AD500-9 TO52S1
雪崩光电二极管NIR
特色：
量子效率>的80％ ，在
λ
760 - 910纳米
高速，低噪声
500微米直径的有效面积
低坡度乘法曲线
参数：
活动区域
暗电流
1)
(M = 100)
总电容
1)
(M = 100)
击穿电压ü
BR
（在我
D
= 2 A)
U型温度系数
BR
光谱响应
1)
（在905纳米， M = 100）的
截止频率
(-3dB)
上升时间
最佳增益
马克斯。收益
“多余的噪音”因素
(M = 100)
“多余的噪音”指数
(M = 100)
噪声电流
(M = 100)
N.E.P.
（M = 100， 905 nm）的
工作温度
储存温度
AD500-9 TO52S1
0.196 mm
2
500 m
最大。 5 nA的
（典型值） 。 0.5 - 1 nA的
（典型值） 。 1.2 pF的
120 … 300 V
（典型值） 。 > 200 V
（典型值） 。 1.55 V / K
分钟。 55 / W
（典型值） 。 60 A / W
（典型值） 。 0.5 GHz的
（典型值） 。 550 PS
50 - 60
＆ GT ; 200
包（ TO52S1 ） ：
例
4
3
1
45°
阳极
2.54
5.4 ± 0.2
阴极
4.7 ± 0.1
0.9 ± 0.3
2.0分钟。
3.6 ± 0.2
敏感
表面
（典型值） 。 2.5
（典型值） 。 0.2
（典型值） 。 1 PA / Hz的
1/2
（典型值） 。 2 * 10
-14
W / Hz的
1/2
-20 ... +70 °C
-60 ... +100 °C
2.7 ± 0.2
0.5 MAX 。
0.4最大。
0.45
芯片： AD500-9
直径。有源区：100微米
1）测定条件：
光电流为10nA ，在M = 1和照射由一个红外发光二极管的设置
（ 880纳米， 80纳米的带宽） 。
增加光电流高达1 A ， （M = 100）的内部乘
由于增加的偏置电压。
3
1
鉴于无
窗口帽
4
www.silicon-sensor.com
版本： 29年5月4日
规格前： SSO - AD- 500-9 - TO52 -S1
www.pacific-sensor.com
13 ± 1.0
0.35 ± 0.2
3.0 ± 0.1
光谱响应在M = 1
系列 - 9
0,700
0,600
SABS （ A / W）
光谱响应在M = 100
系列 - 9
7 0 ,0 0
6 0 ,0 0
5 0 ,0 0
4 0 ,0 0
3 0 ,0 0
2 0 ,0 0
1 0 ,0 0
0 ,0 0
0,500
SABS （ A / W）
0,400
0,300
0,200
0,100
0,000
4 00
5 00
60 0
70 0
80 0
9 00
1 00 0
1 10 0
W AV elength表示（纳米）
400
500
600
700
800
900
1000
1100
W上的V é乐，吴次（NM ）
QE为M = 1的
系列 - 9
100,0
90,0
80,0
70,0
60,0
QE
50,0
40,0
30,0
20,0
10,0
0,0
400
500
600
700
800
900
1000
1100
I
D
= F （U
R
/U
BR
)
AD500-9
10,000
W上的V é乐NGTH （NM ）
增益= F（V
R
)
AD500-9
1000,0
1,000
100,0
ID [ nA的]
0,100
M
10,0
0,010
0,001
0,000
1,0
0,200
0,400
U
R
/U
BR
0,600
0,800
1,000
0
50
100
150
V
R
[ V]
200
250
300
最大额定值：
马克斯。电能损耗
最大。光峰值，一旦
最大。连续光操作
( P
ELECTR 。
= P
OPT 。
* S
ABS
* M * U
R
)
为100mW ，在22 ℃下
200毫瓦为1秒
I
Ph
（DC）的
≤
250 A
≤
1毫安信号50微秒"on" / 1毫秒"off"
偏置电源电压
限流电阻
应用提示：
IC内部的 - 电流应被保护电阻或电流限制的限制
电源。
采用低噪音读出 - IC 。
对于高增益应用偏置电压应温度补偿。
对于低光级的应用程序，应使用阻挡环境光。
APD
分钟。 0.1 μF ，
最接近APD
二极管，保护电路
操作注意事项：
读出电路或
F.E. 50
负载电阻
焊接温度
260 ℃，最大10秒。该设备必须防止助焊剂蒸汽！
分钟。脚 - 长
2 mm
ESD - 保护
标准预防措施是足够的。
存储
存储设备中的导电泡棉。
避免皮肤接触的窗口！
清洁窗口乙醇，如果必要的。
不要划伤或磨损的窗口。
德国
:
硅传感器有限公司
Ostendstr 。 1
12459柏林
德国
电话： +49 （ 0 ） 30-63 99 23 10
传真：
+49 (0)30-63 99 23 33
电子信箱：
sales@silicon-sensor.de
国际销售：
硅传感器有限公司
英国办事处
35乌节关闭
斯坦斯特德的Abbotts ，洁具
赫特福德郡SG 12 AH 8
电话/传真： +44 （ 0 ）八十七分之一千九百二十○ 20 90
电子信箱：
pnsilsensuk@btconnect.com
p.nash@silicon-sensor.com
U.S.A. ：
太平洋硅传感器有限公司
5700科萨大道105 ＃
西湖村
CA 91362 USA
电话： + 1-818-706-3400
传真：
+1-818-889-7053
电子邮件：
sales@pacific-sensor.com
AD500-9 TO52S1
雪崩光电二极管NIR
特色：
量子效率>的80％ ，在
λ
760 - 910纳米
高速，低噪声
500微米直径的有效面积
低坡度乘法曲线
参数：
活动区域
暗电流
1)
(M = 100)
总电容
1)
(M = 100)
击穿电压ü
BR
（在我
D
= 2 A)
U型温度系数
BR
光谱响应
1)
（在905纳米， M = 100）的
截止频率
(-3dB)
上升时间
最佳增益
马克斯。收益
“多余的噪音”因素
(M = 100)
“多余的噪音”指数
(M = 100)
噪声电流
(M = 100)
N.E.P.
