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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第391页 > AD5114
单通道， 128 / 64 / 32位，上/下，
±
8%
电阻容差，非易失性数字电位计
数据表
特点
单通道， 128 / 64 / 32位分辨率
5 kΩ的，为10kΩ ， 80 kΩ的标称阻值
最大± 8 ％标称电阻容差误差
低抽头电阻
±6 mA（最大值）雨刮器的电流密度
变阻器模式下的温度系数为35ppm /°C的
电位器模式温度系数为5ppm /°C的
2.3 V至5.5 V单电源供电
上电EEPROM刷新时间< 50微秒
简单的向上/向下手动或数字可配置的控制
片选使多个设备操作
50年的典型数据保持在125℃下
百万写周期
宽工作温度： -40 ° C至+ 125°C
薄，为2mm×为2mm× 0.55毫米8引脚LFCSP封装
AD5111/AD5113/AD5115
功能框图
V
DD
POWER- ON
RESET
AD5111/
AD5113/
AD5115
数据
A
W
CLK
EN
CS
U / D
上/下
控制
逻辑
EEPROM
B
数据
RDAC
注册
09654-001
GND
图1 。
应用
替代机械电位器
便携式电子设备的水平调整
音量控制
低分辨率DAC
液晶显示面板的亮度和对比度控制
可编程电压至电流转换
可编程滤波器，延迟，时间常数
反馈电阻可编程电源
传感器校准
概述
该
AD5111/AD5113/AD5115
提供一种非易失性解决方案
为128 / 64 / 32位置调整应用程序，提供
为± 8％，达到保证低电阻容差误差
±6毫安的电流密度，在A ， B和W引脚。低电阻
宽容，低标称温度系数和高
带宽简化了开环应用，以及宽容
匹配的应用程序。
新的低游标电阻特性最大限度地减少了雨刮器
在电阻阵列的极端到只有45 Ω电阻，
典型的。
一个简单的3线向上/向下接口允许手动切换
或高速数字控制，时钟速率高达50 MHz 。
该
AD5111/AD5113/AD5115
是在2毫米× 2毫米可用
LFCSP封装。这些器件保证工作的
扩展工业温度范围为-40 ° C至+ 125°C 。
表1 ± 8 ％电阻容差的家庭
模型
AD5110
AD5111
AD5112
AD5113
AD5116
AD5114
AD5115
电阻值（kΩ ）
10, 80
10, 80
5, 10, 80
5, 10, 80
5, 10, 80
10, 80
10, 80
位置
128
128
64
64
64
32
32
接口
I
2
C
上/下
I
2
C
上/下
按钮
I
2
C
上/下
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2011 ADI公司保留所有权利。
AD5111/AD5113/AD5115
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性， AD5111 .......................................... 3
电气特性， AD5113 .......................................... 5
电气特性， AD5115 .......................................... 7
接口时序规格............................................... 9 ...
时序图................................................ ........................... 9
绝对最大额定值............................................... ........... 10
热阻................................................ .................... 10
ESD注意事项................................................ ................................ 10
引脚配置和功能描述........................... 11
典型性能特征........................................... 12
数据表
测试电路................................................ ..................................... 17
工作原理............................................... ....................... 18
RDAC寄存器和EEPROM .............................................. .... 18
基本操作................................................ .......................... 18
低抽头电阻特性.............................................. ... 18
关断模式................................................ ......................... 18
EEPROM写操作............................................... ........ 18
RDAC结构................................................ .................... 19
编程可变电阻......................................... 19
编程电位分压器............................... 20
终端电压工作范围......................................... 20
上电排序.............................................. ..................... 21
布局和电源偏置............................................ 21
