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提升半导体公司
64MB SDRAM
ASCEND
ASCEND
半导体
64M SDRAM
64M SDRAM
数据表
数据表
电话: ( 03 ) 5635888 /传真: ( 03 ) 5635188 / http://www.ascendsemi.com.tw
初步
1
提升半导体公司
订购信息
64MB SDRAM
公元48 4M 16 4 4 V T A - 7 L I
ASCEND
半导体
工作范围
I
:工业
-40℃ ~ 85℃
:商业
0℃ ~ 70℃
S
:特殊
0℃ ~ 85℃
EDO
FPM
DDRSDRAM
DDRSGRAM
SGRAM
SDRAM
:
:
:
:
:
:
40
41
42
43
46
48
密度
16M
: 16兆比特
8M
: 8兆比特
4M
: 4兆比特
2M
: 2兆比特
1M
: 1兆比特
组织
8
: x8
9
: x9
16
: x16
18
: x18
32
: x32
刷新
1
: 1K,
8
: 8K
2
: 2K,
6
:16K
4
: 4K
银行
2
: 2Bank
6
: 16Bank
4
: 4Bank
3
: 32Bank
8
: 8Bank
动力
非:标准
L
:低功耗
最小周期时间(最大频率)。
-55
: 5.5ns ( 183MHz )
-6
:为6ns
( 167MHz )
-7
: 7ns的
( 143MHz下)
-8
:为8ns
( 125MHz的)
-10
:为10ns ( 100MHz时)
-15
:为15ns ( 66MHz的, CL1适用)
调整
A :
1st
B :
2nd
C :
3rd
D: 4
接口
V:
3.3V
R:
2.5V
C:
CSP
B:
UBGA
T:
TSOP
Q:
TQFP
P:
PQFP ( QFP )
初步
2
提升半导体公司
64MB ( 4Banks )同步DRAM
AD484M1644VTA ( 4Mx16 )
描述
64MB SDRAM
该AD484M1644VTA是同步动态随机存取存储器(SDRAM)的
组织为1048756字× 4组×16位。所有的输入和输出是同步的
在时钟的正边缘。 64MB的SDRAM使用同步流水线
体系结构来实现高速数据传输速率,并设计在3.3V操作
低功耗存储器系统。它还提供了自动刷新与省电/睡眠模式。
所有输入和输出电压值与LVTTL兼容
.
特点
完全同步的时钟上升沿
单3.3V +/- 0.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
工业应用温度
可编程突发长度( BL ) - 1,2,4,8或整页
可编程CAS延迟( CL ) -1 , 2或3
数据掩码( DQM )的读/写屏蔽
可编程的缠绕顺序 - 顺序( BL = 1/2/ 4/8 /全页)
- 交错( BL = 1/2/4/8 )
突发读单位的写操作
所有输入进行采样,系统时钟的正上升沿。
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
订购信息
产品型号
AD484M1644VTA-55
最大
FREG 。
183MHz
54pins,
TSOPII
54pins,
TSOPII
54pins,
TSOPII
54pins,
TSOPII
54pins,
TSOPII
54pins,
TSOPII
54pins,
TSOPII
工作范围
商业范围:0 ℃70℃
动力
标准
AD484M1644VTA-6
167MHz
商业范围:0 ℃70℃
标准
AD484M1644VTA-7
143MHz
商业范围:0 ℃70℃
标准
AD484M1644VTA-15
66MHz
商业范围:0 ℃70℃
标准
CL1
AD484M1644VTA-7L
143MHz
商业范围:0 ℃70℃
低功耗
AD484M1644VTA-8L
125MHz
商业范围:0 ℃70℃
低功耗
AD484M1644VTA-10L
100MHz
商业范围:0 ℃70℃
低功耗
*登高半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
初步
3
提升半导体公司
订购信息
产品型号
AD484M1644VTA-7I
64MB SDRAM
最大
FREG 。
143MHz
54pins,
TSOPII
54pins,
TSOPII
54pins,
TSOPII
54pins,
TSOPII
54pins,
TSOPII
54pins,
TSOPII
工作范围
工业温度范围: -40 ℃85℃
动力
标准
AD484M1644VTA-8I
125MHz
工业温度范围: -40 ℃85℃
标准
AD484M1644VTA-10I
100MHz
工业温度范围: -40 ℃85℃
标准
AD484M1644VTA-7LI
143MHz
工业温度范围: -40 ℃85℃
低功耗
AD484M1644VTA-8LI
125MHz
工业温度范围: -40 ℃85℃
低功耗
AD484M1644VTA-10LI
100MHz
工业温度范围: -40 ℃85℃
低功耗
*登高半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
引脚配置(顶视图)
V
DD
1
DQ0
2
V
DDQ
3
DQ1
4
DQ2
5
V
SSQ
6
DQ3
7
DQ4
8
V
DDQ
9
DQ5
10
DQ6
11
V
SSQ
12
DQ7
13
V
DD
14
LDQM
15
/ WE
16
/ CAS
17
/ RAS
18
/ CS
19
BA0
20
BA1
21
A10/AP
22
A0
23
A1
24
A2
25
A3
26
V
DD
27
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
初步
54pin TSOP -II
(400milx875mil)
( 0.8毫米引脚间距)
4
提升半导体公司
引脚说明(简体)
64MB SDRAM
CLK
/ CS
CKE
名字
系统时钟
芯片选择
时钟使能
引脚功能
主时钟输入(主动的积极的上升沿)
选择芯片时有效
激活在CLK时的“H”和停用时为“L” 。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新
命令。禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行地址(A0至A11)由A0至A11级确定
在银行主动命令周期CLK上升沿。
CA ( CA0至CA7 )由A0的决心A7水平
读或写命令周期CLK的上升沿。
这列地址变成突发存取开始
地址。 A10限定所述预充电模式。当A10 =高
在预充电命令周期,所有的银行进行预充电。
但是,当A10 =低的预充电命令周期,
只有被选中BA0 / BA1 ,该行被预充电。
选择哪家银行是活跃。
锁存行地址上的积极上升沿
CLK与/ RAS “L”。让行存取&预充电。
锁存器地址栏上的积极上升沿
与CLK / CAS低。启用列的访问。
锁存器地址栏上的积极上升沿
与CLK / CAS低。启用列的访问。
A0 ~ A11
地址
BA0 , BA1
银行地址
/ RAS
行地址选通
/ CAS
列地址选通
/ WE
写使能
LDQM / UDQM
数据输入/输出面膜
DQM控制I / O缓冲器。
DQ0 15
数据输入/输出
DQ管脚具有相同的功能,在传统的I / O引脚
DRAM 。
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
NC
电源/接地
电源/接地
无连接
V
DD
和V
SS
在电源引脚内部电路。
V
DDQ
和V
SSQ
在电源引脚的输出缓冲器。
该引脚建议将留在无连接
装置。
初步
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AD484M1644VTA-15
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
AD484M1644VTA-15
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