ACTS112MS
1996年1月
抗辐射
双J- K触发器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式
MIL- STD- 1835 ，代号CDIP2 -T16 ，
铅涂层
顶视图
CP1 1
K1 2
J1 3
S1 4
Q1 5
Q1 6
Q2 7
GND 8
16 VCC
15 R1
14 R2
13 CP2
12 K2
11 J2
10 S2
9 Q2
特点
符合MIL -PRF- 38535 QML设备QUALI网络版
详细的电气和筛选要求包含在
SMD ＃ 5962-96714和Intersil公司的质量管理计划
1.25微米抗辐射CMOS SOS
总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >300K RAD （SI ）
单粒子翻转（ SEU ）免疫： <1 ×10
-10
错误/位/天
（典型值）
SEU LET阈值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >100 MEV -厘米
2
/毫克
剂量率无奈之举。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >10
11
RAD （SI ） /秒， 20ns的脉冲
剂量率生存能力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >10
12
RAD （SI ） /秒， 20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
军用温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少ALSTTL逻辑
直流工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = 0.8V最大
- VIH = VCC / 2敏
输入电流
≤
1μA ，在VOL ， VOH
快速传播延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。约为26ns （最大值） ，在16ns （典型值）
16引脚陶瓷扁平
MIL- STD- 1835 ，代号CDFP4 -F16 ，
铅涂层
顶视图
CP1
K1
J1
S1
Q1
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
R1
R2
CP2
K2
J2
S2
Q2
描述
Intersil的ACTS112MS是一种抗辐射双JK触发器
与置位和复位。在负跳变的输出改变状态
时钟（ CP1N或CP2N ）的。
该ACTS112MS采用先进的CMOS / SOS技术实现
高速操作。此设备是辐射的构件硬化，
高速CMOS / SOS逻辑系列。
该ACTS112MS是在一个16引脚陶瓷扁平封装（K SUF网络X）提供或
一个陶瓷双列直插式封装（D SUF网络X） 。
订购信息
产品型号
5962F9671401VEC
5962F9671401VXC
ACTS112D/Sample
ACTS112K/Sample
ACTS112HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
25
o
C
25
o
C
25
o
C
筛选LEVEL
MIL -PRF - 38535 V类
MIL -PRF - 38535 V类
样品
样品
DIE
包
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
DIE
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
规格编号
网络文件编号
1
518825
3570.1
ACTS112MS
工作原理图
5 (9)
CL
Q
P
3(11)
J
CL
P
N
2(12)
K
4(10)
S
15(14)
R
1(13)
CL
CP
CL
CL
N
CL
CL
P
N
CL
CL
P
N
6 (7)
CL
Q
真值表
输入
S
L
H
L
H
H
H
H
H
注意：
1. H =高稳态，L =低稳定状态时， X =非物质，
=高向低转换
R
H
L
L
H
H
H
H
H
H
CP
X
X
X
J
X
X
X
L
H
L
H
X
K
X
X
X
L
L
H
H
X
H
L
切换
没有变化
Q
H
L
的H（注2）
输出
Q
L
H
的H（注2）
没有变化
L
H
2.输出国家不可预测的，如果S和R变高的同时后两者是低的
同时，
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留更改电路设计和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
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规格编号
2
518825
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