外形尺寸................................................ ....................... 22
订购指南................................................ .......................... 22
修订历史
10月11日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第24 2
数据表
特定网络阳离子
电气特性， AD5111
AD5111/AD5113/AD5115
10 kΩ和80 kΩ的版本： V
DD
= 2.3 V至5.5 V ，V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V ， -40°C <牛逼
A
< + 125 ℃，除非另有说明。
表2中。
参数
直流特性，变阻器模式
决议
电阻积分非线性
2
符号
N
R- INL
测试条件/评论
民
7
2.5
1
0.5
1
8
典型值
1
最大
单位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
%
PPM /°C的
Ω
Ω
Ω
R
AB
= 10 kΩ的，V
DD
= 2.3 V至2.7 V
R
AB
= 10 kΩ的，V
DD
= 2.7 V至5.5 V
R
AB
= 80 kΩ
电阻微分非线性
2
标称电阻容差
电阻温度COEF网络cient
3
滑动端电阻
R- DNL
ΔR
AB
/R
AB
(ΔR
AB
/R
AB
)/ΔT × 10
6
R
W
R
BS
R
TS
±0.5
±0.25
±0.1
±0.25
35
70
45
70
+2.5
+1
+0.5
+1
+8
140
80
140
代码=零刻度
代码=底部刻度
代码=畅销规模
直流特性电位器
分频模式
积分非线性
4
微分非线性
4
满量程误差
零刻度误差
分压器温度系数
3
电阻端子
最大连续我
A
, I
B
和我
W
当前
3
终端电压范围
5
电容，电容B
3
, 6
电容W
3
, 6
共模漏电流
3
数字输入
输入逻辑
3
高
低
输入电流
3
输入电容
3
电源
单电源功率范围
正电源电流
EEMEM存储当前
3
, 7
EEMEM读取电流
3
, 8
功耗
9
电源抑制
3
INL
DNL
V
WFSE
V
WZSE
(ΔV
W
/V
W
)/ΔT × 10
6
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
CODE =半秤
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
0.5
0.5
2.5
1.5
±0.15
±0.15
+0.5
+0.5
1.5
0.5
±10
6
1.5
GND
20
35
500
±15
+500
+6
+1.5
V
DD
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
mA
mA
V
pF
pF
nA
C
A
, C
B
C
W
F = 1MHz时，测量到GND ，
CODE =半秤
F = 1MHz时，测量到GND ，
CODE =半秤
V
A
= V
W
= V
B
V
INH
V
INL
I
N
C
IN
2
0.8
±1
5
2.3
5.5
750
2
320
5
50
64
V
V
μA
pF
V
nA
mA
μA
μW
dB
dB
I
DD
I
DD_NVM_STORE
I
DD_NVM_READ
P
DISS
PSR
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND ，V
DD
= 5 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
DD
/V
SS
= 5 V ± 10%
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
第0版|第24 3
AD5111/AD5113/AD5115
参数
动态特性
3
, 10
带宽
符号
BW
测试条件/评论
代码=满量程的一半， -3分贝
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
V
A
= V
DD
/ 2 + 1 V RMS ，V
B
= V
DD
/
2 ， F = 1 kHz时，代码=满量程的一半
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
V
A
= 5 V, V
B
= 0 V ，± 0.5 LSB
误差带
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
代码=规模的一半，T
A
= 25°C,
F = 100千赫
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
T
A
= 25°C
100
数据保留
1
2
数据表
民
典型值
1
最大
单位
2
200
兆赫
千赫
总谐波失真
THD
80
85
dB
dB
V
W
建立时间
t
s
3
12
μs
μs
电阻噪声密度
e
N_WB
9
20
1
50
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
Mcycles
kcycles
岁月
Flash / EE存储器可靠性
3
耐力
11
12
典型值代表平均的读数在25℃ ，V
DD
= 5 V, V
SS
= 0V和V
逻辑
= 5 V.
R- INL是最大电阻和最小电阻抽头之间的理想值之间的偏差。 R- DNL测量的相对步
改变从连续抽头位置之间的理想。最大抽头的电流被限制在0.8 ×V
DD
/R
AB
.
3
通过设计和特性保证;不受生产测试。
4
INL和DNL在V测量
WB
与配置类似的电压输出DAC电位分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V DNL规范极限值
±1 LSB（最大值）保证单调的工作条件。
5
电阻端子A，电阻端B和电阻端W对电流的方向没有限制相对于对方。
6
C
A
测定采用V
W
= V
A
= 2.5 V ，C
B
测定采用V
W
= V
B
= 2.5 V和C
W
测定采用V
A
= V
B
= 2.5 V.
7
不同的工作电流;电源电流为NVM方案持续约30毫秒。
8
不同的工作电流;电源电流为NVM读持续约20微秒。
9
P
DISS
从（我计算
DD
× V
DD
).
10
所有的动态特性采用V
DD
= 5.5 V和V
逻辑
= 5 V.
