【单通道， 128 / 64 / 32的位置，我2C,±8%电阻容差，非易失性数字电位计数据表特点单通】,IC型号AD5110BCPZ10-RL7,AD5110BCPZ10-RL7 PDF资料,AD5110BCPZ10-RL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

单通道， 128 / 64 / 32的位置，我

电阻容差，非易失性数字电位计

数据表

特点

单通道， 128 / 64 / 32位分辨率

5 kΩ的，为10kΩ ， 80 kΩ的标称阻值

最大± 8 ％标称电阻容差误差

低抽头电阻

±6 mA（最大值）雨刮器的电流密度

存储在EEPROM电阻容差（ 0.1 ％精度）

变阻器模式下的温度系数为35ppm /°C的

电位器模式温度系数为5ppm /°C的

2.3 V至5.5 V单电源供电

1.8 V至5.5 V逻辑电源供电

上电EEPROM刷新时间< 50微秒

C兼容接口

抽头设置和EEPROM回读

50年的典型数据保持在125℃下

百万写周期

宽工作温度： -40 ° C至+ 125°C

薄，为2mm×为2mm× 0.55毫米8引脚LFCSP封装

AD5110/AD5112/AD5114

功能框图

逻辑

AD5110/AD5112/AD5114

POWER- ON

RESET

数据

SDA

SCL

EEPROM

串行

接口

数据

RDAC

09582-001

GND

图1 。

应用

替代机械电位器

便携式电子设备的水平调整

音量控制

低分辨率DAC

液晶显示面板的亮度和对比度控制

可编程电压至电流转换

可编程滤波器，延迟，时间常数

反馈电阻可编程电源

传感器校准

概述

该

AD5110/AD5112/AD5114

提供一种非易失性解决方案

为128 / 64 / 32位置调整应用程序，提供

为± 8％，达到保证低电阻容差误差

±6毫安的电流密度，在A ， B和W引脚。低电阻

宽容，低标称温度系数和高

带宽简化了开环应用，以及宽容

匹配的应用程序。

新的低游标电阻特性最大限度地减少了雨刮器

在电阻阵列的极端到只有45 Ω电阻，

典型的。

该游标设置可通过I

C兼容

这也用于回读的抽头寄存器数字接口

和EEPROM的内容。电阻容差存储在

EEPROM中，提供了0.1％的端至端的公差精度。

该

AD5110/AD5112/AD5114

是在2毫米× 2毫米可用

LFCSP封装。这些器件保证工作的

扩展工业温度范围为-40 ° C至+ 125°C 。

表1 ± 8 ％电阻容差的家庭

模型

AD5110

AD5111

AD5112

AD5113

AD5116

AD5114

AD5115

电阻值（kΩ ）

10, 80

5, 10, 80

10, 80

位置

128

接口

上/下

按钮

上/下

第0版

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AD5110/AD5112/AD5114

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

电气特性， AD5110 .......................................... 3

电气特性， AD5112 .......................................... 5

电气特性， AD5114 .......................................... 7

接口时序规格............................................... 9 ...

移位寄存器和时序图......................................... 10

绝对最大额定值............................................... ........... 11

热阻................................................ .................... 11

ESD注意事项................................................ ................................ 11

引脚配置和功能描述........................... 12

典型性能特征........................................... 13

测试电路................................................ ..................................... 18

数据表

工作原理............................................... ....................... 19

RDAC寄存器和EEPROM .............................................. .... 19

串行数据接口.............................................. .............. 19

输入移位寄存器............................................... ..................... 20

写操作................................................ .......................... 21

EEPROM写Acknowlegde投票.................................... 23

读操作................................................ ........................... 23

复位................................................. ............................................ 23

关断模式................................................ ......................... 23

RDAC结构................................................ .................... 24

编程可变电阻......................................... 24

编程电位分压器............................... 25

终端电压工作范围......................................... 26

上电排序.............................................. ..................... 26

布局和电源偏置............................................ 26

外形尺寸................................................ ....................... 27

订购指南................................................ .......................... 27

