数据表
第2版， 5/2005
ACT30
ACT30
特点
高性能离线控制器
ActiveSwitcher
TM
IC系列
概述
在ACT30是一种高性能的
绿色节能离线式电源控制器。它
设有一个可扩展的驱动器用于驱动外部
NPN或MOSFET晶体管的线电压
切换。这种专有的架构使
许多先进的功能被集成到一个
小封装（ TO-92或SOT23-5 ） ，导致
总成本最低的解决方案。
该ACT30设计有6个内部端子
和是一个脉冲频率和宽度调制集成电路
有许多灵活的封装选择。一
内部端子的组合包装在
节省空间的TO- 92封装（A / B / C / D
版本），用于为65kHz或100kHz的开关
频率和400毫安或800毫安电流限制。
在E版（ SOT23-5 ）可配置为
更高的电流限制。
在待机状态下功耗仅为0.15W ，芯片
过电流功能，打嗝模式短路，
和欠压保护机制。
该ACT30是理想的高使用
高性能通用适配器和充电器。
为了获得最高的性能与成本
最小的PCB面积，使用在ACT30
结合使用ACT32 CV / CC控制器。
总成本最低的解决方案
0.15W待机功耗
发射极驱动器允许安全NPN型反激式使用
打嗝模式短路
电流模式工作
过电流保护
欠压保护和自动重启
专有的可扩展输出驱动器
灵活的包装选项（包括TO- 92 ）
为65kHz或100kHz的开关频率
可选0.4A至1.2A电流限制
应用
电池充电器
电源适配器
备用电源
家电
通用离线式电源供应器
图1.简化的应用电路
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ACT30
订购信息
产品型号
ACT30AHT-A
ACT30BHT-A
ACT30CHT-A
ACT30DHT-A
ACT30EUC-T
开关频率
65kHz
65kHz
100kHz
100kHz
可选
电流限制
400mA
800mA
400mA
800mA
可调整的
温度范围
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
包
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
SOT23-5
引脚
3
3
3
3
5
引脚配置
ACT30A
ACT30B
ACT30C
ACT30D
1
2
3
VDD
GND
频率
1
2
3
5
DRV1
ACT30E
4
DRV2
TO-92
SOT23-5
引脚说明
引脚数
TO-92
1
2
3
5
4
3
SOT23-5
1
2
引脚名称
VDD
GND
DRV
DRV1
DRV2
频率
引脚说明
电源引脚。连接到光耦的发射器。内部限制
5.5V最大。旁路至GND与适当的补偿网络。
地
驱动器输出（ TO- 92只） 。连接到高电压NPN型的发射极或
MOSFET。对于ACT30A / C， DRV引脚内部连接到DRV1 。为
ACT30B / D， DRV引脚内部连接到两个DRV1和DRV2 。
驱动器输出1 （仅SOT23-5 ） 。在启动过程中也用作电源输入。
驱动器输出2 （仅SOT23-5 ）
频率选择（ SOT23-5只） 。该终端具有内部200kΩ的上拉
下拉电阻。连接到VDD为100kHz的操作。连接到GND或
悬空为65kHz的操作。
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ACT30
绝对最大额定值
（注意：不要超过这些限制，以防止损坏设备暴露在绝对最大额定值条件下长时间。
期间可能会影响器件的可靠性。 ）
参数
价值
单位
VDD ， FREQ引脚电压
VDD电流
DRV ， DRV1 ， DRV2电压
连续DRV ， DRV1 ， DRV2电流
最大功率耗散
工作结温
储存温度
焊接温度（焊接， 10秒）
TO-92
SOT23-5
-0.3 6
20
-0.3至18
内部限制
0.6
0.39
-40至150
-55到150
300
V
mA
V
A
W
°C
°C
°C
电气特性
(V
DD
= 4V ，T
J
= 25
°
C除非另有说明）
参数
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DD
启动电压
DRV1启动电压
DRV1短路检测阈值
V
DD
欠压阈值
V
DD
钳位电压
启动电源电流
电源电流
开关频率
最大占空比
最小占空比
有效的限流
V
DD
到DRV1电流系数
VDD动态阻抗
DRV1或DRV2驱动器导通电阻
DRV1上升时间
DRV1下降时间
DRV1和DRV2关机电流
V
开始
V
DRVST
V
SCDRV
V
UV
I
DDST
I
DD
f
SW
D
最大
D
民
I
LIM
G
收益
R
VDD
R
DRV1 ， 2
上升沿
DRV1必须是更高
比这个电压
启动。
下降沿
10mA
V
DD
= 4V V前
UV
ACT30A / B或FREQ = 0
ACT30C / D或FREQ = V