11
耐力是合格的，每JEDEC 22标准方法A117 10万次，并在150 ℃下测定。
12
保持期限相当于在结温（T
J
）是根据JEDEC 22标准方法A117 125 ℃。根据1电子伏特的活化能保持期限
减额与在Flash / EE存储器的结温。
第0版|第24 4
数据表
电气特性， AD5113
AD5111/AD5113/AD5115
5 kΩ的，为10kΩ ， 80 kΩ的版本： V
DD
= 2.3 V至5.5 V ，V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V ， -40°C <牛逼
A
< + 125 ℃，除非另有说明。
表3中。
参数
直流特性，变阻器模式
决议
电阻积分非线性
2
符号
N
R- INL
测试条件/评论
民
6
2.5
1
1
0.25
1
8
典型值
1
最大
单位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
%
PPM /°C的
Ω
Ω
Ω
R
AB
= 5 KΩ ，V
DD
= 2.3 V至2.7 V
R
AB
= 5 KΩ ，V
DD
= 2.7 V至5.5 V
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
电阻微分非线性
2
标称电阻容差
电阻温度COEF网络cient
3
滑动端电阻
R- DNL
ΔR
AB
/R
AB
(ΔR
AB
/R
AB
)/ΔT × 10
6
R
W
R
BS
R
TS
±0.5
±0.25
±0.25
±0.1
±0.25
35
70
45
70
+2.5
+1
+1
+0.25
+1
+8
140
80
140
代码=零刻度
代码=底部刻度
代码=畅销规模
直流特性电位器
分频模式
积分非线性
4
微分非线性
4
满量程误差
INL
DNL
V
WFSE
零刻度误差
V
WZSE
分压器温度系数
3
电阻端子
最大连续我
A
, I
B
和我
W
当前
3
终端电压范围
5
电容，电容B
3
, 6
电容W
3
, 6
共模漏电流
3
数字输入
输入逻辑
3
高
低
输入电流
3
输入电容
3
电源
单电源功率范围
正电源电流
EEMEM存储当前
3
, 7
EEMEM读取电流
3
, 8
功耗
9
电源抑制
3
(ΔV
W
/V
W
)/ΔT × 10
6
R
AB
= 5 kΩ
R
AB
=10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
R
AB
= 5 kΩ
R
AB
=10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
CODE =半秤
R
AB
= 5 kΩ, 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
0.5
0.5
2.5
1.5
1
±0.15
±0.15
+0.5
+0.5
1.5
1
0.25
±10
6
1.5
GND
20
35
500
±15
+500
+6
+1.5
V
DD
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
mA
mA
V
pF
pF
nA
C
A
, C
B
C
W
F = 1MHz时，测量到GND ，
CODE =半秤
F = 1MHz时，测量到GND ，
CODE =半秤
V
A
= V
W
= V
B
V
INH
V
INL
I
N
C
IN
2
0.8
±1
5
2.3
5.5
750
2
320
5
43
50
64
V
V
μA
pF
V
nA
mA
μA
μW
dB
dB
dB
I
DD
I
DD_NVM_STORE
I
DD_NVM_READ
P
DISS
PSR
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND ，V
DD
= 5 V
V
IH
= V
DD
或V
IL
= GND
V
DD
/V
SS
= 5 V ± 10%
R
AB
= 5 kΩ
R
AB
=10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
第0版|第24 5
单通道， 128 / 64 / 32的位置，我
2
C,
±
8%
电阻容差，非易失性数字电位计
数据表
特点
单通道， 128 / 64 / 32位分辨率
5 kΩ的，为10kΩ ， 80 kΩ的标称阻值
最大± 8 ％标称电阻容差误差
低抽头电阻
±6 mA（最大值）雨刮器的电流密度
存储在EEPROM电阻容差（ 0.1 ％精度）
变阻器模式下的温度系数为35ppm /°C的
电位器模式温度系数为5ppm /°C的
2.3 V至5.5 V单电源供电
1.8 V至5.5 V逻辑电源供电
上电EEPROM刷新时间< 50微秒
I
2
C兼容接口
抽头设置和EEPROM回读
50年的典型数据保持在125℃下
百万写周期
宽工作温度： -40 ° C至+ 125°C
薄，为2mm×为2mm× 0.55毫米8引脚LFCSP封装
AD5110/AD5112/AD5114
功能框图
V
逻辑
V
DD
AD5110/AD5112/AD5114
POWER- ON
RESET
A
W
数据
SDA
SCL
EEPROM
I
2
C
串行
接口
B
数据
RDAC
注册
09582-001
GND
图1 。
应用
替代机械电位器
便携式电子设备的水平调整
音量控制
低分辨率DAC
液晶显示面板的亮度和对比度控制
可编程电压至电流转换
可编程滤波器，延迟，时间常数
反馈电阻可编程电源
传感器校准
概述
该
AD5110/AD5112/AD5114
提供一种非易失性解决方案
为128 / 64 / 32位置调整应用程序，提供
为± 8％，达到保证低电阻容差误差
±6毫安的电流密度，在A ， B和W引脚。低电阻
宽容，低标称温度系数和高
带宽简化了开环应用，以及宽容
匹配的应用程序。
新的低游标电阻特性最大限度地减少了雨刮器
在电阻阵列的极端到只有45 Ω电阻，
典型的。
该游标设置可通过I
2
C兼容
这也用于回读的抽头寄存器数字接口
和EEPROM的内容。电阻容差存储在
EEPROM中，提供了0.1％的端至端的公差精度。
该
AD5110/AD5112/AD5114
是在2毫米× 2毫米可用
LFCSP封装。这些器件保证工作的
扩展工业温度范围为-40 ° C至+ 125°C 。
表1 ± 8 ％电阻容差的家庭
模型
AD5110
AD5111
AD5112
AD5113
AD5116
AD5114
AD5115
电阻值（kΩ ）
10, 80
10, 80
5, 10, 80
5, 10, 80
5, 10, 80
10, 80
10, 80
位置
128
128
64
64
64
32
32
接口
I
2
C
上/下
I
2
C
上/下
按钮
I
2
C
上/下
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2011 ADI公司保留所有权利。
AD5110/AD5112/AD5114
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性， AD5110 .......................................... 3
电气特性， AD5112 .......................................... 5
电气特性， AD5114 .......................................... 7
接口时序规格............................................... 9 ...
