ACT- SF128K32高速
128Kx32 SRAM /闪存128Kx32
多芯片模块
电路科技
www.aeroflex.com
特点
s
4 - 128K ×8的SRAM & 4 - 128K ×8闪存裸片
在一个MCM
s
25ns的（ SRAM）和60ns的存取时间
（闪存）或为35ns （ SRAM ），并为70ns或
为90ns （闪存）
s
组织为128K x和32的SRAM 128K X
闪存与公共数据总线的32
s
低功耗CMOS
s
输入和输出TTL兼容设计
s
MIL -PRF- 38534标准提供的MCM
s
去耦电容和多
理由低噪声
s
商业，工业及军事
温度范围
s
工业标准管脚引出线
s
TTL兼容的输入和输出
s
包装 - 密封陶瓷
q
FLASH内存功能
s
部门架构（每个模具）
每个16K字节等于行业
q
任何部门的结合可以被删除
一个命令序列。
q
8
+ 5V编程， + 5V电源
s
嵌入式擦除和编程算法
s
硬件和软件写保护
s
页编程操作和内部
程序控制时间。
s
万次擦除/编程
s
A E
RO
F
LE
X
LA
B
S
I
NC
.
66引脚， PGA型， 1.385"SQ X 0.245"max ，
艾法斯代码＃ P3 ， P7不带/带肩
C
ISO
9001
E
RT
I
F
I
E
D
框图 - PGA型封装（ P3 & P7 ）
FWE
1
SWE
1
OE
A
0
–A
16
SCE
FCS
FWE
2
SWE
2
FWE
3
SWE
3
FWE
4
SWE
4
引脚说明
I / O
0-31
A
0–16
FWE
1-4
数据I / O
地址输入
闪存写入启用
SWE
1-4
SRAM写入启用
128K
X
8 F
LASH
128K
X
8 SRAM
128K
X
8 F
LASH
128K
X
8 SRAM
128K
X
8 F
LASH
128K
X
8 SRAM
128K
X
8 F
LASH
128K
X
8 SRAM
FCE
SCE
OE
NC
V
CC
GND
闪存芯片使能
SRAM芯片使能
OUTPUT ENABLE
没有连接
电源
地
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块 SCD3850 REV A 98年5月20日
绝对最大额定值
符号
T
C
T
英镑
V
G
T
L
参数
闪存数据保留
闪存耐久性（写入/擦除周期）
10年
10,000
工作温度
储存温度
最大信号电压对地
最大焊接温度（ 10秒）
等级
范围
-55到+125
-65到+150
-0.5到+7
300
单位
°C
°C
V
°C
正常工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
最低
+4.5
+2.2
-0.5
最大
+5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
电容
(V
IN
= 0V ， F = 1MHz的，T
C
= 25°C
)
符号参数
C
AD
C
OE
C
WE
1-4
C
CE
C
I
/
O
A
0
–
A
18
电容
OE电容
F / S写使能电容
F / S芯片使能电容
I / O
0
- I / O
31
电容
最大
80
80
30
50
30
单位
pF
pF
pF
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
条件
V
CC
=最大，V
IN
= 0至V
CC
FCE = SCE = V
IH
， OE = V
IH ，
V
OUT
= 0至V
CC
民
最大单位
10
10
550
80
0.4
2.4
220
280
0.45
0.85× V
CC
3.2
4.2
A
A
mA
mA
V
V
mA
mA
V
V
V
SRAM的工作电源电流×32 ×32我SCE = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，V
CC
=
CC
马克斯， FCE = V
IH
模式
待机电流
SRAM输出低电压
SRAM输出高电压
闪光的Vcc工作电流为读（ 1 ）
闪光的Vcc工作电流为计划
或擦除（ 2 ）
闪光输出低电压
闪光输出高电压
闪存VCC低于上锁电压
I
SB
V
OL
V
OH
I
CC1
I
CC2
V
OL
V
OH1
V
LKO
FCE = SCE = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
V
CC
=最大
I
OL
= 8毫安， V
CC
=最小值， FCE = V
IH
I
OH
= -4.0毫安， V
CC
=最小值， FCE = V
IH
FCE = V
IL
， OE = V
IH
， SCE = V
IH
FCE = V
IL
， OE = V
IH
， SCE = V
IH
I
OL
= 12 mA时， V
CC
=最小， SCE = V
IH
I
OH
= -2.5毫安， V
CC
=最小， SCE = V
IH
注： 1）我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（在5MHz ）的频率依赖分量。该
频率分量通常是不大于2mA /兆赫，使用OE在V
IH
2) I
CC
积极而嵌入式Algorithim （程序或
擦除）正在进行3）的直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
艾法斯电路技术
2
SCD3850 REV A 98年5月20日
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
SRAM交流特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
芯片在低Z选择输出*
输出使能到输出低Z *
芯片取消选择到输出高Z *
输出禁止到输出高Z *
*这些参数保证了设计，但没有测试
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
3
0
12
12
0
15
3
0
20
20
–025
最小最大
25
25
25
0
20
–035
最小最大
35
35
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
参数
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
输出有源，从写结束*
写入输出高Z *
从时间写数据保持
地址保持时间
*这些参数保证了设计，但没有测试
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
OW
t
WHZ
t
DH
t
AH
0
0
–025
最小最大
25
20
20
15
20
0
0
10
0
0
–035
最小最大
35
25
25
20
25
0
0
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SRAM真值表