DD
ACT30A / C ，V
DD
= 4V
ACT30B / D ，V
DD
= 4V
V
DD
= 4.6V
ACT30A/C
V
DD
= V
UV
+
ACT30B / D ; ACT30E
0.1V
与DRV1 = DRV2
ACT30A/C
ACT30B/D
4.75
5
8.6
9.6
6.8
5.25
10.5
11.5
3.53
5.75
0.45
1
85
125
83
V
V
V
V
V
mA
mA
千赫
%
%
mA
A / V
k
ns
ns
3.17
5.15
3.35
5.45
0.23
0.7
55
75
67
60
65
100
75
3.5
400
800
-0.29
9
I
DRV1
= I
DRV2
= 0.05A
1nF的负载， 15Ω拉
1nF的负载， 15Ω拉
驱动程序关，V
DRV1
= V
DRV2
= 10V
3.6
30
20
12
30
A
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ACT30
功能说明
图2示出了
功能框图
的ACT30 。主要部件包括
开关
控制
LOGIC ，
两
片上
中压功率MOSFET的并行
电流传感器，驱动器，振荡器和斜
发电机，电流限制VC发生器，误差
比较器，
嗝
控制，
BIAS
和
欠压锁定和调节电路。
正如图2所示，设计具有6内部
终端。 VDD为电源端。
DRV1和DRV2是线性驱动器输出，
能够驱动外部高电压的发射极
NPN型晶体管或N沟道MOSFET 。这
发射器驱动方法需要高的优势
V
CBO
该transitor的，允许以低成本
晶体管，如“ 13003 （Ⅴ
CBO
= 700V ）或
‘13002 (V
CBO
= 600V）被用于广泛的交流
输入范围。摆率限制的驱动程序再加
与外部的关断特性
NPN导致较低的EMI。
驱动器峰值电流被设计为具有
相对于负电压系数
电源电压V
DD
，使较低的电源电压
自动导致更高的峰值DRV1
电流。这样，光电耦合器可以控制
V
DD
直接影响到驱动器的电流。
启动顺序
图1示出了
简化应用
电路
为ACT30 。最初，小电流
通过电阻器R1充电了电容器C1 ，
和BJT作为一个追随者，弹出
DRV1电压。一个内部稳压器产生一个
V
DD
电压等于V
DRV1
- 3.6V的ACT30A / C
(V
DRV1
- 4.6V的ACT30B / D ），但它限制到5.5V
最大。由于V
DD
十字架5V ，稳压采购
功能停止和V
DD
开始下降，由于其
电流消耗。由于V
DD
电压降低
低于4.75V时，IC开始与操作
增加驱动电流。当输出
电压达到调节点，光耦
反馈电路停止V
DD
从降低
进一步。切换动作也允许
辅助绕组接管供应
C1电容。图3显示了一个典型的启动
序列为ACT30 。
为了限制辅助电压，采用一个12V齐纳
二极管ACT30A / C或13V的齐纳
ACT30B / D （图1中二极管D1 ） 。
尽管高达2MΩ的启动电阻（R1）
可由于所使用的非常低的启动电流，
实际的R1值应该被选择为一个
备用电源和启动之间的妥协
时间延迟。
DRV1
DRV2
VDD
9k
BIAS
& UVLO
调节器
+
3.6V （ ACT30A / C）
4.6V （ ACT30B / D）
嗝
控制
频率
OSC &
坡道
当前
200k
PFWM
开关
控制
逻辑
SLEW
1x
20k
错误
COMP
56x
56x
ILIM VC
发电机
+
20k
40
4.75V
+
10uA/V
GND
GND
FREQ端引线键合的ACT30C到VDD / D（ TO- 92 ）
DRV2终端引线键合到DRV1在ACT30B / D（ TO-92 ）
图2.功能框图
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ACT30
V
AC
脉冲跳过
V
DRVST
V
DRV1
5V
V
DD
I
主
V
OUT
图3.启动波形
正常工作
在正常操作中，反馈信号从
次级侧通过发送
光耦合器作为电流信号到VDD端子，
它具有的9kΩ的动态阻抗。该
导致V
DD
电压影响的开关
IC 。作为从可见
功能框图，
电流限制VC发生器利用V
DD
以4.75V的电压差，以产生一个
在的负输入成比例的偏移
误差比较。
司机打开每个的开始
开关周期。电流检测电阻
电流，这是变压器的一小部分
初级电流，随时间增加的
初级电流增加。当电压
翻过这个电流检测电阻加
振荡器斜坡信号等于误差比较器的
负输入电压，驱动器停止工作。因此，
峰值DRV1电流具有负电压
-0.29A / V和的系数中，可以计算
从以下内容：
I
DRV1PEAK
= 0.29A / V
(4.75V – V
DD
)
对于V
DD
< 4.75V和占空比< 50 ％ 。
当输出电压低于
调控，目前进入VDD引脚是零，
V
DD
电压减小。在V
DD
= V
UV
= 3.35V时，
峰DRV1电流具有最大值
400mA.