移位寄存器和时序图......................................... 10
绝对最大额定值............................................... ........... 11
热阻................................................ .................... 11
ESD注意事项................................................ ................................ 11
引脚配置和功能描述........................... 12
典型性能特征........................................... 13
测试电路................................................ ..................................... 18
数据表
工作原理............................................... ....................... 19
RDAC寄存器和EEPROM .............................................. .... 19
I
2
串行数据接口.............................................. .............. 19
输入移位寄存器............................................... ..................... 20
写操作................................................ .......................... 21
EEPROM写Acknowlegde投票.................................... 23
读操作................................................ ........................... 23
复位................................................. ............................................ 23
关断模式................................................ ......................... 23
RDAC结构................................................ .................... 24
编程可变电阻......................................... 24
编程电位分压器............................... 25
终端电压工作范围......................................... 26
上电排序.............................................. ..................... 26
布局和电源偏置............................................ 26
外形尺寸................................................ ....................... 27
订购指南................................................ .......................... 27
修订历史
10月11日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第28 2
数据表
特定网络阳离子
电气特性， AD5110
AD5110/AD5112/AD5114
10 kΩ和80 kΩ的版本： V
DD
= 2.3 V至5.5 V ，V
逻辑
= 1.8 V到V
DD
, V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V ， -40°C <牛逼
A
< + 125 ℃，除非另有说明。
表2中。
参数
直流特性，变阻器模式
决议
电阻积分非线性
2
符号
N
R- INL
测试条件/评论
民
7
2.5
1
0.5
1
8
典型值
1
最大
单位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
%
PPM /°C的
Ω
Ω
Ω
R
AB
= 10 kΩ的，V
DD
= 2.3 V至2.7 V
R
AB
= 10 kΩ的，V
DD
= 2.7 V至5.5 V
R
AB
= 80 kΩ
电阻微分非线性
2
标称电阻容差
电阻温度COEF网络cient
3
滑动端电阻
R- DNL
ΔR
AB
/R
AB
(ΔR
AB
/R
AB
)/ΔT × 10
6
R
W
R
BS
R
TS
±0.5
±0.25
±0.1
±0.25
35
70
45
70
+2.5
+1
+0.5
+1
+8
140
80
