3
AD5160
为10kΩ , 50 kΩ的, 100 kΩ的
V
DD
= 5伏±10% ,或3伏± 10% ; V
A
= V
DD
; V
B
= 0 V ; -40°C <牛逼
A
< + 125°C ;除非另有说明。
表2中。
参数
DC特性
变阻器模式
电阻微分非线性
2
电阻积分非线性
2
标称电阻容差
3
电阻温度COEF网络cient
滑动端电阻
电位器分频模式
决议
微分非线性
4
积分非线性
4
分压器温度
系数
满量程误差
零刻度误差
电阻端子
电压范围
5
电容,电容B
6
电容W
6
共模漏
数字输入
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入电流
输入电容
6
电源
电源电压范围
电源电流
功耗
7
电源灵敏度
动态特性
6, 8
带宽的-3 dB
总谐波失真
V
W
建立时间( 10千欧/ 50千欧/ 100千欧)
电阻的噪声电压密度
1
2
符号
条件
典型值
1
最大
单位
R- DNL
R- INL
R
AB
R
AB
/T
R
W
N
DNL
INL
V
W
/T
V
WFSE
V
WZSE
V
A,B ,W
C
A,B
C
W
I
CM
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
I
IL
C
IL
V
DD范围
I
DD
P
DISS
PSS
BW
THD
W
t
S
e
N_WB
R
WB
, V
A
- 无连接
R
WB
, V
A
- 无连接
T
A
= 25°C
V
AB
= V
DD
,
雨刮=无连接
V
DD
= 5 V
规范适用于所有村
1
2
15
±0.1
±0.25
45
50
+1
+2
+15
最低位
最低位
%
PPM /°C的
Ω
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
V
pF
pF
nA
V
V
V
V
μA
pF
V
μA
mW
%/%
千赫
%
μs
纳伏/赫兹÷
120
8
+1
+1
1
1
代码= 0x80的
CODE = 0xFF的
CODE = 0×00
3
0
GND
F = 1MHz时,测量到GND ,代码=
0x80
F = 1MHz时,测量到GND ,代码=
0x80
V
A
= V
B
= V
DD
/2
2.4
±0.1
±0.3
15
1
1
0
3
V
DD
45
60
1
0.8
V
DD
= 3 V
V
DD
= 3 V
V
IN
= 0 V或5 V
2.1
0.6
±1
5
2.7
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V, V
DD
= 5 V
V
DD
= + 5V ± 10 % ,代码=中间电平
R
AB
= 10千欧/ 50千欧/ 100 kΩ的,代码= 0x80的
V
A
= 1 V有效值,V
B
= 0 V , F = 1千赫,R
AB
=
10 kΩ
V
A
= 5 V, V
B
= 0 V,
± 1 LSB误差带
R
WB
= 5 kΩ
3
±0.02
600/100/40
0.05
2
9
5.5
8
0.2
±0.05
典型规格代表平均读数为+ 25°C和V
DD
= 5 V.
电阻位置非线性误差(R- INL)是在最大电阻和最小电阻抽头之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。
3
V
AB
= V
DD
,雨刮器(V
W
) =无连接。
4
INL和DNL在V测量
W
与被配置为类似于一个电压输出数字 - 模拟转换器(DAC)的一个电位分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
=
0 V. DNL规格为± 1 LSB(最大值)限值保证单调的工作条件。
5
电阻端子A,电阻端B和电阻端W无极性限制,相对于对方。
6
通过设计保证,不受生产测试。
7
P
DISS
从(我计算
DD
× V
DD
) 。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
8
所有的动态特性采用V
DD
= 5 V.
版本B |第16页4
AD5160
时序特性 - 所有版本
V
DD
= + 5V ± 10% ,或+ 3V ±10% ; V
A
= V
DD
; V
B
= 0 V ; -40°C <牛逼
A
< + 125°C ;除非另有说明。
表3中。
参数
SPI接口时序特性
1, 2
时钟频率
输入时钟脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
CS建立时间
CS高脉冲宽度
CLK秋天到CS秋季保持时间
CLK秋天到CS上升保持时间
1
符号
f
CLK
t
CH
, t
CL
t
DS
t
DH
t
CSS
t
CSW
t
CSH0
t
CSH1
条件
规范适用于所有地区
时钟电平高或低
典型值
1
最大
25
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
5
5
15
40
0
0
见的时序图,图38中,对测量值的位置。所有的输入控制电压与T指定
R
= t
F
= 2纳秒(10%至90%的3 V)和从一个定时
1.5 V.电压等级
2
通过设计保证,不受生产测试。
版本B |第16页5
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