修订历史

10月11日 - 修订版0 ：初始版

第0版|第28 2

数据表

特定网络阳离子

电气特性， AD5110

AD5110/AD5112/AD5114

10 kΩ和80 kΩ的版本： V

= 2.3 V至5.5 V ，V

逻辑

= 1.8 V到V

, V

= V

, V

= 0 V ， -40°C <牛逼

< + 125 ℃，除非另有说明。

表2中。

参数

直流特性，变阻器模式

决议

电阻积分非线性

符号

R- INL

测试条件/评论

民

2.5

0.5

典型值

最大

单位

位

最低位

PPM /°C的

= 10 kΩ的，V

= 2.3 V至2.7 V

= 10 kΩ的，V

= 2.7 V至5.5 V

= 80 kΩ

电阻微分非线性

标称电阻容差

电阻温度COEF网络cient

滑动端电阻

R- DNL

ΔR

(ΔR

)/ΔT × 10

±0.5

±0.25

±0.1

±0.25

+2.5

+0.5

140

代码=满量程

代码=零刻度

代码=底部刻度

代码=畅销规模

直流特性电位器

分频模式

积分非线性

微分非线性

满量程误差

零刻度误差

分压器温度系数

电阻端子

最大连续我

, I

和我

当前

终端电压范围

电容，电容B

INL

DNL

WFSE

WZSE

(ΔV

)/ΔT × 10

= 10 kΩ

= 80 kΩ

= 10 kΩ

= 80 kΩ

CODE =半秤

= 10 kΩ

= 80 kΩ

0.5

2.5

1.5

±0.15

+0.5

1.5

0.5

±10

1.5

GND

+1.5

最低位

PPM /°C的

, C

电容W

共模漏电流

数字输入

输入逻辑

高

低

输入滞后

输入电流

输入电容

数字输出（ SDA ）

输出低电压

三态泄漏电流

三态输出电容

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=一半的规模，

= V

= 2.5 V或V

= V

= 2.5 V

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=规模的一半，V

= V

= 2.5 V

= V

500

±15

+500

INH

INL

HYST

逻辑

= 1.8 V至2.3 V

逻辑

= 2.3 V至5.5 V

逻辑

= 1.8 V至2.3 V

逻辑

= 2.3 V至5.5 V

0.8 × V

逻辑

0.7 × V

逻辑

0.2 × V

逻辑

0.3 × V

逻辑

0.1 × V

逻辑

±1

μA

SINK

= 3毫安

SINK

= 6毫安

0.2

0.4

第0版|第28 3

AD5110/AD5112/AD5114

参数

电源

单电源功率范围

逻辑电源电压范围

正电源电流

EEMEM存储当前

, 6

EEMEM读取电流

, 7

逻辑电源电流

功耗

电源抑制

符号

测试条件/评论

民

2.3

1.8

DD_NVM_STORE

DD_NVM_READ

逻辑

DISS

PSR

= 5 V

750

320

典型值

数据表

最大

5.5

单位

μA

μW

= V

逻辑

或V

= GND

= V

逻辑

或V

= GND

= 5 V ± 10%

= 10 kΩ

= 80 kΩ

代码=满量程的一半， -3分贝

= 10 kΩ

= 80 kΩ

= V

/ 2 + 1 V有效值，V

= V

/2,

F = 1 kHz时，代码=满量程的一半

= 10 kΩ

= 80 kΩ

= 5 V, V

= 0 V,

±0.5 LSB误差带

= 10 kΩ

= 80 kΩ

代码=规模的一半，T

= 25°C,

F = 100千赫

= 10 kΩ

= 80 kΩ

= 25°C

100

动态特性

, 9

带宽

200

兆赫

千赫

总谐波失真

THD

建立时间

μs

电阻噪声密度

N_WB

纳伏/赫兹÷

Mcycles

kcycles

岁月

Flash / EE存储器可靠性

耐力

数据保留

典型值代表平均的读数在25℃ ，V

= 5 V, V

= 0V和V

逻辑

= 5 V.