140
代码=满量程
代码=零刻度
代码=底部刻度
代码=畅销规模
直流特性电位器
分频模式
积分非线性
4
微分非线性
4
满量程误差
零刻度误差
分压器温度系数
3
电阻端子
最大连续我
A
, I
B
和我
W
当前
3
终端电压范围
5
电容，电容B
3
INL
DNL
V
WFSE
V
WZSE
(ΔV
W
/V
W
)/ΔT × 10
6
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
CODE =半秤
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
0.5
0.5
2.5
1.5
±0.15
±0.15
+0.5
+0.5
1.5
0.5
±10
6
1.5
GND
20
+6
+1.5
V
DD
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
mA
mA
V
pF
C
A
, C
B
电容W
3
共模漏电流
3
数字输入
输入逻辑
3
高
低
输入滞后
3
输入电流
3
输入电容
3
数字输出（ SDA ）
输出低电压
3
三态泄漏电流
三态输出电容
3
C
W
F = 1MHz时，测量到GND ，
代码=一半的规模，
V
W
= V
A
= 2.5 V或V
W
= V
B
= 2.5 V
F = 1MHz时，测量到GND ，
代码=规模的一半，V
A
= V
B
= 2.5 V
V
A
= V
W
= V
B
35
500
±15
+500
pF
nA
V
INH
V
INL
V
HYST
I
N
C
IN
V
OL
V
逻辑
= 1.8 V至2.3 V
V
逻辑
= 2.3 V至5.5 V
V
逻辑
= 1.8 V至2.3 V
V
逻辑
= 2.3 V至5.5 V
0.8 × V
逻辑
0.7 × V
逻辑
0.2 × V
逻辑
0.3 × V
逻辑
0.1 × V
逻辑
±1
5
V
V
V
V
V
μA
pF
V
V
μA
pF
I
SINK
= 3毫安
I
SINK
= 6毫安
1
2
0.2
0.4
+1
第0版|第28 3
AD5110/AD5112/AD5114
参数
电源
单电源功率范围
逻辑电源电压范围
正电源电流
EEMEM存储当前
3
, 6
EEMEM读取电流
3
, 7
逻辑电源电流
功耗
8
电源抑制
3
符号
测试条件/评论
民
2.3
1.8
I
DD
I
DD_NVM_STORE
I
DD_NVM_READ
I
逻辑
P
DISS
PSR
V
DD
= 5 V
750
2
320
30
5
50
64
典型值
1
数据表
最大
5.5
V
DD
单位
V
V
nA
mA
μA
nA
μW
dB
dB
V
IH
= V
逻辑
或V
IL
= GND
V
IH
= V
逻辑
或V
IL
= GND
V
DD
/V
SS
= 5 V ± 10%
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
代码=满量程的一半， -3分贝
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
V
A
= V
DD
/ 2 + 1 V有效值，V
B
= V
DD
/2,
F = 1 kHz时，代码=满量程的一半
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
V
A
= 5 V, V
B
= 0 V,
±0.5 LSB误差带
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
代码=规模的一半，T
A
= 25°C,
F = 100千赫
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
T
A
= 25°C
100
动态特性
3
, 9
带宽
BW
2
200
兆赫
千赫
总谐波失真
THD
80
85
dB
dB
V
W
建立时间
t
s
3
12
μs
μs
电阻噪声密度
e
N_WB
9
20
1
50
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
Mcycles
kcycles
岁月
Flash / EE存储器可靠性
3
耐力
10
数据保留
1
2
11
典型值代表平均的读数在25℃ ，V
DD
= 5 V, V
SS
= 0V和V
逻辑
= 5 V.
电阻位置非线性误差（R- INL）是在最大电阻和最小电阻抽头之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。最大抽头的电流被限制在0.75 ×V
DD
/R
AB
.
3
通过设计和特性保证，未经生产测试。
4
INL和DNL在V测量
WB
与配置类似的电压输出DAC电位分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V DNL规范极限值
±1 LSB（最大值）保证单调的工作条件。
5
电阻端子A，电阻端B和电阻端W无极性限制，相对于对方。
6
不同的工作电流;电源电流为NVM方案持续约30毫秒。
7
不同的工作电流;电源电流为NVM读持续约20微秒。
8
P
DISS
从（我计算
DD
× V
DD
) + (I
逻辑
× V
逻辑
).
9
所有的动态特性采用V
DD
= 5.5 V ，和V
逻辑
= 5 V.