（M = 100， 905 nm）的
工作温度
储存温度
AD500-9 TO52S1
0.196 mm
2
500 m
最大。 5 nA的
（典型值） 。 0.5 - 1 nA的
（典型值） 。 1.2 pF的
120 … 300 V
（典型值） 。 > 200 V
（典型值） 。 1.55 V / K
分钟。 55 / W
（典型值） 。 60 A / W
（典型值） 。 0.5 GHz的
（典型值） 。 550 PS
50 - 60
＆ GT ; 200
包（ TO52S1 ） ：
例
4
3
1
45°
阳极
2.54
5.4 ± 0.2
阴极
4.7 ± 0.1
0.9 ± 0.3
2.0分钟。
3.6 ± 0.2
敏感
表面
（典型值） 。 2.5
（典型值） 。 0.2
（典型值） 。 1 PA / Hz的
1/2
（典型值） 。 2 * 10
-14
W / Hz的
1/2
-20 ... +70 °C
-60 ... +100 °C
2.7 ± 0.2
0.5 MAX 。
0.4最大。
0.45
芯片： AD500-9
直径。有源区：100微米
1）测定条件：
光电流为10nA ，在M = 1和照射由一个红外发光二极管的设置
（ 880纳米， 80纳米的带宽） 。
增加光电流高达1 A ， （M = 100）的内部乘
由于增加的偏置电压。
3
1
鉴于无
窗口帽
4
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版本： 29年5月4日
规格前： SSO - AD- 500-9 - TO52 -S1
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13 ± 1.0
0.35 ± 0.2
3.0 ± 0.1
光谱响应在M = 1
系列 - 9
0,700
0,600
SABS （ A / W）
光谱响应在M = 100
系列 - 9
7 0 ,0 0
6 0 ,0 0
5 0 ,0 0
4 0 ,0 0
3 0 ,0 0
2 0 ,0 0
1 0 ,0 0
0 ,0 0
0,500
SABS （ A / W）
0,400
0,300
0,200
0,100
0,000
4 00
5 00
60 0
70 0
80 0
9 00
1 00 0
1 10 0
W AV elength表示（纳米）
400
500
600
700
800
900
1000
1100
W上的V é乐，吴次（NM ）
QE为M = 1的
系列 - 9
100,0
90,0
80,0
70,0
60,0
QE
50,0
40,0
30,0
20,0
10,0
0,0
400
500
600
700
800
900
1000
1100
I
D
= F （U
R
/U
BR
)
AD500-9
10,000
W上的V é乐NGTH （NM ）
增益= F（V
R
)
AD500-9
1000,0
1,000
100,0
ID [ nA的]
0,100
M
10,0
0,010
0,001
0,000
1,0
0,200
0,400
U
R
/U
BR
0,600
0,800
1,000
0
50
100
150
V
R
[ V]
200
250
300
最大额定值：
马克斯。电能损耗
最大。光峰值，一旦
最大。连续光操作
( P
ELECTR 。
= P
OPT 。
* S
ABS
* M * U
R
)
为100mW ，在22 ℃下
200毫瓦为1秒
I
Ph
（DC）的
≤
250 A
≤
1毫安信号50微秒"on" / 1毫秒"off"
偏置电源电压
限流电阻
应用提示：
IC内部的 - 电流应被保护电阻或电流限制的限制
电源。
采用低噪音读出 - IC 。
对于高增益应用偏置电压应温度补偿。
对于低光级的应用程序，应使用阻挡环境光。
APD
分钟。 0.1 μF ，
最接近APD
二极管，保护电路
操作注意事项：
读出电路或
F.E. 50
负载电阻
焊接温度
260 ℃，最大10秒。该设备必须防止助焊剂蒸汽！
分钟。脚 - 长
2 mm
ESD - 保护
标准预防措施是足够的。
存储
存储设备中的导电泡棉。
避免皮肤接触的窗口！
清洁窗口乙醇，如果必要的。
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传真：
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