电阻位置非线性误差（R- INL）是在最大电阻和最小电阻抽头之间测量的理想值之间的偏差

位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。最大抽头的电流被限制在0.75 ×V

通过设计和特性保证，未经生产测试。

INL和DNL在V测量

与配置类似的电压输出DAC电位分压器的RDAC 。 V

= V

和V

= 0 V DNL规范极限值

±1 LSB（最大值）保证单调的工作条件。

电阻端子A，电阻端B和电阻端W无极性限制，相对于对方。

不同的工作电流;电源电流为NVM方案持续约30毫秒。

不同的工作电流;电源电流为NVM读持续约20微秒。

DISS

从（我计算

× V

) + (I

逻辑

× V

逻辑

所有的动态特性采用V

= 5.5 V ，和V

逻辑

= 5 V.

耐力是合格的，每JEDEC 22标准方法A117 10万次，并在150 ℃下测定。

保持期限相当于在结温（T

） = 125°C根据JEDEC 22标准方法A117 。根据1电子伏特的活化能保持期限

减额与在Flash / EE存储器的结温。

第0版|第28 4

数据表

电气特性， AD5112

AD5110/AD5112/AD5114

5 kΩ的，为10kΩ ， 80 kΩ的版本： V

= 2.3 V至5.5 V ，V

逻辑

= 1.8 V到V

, V

= V

, V

= 0 V ， -40°C <牛逼

< + 125 ℃，除非另有说明。

表3中。

参数

直流特性，变阻器模式

决议

电阻积分非线性

符号

R- INL

测试条件/评论

民

2.5

0.25

典型值

最大

单位

位

最低位

PPM /°C的

= 5 KΩ ，V

= 2.3 V至2.7 V

= 5 KΩ ，V

= 2.7 V至5.5 V

= 10 kΩ

= 80 kΩ

电阻微分非线性

标称电阻容差

电阻温度COEF网络cient

滑动端电阻

R- DNL

ΔR

(ΔR

)/ΔT × 10

±0.5

±0.25

±0.1

±0.25

+2.5

+0.25

140

代码=满量程

代码=零刻度

代码=底部刻度

代码=畅销规模

直流特性电位器

分频模式

积分非线性

微分非线性

满量程误差

INL

DNL

WFSE

零刻度误差

WZSE

分压器温度系数

电阻端子

最大连续我

, I

和我

当前

终端电压范围

电容，电容B

(ΔV

)/ΔT × 10

= 5 kΩ

=10 kΩ

= 80 kΩ

= 5 kΩ

=10 kΩ

= 80 kΩ

CODE =半秤

= 5 kΩ, 10 kΩ

= 80 kΩ

0.5

2.5

1.5

±0.15

+0.5

1.5

0.25

±10

1.5

GND

+1.5

最低位

PPM /°C的

, C

电容W

共模漏电流

数字输入

输入逻辑

高

低

输入滞后

输入电流

输入电容

数字输出（ SDA ）

输出低电压

三态泄漏电流

三态输出电容

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=规模的一半，V

= V

2.5 V或V

= V

= 2.5 V

F = 1MHz时，测量到GND ，

代码=一半的规模，

= V

= 2.5 V

= V

500

±15

+500

INH

INL

HYST

逻辑

= 1.8 V至2.3 V

逻辑

= 2.3 V至5.5 V

逻辑

= 1.8 V至2.3 V

逻辑

= 2.3 V至5.5 V

0.8 × V

逻辑

0.7 × V

逻辑

0.2 × V

逻辑

0.3 × V

逻辑

0.1 × V

逻辑

±1

μA

SINK

= 3毫安

SINK

= 6毫安

0.2

0.4

第0版|第28 5