10
耐力是合格的，每JEDEC 22标准方法A117 10万次，并在150 ℃下测定。
11
保持期限相当于在结温（T
J
） = 125°C根据JEDEC 22标准方法A117 。根据1电子伏特的活化能保持期限
减额与在Flash / EE存储器的结温。
第0版|第28 4
数据表
电气特性， AD5112
AD5110/AD5112/AD5114
5 kΩ的，为10kΩ ， 80 kΩ的版本： V
DD
= 2.3 V至5.5 V ，V
逻辑
= 1.8 V到V
DD
, V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V ， -40°C <牛逼
A
< + 125 ℃，除非另有说明。
表3中。
参数
直流特性，变阻器模式
决议
电阻积分非线性
2
符号
N
R- INL
测试条件/评论
民
6
2.5
1
1
0.25
+1
8
典型值
1
最大
单位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
%
PPM /°C的
Ω
Ω
Ω
R
AB
= 5 KΩ ，V
DD
= 2.3 V至2.7 V
R
AB
= 5 KΩ ，V
DD
= 2.7 V至5.5 V
R
AB
= 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
电阻微分非线性
2
标称电阻容差
电阻温度COEF网络cient
3
滑动端电阻
R- DNL
ΔR
AB
/R
AB
(ΔR
AB
/R
AB
)/ΔT × 10
6
R
W
R
BS
R
TS
±0.5
±0.25
±0.25
±0.1
±0.25
35
70
45
70
+2.5
+1
+1
+0.25
+1
+8
140
80
140
代码=满量程
代码=零刻度
代码=底部刻度
代码=畅销规模
直流特性电位器
分频模式
积分非线性
4
微分非线性
4
满量程误差
INL
DNL
V
WFSE
零刻度误差
V
WZSE
分压器温度系数
3
电阻端子
最大连续我
A
, I
B
和我
W
当前
3
终端电压范围
5
电容，电容B
3
(ΔV
W
/V
W
)/ΔT × 10
6
R
AB
= 5 kΩ
R
AB
=10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
R
AB
= 5 kΩ
R
AB
=10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
CODE =半秤
R
AB
= 5 kΩ, 10 kΩ
R
AB
= 80 kΩ
0.5
0.5
2.5
1.5
1
±0.15
±0.15
+0.5
+0.5
1.5
1
0.25
±10
6
1.5
GND
20
+6
+1.5
V
DD
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
mA
mA
V
pF
C
A
, C
B
电容W
3
C
W
共模漏电流
3
数字输入
输入逻辑
3
高
低
输入滞后
3
输入电流
3
输入电容
3
数字输出（ SDA ）
输出低电压
3
三态泄漏电流
三态输出电容
3
F = 1MHz时，测量到GND ，
代码=规模的一半，V
W
= V
A
=
2.5 V或V
W
= V
B
= 2.5 V
F = 1MHz时，测量到GND ，
代码=一半的规模，
V
A
= V
B
= 2.5 V
V
A
= V
W
= V
B
35
pF
500
±15
+500
nA
V
INH
V
INL
V
HYST
I
N
C
IN
V
OL
V
逻辑
= 1.8 V至2.3 V
V
逻辑
= 2.3 V至5.5 V
V
逻辑
= 1.8 V至2.3 V
V
逻辑
= 2.3 V至5.5 V
0.8 × V
逻辑
0.7 × V
逻辑
0.2 × V
逻辑
0.3 × V
逻辑
0.1 × V
逻辑
±1
5
V
V
V
V
V
μA
pF
V
V
μA
pF
I
SINK
= 3毫安
I
SINK
= 6毫安
1
2
0.2
0.4
+1
第0版|第28 5
单通道， 64位，按钮，
± 8 ％电阻容差，非易失性数字电位计
数据表
特点
单通道， 64位分辨率
5 kΩ的，为10kΩ ， 80 kΩ的标称阻值
最大± 8 ％标称电阻容差误差
低最低A- W和B -W电阻特性
完秤阻力指示器
2.3 V至5.5 V单电源供电
±6 mA（最大值）连续A， B和W电流密度
简单的按钮手动配置的控制
内置自适应去抖
离散的升压/降压控制
自动扫描上/下控制
自动或手动保存的抽头位置
上电EEPROM刷新时间< 50微秒
变阻器模式下的温度系数为35ppm /°C的
电位器模式温度系数为5ppm /°C的
50年的典型数据保持在125℃下
百万写周期
宽工作温度： -40 ° C至+ 125°C
薄，为2mm×为2mm× 0.55毫米8引脚LFCSP封装
AD5116
应用
替代机械电位器
便携式电子设备的水平调整
音量控制
低分辨率DAC
液晶显示面板的亮度和对比度控制
可编程电压至电流转换
可编程滤波器，延迟，时间常数
反馈电阻可编程电源
传感器校准
功能框图
V
DD
数据
控制
逻辑
块
V
DD
日月光
PU
PD
EEPROM
数据
RDAC
注册
A
自适应
去抖
W
B
09657-001
AD5116
GND
图1 。
概述
该
AD5116
提供非易失性数字电位器
解决方案适用于64位调整应用程序，提供
为± 8％，达到保证低电阻容差误差
±6毫安的电流密度，在A ， B和W引脚。低电阻
宽容，低标称温度系数和高
带宽简化了开环应用，以及宽容
匹配的应用程序。
新的低AW和BW性功能最小化
在电阻阵列的极端的滑动端电阻
一般为45 Ω 。
一个简单的按钮接口允许手动控制
只是两个外部按钮开关。该
AD5116
设计
用内置的自适应去抖忽略无效反弹
由于接触反弹（一般机械中
开关）。该反跳是自适应的，容纳
各种按钮。
该
AD5116
能自动保存上次抽头位置到
EEPROM ，使之适合于那些需要的应用
电时，在最后一个抽头位置，例如，音频
设备。
该
AD5116
在2毫米× 2毫米8引脚LFCSP封装
封装。该器件保证工作在扩展级
工业级温度范围为-40 ° C至+ 125°C 。
表1. NVM ± 8 ％电阻容差的家庭
模型
AD5110
AD5111
AD5112
AD5113
AD5116
AD5114
AD5115
电阻值（kΩ ）
10, 80
10, 80
5, 10, 80
5, 10, 80
5, 10, 80
10, 80
10, 80
位置
128
128
64
64
64
32
32
接口
I
2
C
上/下
I
2
C
上/下
按钮
I
2
C
上/下
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
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www.analog.com
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AD5116
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性................................................ ............. 3
接口时序规格............................................... 5 ...