电流限制调整
该IC的专有驱动程序的安排
允许电流限制可以很容易地调整
与400mA的电流1.2A 。要理解这一点，
驱动程序都被用作非线性电阻
与通常3.6Ω （而不是作为数字设备
输出开关）。然后，电流限制可
通过线性组合来计算，如图
图4.对于TO- 92封装， ACT30A / C
预编程400mA的电流限制和
DRV1
DRV2
I
LIM
=
400毫安
DRV1
DRV2
RD
7.2
+
R
D
I
LIM
=
400毫安
3.6
+
R
D
DRV1
DRV2
I
LIM
=
800毫安
RD
DRV1
DRV2
R
I
LIM
=
400mA
2
+
D
3.6
图4.驱动器输出配置
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特点
总成本最低的解决方案
0.15W待机功耗
发射极驱动器允许安全NPN晶体管
反激式使用
ACT30
第5版， 05军， 09
高性能离线控制器
ActiveSwitcher
TM
IC系列
概述
该ACT30是一种高性能的绿色能源摘
线路电源控制器。它具有一个可扩展的
驱动器，驱动外部NPN MOSFET或
晶体管线路电压切换。这
专有的架构使许多先进
功能集成到一个小包装
（ TO-92或SOT23 - B）中，从而导致总成本最低
的解决方案。
该ACT30设计有六个内部终端，是
脉冲频率和脉宽调制IC，具有
许多灵活的封装选择。一个组合
内部端子的封装在与空间
储蓄65kHz的TO- 92封装（A / B版本）或
100kHz的开关频率，并与400毫安或
800毫安电流限制。
消耗在待机只有0.15W ，芯片功能
过流，打嗝模式短路和欠
电压保护机制。
该ACT30非常适合高性能应用
通用适配器和充电器。对于最高
性能与成本和最小的PCB面积，
使用ACT30结合的ACT32
CV / CC控制器。
打嗝模式短路
电流模式工作
过电流保护
欠压保护和自动重启
专有的可扩展输出驱动器
灵活的包装选项（包括TO- 92 ）
为65kHz或100kHz的开关频率
可选0.4A至1.2A电流限制
应用
电池充电器
电源适配器
备用电源
家电
通用离线式电源供应器
图1：
简化应用电路
高电压直流
R1
D2
R2
IC1
DRV
Q1
+
C1
D1
GND
VDD
光电耦合器
创新动力
TM
ActiveSwitcher
TM
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2009技领半导体公司
是技领半导体公司的商标。
技领半导体公司
订购信息
产品型号
ACT30AHT
ACT30BHT
ACT30AYT
第5版， 05军， 09
ACT30
开关
频率
65kHz
65kHz
65kHz
当前
极限
400mA
800mA
400mA
连接点
温度
-40 ° C至150℃
-40 ° C至150℃
-40 ° C至150℃
包
TO-92
TO-92
SOT23-B
引脚
3
3
3
引脚配置
ACT30A
ACT30B
TO-92
SOT23-B
引脚说明
针
TO-92
1
2
3
SOT23-B
1
3
2
名字
VDD
GND
DRV
描述
电源引脚。连接到光耦的发射器。内部限制为5.5V最大值。
旁路至GND与适当的补偿网络。
地面上。
驱动器输出（ TO- 92只） 。连接到高电压NPN型的发射极或
MOSFET。对于ACT30A / C， DRV引脚内部连接到DRV1 。对于ACT30B / D，
DRV引脚内部连接到两个DRV1和DRV2 。
创新动力
TM
ActiveSwitcher
TM
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是技领半导体公司的商标。
技领半导体公司
绝对最大额定值
参数
VDD ， FREQ至GND
VDD电流
DRV ， DRV1 ， DRV2到GND
连续DRV ， DRV1 ， DRV2电流
最大功率耗散
工作结温
储存温度
焊接温度（焊接， 10秒）
TO-92
SOT23-B
第5版， 05军， 09
ACT30
单位
V
mA
V
A
W
C
C
C
价值
-0.3 6
20
-0.3至18
内部限制
0.6
0.39
-40至150
-55到150
300
：不要超过这些限制，以防止损坏设备。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能
影响器件的可靠性。
电气特性
(V
VDD
= 4V ，T
J
= 25℃ ，除非另有说明）。
参数
V
VDD
启动电压
DRV1启动电压
DRV1短路检测阈值
V
VDD
欠压阈值
V
VDD
钳位电压
启动电源电流
电源电流