模式
待机
读
输出禁用
写
SCE
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
SWE
X
H
H
L
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
艾法斯电路技术
3
SCD3850 REV A 98年5月20日
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
时序图 - SRAM
读周期时序图
读周期1 （ SCE = OE = V
IL
， SWE = V
IH
)
t
RC
A
0-16
t
AA
t
OH
D
I / O
以前的数据有效
数据有效
SCE
t
AS
SWE
S
EE
N
OTE
写周期时序图
写周期（ SWE控制， OE = V
IH
)
t
WC
A
0-16
t
AW
t
CW
t
AH
t
WP
t
WHZ
t
DW
数据有效
t
OW
t
DH
D
I / O
读周期2 （ SWE = V
IH
)
t
RC
A
0-16
t
AA
SCE
t
ACE
t
CLZ
S
EE
N
OTE
写周期（ SCE控制， OE = V
IH
)
t
WC
A
0-16
t
AW
t
CHZ
S
EE
N
OTE
t
AH
t
CW
t
AS
SCE
OE
t
WP
t
OE
t
OLZ
S
EE
N
OTE
t
OHZ
S
EE
N
OTE
SWE
t
DW
D
I / O
数据有效
t
DH
D
I / O
高Z
数据有效
未定义
不在乎
注：由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
电流源
I
OL
AC测试条件
参数
典型
0 – 3.0
5
1.5
单位
V
ns
V
为了测试设备
C
L
= 50 pF的
V
Z
1.5 V（双极性电源供电）
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出时序参考电平
I
OH
电流源
注意事项：
1) V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。 2 ）I
OL
我
OH
可编程从0到16毫安。 3 ）阻抗测试仪
Z
O
= 75.
4)
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
. 5) I
OL
我
OH
被调整，以模拟典型的电阻
负载电路。 6 ） ATE测试仪包括夹具电容。
艾法斯电路技术
4
SCD3850 REV A 98年5月20日
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
FLASH交流特性 - 读操作只有
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从地址， CE或OE变化输出保持，以先到为准
注1：由设计保证，但未经测试
符号
–60
–70
–90
单位
JEDEC Stand'd最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
0
60
60
60
30
20
20
0
70
70
70
35
20
20
0
90
90
90
40
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
FLASH交流特性 - 写/擦除/编程操作， FWE控
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
芯片使能建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
芯片使能保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间
扇区擦除时间
芯片擦除时间
阅读恢复时间之前写
VCC建立时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间
1
符号
JEDEC Stand'd
t
AVAC
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHEH
t
WHWL
t
万好万家
1
t
万好万家
2
t
万好万家
3
t
GHWL
t
VCE
t
OES
t
OEH
t
WC
t
CE
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CH
t
WPH
–60
–70
–90
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
60
0
30
0
30
0
45
0
20
14
典型值
60
120
0
50
12.5
10
10
0
50
12.5
10
70
0
35
0
30
0
45
0
20
14
典型值
60
120
0
50
12.5
90
0
45
0
45
0
45
0
20
14
典型值
60
120
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
s
s
美国证券交易委员会
ns
注：1。切换和数据查询。
闪存AC特征 - 写/擦除/编程操作， FCE控制
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
写使能设置时间
芯片使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能保持从写使能高
芯片使能脉冲宽度高
字节编程的时间
扇区擦除时间
芯片擦除时间
阅读恢复时间
芯片编程时间
符号
JEDEC Stand'd
t
AVAC
t
WLE
L
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHWH
t
EHEL
t
万好万家
1
t
万好万家
2
t
万好万家
3
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WH
t
CPH
–60
–70
–90
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
60
0
35
0
30
0
45
0
20
14
典型值
60
120
0
12.5
0
12.5
70
0
35
0
30
0
45
0
20
14
典型值
60
120
0
12.5
90
0
50
0
50
0
50
0
20
14
典型值
60
120
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
美国证券交易委员会
t
GHEL
艾法斯电路技术
5
SCD3850 REV A 98年5月20日
纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
QQ：2880707522 复制