时序图................................................ .......................... 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
热阻................................................ ...................... 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 8
数据表
测试电路................................................ ..................................... 12
工作原理............................................... ....................... 13
RDAC注册................................................ ............................ 13
EEPROM ................................................. .................................... 13
自动保存启用............................................... ............... 13
最终规模性指标.............................................. ... 14
RDAC结构................................................ .................... 14
编程可变电阻......................................... 14
编程电位分压器............................... 15
终端电压工作范围......................................... 15
上电排序.............................................. ..................... 15
布局和电源偏置............................................ 15
外形尺寸................................................ ....................... 16
订购指南................................................ .......................... 16
修订历史
10月11日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第16页2
数据表
特定网络阳离子
电气特性
5 kΩ的，为10kΩ ， 80 kΩ的版本： V
DD
= 2.3 V至5.5 V ，V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V ， -40°C <牛逼
A
< + 125 ℃，除非另有说明。
表2中。
参数
直流特性，变阻器模式
决议
电阻积分非线性
2
符号
N
R- INL
测试条件/评论
民
6
2.5
1
1
0.25
1
8
典型值
1
最大
AD5116
单位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
%
PPM /°C的
R
AB
= 5 KΩ ，V
DD
= 2.3 V至2.7 V
R
AB
= 5 KΩ ，V
DD
= 2.7 V至5.5 V
R
AB
= 10 k
R
AB
= 80 k
电阻微分非线性
2
标称电阻容差
电阻温度COEF网络cient
3
滑动端电阻
R- DNL
ΔR
AB
/R
AB
(ΔR
AB
/R
AB
)/ΔT × 10
6
R
W
R
BS
R
TS
±0.5
±0.25
±0.25
±0.1
±0.25
35
70
45
70
+2.5
+1
+1
+0.25
+1
+8
140
80
140
代码=满量程
代码=零刻度
代码=底部刻度
代码=畅销规模
直流特性电位器
分频模式
积分非线性
4
微分非线性
4
满量程误差
INL
DNL
V
WFSE
零刻度误差
V
WZSE
分压器温度系数
3
电阻端子
最大连续我
A
, I
B
和我
W
当前
3
终端电压范围
5
电容，电容B
3
, 6
电容W
3
, 6
共模漏电流
3
数字输入（ PU和PD ）
输入逻辑
3
高
低
输入电流
3
输入电容
3
数字输出（
ASE ）
输出高电压
3
输出电流
3
三态泄漏电流
3
输入电容
3
(ΔV
W
/V
W
)/ΔT × 10
6
R
AB
= 5 k
R
AB
=10 k
R
AB
= 80 k
R
AB
= 5 k
R
AB
=10 k
R
AB
= 80 k
CODE =半秤
R
AB
= 5 k, 10 k
R
AB
= 80 k
0.5
0.5
2.5
1.5
1
±0.15
±0.15
+0.5
+0.5
+1.5
+1
+0.25
±10
6
1.5
GND
20
35
50
+6
+1.5
V
DD
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
mA
mA
V
pF
pF
nA
C
A
, C
B
C
W
F = 1MHz时，测量到GND ，