开关频率
最大占空比
最小占空比
有效的限流
V
VDD
到DRV1电流系数
VDD动态阻抗
DRV1或DRV2驱动开 -
阻力
DRV1上升时间
DRV1下降时间
DRV1和DRV2关机电流
符号
V
开始
V
DRVST
V
SCDRV
V
UV
I
DDST
I
DD
f
SW
D
最大
D
民
I
LIM
G
收益
R
VDD
R
DRV1,
R
DRV2
测试条件
上升沿
ACT30A
DRV1必须
高于此
电压启动。 ACT30B
民
4.75
典型值
5
8.6
9.6
最大单位
5.25
10.5
11.5
7.25
3.63
5.95
0.45
1
80
83
V
V
V
V
mA
mA
千赫
%
%
480
920
mA
A / V
k
ns
ns
30
A
V
6.35
下降沿
10mA
V
VDD
= 4V V前
UV
ACT30A / B或FREQ = 0
ACT30A ，V
VDD
= 4V
ACT30B ，V
VDD
= 4V
V
VDD
= 4.6V
ACT30A
V
VDD
= V
UV
+ 0.1V
ACT30B与
DRV1 = DRV2
340
680
50
67
60
3.17
5.15
6.8
3.35
5.45
0.23
0.7
65
75
3.5
400
800
-0.29
9
I
DRV1
= I
DRV2
= 0.05A
1nF的负载， 15Ω拉
1nF的负载， 15Ω拉
驱动程序关，V
DRV1
= V
DRV2
= 10V
3.6
30
20
12
创新动力
TM
ActiveSwitcher
TM
-3-
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是技领半导体公司的商标。
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功能框图
DRV1
VDD
9k
BIAS
& UVLO
调节器
第5版， 05军， 09
ACT30
2
DRV2
+
3.6V （ ACT30A / C）
4.6V （ ACT30B / D）
嗝
控制
频率
1
OSC &
坡道
当前
200k
PFWM
开关
控制
逻辑
错误
COMP
SLEW
20k
1X
56X
56X
ILIM VC
发电机
40
20k
4.75V
10A/V
GND
GND
： FREQ终端在ACT30C引线键合连接到VDD / D（ TO-92 ）
： DRV2终端引线键合到DRV1在ACT30B / D（ TO-92 ）
功能说明
如图中
功能框图，
主
部件包括开关控制逻辑， 2导通
芯片中压功率MOSFET的并行
电流传感器，驱动器，振荡器和斜
发电机，电流限制VC发生器，误差
比较器，打嗝控制，偏差和下电压 -
锁定和调节电路。
如图中
功能框图，
该
设计有六个内部终端。 V
VDD
是电源
电源端子。 DRV1和DRV2是线性驱动器
输出，可驱动外部的发射器
高电压NPN晶体管或N沟道MOSFET 。
此发射器 - 驱动方法利用的优点
高V
CBO
晶体管，从而允许以低成本
晶体管，如“ 13003 （Ⅴ
CBO
= 700V ）或“ 13002
(V
CBO
= 600V）被用于广泛的AC输入范围。
摆率限制的驱动程序再加上关断
外部NPN transitor结果特征
降低EMI。
驱动器峰值电流被设计为具有
相对于供给负电压系数
电压V
VDD
，使较低的电源电压
自动导致较高的DRV1峰值电流。
这样一来，光耦可以控制V
VDD
直
影响驱动器的电流。
创新动力
TM
ActiveSwitcher
TM
启动顺序
图1示出了
简化应用电路
为
在ACT30 。最初，该小电流通过
电阻R1充电最多的电容器C1 ，并且
BJT作为一个追随者，弹出DRV1
电压。一个内部稳压器产生一个V
VDD
电压等于V
DRV1
- 3.6V的ACT30A （V
DRV1
–
4.6V的ACT30B ），但它限制到5.5V最大。由于V
VDD
十字架5V ，稳压输出功能停止
和V
VDD
开始下降，由于其电流
消费。由于V
VDD
以下电压降低
4.75V时，IC开始随着司机操作
电流。当输出电压达到规
点，光耦反馈电路停止V
VDD
进一步降低。的开关动作也
允许辅助绕组接管
供电电容C1 。图2示出
为ACT30典型的启动顺序。
为了限制辅助电压，采用一个12V齐纳二极管
对于ACT30A或13V齐纳二极管ACT30B （ D1
在图1中的二极管） 。
尽管高达2MΩ的启动电阻（R1）可以是
由于所使用的非常低的启动电流，实际
R1的选择应该考虑作为妥协
与备用电源和启动时间延迟。
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