代码=规模的一半，V
W
= V
A
= 2.5 V
或V
W
= V
B
= 2.5 V
F = 1MHz时，测量到GND ，
代码=规模的一半，V
A
= V
B
= 2.5 V
V
A
= V
W
= V
B
V
INH
V
INL
I
N
C
IN
V
OH
I
O
I
OZ
C
IN
I
SINK
= 2毫安， V
DD
= 5 V
V
DD
= 5 V
2
0.8
±1
5
4.8
16
±1
5
V
V
A
pF
V
mA
A
pF
第0版|第16页3
AD5116
参数
电源
单电源功率范围
正电源电流
EEMEM存储当前
3
, 7
EEMEM读取电流
3
, 8
功耗
9
电源抑制
3
符号
测试条件/评论
民
2.3
I
DD
I
DD_NVM_STORE
I
DD_NVM_READ
P
DISS
PSR
V
DD
= 5 V
750
2
320
5
43
50
64
典型值
1
数据表
最大
5.5
单位
V
nA
mA
A
W
dB
dB
dB
V
IH
= V
逻辑
或V
IL
= GND
V
DD
/V
SS
= 5 V ± 10%
R
AB
= 5 k
R
AB
=10 k
R
AB
= 80 k
代码=满量程的一半 - 3分贝
R
AB
= 5 k
R
AB
= 10 k
R
AB
= 80 k
V
A
= V
DD
/ 2 + 1 V RMS ，V
B
= V
DD
/2,
F = 1 kHz时，代码=满量程的一半
R
AB
= 5 k
R
AB
= 10 k
R
AB
= 80 k
V
A
= 5 V, V
B
= 0 V ，± 0.5 LSB误差
BAND
R
AB
= 5 k
R
AB
= 10 k
R
AB
= 80 k
代码=规模的一半，T
A
= 25°C,
F = 100千赫
R
AB
= 5 k
R
AB
= 10 k
R
AB
= 80 k
T
A
= 25°C
100
动态特性
3
, 10
带宽
BW
4
2
200
兆赫
兆赫
千赫
总谐波失真
THD
75
80
85
dB
dB
dB
V
W
建立时间
t
s
2.5
3
10
s
s
s
电阻噪声密度
e
N_WB
7
9
20
1
50
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
Mcycles
kcycles
岁月
Flash / EE存储器可靠性
3
耐力
11
数据保留
1
2
12
典型值代表平均的读数在25℃ ，V
DD
= 5 V, V
SS
= 0V和V
逻辑
= 5 V.
电阻位置非线性误差（R- INL）是在最大电阻和最小电阻抽头之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。最大抽头的电流被限制在0.8 ×V
DD
/R
AB
.
3
通过设计和特性保证，未经生产测试。
4
INL和DNL在V测量
WB
与配置类似的电压输出DAC电位分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V DNL规范极限值
±1 LSB（最大值）保证单调的工作条件。
5
电阻端子A，电阻端B和电阻端W无极性限制，相对于对方。
6
C
A
测定采用V
W
= V
A
= 2.5 V ，C
B
测定采用V
W
= V
B
= 2.5 V和C
W
测定采用V
A
= V
B
= 2.5 V.
7
不同的工作电流;电源电流为NVM方案持续约30毫秒。
8
不同的工作电流;电源电流为NVM读持续约20微秒。
9
P
DISS
从（我计算
DD
× V
DD
).
10
所有的动态特性采用V
DD
= 5.5 V ，和V
逻辑
= 5 V.
11
耐力是合格的，每JEDEC 22标准方法A117 10万次，并在150 ℃下测定。
12
保持期限相当于在结温（T
J
） = 125°C根据JEDEC 22标准方法A117 。根据1电子伏特的活化能保持期限
减额与在Flash / EE存储器的结温。
第0版|第16页4
数据表
接口时序规范
V
DD
= 2.3 V至5.5 V ;所有规格牛逼
民
给T
最大
中，除非另有说明。
表3中。
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
EEPROM_PROGRAM1
t
POWER_UP2
1
2
AD5116
测试条件/评论
ASE = 0 V ， PD = GND ， PU = GND
ASE = V
DD
民
8
1
140
1
8
典型值
最大
15
50
50
单位
ms
美国证券交易委员会
ms
美国证券交易委员会
ms
ms
μs
描述
去抖时间
手动，自动扫描时间
自动扫描步
自动保存执行时间
低脉冲的时间来手动存储
存储器中的程序时间
上电EEPROM恢复时间
EEPROM的编程时间取决于温度和EEPROM的写入周期。更高的定时预期在较低的温度和较高的写入周期。
V之后的最长时间
DD
等于2.3 V.
时序图
PD / PU （ LOW ）
t
1
PU
日月光
t
5
t
EEPROM
节目
PD （ LOW ）
R
W
09657-002
09657-005
EEPROM
数据
新资料
图2.手动增量模式时序
图5.手动保存模式时序
t
1
t
1
PU
PD （ LOW ）
R
W
09657-003
t
3
t
2
PD
R
W
= 45
R
W
09657-006
日月光
图3.自动递增模式时序
t
1
t
4
PD
图6.结束刻度指示计时
t
EEPROM
节目
R
W
日月光（ LOW ）
EEPROM
数据
新资料
图4.自动保存模式时序
09657-004
第0版|第16页5
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